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-NÃO SUPORTAM TENSÃO REVERSA.
-APRESENTAM BAIXO GANHO: 2 A 20.
-FAIXA: 1400V -400A
CONFIGURAÇÃO DARLINGTON: AUMENTA O GANHO (75 A 200), MAS
DIMINUI A VELOCIDADE E AUMENTA O VCEsat(2V A 5V).
- VCE sat DE 1V A 2V
MOSFET OU IGFET:
1-TIPOS: DEPLEÇÃO OU CANAL FECHADO
E ENRIQUECIMENTO OU CANAL ABERTO
2-ESTRUTURA INTERNA :
METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR.
INSULATED GATE FET
CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE DEPLEÇÃO CANAL N:
ASPECTOS IMPORTANTES:-JÁ EXISTE CORRENTE ID MESMO SEM TENSÃO NO
GATE.
-O SUBSTRATO É LIGADO À FONTE.
CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE ENRIQUECIMENTO CANAL N
ASPECTOS IMPORTANTES:-SÓ COMEÇA CONDUZIR QUANDO A TENSÃO DE GATE
ATINGE O LIMIAR.
-APLICADOS NA CONFECÇÃO DE CI’s CMOS.
-FAIXA: 1000V- 200A - 25MHz.
-APRESENTA PERDA POR CAUSA DE RDS.
-O CANAL N É O MAIS USADO POR SER: MAIS BARATO E POR TER MAIOR
CONDUTIVIDADE.
- A TENSÃO LIMIAR VTh FICA NA FAIXA DE 2V A 4V.
-A TENSÃO VDS FICA NA ORDEM DE 4V.
-INSULATED BIPOLAR TRANSISTOR.
-CONDUCTIVITY MODULATED FIELD EFFECT TRANSISTOR.
-NÃO DISSIPA POTÊNCIA NO DISPARO PELO FATO DE NÃO ABSORVER CORRENTE ATRAVÉS
DO GATE. É DISPARADO POR TENSÃO.
-APRESENTA MENORES PERDAS QUANDO EM CONDUÇÃO.
CANAL N:
CANAL P:
FORMA DE DISPARO: QUANDO A TENSÃO VGE ULTRAPASSA O VGEth ( 2V A 5V). PARA
SATURAR VGE DEVE FICAR NA FAIXA DE 10V
FORMA DE CORTE: RETIRANDO A TENSÃO APLICADA ENTRE GATE E EMISSOR (VGE).
VGEth: 4,5V a 7,5V
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