View
364
Download
5
Category
Preview:
Citation preview
SUBJEK: SUBJEK: SISTEM ELEKTRONIK 1SISTEM ELEKTRONIK 1
KOD : E1002KOD : E1002
NAMA PENSYARAH:NAMA PENSYARAH:TN. SYED ADNAN BIN SYED OTHMANTN. SYED ADNAN BIN SYED OTHMAN
SESSISESSI ::
5.Prinsip asas bagi lain-lain komponen separuh pengalir
1.1. PENERUS PENERUS KAWALAN KAWALAN SILIKONSILIKON(SCR)(SCR)
Binaan dan symbol skematik
Simbol
Binaan
N
P
N
PG
G
Gate
AAnod A
K Katod K
SCR Mempunyai 3 terminal :-
i. Anod
ii. Katod
iii. Gate / Pintu
P
N
N
P
N
P
Anod
Get
Katod
RL
+50V
APNP
K
VG
NPN
G
Litar persamaan
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
VBRF1VBRF2
IG2>IG1IG1=0
VFVR
IF
IR
Voltan Pecah Tebat
Arus Sekat Depan
Arus Penahan
Arus Sekat Songsang
SCR “OFF”
SCR”ON”
Sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arus depan yang tersekat seketika.
Semasa pincang depan (VF) - IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan oleh SCR
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Kecuali sedikit arus bocor. walaupun VF dinaikkan, arus anod (IA) tetap tiada kecuali sedikit kenaikan arus bocor.
Arus pada paras ini dinamakan Arus Sekat Depan ( Forward Blocking Current ).
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan,
Akan sampai pada suatu nilai voltan di mana IA tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat.
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Nilai VF pada masa itu khususnya dinamakan
Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover Voltage, VBRF1).
VBRF1 ialah ketika IG = 0.
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam rajah itu dilabelkan sebagai IG2,
Kejadian voltan pecah tebat depan akan berlaku lebih awal lagi (VBRF2).
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Takat VBRF boleh direndahkan dengan menambahkan nilai IG. Begitulah seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup tinggi, SCR akan berlagak seperti diod biasa.
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
VR terlalu tinggi, sampai ke takat voltan pecah tebat songsang.
SCR bertindak seperti diod biasa dalam keadaan pincang songsang..
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah dari keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan “OFF” dan “ON” ( rujuk rajah ).
Semasa keadaan “OFF” , SCR bertindak seperti litar terbuka manakala semasa keadaan “ON” SCR bertindak seperti litar tertutup
Lengkuk cirian I – V bagi SCR
G
A
K
+50V
RL
Suis OFF VG = 0v SCR OFF
GA
K
+50V
RL
Suis ON VG = +5v SCR ON
+50V
5VSuis
+
R1
VG
RL
Kendalian SCRKendalian SCR
i. Seperti diod biasa. ii. Untuk membolehkan arus
mengalir melalui SCR □ Anod mestilah diberikan voltan yang lebih +ve daripada katod□ Katod mendapat voltan lebih –ve daripada anod
KENDALIAN SCR
iii. Tetapi bagi SCR voltan pincang depan belum boleh membuatkan SCR mengalir arus.
iv.iv. SCR akan mengalir arus setelah SCR akan mengalir arus setelah gate/pintu diberikan voltan +ve gate/pintu diberikan voltan +ve yang seketika / denyut +veyang seketika / denyut +ve
KENDALIAN SCR
iv.iv. Arus akan mengalir dari anod ke Arus akan mengalir dari anod ke katodkatod
v.v. Sebaik saja SCR mengalirkan Sebaik saja SCR mengalirkan arus, voltan denyut +ve pada arus, voltan denyut +ve pada gate tidak diperlukan lagi.gate tidak diperlukan lagi.
KENDALIAN SCR
Terdapat beberapa cara Terdapat beberapa cara untuk mematikan SCRuntuk mematikan SCR
i. Menggunakan pemutus litar untuk laluan arus
ii. Matikan bekalan positif pada anod
iii. Memintaskan anod ke katod
iv. Menukarkan kekutupan voltan pada anod menjadi negatif
b. DiakBinaan Simbo
l
Litar persamaan
Anod 1
(MT1)
Anod 2 (MT1)
P1N1
N2
P2 N3
- V + V
+I
- I
Lengkuk Ciri I – V bagi diakLengkuk Ciri I – V bagi diak
+ ve Breakover
voltage
- Ve Breakover
voltage
Sifatnya sama ketika pincang hadapan dan pincang songsang.
Diac diklasifikasikan sebagai “Symmetrical bidirectional switch” Nilai voltan pecah lampau
(breakover voltage) yang sama ketika pincang hadapan dan pincang songsang.
Digunakan untuk memicu Triac
Ciri-ciri Diak
Digunakan untuk picu (trigger) TriacDigunakan untuk picu (trigger) Triac
RL
R1
DIAK
TRIAKMasuka
n A.U
Contoh kegunaan diak
2.2. TRIAKTRIAK
N1
P1
P2
Binaan Simbol
Anod 2
Anod 1
Binaan dan symbol skematik
N5
N1N3
N4
Get
Get
Ciri-ciri Triak
Adalah Diak dengan 1 terminal Get untuk mengawal keadaan menghidupkan Triak dalam mana-mana arah.
Kegunaannya :- mengawal kuasa a.u. ke beban dengan membuka dan menutup suis dalam kawasan +ve dan –ve isyarat masukan gelombang sinus.
3.3. TRASISTOR TRASISTOR KESAN KESAN MESANMESAN
(FET)(FET)
Ciri-ciri FET
Mempunyai peranti 3 terminal Peranti unipolar yang terdiri
daripada 2 saluran yang melibatkan salah satu pembawa arus majoriti :-i. Saluran N – bergantung sepenuhnya kepada pengaliran elektronii. Saluran P bergantung sepenuhnya kepada pengaliran lohong (Hol)
Ciri-ciri FET
Merupakan peranti terkawal voltan Arus (I) menjadi fungsi bagi voltan
VGS yang dikenakan kepada litar masukan.
Mempunyai galangan masukan yang tinggi.terdiri daripada 2 jenis:-i. Transistor Kesan Medan Simpang (JFET)ii. Transistor Kesan Medan Separuh Pengalir Oksida Logam (MOSFET)
i.i. JFETJFET
Rajah Penguat Terkawal Arus Rajah Penguat Terkawal Arus & penguat terkawal voltan& penguat terkawal voltan
BJT
Ic
IB
Arus kawalan
FET
ID
Voltan kawalan (VGS)
Ic merupakan fungsi bagi aras IB
Ic merupakan fungsi bagi voltan VGS yang dikenakan kepada litar masukan
Binaan
Binaan dan simbol JFET
N PPGet
Punca (S)
Kawasan susutan
Salir (D) Saluran N
Kawasan susutan
Simbol bagi JFETSimbol bagi JFET
G
D
S
+
+ ID
--
VDS
VGS
G
D
S
+
+ ID
--
VDS
VGS
SALURAN - N SALURAN - P
Simbol
ii.ii.MOSFET MOSFET
((METAL OXIDE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR)SEMICONDUCTOR)
CIRI-CIRI MOSFET
FET terdiri drp. 2 jenis iaitu :-i. JFET ii. MOSFET
JFET terbahagi kepada 2 jenis :-i. Saluran N ii. Saluran P
MOSFET pula terbahagi kepada 2 jenis:i. Jenis Ragam Susutan Dan Peningkatanii. Jenis Ragam Peningkatan sahaja
MOSFET Ragam Susutan dan Peningkatan dikenali sebagai DE MOSFET.
Beroperasi secara Ragam Susutan dan Peningkatan dengan hanya menukar polariti voltan antara Get dan Punca (VGS)
Ragam Susutan Dan Ragam Peningkatan (DE MOSFET)
VGS –ve, DEMOSFET beroperasi secara ragam susutan.
VGS +ve DEMOSFET beroperasi secara ragam peningkatan
Ragam Susutan Dan Ragam Peningkatan (DE MOSFET)
G
D
S
Simbol
GP
N
N
D
S
Binaan
Ragam Susutan Dan Ragam Peningkatan (DE MOSFET)
Boleh berperasi secara ragam peningkatan sahaja.
Beroperasi dengan nilai VGS yang besar sahaja.
Ragam Peningkatan (E MOSFET)
Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET
Saluran tidak bersambung antara parit dan punca.
Menyebabkan arus parit (ID) tidak boleh mengalir jika VGS
Ragam Peningkatan (E MOSFET)
Binaan
G
D
S
P
N
N
G
D
S
Simbol
Ragam Peningkatan (E MOSFET)
Binaan
G
D
S
N
P
P
G
D
S
Simbol
Ragam Peningkatan (E MOSFET)
4.4. TRASISTOR TRASISTOR EKA EKA
SIMPANGSIMPANG (UJT)(UJT)
Transistor Eka Simpang (UJT)
Termasuk dalam keluarga transistor
Mempunyai 3 terminal berbeza dengan diod yang mempunyai 2 terminal
Berbeza dengan FET kerana tidak boleh menguatkan isyarat
Boleh mengawal mengawal kuasa A.U yang besar dengan isyarat yang kecil.
Transistor Eka Simpang (UJT)
Dibina daripada satu bar semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai sedikit sahaja pembawa arus majoriti.
Dari dua hujungnya diterbitkan dua terminal Tapak.
Tapak di atas dilabelkan sebagai B2 dan Tapak di sebelah bawah sebagai B1
Ciri-ciri Transistor Eka Simpang (UJT) Suatu lapisan bahan jenis P
ditampalkan ke bar bahan N dan dan darinya diterbitkan terminal Pengeluar (E).
Pengeluar diserap supaya mempunya banyak pembawa arus majoriti.
Digunakan di dalam litar aplikasi :-i. Kawalan fasa ii. Pensuisaniii. Pemasa iv. Penjana isyarat
Binaan
Binaan dan simbol UJT
NE
B2
B1
B2
B1
E
Simbol
P
Recommended