View
53
Download
0
Category
Preview:
Citation preview
5/28/2018 Elka Hari Ini
1/23
H - Model Parameter: -
Rangkaian setara transistor dapat dram menggunakan pendekatan sederhana dengan
mempertahankan fitur esensial. Ini setara sirkuit akan membantu dalam menganalisis
rangkaian transistor dengan mudah dan cepat.
Dua perangkat pelabuhan & Network Parameter: -
Sebuah transistor dapat diperlakukan sebagai jaringan dua bagian. Perilaku terminal jaringan
dua bagian dapat ditentukan oleh tegangan terminal V1 & V2 pada bagian 1 & 2 masing-
masing dan i1 saat ini dan i2, memasuki bagian 1 & 2, masing-masing, seperti yang
ditunjukkan pada gambar.
Dua port jaringan
Dari keempat variabel V 1, V2, i1 dan i2, dua dapat dipilih sebagai variabel independen dan dua
sisanya dapat dinyatakan dalam hal ini variabel independen. Hal ini menyebabkan berbagai dua
parameter bagian dari yang tiga berikut lebih penting.
1. Z - Parameter (atau) parameter Impedansi
2. Y - Parameter (atau) parameter Admitansi
3. H - Parameter (atau) parameter Hybrid.
Hybrid parameter ( atau ) h - Parameter : -
Jika input arus i1 dan output Tegangan V2 yang mengambil sebagai variabel independen ,
input dan output tegangan V1 i2 saat ini dapat ditulis sebagai
V1 = h11 i1 + h12 V2
i2 = i1 + H21 H22 V2
Empat parameter h11 hybrid , h12 , H21 dan H22 didefinisikan sebagai berikut .
h11 = [ V1 / i1 ] dengan V2 = 0
= Impedansi Input dengan bagian keluaran hubung singkat .
H22 = [ i2 / V2 ] dengan i1 = 0
= Masuk output dengan bagian masukan terbuka hubung .
h12 = [ V1 / V2 ] dengan i1 = 0
= Rasio transfer tegangan terbalik dengan bagian masukan terbuka hubung .
5/28/2018 Elka Hari Ini
2/23
H21 = [ i2 / i1 ] dengan V2 = 0
= Teruskan gain arus dengan bagian keluaran hubung singkat .
Dimensi h - parameter adalah sebagai berikut :
h11 -
H22 - mhos
h12 , H21 - dimensi kurang .
sebagai dimensi tidak sama, (yaitu ) mereka adalah hibrida di alam , dan parameter ini
disebut sebagai parameter hybrid .
Saya = 11 = input; 0 = 22 = output;
F = 21 = maju transfer, r = 12 = reverse transfer.
Notasi yang digunakan dalam rangkaian transistor : -
hie = h11e = input sirkuit pendek impedansi
h0e = h22e = keluaran Buka sirkuit masuk
hre = h12e = transfer tegangan Buka sirkuit terbalik rasio
hfe = h21e = sirkuit pendek ke depan Gain saat ini .
The Hybrid Model Dua -port jaringan: -
V1 = h11 i1 + h12 V2
I2 = h1 i1 + H22 V2
V1 = h1 i1 + hr V2
I2 = hf i1 + h0 V2
The Hybrid Model Dua -port jaringan
Transistor Hybrid Model : -
Penggunaan h - parameter untuk menggambarkan transistor memiliki keuntungan sebagai
berikut .
1 . h - Parameter adalah bilangan real sampai dengan frekuensi radio .
2 . Mereka mudah untuk mengukur
3 . Mereka dapat ditentukan dari transistor kurva karakteristik statis .
4 . Mereka nyaman untuk digunakan dalam analisis rangkaian dan desain .
5 . Mudah mengkonversi mampu dari satu konfigurasi ke yang lain .
6 . Mudah disediakan oleh manufactories .
5/28/2018 Elka Hari Ini
3/23
CE Transistor Circuit
Untuk Turunkan model Hybrid untuk transistor mempertimbangkan rangkaian CE
ditunjukkan dalam variabel figure.The adalah iB , ic , vB ( = VBE ) dan vc ( = VCE ) . iB dan
vc dianggap sebagai variabel independen .
Kemudian , vB = f1 ( iB , vc ) ---------------------- ( 1 )
IC = f2 ( iB , vc ) ---------------------- ( 2 )
. H - parameter adalah salah satu sistem untuk karakteristik transistor bipolar . H- parameter transistor
akan memberi Anda ide yang baik apa yang dapat dilakukan , bagaimana menggunakannya secara
efektif dalam sebuah rangkaian , dan apakah sesuai untuk sirkuit tertentu .
Dalam prakteknya , hanya beberapa h- parameter yang umum digunakan . Yang paling umum satujika hfe , yang merupakan singkatan dari h- maju - emitor . Itu berarti rasio output terhadap input
5/28/2018 Elka Hari Ini
4/23
dalam konfigurasi emitor umum , yang pada gilirannya berarti itu adalah rasio arus kolektor untuk
mendasarkan saat ini , yang pada dasarnya adalah gain dari transistor bipolar . Beta adalah satu lagi
langkah serupa tetapi tidak sepenuhnya identik keuntungan , meskipun dalam kebanyakan kasus dua
dapat digunakan secara bergantian karena sirkuit yang baik tidak bergantung pada nilai-nilai yang
tepat dari keuntungan pula .
Kadang-kadang Anda mungkin melihat hre (h - reverse- emitor ) yang merupakan ukuran seberapa
baik sebuah sumber arus transistor berada pada arus basis tetap tertentu .
Ada lebih h- parameter , tetapi mereka mendapatkan semakin jelas dan kurang umum digunakan .
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/it/f/f0/Modello_a_due_porte.PNG5/28/2018 Elka Hari Ini
5/23
BAB IV
SEMIKONDUKTOR DAN DIODA
oleh: Yonathan Sapan
A. TUJUAN
Mengetahui karakteristik dari semikonduktor instrsik dan ekstrinsik. Menjelaskan dan
mengetahui karakteristik dari dioda serta penggunaannya. Mengetahui dan menjelaskan
karakteristik dari berbagai macam rangkaian dioda seperti rangkaian clipper, clamp, serta
rangkaian pengganda. Mengetahui isyarat keluaran dari masing-masing rangkaian dioda
tersebut.
B. SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor adalah atom yang berisi empat elektron valensi. Karena jumlah elektron
valensi di dalam semikonduktor adalah ditengah antara satu (konduktor) dan delapan
(isolator) maka atom semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang
baik. Bahan semikonduktor yang banyak digunakan adalahsilikon(Si), germanium (Ge), dan
karbon (C). Silikon dan germanium digunakan untuk membuat komponen-komponen zat
padat (solid state), sedangkan karbon terutama untuk membuat resistor dan potensiometer.
Bila tidak ada gaya luar yang menyebabkan konduksi, cacah elektron dan proton adalah
sama. Karena muatan elektron(negatif) dan proton (positif) adalah sama dan berlawanan
maka muatan netto pada atom adalah nol. Bila atom kehilangan elektron valensi maka
muatan atom menjadi positif, sebaliknya bila menerima elektron, muatan netto menjadi
negatif. Semikonduktor terbagi atas dua yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor
ekstrinsik.
1. Semikonduktor IntrinsikAtom-atom semikonduktor yang mempunyai empat elektron valensi tersusun sebagai kristal
tetrahedral oleh adanya ikatan kovalen dengan mekanisme hantarannya digunakan gambaran
dua dimensi susunan kristalnya. Lingkaran dengan tanda +4 melukiskan ion semikonduktor
yakni atom beserta elektron-elektronnya selain empat elektron valensi. Ikatan kovalen
dilukiskan dengan garis lengkung dengan dua elektron valensi di dalamnya. Pada suhu 0 K,
elektron valensi terikat erat dengan ikatan kovalen dan tidak ada elektron bergerak bebas.
Kalau suhu kristal dinaikkan sehingga ada elektron yang kenaikan tenaga termalnya melebihi
5/28/2018 Elka Hari Ini
6/23
celah tenaga maka elektron-elektron ini akan meloncat ke bidang konduksi menjadi elektron
bebas.
Kalau pada suatu ikatan kovalen terbentuk lubang maka elektron valensi dari atom yang
berdekatan akan melepaskan diri dari ikatan kovalen untuk mengisi lubang tersebut. Elektron
ini akan meninggalkan lubang pada tempat yang ditinggalkan. Maka lubang akan bergerak
dengan arah yang berlawanan dengan elektron. Maka semikonduktor intrinsik pada suhu 0K
bersifat sebagai isolator, dan pada suhu yang sangat tinggi bersifat sebagai konduktor karena
terjadi pembentukan pasangan elektron bebas dan lubang yang banyaknya sama dan berlaku
sebagai pembawa muatan.
1. Semikonduktor Ekstrinsik
Untuk menyusun devais elektronik diperlukan bahan yang kaya akan satu jenis pembawa
muatan saja yaitu lubang saja atau elektron saja. Untuk itu diperlukan doping, yakni
memasukkan atom asing bervalensi 5 atau 3 dengan prosentasi kecil sehinga dihasilkan
semikonduktor ekstrinsik. Adapun semikonduktor terbagi atas 2 yaitu semikonduktor tipe n
http://4.bp.blogspot.com/-rj_vp2jLL1w/TdHHDTsKXqI/AAAAAAAAACQ/nnRLaf2_c0g/s1600/1.png5/28/2018 Elka Hari Ini
7/23
dan semi kondutor tipe p. Pada semikonduktor tipe n diperoleh dengan doping atom asing
bervalensi 5, seperti fosfor(P), arsen(As), dan antimon(Sb), kedalam semikonduktor intrinsik.
Atom valensi 5 ini disebut sebagai atom donor karena dalam membentuk ikatan kovalen
dibebaskan kelebihan elektronnya. Atom donor setelah membebaskan satu elektron valensi
menjadi ion positif yang terikat ditempat.Pada semikonduktor tipe p diperoleh dengan doping
atom asing bervalensi 3, seperti boron (B), alumunium (Al) dan galim (Ga) ke dalam
semikonduktor instrinsik. Atom bervalensi 3 ini disebut sebagai atom akseptor, karena untuk
membentuk ikatan kovalen memperoleh sebuah elektron. Karena menerima sebuah elektron
maka atom akseptor menjadi ion negatif yang terikat di tempat.
A. KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN
Karakteristik arustegangan dari dioda, atau kurva IV, berhubungan denganperpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah
http://2.bp.blogspot.com/-YjDGxnaPFX0/TdHHET0-9-I/AAAAAAAAACU/jIQ-XvxLkyk/s1600/2.png5/28/2018 Elka Hari Ini
8/23
pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n diantara semikonduktor. Ketika pertemuan p-n
dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak
lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang dan
elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada sisi-N dan
akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan
dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator.
Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk
setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif
ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada
daerah terkotori-p. Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah
medan listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang memperlambat penggabungan dan
akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.
B. DIODA
Dioda adalah komponen zat padat (solid state) yang paling dasar. Ada banyak tipe dioda
menurut karakteristik operasi dan aplikasinya misalnya dioda zener, dioda pemancar cahaya
(Light Emitting Diode, LED) dan lain-lain. Dioda adalah devais dua elektroda yang berlaku
sebagai konduktor satu arah. Dioda tipe dasar adalah dioda sambungan pn, yang terdiri atas
bahan tipe p dan n yang dipisahkan oleh sambungan (junction).
A. Karakteristik sambungan p-n
Hubungan arus dan tegangan pada dioda sambungan p-n dinyatakan dengan persamaan:
I = Io (eV/VT-1)
Dengan Io = arus balik jenuh
= 1 (untuk germanium), merupakan suatu faktor
= 2 (untuk silikon)
VT = T/11600 (kesetaraaan volt dari arus)
= 0,026 pada suhu kamar T = 300 K
Persamaan diatas adalah relasi Einstein (Widodo,2002:11).
Bentuk grafik karakteristik volt-ampere yang diberikan oleh persamaan diatas diperlihatkan
pada gambar 4.3a. Untuk V positif yang besar (beberapa kali VT), angka I dalam kurung
dapat diabaikan, sehingga arus naik secara eksponensial terhadap tegangan, kecuali si suatu
lingkungan yang kecil di titik pangkal. Apabila dioda berprategangan mundur dan /V/
5/28/2018 Elka Hari Ini
9/23
beberapa kali VT, 1 = -Io (arus balik tetap) Oleh karena itu Io disebut arus balik jenuh.
Bagian lengkungan yang terdiri dari garis patah-patah pada prategangan balik Vz,
karakteristik dioda memperlihakan adanya penyimpangan yang menyolok dan mendadak dari
persamaan 4.3. Pada tegangan kritis ini arus balik yang besar mengalir dan dikatakan bahwa
dioda ini berada dalam daerah dadal (breakdown).
Dioda silikon dan germanium mempunyai sejumlah perbedaan yang penting untuk
perencanaan rangkaian. Perbedaan karakteristik volt-ampere diperlihatkan pada gambar 4.4
(dengan mengambil contoh dioada germanium 1N270 dan dioda silikon 1N3605).
http://1.bp.blogspot.com/-duTfVx3-WTc/TdHHEyI3RfI/AAAAAAAAACY/JCFtIuj0qfk/s1600/3.png5/28/2018 Elka Hari Ini
10/23
Suatu ciri yang perlu dicatat pada gambar 4.4, adalah adanya suatu tegangan potong-
masuk (cut-in), titik putus (break point) atau ambang (threshold), V. Dibawah tegangan ini,
arus sangat kecil. Diatas V arus akan naik sangat cepat. Dari gambar 4.4 terlihat bahwa V
kira-kira sama dengan 0,2 V untuk dioda germanum, dan 0,6 V untuk silikon. Referensi lain
menggunakan istilah tegangan offset atau tegangan lutut yang besinoarnya sekitar 0,7 V
untuk dioda silikon (Malvino,1994:37) .
A. DIODA SEBAGAI ELEMEN RANGKAIAN
Rangkaian dioda dasar diperlihatkan pada gambar 4.5, yang terdiri atas dioda yang seri
dengan tahanan beban RL dan suatu sumber sinyal masuk vi.
http://2.bp.blogspot.com/-oJLa0OfSX8I/TdHHF_SLGQI/AAAAAAAAACg/0TWQIYCjD0o/s1600/5.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-4ia1ZtqyKII/TdHHFVVXN_I/AAAAAAAAACc/_C_SZKNMSJE/s1600/4.pnghttp://2.bp.blogspot.com/-oJLa0OfSX8I/TdHHF_SLGQI/AAAAAAAAACg/0TWQIYCjD0o/s1600/5.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-4ia1ZtqyKII/TdHHFVVXN_I/AAAAAAAAACc/_C_SZKNMSJE/s1600/4.png5/28/2018 Elka Hari Ini
11/23
Dari gambar 4.5, hukum tegangan kirchoff menyatakan bahwa:
v = vii RL.
Satu persamaan ini tidak cukup untuk menentukan dua variabel (v dan i) yang terdapat
dalam persamaan tersebut. Akan tetapi hubungan yang kedua antara kedua besaran ini
diberikan oleh persamaan karakteristik statik dioda gambar 4.4. Gambar 4.6 ditunjukkan
penyelesaian serempak dari persamaan diatas dan karakteristik dioda. Garis lurus yang
digambarkan oleh persamaan diatas disebut garis beban. Garis beban memiliki titik-titik i = 0,
v = vi dan i = vi / RL, v = 0. Perpotongan dengan sumbu tegangan adalah vi dan sumbu
vi/RL. Oleh karena itu kemiringan sama dengan 1/RL. Titik perpotongan A dari garis beban
dengan lengkungan statik memberikan iA yang akan mengalir dalam keadaan ini. Lukisan ini
menentukan arus mengalir dalam rangkaian apabila potensial sesaat vi.
Jika tegangan masuk berubah maka prosedur diatas harus diulang untuk setiap nilai
tegangan. Suatu grafik dari arus terhadap tegangan masuk disebut karakteristik dinamik,
dapat diperoleh dengan jalan berikut: arus iA digambar vertikal ke atas vi di titik B. Bila vi
berubah, kemiringan dari garis beban tak berubah karena RL tetap. Jadi apabila potensial
yang diterapkan mempnyai nilai vi maka arus yang bersesuaian dengannya iA. Arus ini
digambarkan sebagai titik B di atas vi. Lengkungan yang diperoleh OBB dengan
mengubah-ubah vi disebut karakteristik dinamik. Lengkungan yang menghubungkan
tegangan keluaran vo dan tegangan masuk vi, dari setiap rangkaian disebut karakteristik
transfer (alih) atau transmisi (penerusan). Oleh karena dalam gambar 4.5, vo = i RL maka
lengkungan transfer mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik dinamik.
http://4.bp.blogspot.com/-s6nvJmxUO9c/TdHHGpw02OI/AAAAAAAAACk/15F_Es56Vhw/s1600/6.png5/28/2018 Elka Hari Ini
12/23
A. DIODA SEBAGAI PENGAMAN PERALATAN ELEKTRONIK
Oleh karena dioda hanya dapat menghantarkan arus dala satu arah maka dioda dapat
digunakan untuk mencegah kerusakan peralatan elektronik akibat tertukarna polaritas + dan
polaritassumber tegangan DC. Ada dua rangkaian yang dapat digunakan (gambar 4.8 dan
gambar 4.9).
Pada gambar 4.8 ada jatuh tegangan sebesar tegangan offset pada dioda, sedangkan pada
gambar 4.9 tidak ada jatuh tegangan pada dioda, dan fuse (F) aan putus jika polaritas (+) dan
(-) terbalik.
http://3.bp.blogspot.com/-jTT1IU5CtEc/TdHHHqlyUhI/AAAAAAAAACs/8FZqmxL8er8/s1600/8.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-nSqm7ulILpE/TdHHHIxXdVI/AAAAAAAAACo/ZNfsVd_MaYs/s1600/7.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-jTT1IU5CtEc/TdHHHqlyUhI/AAAAAAAAACs/8FZqmxL8er8/s1600/8.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-nSqm7ulILpE/TdHHHIxXdVI/AAAAAAAAACo/ZNfsVd_MaYs/s1600/7.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-DO5UsQXXzl0/Tc-Rlea7X-I/AAAAAAAAABQ/TP7GgvLKYtM/s1600/6.png5/28/2018 Elka Hari Ini
13/23
A. RANGKAIAN PELIPAT TEGANGAN
Voltage Multipler (pelipatganda tegangan) merupakan catu daya khusus yang digunakan
untuk alat-alat tegangan tinggi seperti tabung TV, monitor, oskiloskop, dan lain-lain.
Pelipatganda tegangan merupakan rangkaian yang terdiri dari dua atau lebih dioda penyearah
puncak yang menghasilkan tegangan DC sama dengan perbanyakan puncak tegangan
masuknya. Rangkaian Voltage Doublerdapat dilihat pada Gambar 4.10.
Pada setengah siklus positif dari sumber, dioda D1 konduksi, sehingga kapasitor C1
dimuati sampai tegangan puncak. Kemudian, pada setengah siklus negatif, dioda D2konduksi, yang menyebabkan kapasitor C2 yang dimuati sampai tegangan puncaknya.
http://1.bp.blogspot.com/-yHYmoHZdSio/TdHHJVzWYlI/AAAAAAAAAC0/hg3sQ4f3F1c/s1600/10.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-pWFoXNPTRr0/TdHHIDYQV_I/AAAAAAAAACw/Ey0wF55FI4c/s1600/9.pnghttp://1.bp.blogspot.com/-yHYmoHZdSio/TdHHJVzWYlI/AAAAAAAAAC0/hg3sQ4f3F1c/s1600/10.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-pWFoXNPTRr0/TdHHIDYQV_I/AAAAAAAAACw/Ey0wF55FI4c/s1600/9.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-6K_2OtZlRkA/Tc-Rs89jxkI/AAAAAAAAABg/dXGE9KGH7jw/s1600/10.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-R36XJGsI9sM/Tc-Rqu33U3I/AAAAAAAAABc/R2oeQPDAtM0/s1600/9.png5/28/2018 Elka Hari Ini
14/23
Hambatan beban akan menerima tegangan jatuh sebesar jumlah dari muatan kapasitor yang
terhubung secara seri, yaitu 2 kali dari tegangan puncak masukan (2Vin). Gambar 4.11
menggambarkan peristiwa tersebut.
Secara umum, dapat dikatakan bahwa jumlah pelipatganda dapat ditingkatkan sesuai
dengan kehendak perancang dengan menambahkan jumlah pasangan dioda dan kapasitor.
Berikut ini, merupakan rangkaian pelipatganda tripler dan pelipatganda quadraple.
http://2.bp.blogspot.com/-GRYV3KAk57s/TdHHKpVhhNI/AAAAAAAAAC4/lmFTynUJ8vA/s1600/11.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-PIxxsRUiuyQ/Tc-Rz4ddFfI/AAAAAAAAABk/BBYgkZzhryE/s1600/11.png5/28/2018 Elka Hari Ini
15/23
A. RANGKAIAN PEMBATAS (LIMITER)
Untuk dioda-dioda sinyal kecil, yang mempunyai batas kemampuan daya kurang dari 0.5
watt, biasanya digunakan pada peralatan elektronika frekuensi tinggi. Salah satu rangkaian
sinyal kecil ini adalah Rangkaian Pembatas (limiter). Gambar 4.13 memperlihatkan rangkaian
pembatas positif, yang terkadang disebut sebagai penggunting (clipper), yaitu suatu rangkaian
yang menyingkirkan bagian sinyal yang positif. Selama setengah tegangan masuk yang
positif, dioda konduksi. Akbatnya, tegangan yang jatuh pada hambatan beban adalah 0 volt(seolah olah tegangan positif terpotong). Selanjutnya, selama setengah tegangan masuk
negatif, dioda di-reverse biased, yang menyebabkan semua tegangan masuk jatuh ke
hambatan beban.
http://2.bp.blogspot.com/-S7tQ84Nz5K0/TdHHLpyGglI/AAAAAAAAAC8/nC68qLsFgcE/s1600/12.png5/28/2018 Elka Hari Ini
16/23
Dalam prakteknya, terdapat sebuah sumber tegangan untuk menentukan besar tegangan
yang akan dipotong. Gambar 4.14. menunjukkan rangkaian pemotong yang diberikan sumber
tegangan VB. Sehingga, rangkaian akan memotong tegangan yang melebihi VB + Vg.
Sedangkan tegangan dibawah nilai tersebut akan tetap diteruskan oleh rangkaian menuju
tahanan beban.
http://2.bp.blogspot.com/-oAZMKDfEyi0/TdHHMiOpAnI/AAAAAAAAADA/wz9gRKnIJAY/s1600/13.png5/28/2018 Elka Hari Ini
17/23
Jika VB sebesar 5 volt dan Vg adalah 0.7 volt, maka rangkaian akan memotong tegangan
diatas 5.7 volt, namun akan melewatkan tegangan dibawah 5.7 volt. Jika diinginkan kondisi
yang lain, maka dimungkinkan untuk membalik posisi dioda, sebagaimana ditampilkan pada
Gambar 4.15. Dari gambar tersebut, jika tegangan masuk melebihi VB - Vg, maka tegangan
akan diteruskan karena dioda dalam kondisi reverse. Sedangkan jika tegangan masuk kurang
dari VB - Vg, dioda berada dalam kondisiforwardsehingga tegangan akan terpotong. Secara
umum, posisi dioda akan menentukan bagian mana dari tegangan masukan yang akan
dibatasi. Jika posisi dioda ke arah bawah, maka rangkaian akan membatasi bagian atas.
Sedangkan jika dioda dalam posisi ke arah atas, rangkaian akan membatasi tegangan
masukan bagian bawah.
http://3.bp.blogspot.com/-gNV8SHDAnuc/TdHHOZdiKzI/AAAAAAAAADE/WT6Xkc--JTQ/s1600/14.png5/28/2018 Elka Hari Ini
18/23
Dari contoh diatas, posisi batere selalu dalam keadaan yang sama. Jika, posisi batere
diubah polarisasinya, maka akan terjadi pula perubahan proses pembatasan. Gambar 4.16 di
bawah ini, menunjukkan rangkaian pembatas atas dengan polarisasi batere yang berbeda.
Sehingga, rangkaian akan membatasi tegangan masukan bagian atas dengan batasan negatif, -
( VB - Vg). Secara proses, rangkaian ini sama seperti rangkaian pembatas atas (Gambar
4.14.), hanya pembatasnya adalah negatif, disebabkan oleh polarisasi batere yang dibalik.
http://2.bp.blogspot.com/-Mcx1IqP2X5w/TdHHP0C-brI/AAAAAAAAADI/IuKA9Esfvz0/s1600/15.pnghttp://1.bp.blogspot.com/-B0t-tQy6L7g/Tc-Up2ehOWI/AAAAAAAAAB0/dSu6-sAFhvQ/s1600/15.png5/28/2018 Elka Hari Ini
19/23
Demikian juga, apabila rangkaian pembatas negatif memiliki polarisasi batere terbalik,
seperti yang tampak pada Gambar 4.17. Pada gambar tersebut, rangkaian akan memotong
tegangan masukan pada bagian bawah. Namun, karena polarisasi batere terbalik, pembatasan
terjadi pada harga negatif, yaitu: -( VB + Vg). Jika rangkaian-rangkaian pemotong ini
dikombinasikan, akan didapat sebuah rangkaian pembatas atas positip dan rangkaian
pembatas bawah negatif. Pada rangkaian pembatas atas positip dan rangkaian pembatas
bawah negatif ini, akan didapat suatu hasil dimana rangkaian memotong gelombang di atas
batas tertentu, memotong gelombang di bawah batas tertentu dan melewatkan gelombang di
area tertentu pula. Dengan sedikit modifikasi, akan didapatkan sebuah gelombang kotak
dengan harga-harga yang dapat ditentukan.
http://4.bp.blogspot.com/-CFGvlPnZd3o/TdHHQ6ZgcrI/AAAAAAAAADM/_1cWMVgYFNs/s1600/16.png5/28/2018 Elka Hari Ini
20/23
A. RANGKAIAN PENGGESER (CLAMP)
Rangkaian Penggeser ini memberikan penambahan komponen DC pada tegangan
masukan. Akibatnya, seolah-olah terjadi pergeseran (clamping) pada tegangan. Jika
penambahan komponen DC negatif, maka terjadi pergeseran tegangan ke bawah (negatively
clamped), dan begitu pula sebaliknya, (positively clamped). Gambar 4.18. menunjukkan
sebuah rangkaian penggeser negatif. Selama setengah tegangan masukan Vin positif, dioda
di-forward biased dan dalam kondisi konduksi, sehingga kapasitor akan terisi dengan
polaritas seperti ditunjukkan oleh gambar. Akibatnya, tegangan keluaran Vo akan sama
dengan nol. Namun, selama setengah tegangan masukan Vin negatif, dioda di-reverse biased.
Kapasitor akan mulai membuang tegangannya melalui tegangan keluaran Vo. Akibatnya,
tegangan keluaran Vo akan sama dengan tegangan masukan Vin dikurang dengan tegangan
buangan dari kapasitor VC. Sehingga, secara grafik, tegangan keluaran Vo merupakan
tegangan masukan Vin yang diturunkan sejauh tegangan buangan dari kapasitor VC. Jika
dirancang bahwa waktu buangan kapasitor sangat lama, maka tegangan buangan dari
kapasitor VC akan sama dengan tegangan masukan Vin maksimum.
http://3.bp.blogspot.com/-qzYJ-n5GNNY/TdHHR_E8-0I/AAAAAAAAADQ/3oRYsCYQdrA/s1600/17.png5/28/2018 Elka Hari Ini
21/23
Rangkaian clamper positif dapat dirancang dari Gambar 4.18. diatas, dengan cara
membalik posisi dioda, sehingga dioda mengarah ke atas. Maka, akan didapatkan tegangan
keluaran Vo merupakan tegangan masukan Vin yang dinaikkan sebesar tegangan
maksimumnya.
. What is BJT?Jawab:
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT
daoat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet,sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C) dan basis
(B).
2. What is the type of BJT?Jawab:
Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya
terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang
menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-
emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor
dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction).
3. What is the differences between npn and pnp transistor?
Jawab:1.NPN
http://4.bp.blogspot.com/-fYC9piZULcM/TdHHSsNYUjI/AAAAAAAAADU/rol7oauI8pU/s1600/18.png5/28/2018 Elka Hari Ini
22/23
Prinsip kerja dari transistor NPN adalah: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika
basisnya dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih kecil
daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor, oleh sebab itu maka ada baiknya jika
pada pin basis dipasang sebuah resistor.
2.PNP
Prinsip kerja dari transistor PNP adalah arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektorjika pada pin basis dihubungkan ke sumber tegangan (diberi logika 1). Arus yang mengalir ke
basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor ke kolektor, oleh sebab itu
maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.
5. What are the three regions of operation for BJT?Jawab:
1. Cut-off
Transistor menjadi kondisi off, IC=0. Daerah dimana VCE masih cukup kecil sehingga arus
IC=o atau IB=0.
2. Active
Transistor beroperasi sebagai penguat dan IC= x IB. Daerah kerja transistor yang normal
adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus ICkonstan terhadap berapapun nilai VCE.IC sangat bergantung pada besar arus IB. Daerah kerja ini biasa disebut daerah liniear.
3. Saturation
Transistor menjadi kondisi on, IC=ISAT. Daerah saturasi mulai dari VCE=0-0,7volt
(transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan
tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.
6. What is the of BJT?Jawab:
= I/Ic
Beta () didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.
Yang artinya adalah parameter yang menunjukan kemampuan penguatan arus (current gain)
dari suatu transistor.
7. What is the differences between and force?Jawab:
beta () didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.
force ini terjadi saat saturasi karena arus kolektor hampir tetap konstan. Sehingga beta forced
merupakan perbandingan arus kolektor dengan arus basis.
8. What is transconductance of BJT?Jawab:
transconductance, gm, didefinisikan sebagai perubahan arus kolektor dibagi dengan
perubahan tegangan basis-emitor.
5/28/2018 Elka Hari Ini
23/23
Recommended