FABRICAÇÃO DE CIs EM TECNOLOGIA CMOS Ana Isabela A. Cunha UFBA

FABRICAÇÃO DE CI’s EM TECNOLOGIA

CMOS

Ana Isabela A. CunhaUFBA

SUMÁRIO

ETAPAS BÁSICAS DO PROCESSO DE CI’s 

SEQÜÊNCIA DE PROCESSO CMOS

O “LATCH-UP”

REFERÊNCIAS

ETAPAS BÁSICASDO PROCESSO

PONTO DE PARTIDA

“Wafer”: bolacha de silício monocristalino

diâmetro: 75 mm a 230 mm

espessura: < 1 mm

•Método de Czochralski: produção de silício monocristalino pela imersão e arraste de uma semente em uma pasta de silício policristalino (alta temperatura), acompanhados de rotação e resfriamento

EPITAXIA Crescimento de filme de silício sobre o “wafer”

Temperaturas altas: 1000 a 1200 oC

Ambiente: SiH4

Replicação da estrutura cristalina do “wafer”Possibilidade de dopagem não uniforme do substrato

DEPOSIÇÃO DE FILME Filmes utilizados: Função do filme:

Dióxido de Silício Separação entre canal e porta

(SiO2) Isolação entre camadas de conexão

Proteção seletiva contra implantação iônica

Nitreto de Silício Isolação

(Si3N4) Proteção seletiva contra oxidação

Polissilício Portas de transistores (“gates”)

(silício policristalino) Interconexões

Resistores

Metal Interconexões

(alumínio ou ligas)

DEPOSIÇÃO DE FILME Filmes: Método de deposição:

Dióxido de Silício -Oxidação térmica (1000 oC)

(SiO2) -CVD – “chemical vapor deposition” (450 a 750 oC)

Nitreto de Silício -CVD (750 oC)(Si3N4)

Polissilício -CVD (650 oC)

(silício policristalino)

Metal -evaporação a vácuo

(alumínio ou ligas) -“sputtering”

LITOGRAFIA

Transferência de padrões geométricos para um filme através de máscara

Técnica fotográfica:

substrato (“wafer” de silício)

filme

LITOGRAFIA

substrato (“wafer” de silício)

filme

polímero: “photoresist”

Técnica fotográfica

LITOGRAFIA

substrato (“wafer” de silício)

filme

polímero: “photoresist”

máscara fotográfica

Técnica fotográfica

LITOGRAFIA

substrato (“wafer” de silício)

filme

raios ultra-violeta

Técnica fotográfica

polímero alterado

LITOGRAFIA

substrato (“wafer” de silício)

filme

solvente orgânico

polímero alterado

Técnica fotográfica

LITOGRAFIA

O filme fica exposto nas regiões sob o polímero que não recebeu radiação

substrato (“wafer” de silício)

filme

polímero alterado

“Photoresit” negativo:

Técnica fotográfica

LITOGRAFIA

substrato (“wafer” de silício)

filme

O filme fica exposto nas regiões sob o polímero que recebeu radiação

“Photoresit” positivo:

Técnica fotográfica

CORROSÃO

Remoção seletiva de porções de um filme depositado por exposição a um reagente químico

substrato (“wafer” de silício)

filme

photoresist

Anisotropia da corrosão: grau de precisão na reprodução da máscara - maior em ambientes secos que em ambientes úmidos

IMPLANTAÇÃO IÔNICA

Dopagem do semicondutor através de bombardeio de átomos ionizados de impurezas

substrato (“wafer” de silício)

cobertura

íons acelerados

Cobertura: polímero (“resist”), SiO2, Si3N4, polissilício

DIFUSÃO

Penetração das impurezas dopantes por aplicação de altas temperaturas

substrato (“wafer” de silício)

1000 oC

Etapas que requerem altas temperaturas são acompanhadas de difusão

SEQÜÊNCIA DE PROCESSO CMOS

Circuito ilustrativo

canal N

canal P

Admitamos:

tecnologia CMOS poço n

(substrato p)

“photoresist” positivo

Contato dreno-dreno: metal

Contato porta-porta:

polissilício

SiO2

substrato p

poço n

Máscara de poço nimplante iônico

difusão

SiO2

substrato p

poço n

Si3N

4

Máscara ativacorrosão

SiO2

substrato p

poço n

Si3N

4

Máscara de poço pimplant

e

de boro

“p channel stop”:

impede a formação de camadas de inversão

parasitas entre difusões n

substrato p

poço n

Oxidação 1

Formação do óxido de campo:

o Si3N4 atua como máscara (autoalinhamento)

substrato p

poço n

Oxidação 2

Formação do óxido fino nas áreas ativas

Eliminação do Si3N4 e o SiO2

substrato p

poço n

Máscara de poço nAjuste da tensão de banda plana implant

e iônico

Máscara de poço pAjuste da tensão de banda plana

substrato p

poço n

implante iônico

substrato p

poço n

Deposição de polissilício - CVD

polissilício

substrato p

poço n

Máscara de polissilíciocorrosão

substrato p

poço n

Máscara n+

n+ n+

implante

de

arsênico

autoalinhamento com polissilício e SiO2

substrato p

poço n

Máscara p+

n+ n+

implante

de

boro

p+

p+

PSG

substrato p

poço n

Deposição de PSG

n+ n+ p+

p+

PSG (“phosphosilicate glass”) = SiO2 dopado com fósforoIsolação: metal n+, p+, polissilício

PSG

substrato p

poço n

Máscara de contatos

n+ n+ p+

p+

corrosão

via

substrato p

poço n

Fluidificação do PSG

n+ n+ p+

p+

Temperatura alta: 1000oC

Conseqüências: Arredondamento de arestas

Difusão das regiões n+ e p+

Redução da eletromigração

substrato p

poço n

Deposição de filme de alumínio - metalização

n+ n+ p+

p+

substrato p

poço n

Máscara metálica

n+ n+ p+

p+

corrosão

substrato p

poço n

Passivação

n+ n+ p+

p+

Camada de SiO2 ou Si3N4 para proteção contra o ambiente

O “LATCH-UP”

p+ n+ p+ p+n+ n+

VSS VDD

Estruturas parasitas num circuito inversor

NPN

PNPRsub Rwell

p-

VSS = tensão mais negativa

VDD = tensão mais positiva

n-

Origem do fenômeno de “latch-up”

NPN

PNPRsub

Rwell

VSS VDD

IE(NPN)

Suposição inicial: corrente de emissor no TBJ NPN

Origem do fenômeno de “latch-up”

NPN

PNPRsub

Rwell

VSS VDD

- VBE(NPN) +

IE(NPN)

A queda de tensão entre base e emissor do TBJ NPN cresce até colocá-lo em condução

IC(NPN)

Origem do fenômeno de “latch-up”

NPN

PNPRsub

Rwell

VSS VDD

- VBE(NPN) +

IE(NPN)

IC(NPN)

A tensão emissor-base do TBJ PNP cresce até colocá-lo em condução

- VEB(PNP) +

IE(PNP)

Origem do fenômeno de “latch-up”

NPN

PNPRsub

Rwell

VSS VDD

- VBE(NPN) +

IE(NPN)

IC(NPN)

- VEB(PNP) +

IE(PNP)

Ocorre uma realimentação positiva: a corrente de coletor do transistor PNP reforça VBE do transitor NPN

IC(PNP)

Origem do fenômeno de “latch-up”

NPN

PNPRsub

Rwell

VSS VDD

- VBE(NPN) +

IE(NPN)

IC(NPN)

- VEB(PNP) +

IE(PNP)

Após o disparo, as fontes de polarização podem ser curto-circuitadas e a estrutura entra em colapso!

IC(PNP)

Medidas para evitar o “latch-up”

Distanciar as regiões n+ (MOSFET canal N) e p+ (MOSFET canal P) para diminuir o ganho dos TBJ’s

Introduzir vários contatos p+ para o substrato, próximos entre si, para diminuir RSUB

Introduzir vários contatos n+ para o poço n, próximos entre si, para diminuir RWELL

REFERÊNCIAS

N.H. E. Weste, K. Eshraghian, “Principles of CMOS VLSI Design – A Systems Perspective”, Addison Wesley Publishing Company, Reading, 1994.

Kaushik Roy, Low Power CMOS VLSI: Circuit Design, Wiley-Interscience, 2000.

D. Clein, “CMOS IC Layout : Concepts, Methodologies, and Tools”, Butterworth-Heinemann, 2000.

J.A. Borges, E.A. Schmitz, “Projetos de Circuitos Integrados”, Livros Técnicos e Científicos Editora Ltda. 1990.

Mead &Conway, “Introduction to VLSI Systems”, Addison Wesle Publishing Company.