Metal Organic Chemical Vapor Deposition - MOCVD | …²¿革 経営理念 会社概要...

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川崎大師多摩運河

大陽日酸㈱京浜事業所

多摩川

羽田空港

産業

道路

小島新田駅京急大師線

バス停 小島町

バス停 小島町

浮島橋

京急川崎駅 　・京急本線 　・京急大師線

ＪＲ川崎駅 　・東海道線 　・京浜東北線 　・南武線

首都高速

(神奈川6号川崎線)

至　東京湾

　　　アクアライン

国道409号 (大師道)

至　

横羽

線　

浅田

国道132号(富士見通り)

TNCSE

タクシー5分徒歩20分

お車の場合湾岸線 浮島ジャンクションより5分横羽線 大師ランプより10分

川崎駅（東口）よりバス16番ターミナル「川03」系統浮島バスターミナル行き（臨港バス）乗車「小島町」下車、徒歩5分※バス所要時間約30分

国道15号(

第一京浜)

至　

横浜

至　

横浜

至　

品川

至　

品川 首

都高速(

神奈川1号横羽線)

港町鈴木町

川崎大師

東門前

産業道路

Metal Organic Chemical Vapor Deposition

大陽日酸ＣＳＥ株式会社〒210-0861 神奈川県川崎市川崎区小島町6-2大陽日酸京浜事業所内TelFax：044-270-5567

：044-288-5791

沿革

経営理念

会社概要

製品ラインナップ

大陽日酸CSEの位置づけ

1980年　㈱日本イー・エム・シー設立、MOCVD製造装置製造販売開始1983年　日本酸素㈱でＭＯＣＶＤ装置事業開始1996年　㈱アセック設立2004年　日本酸素㈱と大陽東洋酸素㈱が合併し、大陽日酸㈱に商号変更2007年　㈱日本イー・エム・シーから大陽日酸イー・エム・シー㈱へＭＯＣＶＤ装置事業を譲渡2008年　大陽日酸㈱の完全子会社として大陽日酸イー・エム・シー㈱創業2012年　大陽日酸イー・エム・シー㈱と㈱アセックのＭＯＣＶＤ装置事業が合流2014年　大陽日酸㈱化合物事業部の設計製作部門と統合し、　　　　　　社名を大陽日酸イー・エム・シー㈱から大陽日酸ＣＳＥ㈱に変更、本社を移転　

1980年

1983年1996年 2007年2004年

2014年1990年 2000年 2010年

（現在）

大陽日酸CSE

日本酸素

大陽日酸EMC 大陽日酸CSE

大陽日酸

日本EMC

アセック

0 92012年

設計・製造

営業権譲渡

　合流

量産用MOCVD装置

GaAs系.InP系：HR、PR、BMCシリーズGaN系：SR、UR、GMCシリーズ

ＭOCVD装置関連製品特殊CVD装置（SiC等）、不純物拡散装置、等々

ドライ洗浄装置

GaN系：DEXシリーズ

ＨVPE装置GaAs系.InP系、GaN系

研究用MOCVD装置GaAs系.InP系：VR、HR、BRCシリーズGaN系：SR、GRCシリーズ

大陽日酸グループは、量産用大型機から研究開発用小型機までのあらゆるニーズに対応できるＭＯＣＶＤ装置をラインナップしています。また、研究開発用小型機においては、お客様の研究開発目的に応じた特殊仕様のMOCVD装置についても対応させていただいております。さらに、ハイドライド気相成長（HVPE)装置やドライ洗浄装置。特殊なCVD関連装置についても提供させていただいております。

日本のMOCVD装置メーカー主要三社が統合して大陽日酸CSEが生まれました。

ＵＲ25Ｋ ＵＲ26Ｋ クリーンルーム大陽日酸京浜事業所 大陽日酸つくば研究所

・ 大陽日酸化合物事業グループの中で 装置エンジニアリングを担います。

・ 大陽日酸化合物事業部つくば研究所と協力し、 より先進で高度な化合物半導体製造装置を 実現します。

・ 大陽日酸化合物事業部営業部門と協力し、 より良い化合物半導体製造ソリューションを お客様に提供いたします。

お客様

協力会社エンジニア

リング大陽日酸CSE

開発営業大陽日酸

化合物事業部

商 号 ： 大陽日酸ＣＳＥ株式会社

本 社 ： 神奈川県川崎市川崎区小島町6番地2（大陽日酸京浜事業所内）

代 表 者 ： 取締役社長　山﨑 利明

創 業 ： 2008年2月1日

資 本 金 ： 1,000万円

株 主 ： 大陽日酸株式会社(100％出資子会社)

事 業 内 容 ： 化合物半導体製造装置および関連装置の設計製造、エンジニアリング業務、メンテナンス業務

販 売 先 ： 大陽日酸株式会社

認 証 取 得 ： ISO9001　

MOCVD装置のパイオニアとして最高の技術で産業と社会に貢献する。MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 有機金属気相成長法）は化合物半導体の薄膜の結晶を成長させる方法です。　化合物半導体は発光ダイオード、半導体レーザのように光を発する固体光源 及び 超高速トランジスタに用いられています。

ＩＳＯ9001

12ＱＲ-1638

ＣＭ007