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PROGETTO DI UN REGISTRO AD
APPROSSIMAZIONI SUCCESSIVE IN
UN ASIC PER IMAGING
FACOLTA’ DI INGEGNERIA
Laurea in Ingegneria Elettronica
Candidato: Alessandro Fina
Relatore: Prof. Lorenzo Colace
Co-relatore: Dott. Valentino Cencelli
• Introduzione alla medicina nucleare
• Cosa è un SAR
• Architettura
• CAD Elettronico
• Progettazione
• Dimensionamento
• Simulazione
• Layout
• Conclusioni
• Introduzione alla medicina nucleare
• Cosa è un SAR
• Architettura
• CAD Elettronico
• Progettazione
• Dimensionamento
• Simulazione
• Layout
• Conclusioni
Sommario
Introduzione alla medicina nucleareIntroduzione alla medicina nucleare
Fotomoltiplicatore
e-
Matrice di cristalli scintillanti
350nmFotone 140keV
Imaging molecolare: rilevazione spaziale e temporale di radiazioni gamma.
Rivelatore Hamamatsu H8500:
- matrice 8×8 di anodi→12 stadi si amplificazione
- Risposta spettrale: 300nm → 650nm
- area attiva 89% del dispositivo
Floor planning (struttura topologica) del chip completo
- Area disponibile di silicio è di 3mm×5mm
Introduzione alla medicina nucleareIntroduzione alla medicina nucleare
Il convertitore A/D è composto da:
- Comparatore
- Convertitore D/A interno (DAC)
- Registro ad approssimazioni successive (SAR)
Cosa è un SARCosa è un SAR
Cosa è un SARCosa è un SAR
Un SAR rappresenta un registro SIPO (serial input - parallel output) che viene utilizzato per la tecnica di approssimazioni successive:- Conversione di n bit in n cicli di clock implementando l’algoritmo di ricerca dicotomica
C. K. Yuen
SPECIFICHE DI PROGETTO:
- n = 10 bit
- fCLK = 500MHz
- Layout compatto
ArchitetturaArchitettura
- n+1 flip-flop di tipo JK- Due porte OR
• Schemi elettrici
• Simboli
• Simulazioni
• Layout
Cadence è da molti anni lo standard industriale più importante e riconosciuto in tutto il mondo.
CAD ElettronicoCAD Elettronico
tp∝ L²/VDD tempo di propagazione
DIMENSIONI SCELTE:• L=0.24μm - W=0.7μm NMOS• L=0.24μm - W=1.2μm PMOS
L = lunghezza del canale
W = larghezza del canale
iD = corrente di canale
tp = tempo di propagazione
DimensionamentoDimensionamento
NOT
ProgettazioneProgettazione Implementazione delle porte fondamentali
NOR
TRASMISSION GATE
NAND
OR
Implementazione del Flip-Flop di tipo JK
nCLR
CLK
K
Q
Qneg
J
TG
TG
TG
TG
I singoli Flip-Flop vengono connessi secondo il modello Yuen
ProgettazioneProgettazione
Verificare il corretto funzionamento del circuito
NANDING. USC.
A B C
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
ING. USC.
A B C
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
SimulazioniSimulazioni
OR
A
B
C
A
B
C
Time [ns]
Time [ns]
ING. USC.
nCLR Jn Kn Qn+1
0 X X 0
1 0 0 Qn
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 Toggle
- X: l’ingresso può essere indifferentemente 0 o 1, non influisce sull’uscita- Toggle: se Qn=0 allora Qn+1=1; se Qn=1 allora Qn+1=0
Flip-Flop JK a 500MHzSimulazioniSimulazioni
Time [ns]
CLK
nCLR
J
K
Q
Qneg
SAR a 500MHz
• Vengono analizzati sequenzialmente tutti i bit da MSB fino al LSB• Se DATA = “1” il bit analizzato viene riportato a “0” • Se DATA = “0” il bit analizzato viene lasciato ad “1”
Time [ns]
CLK
nCLR
DATA
MSB
Q8
Q3
Q1
Q6
Q5
Q4
Q2
Q7
LSB
EOC
SAR
DAC
CONVERTITORE I/V
COMPARATORE
Possiamo osservare come la tensione Vth, dopo le varie comparazioni, si avvicina sempre più alla tensione Vinput. Questo dimostra il corretto funzionamento di tutto il blocco e quindi anche del SAR
Convertitore Analogico/DigitaleSimulazioniSimulazioni
Rappresenta la distribuzione e connessione dei transistor sul wafer di silicio
Nella realizzazione di un layout bisogna:
• Ottimizzare le dimensioni
• Rispettare le regole di progettazione imposte dalla fonderia
Per la verifica del layout:
• DRC: verifica delle regole di progettazione
• LVS: confronto tra schema elettrico e layout
LayoutLayout
Flip-Flop JK
SAR 10bit
NAND
OR TRASMISSION GATE
NOT
Collegando opportunamente i transistor, secondo le indicazioni dello schema elettrico, è stato possibile realizzare
LayoutLayout
LayoutLayout
SAR 10bit
• Apprendimento del software di progettazione Cadence
• Progetto e simulazione di un registro ad approssimazioni successive a 10 bit alla frequenza di 500MHz
• Realizzazione e verifica del layout del registro di dimensioni 285μm×30.4μm • Il circuito verrà realizzato dall’INFN in fonderia nei prossimi mesi
ConclusioniConclusioni
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