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MCP6001/1R/1U/2/41 MHz 低消費電力オペアンプ
注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います。
特長
• SC-70-5 および SOT-23-5 パッケージで提供
• 利得帯域幅積 : 1 MHz (typical)• レールツーレール入出力
• 電源電圧 : 1.8 ~ 6.0 V• 電源電流 : IQ = 100 µA (typical)• 位相マージン : 90° (typical)• 温度レンジ :
- 産業用温度レンジ : -40 ~ +85
- 拡張温度レンジ : -40 ~ +125
• 1 回路、2 回路、4 回路入りパッケージで提供
アプリケーション
• 車載
• 携帯型機器
• フォトダイオード アンプ
• アナログフィルタ
• ノート PC、PDA• バッテリ駆動システム
設計支援
• SPICE マクロモデル
• FilterLab® ソフトウェア
• Mindi™ サーキット デザイナおよびシミュレータ
• Microchip Advanced Part Selector (MAPS)
• アナログ デモボードおよび評価用ボード
• アプリケーション ノート
代表的なアプリケーション
概要
マイクロチップ社の MCP6001/2/4 オペアンプ ファミリは、汎用アプリケーション向けに設計されています。本ファミリの利得帯域幅積 (GBWP) は 1 MHz、位相マージンは 90° です (typical)。また、500 pF の容量性負荷では、45° の位相マージン (typical) を維持します。本ファミリは、最低 1.8 V の単電源で動作し、無負荷時電流は 100 µA (typical) です。加えて、MCP6001/2/4は入出力ともにレールツーレールの振幅をサポートしており、コモンモード入力電圧レンジはVDD + 300 mV~ VSS – 300 mV です。本オペアンプ ファミリにはマイクロチップ社の最新のCMOSプロセスを採用しています。
MCP6001/2/4 ファミリには、産業用温度レンジ品と拡張温度レンジ品があります。電源電圧レンジは 1.8 ~6.0 V です。
パッケージタイプ
R1
VOUT
R2
VIN
VDD
+
–
Gain 1R1R2------+=
Non-Inverting Amplifier
MCP6001
VREF
VSS
4
5
4
5
4
MCP6001
1
2
3
-+
5 VDD
VIN–
VOUT
VSS
VIN+
SC70-5, SOT-23-5
MCP6002PDIP, SOIC, MSOP
MCP6004
VINA+
VINA–
VSS
1
2
3
4
14
13
12
11
-
VOUTA
+ -+
VDD
VOUTD
VIND–
VIND+
10
9
8
5
6
7VOUTB
VINB–
VINB+ VINC+
VINC–
VOUTC
+- -+
PDIP, SOIC, TSSOP
VINA+
VINA–
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
-
VOUTA
+ -
+
VDD
VOUTB
VINB–
VINB+
4
1
2
3
-+
5 VDDVOUT
VSS
MCP6001RSOT-23-5
1
2
3
-+
VSS
VIN–
VOUT
VDD
VIN+
MCP6001USOT-23-5
1
2
3-
+
VDD
VOUT
VIN+
VSS
VIN–
MCP6002
VINA+
VINA–
VSS
VOUTB
VINB–
1
2
3
4
8
7
6
5 VINB+
VOUTA
EP9
VDD
2x3DFN *
* 露出サーマルパッド (EP) 付き ( 表 3-1 参照 )
© 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 1
MCP6001/1R/1U/2/4
1.0 電気的特性
絶対最大定格†
VDD – VSS .......................................................................7.0 V
アナログ入力ピンでの電流 (VIN+, VIN–) .......................±2 mA
アナログ入力 (VIN+, VIN–) †† ... VSS – 1.0 V ~ VDD + 1.0 V
その他の入出力 ........................... VSS – 0.3 V ~ VDD + 0.3 V
差動入力電圧 .......................................................|VDD – VSS|
出力短絡電流 ................................................................. 連続
出力および電源ピンでの電流 ....................................±30 mA
保管温度.......................................................... –65 ~ +150
最高接合部温度 (TJ) ....................................................+150
全ピンの EDS 保護 (HBM; MM) .......................... ≥ 4 kV; 200 V
† 注 : 左記の「絶対最大定格」を超える条件は、デバイスに
恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはストレス定
格です。本書の動作表に示す条件または上記から外れた条件
でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる最
大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する
可能性があります。
†† セクション 4.1.2「入力電圧と電流制限」を参照してく
ださい。
DC 特性電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、VOUT ≈ VDD/2 ( 図 1-1 参照 )
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条件
入力オフセット
入力オフセット電圧 VOS -4.5 — +4.5 mV VCM = VSS (Note 1)
入力オフセットの温度ドリフト ΔVOS/ΔTA — ±2.0 — µV/ TA= -40 ~ +125 VCM = VSS
電源電圧除去比 PSRR — 86 — dB VCM = VSS
入力のバイアス電流とインピーダンス
入力バイアス電流 : IB — ±1.0 — PA
産業用温度レンジ品 IB — 19 — PA TA = +85
拡張温度レンジ品 IB — 1100 — PA TA = +125
入力オフセット電流 IOS — ±1.0 — PA
コモンモード入力インピーダンス ZCM — 1013||6 — Ω||pF
差動入力インピーダンス ZDIFF — 1013||3 — Ω||pF
コモンモード
コモンモード入力レンジ VCMR VSS − 0.3 — VDD + 0.3 V
コモンモード除去比 CMRR 60 76 — dB VCM = -0.3 ~ 5.3 VVDD = 5 V
開ループゲイン
DC 開ループゲイン ( 大信号時 ) AOL 88 112 — dB VOUT = 0.3 ~ VDD – 0.3 VVCM = VSS
出力
最大出力電圧振幅 VOL、VOH VSS + 25 — VDD – 25 mV VDD = 5.5 V0.5 V 入力オーバードライブ
出力短絡電流 ISC — ±6 — mA VDD = 1.8 V
— ±23 — mA VDD = 5.5 V
電源
電源電圧 VDD 1.8 — 6.0 V Note 2
オペアンプ 1 回路あたりの無負荷時電流 IQ 50 100 170 µA IO = 0、VDD = 5.5 VVCM = 5 V
Note 1: 日付コードが 2004 年 12 月 ( 週コード = 49) 以前の MCP6001/1R/1U/2/4 製品は、± 7 mV を最小 / 最大電圧の仕様と
して試験しています。
2: 日付コードが 2007 年 11 月以降の全ての製品の場合、検査では VDD = 6.0 V での動作を確認しています。しかし、そ
の他の最小および最大仕様値は、1.8 V と 5.5 V で計測しています。
© 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 3
MCP6001/1R/1U/2/4
AC 特性
温度仕様
電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ 5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VL = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF ( 図 1-1 参照 )
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条件
AC 応答
利得帯域幅積 GBWP — 1.0 — MHz
位相マージン PM — 90 — ° G = +1 V/V
スルーレート SR — 0.6 — V/µs
ノイズ
入力ノイズ電圧 Eni — 6.1 — µVp-p f = 0.1 ~ 10 Hz
入力ノイズ電圧密度 eni — 28 — nV/√Hz f = 1 kHz
入力ノイズ電流密度 ini — 0.6 — fA/√Hz f = 1 kHz
電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条件
温度レンジ
産業用温度レンジ品 TA -40 ~ +85
拡張温度レンジ品 TA -40 ~ +125
動作温度レンジ TA -40 ~ +125 Note保管温度レンジ TA -65 ~ +150
パッケージ熱抵抗
熱抵抗、5 ピン SC70 θJA — 331 — /W
熱抵抗、5 ピン SOT-23 θJA — 256 — /W
熱抵抗、8 ピン PDIP θJA — 85 — /W
熱抵抗、8 ピン SOIC (150 mil) θJA — 163 — /W
熱抵抗、8 ピン MSOP θJA — 206 — /W
熱抵抗、8 ピン DFN (2x3) θJA — 68 — /W
熱抵抗、14 ピン PDIP θJA — 70 — /W
熱抵抗、14 ピン SOIC θJA — 120 — /W
熱抵抗、14 ピン TSSOP θJA — 100 — /W
Note: 産業用温度レンジ品は拡張温度レンジでも動作しますが、性能は低下します。いかなる場合も、内部の接合部温度 (TJ) が最大絶対定格温度 (+150 ) を超えない事が必要です。
DS21733J_JP - p. 4 © 2012 Microchip Technology Inc.
MCP6001/1R/1U/2/4
1.1 試験回路
大部分の AC および DC 特性試験に使った回路を図 1-1 に示します。この回路では、VCM と VOUT を別々に設定できます ( 式 1-1 参照 )。VCM は回路のコモンモード電圧 ((VP + VM)/2)ではない事に注意してください。また、VOST は VOS に温度、CMRR、PSRR、AOLによる入力オフセットエラー VOST への影響を加味した電圧である事にも注意してください。
式 1-1:
図 1-1: 主な仕様値の評価に使った AC およびDC 試験回路
GDM RF RG⁄=
VCM VP VDD 2⁄+( ) 2⁄=
VOUT VDD 2⁄( ) VP VM–( ) VOST 1 GDM+( )+ +=
GDM = 差動モードゲイン (V/V)
VCM = オペアンプのコモンモード入力電圧
(V)
VOST = オペアンプの総入力オフセット電圧
(mV)
VOST VIN– VIN+–=
VDD
RG RF
VOUTVM
CB2
CLRL
VL
CB1
100kΩ100kΩ
RG RF
VDD/2VP
100kΩ100kΩ
60 pF10kΩ
1 µF100 nF
VIN–
VIN+
CF6.8 pF
CF6.8 pF
MCP600X
© 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 5
MCP6001/1R/1U/2/4
2.0 代表的な性能データ
Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF
図 2-1: 入力オフセット電圧
図 2-2: 入力オフセット電圧の温度ドリフト
図 2-3: 入力オフセット電圧の温度ドリフト( 温度の 2 乗値あたりのドリフト ) Co
図 2-4: コモンモード入力電圧と入力オフセット電圧の関係 (VDD = 1.8 V)
図 2-5: コモンモード入力電圧と入力オフセット電圧の関係 (VDD = 5.5 V)
図 2-6: 出力電圧と入力オフセット電圧の関係
Note: 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的とします。ここに記載する性能特性は検証されておらず、保証されません。これらの図表の一部には、仕様動作レンジ外で計測されたデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 )。従ってこれらのデータは保証範囲外です。
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%18%20%
5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5Input Offset Voltage (mV)
Perc
enta
ge o
f Occ
urre
nces
64,695 SamplesVCM = VSS
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%18%
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12Input Offset Voltage Drift;
TC1 (µV/°C)
Perc
enta
ge o
f Occ
urre
nces 2453 Samples
TA = -40°C to +125°CVCM = VSS
0%5%
10%15%20%25%30%35%40%45%
-0.0
2
-0.0
1
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
Input Offset Quadratic Temp. Co.;TC2 (µV/°C2)
Perc
enta
ge o
f Occ
urre
nces 2453 Samples
TA = -40°C to +125°CVCM = VSS
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
-0.4
-0.2 0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
Common Mode Input Voltage (V)
Inpu
t Offs
et V
olta
ge (µ
V)
VDD = 1.8V
TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°CTA = +125°C
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0-0
.5 0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Common Mode Input Voltage (V)
Inpu
t Offs
et V
olta
ge (µ
V)
VDD = 5.5V
TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C
TA = +125°C
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5Output Voltage (V)
Inpu
t Offs
et V
olta
ge (µ
V)
VDD = 1.8V
VCM = VSS
VDD = 5.5V
© 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 7
MCP6001/1R/1U/2/4
Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF図 2-7: +85 での入力バイアス電流
図 2-8: +125 での入力バイアス電流
図 2-9: 周囲温度と CMRR、PSRR の関係
図 2-10: 周波数と PSRR、CMRR の関係
図 2-11: 周波数と開ループゲイン、位相の関係
図 2-12: 周波数と入力ノイズ電圧密度の関係
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30Input Bias Current (pA)
Perc
enta
ge o
f Occ
urre
nces
1230 SamplesVDD = 5.5VVCM = VDD
TA = +85°C
0%5%
10%15%20%25%30%35%40%45%50%55%
0
150
300
450
600
750
900
1050
1200
1350
1500
Input Bias Current (pA)
Perc
enta
ge o
f Occ
urre
nces 605 Samples
VDD = 5.5VVCM = VDD
TA = +125°C
70
75
80
85
90
95
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125Ambient Temperature (°C)
PSR
R, C
MR
R (d
B)
PSRR (VCM = VSS)
CMRR (VCM = -0.3V to +5.3V)
VDD = 5.0V
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05Frequency (Hz)
PSR
R, C
MR
R (d
B)
PSRR+
CMRR
PSRR–
VCM = VSS
10 100 1k 10k 100k
-20
0
20
40
60
80
100
120
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07Frequency (Hz)
Ope
n-Lo
op G
ain
(dB
)
-210
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
Ope
n-Lo
op P
hase
(°)
0.1 1 10 100 10k 100k 1M 10M
Phase
Gain
1k
VCM = VSS
10
100
1,000
1.E-01 1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05Frequency (Hz)
Inpu
t Noi
se V
olta
ge D
ensi
ty
(nV/
√Hz)
0.1 101 100 10k1k 100k
DS21733J_JP - p. 8 © 2012 Microchip Technology Inc.
MCP6001/1R/1U/2/4
Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF図 2-13: 電源電圧と出力短絡電流の関係
図 2-14: 出力電流振幅と出力電圧ヘッドルームの関係
図 2-15: 電源電圧と無負荷時電流の関係
図 2-16: 小信号の非反転パルス応答
図 2-17: 大信号の非反転パルス応答
図 2-18: 周囲温度とスルーレートの関係
0
5
10
15
20
25
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5Power Supply Voltage (V)
Shor
t Circ
uit C
urre
ntM
agni
tude
(mA
) TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C
TA = +125°C
1
10
100
1,000
1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02Output Current Magnitude (A)
Out
put V
olta
ge H
eadr
oom
(mV)
VDD – VOH
10µ 10m1m100µ
VOL – VSS
020406080
100120140160180
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Power Supply Voltage (V)
Qui
esce
nt C
urre
ntpe
r am
plifi
er (µ
A)
VCM = VDD - 0.5V
TA = +125°CTA = +85°CTA = +25°CTA = -40°C
-0.08
-0.06
-0.04
-0.02
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05
Time (1 µs/div)
Out
put V
olta
ge (2
0 m
V/di
v)
G = +1 V/V
0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0
0.E+00 1.E-05 2.E-05 3.E-05 4.E-05 5.E-05 6.E-05 7.E-05 8.E-05 9.E-05 1.E-04
Time (10 µs/div)
Out
put V
olta
ge (V
)
G = +1 V/VVDD = 5.0V
0.00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125Ambient Temperature (°C)
Slew
Rat
e (V
/µs)
VDD = 5.5V
VDD = 1.8VRising Edge
Falling Edge
© 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 9
MCP6001/1R/1U/2/4
Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 、VDD = +1.8 ~ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF図 2-19: 周波数と出力電圧振幅の関係
図 2-20: VSS 以下の入力電圧と入力電流の関係
図 2-21: MCP6001/2/4 では入力電圧が VDD を超えても位相反転しない事を示すグラフ
0.1
1
10
1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06Frequency (Hz)
Out
put V
olta
ge S
win
g (V
P-P)
VDD = 5.5V
1k 10k 100k 1M
VDD = 1.8V
1.E-121.E-111.E-101.E-091.E-081.E-071.E-061.E-051.E-041.E-031.E-02
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0Input Voltage (V)
Inpu
t Cur
rent
Mag
nitu
de (A
)
+125°C+85°C+25°C-40°C
10m1m
100µ10µ1µ
100n10n1n
100p10p
1p
-1
0
1
2
3
4
5
6
0.E+00 1.E-05 2.E-05 3.E-05 4.E-05 5.E-05 6.E-05 7.E-05 8.E-05 9.E-05 1.E-04
Time (10 µs/div)
Inpu
t, O
utpu
t Vol
tage
s (V
)
VDD = 5.0VG = +2 V/V
VIN
VOUT
DS21733J_JP - p. 10 © 2012 Microchip Technology Inc.
MCP6001/1R/1U/2/4
3.0 ピンの説明
デバイスのピン機能の一覧を表 3-1 に示します。
表 3-1: ピン機能
3.1 アナログ出力
出力ピンは低インピーダンス電圧源です。
3.2 アナログ入力
非反転および反転入力は、低バイアス電流の高インピーダンス CMOS 入力です。
3.3 電源ピン
正極性電源電圧 (VDD)のレンジは 1.8~ 6.0 Vです (負極性電源電圧 VSS を基準とする )。通常動作時のその他のピンの電圧レンジは VSS ~ VDD です。
一般的に、このようなオペアンプは単電源 ( 正極性 )回路構成で使います。この場合、VSS をグランドに接続し、VDD を電源に接続します。VDD にはバイパス コンデンサが必要です。
3.4 露出サーマルパッド (EP)露出サーマル パッド (EP) と VSS ピンは内部で電気的に接続しています。これらはプリント基板上の同一電位部に接続する必要があります。
MCP6001 MCP6001R MCP6001U MCP6002 MCP600
記号 概要SC70-5 SOT-23-5
SOT-23-5 SOT-23-5MSOP PDIP SOIC
DFN2x3
PDIP SOIC
TSSOP
1 1 4 1 1 1 VOUT、VOUTA アナログ出力 ( オペアンプ A)4 4 3 2 2 2 VIN–、VINA– 反転入力 ( オペアンプ A)3 3 1 3 3 3 VIN+、VINA+ 非反転入力 ( オペアンプ A)5 2 5 8 8 4 VDD 正極性電源
— — — 5 5 5 VINB+ 非反転入力 ( オペアンプ B)— — — 6 6 6 VINB– 反転入力 ( オペアンプ B)
— — — 7 7 7 VOUTB アナログ出力 ( オペアンプ B)— — — — — 8 VOUTC アナログ出力 ( オペアンプ C)— — — — — 9 VINC– 反転入力 ( オペアンプ C)— — — — — 10 VINC+ 非反転入力 ( オペアンプ C)2 5 2 4 4 11 VSS 負極性電源
— — — — — 12 VIND+ 非反転入力 ( オペアンプ D)— — — — — 13 VIND– 反転入力 ( オペアンプ D)— — — — — 14 VOUTD アナログ出力 ( オペアンプ D)— — — — 9 — EP 露出サーマルパッド (EP);
VSS に接続の事
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MCP6001/1R/1U/2/4
4.0 アプリケーション情報
MCP6001/2/4 オペアンプ ファミリは、マイクロチップ社の最先端 CMOS プロセスを使って製造され、特に低コスト / 低消費電力 / 汎用アプリケーション向けに設計されています。電源電圧と無負荷時電流が低く、帯域幅が広い MCP6001/2/4 は、バッテリ駆動アプリケーションに最適です。また、位相マージンが高いため、容量性負荷の大きなアプリケーションに適しています。
4.1 レールツーレール入力
4.1.1 位相反転
MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプは、入力ピン電圧が電源電圧を超えた時に位相が反転しないように設計されています。図 2-21 に示すように、入力電圧が電源電圧を超えても出力の位相は反転しません。
4.1.2 入力電圧と電流制限
入力の ESD 保護の概略図を図 4-1 に示します。入力トランジスタを保護し、入力バイアス電流 (IB) を最小限に抑えるために、このような回路構成を採用しました。入力電圧が [VSS - ダイオード順方向降下電圧 ] よりも低下する事を防ぐために、入力 ESD ダイオードは入力電圧をクランプします。入力 ESD ダイオードは、VDD を過大に超える電圧も全てクランプします。これらのダイオードの降伏電圧は、通常動作を可能にするには十分に高い一方、ESD イベントを仕様制限内で素早くバイパスするには十分に低く抑えられています。
図 4-1: アナログ入力 ESD の概略構造図
オペアンプの損傷や不適正な動作を防ぐために、関連する回路は VIN+ および VIN– ピンの電流と電圧を制限する必要があります ( セクション 1.0「電気的特性」冒頭の絶対最大定格†参照 )。図 4-2 に、これらの入力を保護するための推奨回路例を示します。内部 ESD ダイオードは、入力ピン (VIN+、VIN–) の電圧がグランドよりも過大に低下する事を防ぎます。抵抗R1とR2は、入力ピンから外部へ向けての電流の引き込みを制限します。ダイオード D1 と D2 は、入力ピン (VIN+、VIN–)
の電圧が VDD よりも過大に超える事を防ぎ、電流をVDD へダンプします。図の回路では、R1 と R2 は D1と D2 に流れる電流も制限します。
図 4-2: アナログ入力の保護
ダイオードを R1 と R2 の左側に接続する事も可能です。この場合、ダイオード D1 と D2 に流れる電流を制限するための別の措置が必要です。これらの抵抗は突入電流リミッタとして機能し、入力ピン (VIN+、VIN–)に流れ込む DC 電流を非常に低く抑えます。
コモンモード電圧 (VCM) がグランド (VSS) よりも低下すると、入力から大電流が流れる可能性があります( 図 2-20 参照 )。高インピーダンスのアプリケーションでは、使用可能電圧レンジを制限する事が必要となる場合があります。
4.1.3 標準的な動作
MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプの入力段は、2 個の差動 CMOS 入力段を並列に使います。一方は低いコモンモード入力電圧 (VCM) で動作し、他方は高い VCM で動作します。このようなトポロジにより、本オペアンプは、VSS - 0.3 V ~ VDD+ 0.3 V の VCM で動作します。
2 つの入力段の間の切り換えは、VCM = VDD – 1.1 V の時に発生します。歪みとゲイン直線性 ( 非反転ゲイン )を良好に保つために、この領域での動作を避ける必要があります。
4.2 レールツーレール出力
MCP6001/2/4 オペアンプの出力電圧レンジは VDD -25 mV ( 最大値 ) ~ VSS + 25 mV ( 最小値 ) です ( 条件: RL = 10 kΩ を VDD/2 に接続、VDD = 5.5 V)。詳細は図 2-14 を参照してください。
BondPad
BondPad
BondPad
VDD
VIN+
VSS
InputStage
BondPad
VIN–
V1
MCP600XR1
VDD
D1
R1>VSS – ( 予測最小 V1)
2mA
R2>VSS – ( 予測最小 V2)
2mA
V2
R2
D2
R3
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4.3 容量性負荷
大きな容量性負荷を駆動すると、電圧フィードバックオペアンプの安定性に問題が生じる可能性があります。負荷容量が増えるにつれて、フィードバック ループの位相マージンが減少し、閉ループ帯域幅が低下します。これにより、周波数応答にゲインのピークが生じ、ステップ応答でオーバーシュートとリンギングが発生します。ユニティゲイン バッファ(G = +1) が容量性負荷に対して最も敏感ですが、全てのゲインも同様の一般的挙動を示します。
これらのオペアンプで大きな容量性負荷 ( 例 : G = + 1で 100 pF 以上 ) を駆動する場合、値の小さな直列抵抗(RISO、図 4-3 参照 ) を出力に接続して抵抗性出力負荷とする事により、高周波におけるフィードバック ループの位相マージン ( 安定性 ) を改善できます。一般的に帯域幅は、容量性負荷の存在によって低下します。
図 4-3: 容量性負荷が大きい場合の出力抵抗RISO による安定性の改善
図 4-4 に、ゲインをパラメータとして、容量性負荷に対する推奨 RISO 値の関係を示します。X 軸は正規化した負荷容量 (CL/GN) です (GN は回路のノイズゲイン )。非反転ゲインの場合、GN と信号ゲインは同じです。反転ゲインの場合、GN は 1 + | 信号ゲイン | です( 例 : -1 V/V の場合、GN = +2 V/V)。
図 4-4: 容量性負荷と推奨 RISO 値の関係
上記に従って選択した RISO を実際の回路に取り付けて、周波数応答のピークとステップ応答のオーバーシュートを確認します。結果が好ましくない場合、妥当な挙動が得られるまで RISO の値を変更します。このようなベンチ評価とシミュレーションには、MCP6001/1R/1U/2/4 SPICE マクロモデルが非常に役立ちます。
4.4 電源バイパス
良好な高周波性能を得るために、本オペアンプ ファミリの電源ピン ( 単電源の場合 VDD) には、ローカルなバイパス コンデンサ (0.01 ~ 0.1 µF) を 2 mm 以内の距離で取り付ける必要があります。また、低周波の時に必要な大電流を供給するために、バルク コンデンサ(1 µF 以上 ) を 100 mm 以内の距離で取り付ける必要もあります。このバルク コンデンサは、他のアナログデバイスと共有できます。
4.5 未使用オペアンプ
4 回路入りパッケージ (MCP6004) では、一部のオペアンプを使わない場合があります。そのような場合、未使用のオペアンプを図 4-5 のように構成する必要があります。これらの回路は、出力のトグリングとクロストークの発生を防ぎます。図中左側の回路 A は、オペアンプのノイズゲインを最小限に抑えます。抵抗分圧器は、オペアンプの出力電圧レンジ内で必要な参照電圧を生成します。オペアンプはこの参照電圧をバッファリングします。図中右側の回路 B は最小限の部品点数でコンパレータとして動作しますが、消費電流は増加する可能性があります。
図 4-5: 未使用オペアンプ
4.6 プリント基板の表面リーク電流
入力バイアス電流を低く抑える事が重要となるアプリケーションでは、プリント基板 (PCB) の表面リーク電流の影響を考慮する必要があります。表面リーク電流は湿度やほこり等の汚れによって発生します。低湿度条件における隣接トレース間の抵抗は、一般的に1012Ω 程度です。この場合、5 V の電圧差によって 5 pAの電流が流れ、これは MCP6001/1R/1U/2/4 ファミリのバイアス電流 (25 で 1 pA、typical) を上回ります。
表面リーク電流を低減するには、敏感なピン ( またはトレース ) の周囲にガードリングを設ける方法が最も容易です。この場合、ガードリングを敏感なピンと同電位にバイアスします。図 4-6 にガードリングのレイアウト例を示します。
VIN
RISO
VOUTMCP600X
CL
–
+
10
100
1000
1.E-11 1.E-10 1.E-09 1.E-08Normalized Load Capacitance; CL/GN (F)
Rec
omm
ende
d R
ISO (Ω
)
GN = 1GN ≥ 2
10p 10n100p
VDD = 5.0VRL = 100 k
1n
VDD
VDD
¼ MCP6004 (A) ¼ MCP6004 (B)
R1
R2
VDD
VREF
VREF VDDR2
R1 R2+------------------•=
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図 4-6: 反転ゲイン用のガードリング レイアウト例
1. 非反転ゲインおよびユニティゲイン バッファの場合 :a.プリント基板に接触しないジャンパ線を使って、非反転ピン (VIN+) を入力に接続します。
b.ガードリングを反転入力ピン (VIN–) に接続します。これにより、ガードリングをコモンモード入力電圧までバイアスします。
2. 非反転ゲインおよびトランス インピーダンス ゲインアンプ ( 光検出器等、電流を電圧に変換する )場合 :a.ガードリングを非反転入力ピン (VIN+) に接続します。これにより、ガードリングをオペアンプと同じ参照電圧 ( 例 : VDD/2 またはグランド ) までバイアスします。
b.プリント基板に接触しないジャンパ線を使って、反転ピン (VIN-) を入力に接続します。
4.7 アプリケーション回路
4.7.1 ユニティゲイン バッファ
MCP6001/2/4 オペアンプのレールツーレール入力および出力の能力は、ユニティゲイン バッファ アプリケーションに最適です。本オペアンプは無負荷時電流が低く、帯域幅が広いため、図 4-7 に示す計装アンプ回路のバッファ構成に適しています。
図 4-7: ユニティゲイン バッファ入力を備えた計装アンプ
4.7.2 アクティブ ローパスフィルタ
MCP6001/2/4 オペアンプの入力バイアス電流は低いため、アクティブ ローパスフィルタ アプリケーションでは、抵抗を大きくして、コンデンサ容量を小さくできます。ただし、抵抗の増加にともなって、発生するノイズも増加します。寄生容量と大きな抵抗値は、周波数応答にも影響する可能性があります。回路の素子を選択する際に、これらのトレードオフを考慮する必要があります。
通常、良好な性能を得るには、オペアンプの帯域幅をフィルタ カットオフ周波数の100倍以上にする必要があります。オペアンプの帯域幅がカットオフ周波数の10 倍以上あれば動作は可能ですが、その場合、回路は部品の許容差に対してより敏感となります。
図 4-8 に、2 次バタワース フィルタ ( カットオフ周波数 = 100 kHz、ゲイン = +1 V/V) を示します。この場合、オペアンプの帯域幅は、カットオフ周波数の 10 倍しかありません。各部品の値は、マイクロチップ社のFilterLab® ソフトウェアを使って選択しました。
図 4-8: アクティブ 2 次ローパスフィルタ
ガードリング
VSSVIN- VIN+
VIN1
R2MCP6002
VIN2
R2
MCP6002
VREF
MCP6001 VOUT
R1
R1
–
+
–
+
–
+
1/2
1/2
VOUT VIN2 VIN1–( )R1R2------• VREF+=
R1 = 20kΩ
R2 = 10kΩ
14.3kΩ
MCP6002VOUT
53.6kΩ
100pF
VIN
33pF
+
–
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4.7.3 ピーク検出器
MCP6001/2/4 オペアンプは、高い入力インピーダンス、レールツーレール入力 / 出力、低い入力バイアス電流といった特長を備えるため、ピーク検出器アプリケーションに適しています。図 4-9 に、 クリアスイッチとサンプルスイッチを使うピーク検出器回路を示します。ピーク検出サイクルには、図 4-9 に示すようにクロック (CLK) を使います。
CLK の立ち上がりエッジで、サンプルスイッチを閉じてサンプリングを始めます。C1 がホールドしているピーク電圧を、C2 でサンプリングします ( このサンプリング時間は tSAMP で定義 )。サンプリング時間の終了時に ( サンプル信号の立ち下がりエッジで )、クリア信号が HIGH に遷移し、クリアスイッチが閉じます。クリアスイッチが閉じると、C1 は R1 を介して放電します ( 放電時間は tCLEAR で定義 )。クリア時間の終了時に ( クリア信号の立ち下がりエッジで )、オペアンプA は C1 で VIN のピーク値のサンプリングを始めます( このサンプリング時間は tDETECT で定義 )。
tSAMP と tCLEAR を定義するには、コンデンサの充電時間と放電時間を求める必要があります。コンデンサの充電時間はアンプのソース電流によって制限され、放電時間(τ)はR1を使って設定します(τ = R1C1)。tDETECTは、入力信号を C1 でサンプリングする時間です。この時間は入力電圧の変化周波数によって決まります。
オペアンプ出力の電流制限と、サンプル コンデンサのサイズ (C1 と C2 の両方 )の影響により、入力電圧 (VIN)が高くなるにつれてスルーレートが制限されます。コンデンサに流れる電流は、コンデンサの容量と電圧の変化レートによって決まります。この関係に基づいて、電圧の変化レートまたはスルーレートを決める事ができます。例えば、オペアンプの短絡電流 ISC = 25 mA、負荷容量 C1 = 0.1 µF とする場合、
式 4-1:
電圧の変化レートは MCP6001/2/4 のスルーレート(0.6 V/µs) よりも小さくなります。入力電圧が C1 の電圧よりも低下すると、D1 は逆バイアスとなります。これはフィードバック ループを開き、オペアンプをレールします。入力電圧が増加すると、オペアンプは本来のスルーレートに戻ります。上式の電圧変化レートに基づき、0.1 µF のコンデンサを充電するには、もっと長い時間が必要です。回路がオペアンプのスルーレートによって制限されないようにコンデンサを選択する必要があります。従って、コンデンサを 40 µF 以下とし、安定化抵抗 (RISO) を適切に選択する必要があります ( セクション 4.3「容量性負荷」参照 )。
図 4-9: クリアおよびサンプル CMOS アナログスイッチを使うピーク検出器
dVC1dt
-------------ISCC1--------=
25mA0.1μF---------------=
dVC1dt
------------- 250mV μs⁄=
ISC C1dVC1
dt-------------=
VIN
MCP6002VC1
MCP6002
D1
Op Amp AOp Amp B
VOUT
MCP6001
Op Amp C
C2
Sample Signal
Clear Signal
Clear
RISO
Sample
–
+
–
+
–
+
CLK
tSAMP
tCLEAR
tDETECT
Switch
Switch
1/21/2
R1
RISO VC2
C1
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MCP6001/1R/1U/2/4
5.0 設計支援
マイクロチップ社は、MCP6001/1R/1U/2/4 ファミリのオペアンプ用に基本的な設計ツールを提供しています。
5.1 SPICE マクロモデル
MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプ用の最新の SPICE マクロモデルは、マイクロチップ社のウェブサイト(www.microchip.com) で入手できます。このマクロモデルは、Orcad (Cadence) が保有する PSPICE を使って作成および検証されています。その他のシミュレーションには変換が必要な場合があります。
このモデルは、オペアンプの各種電気的仕様に幅広く対応し、オペアンプの電圧、電流、抵抗だけでなく、オペアンプの挙動に対する温度とノイズの影響も考慮します。このモデルは、オペアンプのデータシートに記載した仕様レンジ外では検証されていません。仕様レンジ外の条件におけるモデル挙動と実際のオペアンプ動作の一致は保証できません。
さらに、このモデルは、初期段階の設計ツールとしての使用を目的としています。どのような設計であれ、ベンチ試験は非常に重要であり、シミュレーションで置き換える事はできません。また、このマクロモデルから得られたシミュレーション結果は、データシートの仕様値および特性曲線と比較検証する必要があります。
5.2 FilterLab® ソフトウェア
マイクロチップ社の FilterLab® ソフトウェアは、オペアンプを使ったアナログ アクティブ フィルタの設計を簡略化する革新的なソフトウェア ツールです。このツ ー ル は マ イ ク ロ チ ッ プ 社 の ウ ェ ブ サ イ ト(www.microchip.com/filterlab) から無償で入手できます。FilterLab 設計ツールは、各部品の特性値を含むフィルタ回路の完全な回路図を提供します。さらに、このフィルタ回路をSPICEフォーマットで出力してマクロモデルで使う事により、フィルタの性能をシミュレートできます。
5.3 Mindi™ サーキット デザイナおよびシミュレータ
マイクロチップ社の Mindi™ サーキットデバッガおよびシミュレータは、アクティブフィルタ、アンプ、電源管理アプリケーションに役立つ各種回路の設計を支援します。このオンラインツールは、マイクロチップ社のウェブサイト (www.microchip.com/mindi) から無償で入手できます。このインタラクティブなソフトウェア ツールを使うと、回路図を素早く生成してシミュレートできます。Mindi サーキット デザイナおよびシミュレータを使って開発した回路は、PC またはワークステーションにダウンロードできます。
5.4 Microchip Advanced Part Selector (MAPS)
MAPS は、特定の設計要件に適したマイクロチップ社製デバイスを効率良く見つけ出す事ができるソフトウェア ツールです。このツールはマイクロチップ社のウェブサイト (www.microchip.com/maps) から無償で入手できます。MAPS はアナログ、メモリ、MCU、DSC を含むマイクロチップ社製品の全ポートフォリオを対象とする選択ツールです。このツールを使うと、ソーティング機能にフィルタを定義してデバイスをパラメータ検索し、それらのデバイスを横並びの一覧にした技術対照レポートをエクスポートできます。マイクロチップ社製品のデータシート、購入サイト、関連情報への便利なリンクも利用できます。
5.5 アナログ デモボードおよび評価用ボード
マイクロチップ社は、お客様の開発期間の短縮を支援するために、アナログ開発 / 評価用ボードを豊富に取り揃えています。これらのボードの一覧と、関連ユーザガイドおよび技術情報は、マイクロチップ社ウェブサイト(www.microchip.com/analogtools)でご覧になれます。
特に下記のボードをお薦めします。
• MCP6XXX アンプ評価用ボード 1• MCP6XXX アンプ評価用ボード 2• MCP6XXX アンプ評価用ボード 3• MCP6XXX アンプ評価用ボード 4• アクティブ フィルタ デモボードキット
• 5/6 ピン SOT-23 評価用ボード、P/N VSUPEV2• 8 ピン SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 評価用ボード、
P/N SOIC8EV
• 14 ピン SOIC/TSSOP/DIP 評価用ボード、P/N SOIC14EV
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5.6 アプリケーション ノート
補足資料として、マイクロチップ社が提供する下記のアナログ デザインノートとアプリケーションノートを推奨します。これらはマイクロチップ社のウェブサイト (www.microchip.com/appnotes) で入手できます。
• ADN003: フィルタ回路用オペアンプの選択、DS21821
• AN722: オペアンプ トポロジと DC 仕様、DS00722• AN723: オペアンプの AC 仕様とアプリケーション、
DS00723
• AN884: オペアンプによる容量性負荷の駆動、DS00884
• AN990: アナログセンサ コンディショニング回路の概要、DS00990
• AN1177: オペアンプを使用したデザインの精度 : DC 誤差、DS01177
• AN1228: オペアンプを使用したデザインの精度 : ランダムノイズ、DS01228
• AN1297: マイクロチップ社製オペアンプ用 SPICEマクロモデル
これらのアプリケーション ノートを含む各種アプリケーション ノートの一覧を下記の設計ガイドに記載しています。
• 信号チェーン設計ガイド、DS21825
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MCP6001/1R/1U/2/4
6.0 パッケージ情報
6.1 パッケージのマーキング情報
XXXXXXXXXXXXXNNN
YYWW
8 ピン PDIP (300 mil) 例 :
MCP6002I/P256
0432
5 ピン SC-70 (MCP6001) 例 : ( 産業用温度レンジ )
1 2 3
5 4
5 ピン SOT-23 (MCP6001/1R/1U) 例 :( 拡張温度レンジ )
XXNN
1 2 3
5 4
CD25
XXN (Front)YWW (Back)
AA7 (Front)432 (Back)
デバイス産業用温度
コード
拡張温度
コード
MCP6001 AANN CDNN
MCP6001R ADNN CENN
MCP6001U AFNN CFNN
Note: 5 ピン SOT-23 に適用
デバイス産業用温度
コード
拡張温度
コード
MCP6001 AAN CDN
Note: 5 ピン SC-70 に適用
または または
XXNN AA74デバイス産業用温度
コード
拡張温度
コード
MCP6001 AANN CDNN
Note: 5 ピン SC-70 に適用
凡例 : XX...X お客様固有情報Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 )YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 週コード (1 月の第 1 週を「01」とする )NNN 英数字のトレーサビリティ コード つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク* このパッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDC マーク ( )
は外箱に表記しています。
Note: マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合、複数行を使います。この場合、お客様固有情報に使える文字数が制限されます。
3e
3e
MCP6002I/P^^256
0746または
3e
8 ピン DFN (2x3)
XXXYWWNN
例 :
ABY94425
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MCP6001/1R/1U/2/4
パッケージ マーキング情報 ( 続き )
14 ピン PDIP (300 mil) (MCP6004) 例 :
14 ピン TSSOP (MCP6004) 例 :
14 ピン SOIC (150 mil) (MCP6004) 例 :
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
YYWWNNN
XXXXXXXXXX
YYWWNNN
XXXXXXYYWW
NNN
MCP60040432256
6004ST0432
256
XXXXXXXXXXMCP6004ISL
0432256
8 ピン MSOP 例 :
XXXXXX
YWWNNN
6002I432256
8 ピン SOIC (150 mil) 例 :
XXXXXXXXXXXXYYWW
NNN
MCP6002ISN0432
256
または
または
または
または
MCP6002ISN^^0746
256
MCP60040746256
MCP60040746256
6004STE0432
256
3e
E/P^3e
E/SL^ 3e
I/P^ 3e
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MCP6001/1R/1U/2/4
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N
E
NOTE 1
1 2
EXPOSED PAD
NOTE 12 1
D2
K
L
E2
N
eb
A3 A1
A
NOTE 2
BOTTOM VIEWTOP VIEW
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NOTE 1
D
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Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging
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補遺 A: 改訂履歴
リビジョン J (2009 年 11 月 )変更内容
1. 1 ページめに新しい 2x3 DFN 8 ピンパッケージを追加
2. 温度仕様テーブルを更新 (2x3 DFN の熱抵抗に関する情報を記載 )
3. 1.1「試験回路」を更新
4. 図 2-15 を更新
5. 表 3-1 に 2x3 DFN の列を追加
6. 3.4「露出サーマルパッド (EP)」を追加
7. 5.1「SPICE マクロモデル」を更新
8. 5.5「アナログ デモボードおよび評価用ボード」を更新
9. 5.6「アプリケーション ノート」を更新
10. 6.1「パッケージのマーキング情報」を更新 ( 新しい2x3 DFNパッケージのマーキングに関する情報を記載 )
11. パッケージの図を更新
12.「製品識別システム」セクションを更新 ( 新しい2x3 DFN パッケージに関する情報を記載 )
リビジョン H (2008 年 5 月 )変更内容
1. 設計支援 : Mindi シミュレーション ツールの名称を変更
2. パッケージタイプ : デバイスの表記の誤りを訂正
3. 1.0「電気的特性」、DC 特性 : 「最大出力電圧振幅」条件を 0.9 V 入力オーバーライドから 0.5 V入力オーバーライドに変更
4. 1.0「電気的特性」、AC 特性 : 位相マージン条件を G = +1 から G= +1 V/V に変更
5. 5.0「設計支援」: Mindi シミュレーション ツールの名称を変更
リビジョン G (2007 年 11 月 )変更内容
1. 1.0「電気的特性」の Note を更新
2. 入力ピンの絶対最大電圧レンジを拡大
3. 最大動作電源電圧 (VDD) を拡大
4. 試験回路を追加
5. 図 2-3 と図 2-20 を追加
6. 4.1.1「位相反転」、4.1.2「入力電圧と電流制限」、4.1.3「標準的な動作」、4.5「未使用オペアンプ」を追加
7. 5.0「設計支援」を更新
8. 6.0「パッケージ情報」を更新
9. パッケージの概要図を更新
リビジョン F (2005 年 3 月 )変更内容
1. 6.0「パッケージ情報」を更新 ( 新旧のパッケージ例を記載 )
リビジョン E (2004 年 12 月 )変更内容
1. 日付コードYYWW = 0449以降の製品のVOS 仕様値を± 7.0 mV から± 4.5 mV に低減
2. 6.0「パッケージ情報」内のパッケージのマーキングを訂正
3. 補遺 A: 改訂履歴を追加
リビジョン D (2003 年 5 月 ) • 履歴なし
リビジョン C (2002 年 12 月 ) • 履歴なし
リビジョン B (2002 年 10 月 ) • 履歴なし
リビジョン A (2002 年 6 月 )• 本書の初版
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本書に記載されているデバイス アプリケーション等に関する
情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ
り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ
リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に
あります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口
頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている
情報に関して、状態、品質、性能、品性、特定目的への適合
性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マ
イクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一
切の責任を否認します。マイクロチップ社の明示的な書面に
よる承認なしに、生命維持装置あるいは生命安全用途にマイ
クロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクと
し、また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレー
ム、訴訟、費用に関して、マイクロチップ社は擁護され、免
責され、損害うけない事に同意するものとします。暗黙的あ
るいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保
有しているライセンスは一切譲渡されません。
商標
マイクロチップ社の名称と Microchip ロゴ、dsPIC、KEELOQ、
KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、rfPIC、
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テクノロジー社の登録商標です。
FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、Embedded Control SolutionsCompany は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー
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PICC-18、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、PICtail、REAL ICE、rfLAB、Select Mode、Total Endurance、TSHARC、
UniWinDriver、WiperLock、ZENA は、米国およびその他の
国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の登録商標です。
SQTP は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の
サービスマークです。
その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。
© 2011, Microchip Technology Incorporated, All RightsReserved.
ISBN: 978-1-61341-987-8
マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください。
• マイクロチップ社製品は、該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。
• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、マイクロチップ社製品のセキュリティ レベルは、現
在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。
• しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解ではこうした手法は、
マイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります。このような行
為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。
• マイクロチップ社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。
• マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コー
ド保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。
コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。マイクロ
チップ社のコード保護機能の侵害は、デジタル ミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはそ
の他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタル ミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利が
あります。
マイクロチップ社では、ChandlerおよびTempe (アリゾナ州 )、Gresham( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とイドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システム プロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コード ホッピング デバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています。
DS21733J_JP - p. 40 © 2012 Microchip Technology Inc.
北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel:480-792-7200 Fax:480-792-7277技術サポート : http://www.microchip.com/supportURL: www.microchip.com
アトランタDuluth, GA Tel:678-957-9614 Fax:678-957-1455
ボストンWestborough, MA Tel:774-760-0087 Fax:774-760-0088
シカゴItasca, IL Tel:630-285-0071 Fax:630-285-0075
クリーブランドIndependence, OH Tel:216-447-0464 Fax:216-447-0643
ダラスAddison, TX Tel:972-818-7423 Fax:972-818-2924
デトロイトFarmington Hills, MI Tel:248-538-2250Fax:248-538-2260
インディアナポリスNoblesville, IN Tel:317-773-8323Fax:317-773-5453
ロサンゼルスMission Viejo, CA Tel:949-462-9523 Fax:949-462-9608
サンタクララSanta Clara, CA Tel:408-961-6444Fax:408-961-6445
トロントMississauga, Ontario, CanadaTel:905-673-0699 Fax:905-673-6509
アジア / 太平洋アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel:852-2401-1200Fax:852-2401-3431
オーストラリア - シドニーTel:61-2-9868-6733Fax:61-2-9868-6755
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マレーシア - ペナンTel:60-4-227-8870Fax:60-4-227-4068
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台湾 - 新竹Tel:886-3-5778-366Fax:886-3-5770-955
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タイ - バンコクTel:66-2-694-1351Fax:66-2-694-1350
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11/29/11
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