セレクションガイド 2017.9

Si APD（アバランシェ・フォトダイオード）内部増倍機能をもった高速・高感度のフォトダイオード

近赤外タイプ (低温度係数) S6045 -06 APDモジュール C10508 -01 表面実装型 S10341-05

S i P h o t o d i o d e

Si APD(アバランシェ・フォトダイオード)内部増倍機能をもった高速・高感度のフォトダイオード

Contents

短波長タイプSi APD ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5

・ 低バイアス動作 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5

・ 低端子間容量 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 6

近赤外タイプSi APD ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 7

・ 低バイアス動作 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 7

・ 低温度係数 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 9

・ 900 nm帯、低端子間容量 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥10

・ 1000 nm帯／高感度 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 11

APDモジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥12

・ 標準タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥12

・ 高感度タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥12

・ 高安定タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13

・ 高速タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13

3

Si APD (アバランシェ・フォトダイオード)

　APDは、逆電圧を印加することにより光電流が増倍される高速・高感度のフォトダイオードです。APDは素子内部に信号の増倍機能をもつため、PINフォトダイオードに比べ高い S/Nを得られ、高精度な光波距離計やシンチレータを用いた微弱光検出など幅広い用途で利用されます。PINフォトダイオードに比べ微弱な光を検出できる反面、高い逆電圧が必要なことや増倍率が温度に依存するなど、注意が必要な点もあります。

種類 型名 特長

標準タイプ C12702シリーズ 近赤外タイプ・短波長タイプのAPDを内蔵、FC／SMAファイバアダプタも用意高感度タイプ C12703シリーズ 低照度光検出用の高ゲインタイプ高安定タイプ C10508-01 デジタル温度補償タイプの高安定APDモジュール高速タイプ C5658 広帯域周波数 (～1 GHz)において使用可能

APDモジュール

タイプ 推奨波長(nm)

最大感度波長(nm) 型名 パッケージ 特長 用途

短波長タイプ

低バイアス動作 200 ～ 650 620 S12053シリーズなど メタル

紫外～可視域の感度を向上させたタイプ ・微弱光検出・分析機器低端子間容量 320 ～ 650 600S8664-Kシリーズ メタルS8664-55/-1010

セラミックS8550-02

近赤外タイプ

低バイアス動作 600 ～ 800800

S12023シリーズなど メタル 近赤外域で感度が高く、バイアス電圧 (動作電圧)の低いタイプ

・空間光伝送・光波距離計・光ファイバ通信

S10341シリーズ表面実装型

小型・薄型、低価格 ・光波距離計・レーザレーダ・空間光伝送760 S12427-02 小型・薄型、低価格、高速

低温度係数 600 ～ 800 800 S12060シリーズなど メタル バイアス電圧の温度係数が低く、増倍率の調整が容易

・空間光伝送・光波距離計・光ファイバ通信

900 nm帯、低端子間容量 800 ～ 1000

860 S12426シリーズなど メタル 900 nm帯の感度を向上させたタイプ・光波距離計・レーザレーダ840 S12926-02/-05

表面実装型小型・薄型

900 S12926-02F/-05F 小型・薄型、フィルタ付き1000 nm帯／高感度 900 ～ 1150 960 S11519シリーズ メタル 1000 nm帯の感度を向上させたバイアス

電圧 (動作電圧)の低いタイプ・ YAGレーザ検出など

Si APD

アバランシェ増倍の原理

発生したキャリアが、高電界で加速されて、新たに電子－正孔対を発生させる イオン化

発生したキャリアも加速されて、新たな電子－正孔対を発生させる連鎖が起こる

印加バイアスに応じた増倍率を得ることができる

アバランシェ増倍

-

---- + +

+

+

-

- -

P+P-

P

高電圧

N+

アバランシェ層

KAPDC0006JC

APDの動作原理

　APDの光電流の発生機構は、通常のフォトダイオードと同じです。フォトダイオードに、バンドギャップ以上のエネルギーをもつ光が入射すると、その光エネルギーにより電子－正孔対が発生します。このとき入射フォトン数に対して発生した電子－正孔対の割合を量子効率 QE (単位: %)と定義します。APDの内部でキャリアが発生する機構はフォトダイオードと変わりませんが、APDは発生したキャリアを増倍する機能をもっている点がフォトダイオードと異なります。　PN接合に逆電圧を印加すると、空乏層内部で発生した電子－正孔対のうち、電子はN+側に、正孔はP+側にそれぞれ電界によってドリフトします。このときのキャリアのドリフト速度は電界が高くなるほど速くなりますが、ある電界に達すると結晶格子との散乱頻度が増して、ある一定の速度に飽和するようになります。さらに電界が高くなると結晶格子との衝突を免れたキャリアは非常に大きなエネルギーをもつようになります。そして、このキャリアが結晶格子と衝突すると新たな電子－正孔対を発生させる現象が起こります。この現象をイオン化と呼びます。この電子－正孔対が新たに電子－正孔対を発生させるというように、イオン化は連鎖的に発生します。

4

分光感度特性 (Si APD)

遮断周波数－推奨波長

感度－応答速度 (APDモジュール)KAPDB0196JD

波長 (nm)

遮断周波数 (MHz)

2000

200

400

600

800

1000

400 600 800 1000 1200

高

低

短波長タイプ(低バイアス動作)

短波長タイプ(低端子間容量)

近赤外タイプ低バイアス動作低温度係数( )

近赤外タイプ(1000 nm帯／高感度)

(受光面サイズ 0.5 mmで比較)

近赤外タイプ900 nm帯、低端子間容量( )

KACCB0355JA

KAPDB0195JD

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

200 400

55

50

40

30

20

10

45

35

25

15

5

0600 800 1000 1200

近赤外タイプ(低バイアス動作)

近赤外タイプ(1000 nm帯／高感度)

近赤外タイプ(低温度係数)

短波長タイプ(低バイアス動作)

短波長タイプ(低端子間容量)

(Typ. Ta=25 °C, M=50, λ=650 nm)

近赤外タイプ(900 nm帯、低端子間容量)

DC 10 100 1 k 10 k 100 k 1 M 10 M 100 M 1 G

感度 (V/W)

応答速度 (Hz)

C12703-01DC ～ 100 kHz-1.5 × 108 V/W

C10508-01DC ～ 10 MHz

1.5 × 106 ～ 1.5 × 107 V/WC12703シリーズDC ～ 10 MHz1.5 × 106 V/W

C565850 kHz ～ 1 GHz2.5 × 105 V/W

C12702シリーズ

受光面サイズ・波長により4種類を用意

4 kHz ～ 100 MHz-1 × 104 V/W

109

108

107

106

105

104

103

5

紫外～可視光域の感度を向上させた短波長用Si APDです。短波長域で高い増倍率が得られ、高感度・低ノイズを実現しています。微弱光計測・分析機器などの用途に適しています。

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

上昇時間*2RL=50 Ω(ns)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=650 nm パッケージ

S12053-02 ϕ0.2

200 ～ 1000 200 0.14

900 0.4 2

50

TO-18S12053-05 ϕ0.5 400 0.9 5

S12053-10 ϕ1.0 250 1.5 15

S9075 ϕ1.5 100 3.5 30

TO-5

S5344 ϕ3.0 25 14 120

S5345 ϕ5.0 8 45 320 TO-8

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

低バイアス動作

短波長タイプSi APD

KAPDB0010JD KAPDB0023JB KAPDB0011JC

20

30

0

10受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C, M at 650 nm)

波長 (nm)

200 400 600 800300 500 700 900 1000 1100

M=10

M=20

M=50

0

20

40

60

80

100

量子効率 (%)

(Typ. Ta=25 °C)

波長 (nm)

200 300 400 600 800 1000500 700 900 1100

増倍率

逆電圧 (V)

1000

100

10

1

(Typ. λ=650 nm)

130 160140 150

-20 °C

0 °C

20 °C

40 °C

60 °C

分光感度特性 量子効率－波長 増倍率－逆電圧

6

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

上昇時間*2RL=50 Ω(ns)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=420 nm パッケージ

S8664-02K ϕ0.2

320～1000

500 0.78

700 0.5 0.8

50

TO-5S8664-05K ϕ0.5 680 0.52 1.6S8664-10K ϕ1.0 530 0.66 4S8664-20K ϕ2.0 280 1.3 11

S8664-30K ϕ3.0 140 2.5 22TO-8

S8664-50K ϕ5.0 60 6 55

S8664-55 5 × 5 40 9 80

セラミック

S8664-1010 10 × 10 11 32 270

S11051-20 ϕ2.0 266 250 1.4 11 TO-8

低端子間容量

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=420 nm パッケージ

S8550-02 1.6 × 1.6(× 32素子) 320 ～ 1000 500 0.78 250 9

(1素子当たり) 50 セラミック

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

4 × 8素子アレイ

KAPDB0076JB

1000(Typ. λ=420 nm)

1

100

10

増倍率

逆電圧 (V)

200 300 400 500

-20 °C

0 °C20 °C

40 °C

60 °C

増倍率－逆電圧

KAPDB0073JC KAPDB0125JB KAPDB0374JA

10

25

20

15

0

5

受光感度 (A/W)

(Typ. M=50 at 420 nm)

波長 (nm)

200 400 600 800 1000 1200

S8664-02K/-05K/-10K/-20K/-30K/-50K

S8664-55/-1010S8550

40

100

80

60

0

20

量子効率 (%)

波長 (nm)

200 400 600 800 1000 1200

(Typ. Ta=25 °C)

S8664-02K/-05K/-10K/-20K/-30K/-50K

S8664-55/-1010S8550-02

40

100

80

60

0

20

量子効率 (%)

波長 (nm)

200 250 300 350 400

(Typ. Ta=25 °C)

［ S8664シリーズ, S8550-02 ］ ［ S11051-20 ］

分光感度特性 量子効率－波長

短波長タイプSi APD

7

低いバイアス電圧で動作する近赤外域用Si APDです。200 V以下のバイアス電圧で高い増倍率を得ることができるため、空間光伝送・レーザレーダ・光ファイバ通信などの用途に適しています。

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=800 nm パッケージ

S12023-02 ϕ0.2

400～1000 200 0.65

1000 1

100 TO-18

S12023-05

ϕ0.5 900 2S12051

S12086

S12023-10

ϕ1.0 600 6

S12023-10A

S3884 ϕ1.5 400 10 100

TO-5

S2384 ϕ3.0 120 40 60

S2385 ϕ5.0 40 95 40 TO-8

低バイアス動作

近赤外タイプSi APD

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=800 nm パッケージ

S10341-02 ϕ0.2

400～1000

200 0.65

1000 1

100 プラスチックS10341-05 ϕ0.5 900 2

S12427-02 ϕ0.2 120 0.42 1500 1.2

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

表面実装型プラスチックパッケージのSi APDで、量産性に優れた安価な小型タイプです。

表面実装型

8

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

400 600 800 1000500 700 900 1100

40

20

0

50

30

10

(Typ. Ta=25 °C, M at 800 nm)

M=100

M=50

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

400 600 800 1000500 700 900 1100

40

20

0

50

30

10

(Typ. Ta=25 °C, M=100 at 760 nm)

KAPDB0304JA KAPDB0302JA

80 100 120 140 160 1801

10

100

1000

10000

逆電圧 (V)

増倍率

(Typ. λ=800 nm)

-20 °C

0 °C

20 °C

40 °C

60 °C

40 60 80 100 1201

10

100

1000

10000

逆電圧 (V)

増倍率

(Typ. λ=800 nm)

-20 °C

0 °C

20 °C

40 °C

60 °C

KAPDB0017JC

KAPDB0305JA

波長 (nm)

量子効率 (%) 60

400 600 800 1000500 700 900 1100

40

20

0

80

100(Typ. Ta=25 °C)

波長 (nm)

量子効率 (%) 60

400 600 800 1000500 700 900 1100

40

20

0

80

100(Typ. Ta=25 °C)

KAPDB0303JA

KAPDB0306JA

分光感度特性

［ S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 ］ ［ S12427-02 ］

量子効率－波長

［ S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 ］ ［ S12427-02 ］

増倍率－逆電圧

［ S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 ］ ［ S12427-02 ］

近赤外タイプSi APD

9

バイアス電圧の温度係数を低くした近赤外域用Si APDです。広い温度範囲において安定した増倍率を得ることができます。空間光伝送・レーザレーダ・光ファイバ通信などの用途に適しています。

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=800 nm パッケージ

S12060-02 ϕ0.2

400～1000 300 0.4

1000 1

100 TO-18S12060-05 ϕ0.5 900 2.5

S12060-10 ϕ1.0 600 6

S6045-04 ϕ1.5 350 12 100

TO-5

S6045-05 ϕ3.0 80 50 60

S6045-06 ϕ5.0 35 120 40 TO-8

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

低温度係数

KAPDB0029JB

逆電圧 (V)

増倍率

(Typ. λ=800 nm)

160 200 220 240

100

1

10

260

10000

1000

180

-20 °C

0 °C

20 °C

40 °C

60 °C

増倍率－逆電圧

KAPDB0026JA

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C, M at 800 nm)

200

40

20

0

50

30

10

400 600 800 1000300 500 700 900 1100

M=100

M=50

KAPDB0027JA

波長 (nm)

量子効率 (%)

(Typ. Ta=25 °C)

200 400 600 800 1000300 500 700 900 1100

40

20

0

80

60

100

分光感度特性 量子効率－波長

10

本シリーズは、レーザレーダなどに用いられます。緩やかな増倍率－逆電圧カーブをもつため、安定した動作が得られます。

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=900 nm パッケージ

S12426-02 ϕ0.2

400 ～ 1150 200 1.1

650 0.5

100

TO-18

S12426-05 ϕ0.5 600 1.1

S9251-10 ϕ1.0

440 ～ 1100 350 1.85

380 1.9

TO-5

S9251-15 ϕ1.5 350 3.6

900 nm帯、低端子間容量

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=800 nm パッケージ

S12926-02

ϕ0.2

400～1150

200 1.1 600

0.6

100 プラスチック

S12926-02F 850～950

S12926-05

ϕ0.5

400～1150

1.3

S12926-05F 850～950

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

S12926シリーズは、小型・薄型リードレスパッケージを採用しているため、実装面積を小さくすることができます。S12926-02FとS12926-05Fは、900 nm光源に合わせたフィルタをチップ上に形成しています。

表面実装型

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 °C, M at 860 nm)

受光感度 (A/W)

400 600 800 10002000

10

20

60

50

40

30

1200

M=100

M=50

KAPDB0297JA KAPDB0079JA KAPDB0271JA

(Typ. λ=900 nm)

逆電圧 (V)

増倍率

100 120 140 160 180 200 220 2401

10

100

1000

10000

-10 °C0 °C 20 °C 40 °C 60 °C 80 °C

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 °C, M=100 at λ=900 nm)

受光感度 (A/W)

600 8004000

10

20

30

40

50

60

1000 1200

S12426-02/-05S12926-02/-05

S12926-02F/-05F

分光感度特性 増倍率－逆電圧［ S12426/S12926シリーズ ］ ［ S9251シリーズ ］ ［ S12426/S12926シリーズ ］

近赤外タイプSi APD

11

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

400

10

0

80(Typ. Ta=25 °C, M=100 at 890 nm)

30

50

60

20

40

70

600 800 1000 1200

逆電圧 (V)

増倍率

100 300

100

1

10

400

10000

1000

200

-20 °C

0 °C20 °C

60 °C

40 °C

(Typ.)

波長 (nm)

量子効率 (%)

400 600 800 1000

100

80

40

0

60

20

1200

(Typ. Ta=25 °C, M=1)

S11519シリーズは、MEMS技術を導入することによって、YAGレーザ (1.06 µm)を検出するために近赤外域での感度を向上させています。

型名有効受光面サイズ*1

(mm)

感度波長範囲(nm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数*2RL=50 Ω(MHz)

端子間容量*2

(pF)

増倍率λ=890 nm パッケージ

S11519-10 ϕ1.0

600 ～ 1150 500 1.7

400 2

100

TO-5

S11519-30 ϕ3.0 230 12 TO-8

*1: 増倍作用が得られる範囲*2: 表中の増倍率で動作させたときの値

KAPDB0300JB KAPDB0301JA

KAPDB0185JA

1000 nm帯／高感度

分光感度特性

増倍率－逆電圧

量子効率－波長

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APDモジュール

型名有効受光面サイズ*3

(mm)内蔵APD

遮断周波数 光電変換感度M=30, λ=800 nm

(V/W)

最低検出限界M=30, λ=800 nm

(nW rms)

増倍率温度安定度25 ± 10 °C

(％)

供給電源

(V)低域 高域

C12703 ϕ1.5 S3884DC

10 MHz 1.5 × 106 0.63±5 max. ±12

C12703-01 ϕ3.0 S2384 100 kHz -1.5 × 108 0.0063*3: 増倍作用が得られる範囲

特 長 低照度の光検出用 DC光検出 高ゲイン

用 途 Si APDの評価用 蛍光計測 バーコードリーダ パーティクルカウンタ フィルムスキャナ

低照度光検出に適した高ゲインタイプのAPDモジュールです。DC (直流)光からの検出に使用できます。

高感度タイプ

型名有効受光面サイズ*3

(mm)内蔵APD

遮断周波数 光電変換感度M=30, λ=800 nm

(V/W)

最低検出限界M=30, λ=800 nm

(nW rms)

増倍率温度安定度25 ± 10 °C

(％)

供給電源

(V)低域 高域

C12702-03 ϕ1.0 S12023-104 kHz

100 MHz -6.8 × 104 3±5 max. +5

C12702-04 ϕ3.0 S2384 80 MHz -2.3 × 104 3.6

標準タイプ

特 長 最大感度波長: 800 nm 広帯域 光ファイバアダプタも用意 (別売)

用 途 Si APDの評価用 空間光伝送 バーコードリーダ レーザレーダ 光波距離計 光通信

APDモジュールは、Si APDを簡便に使用するためにアンプ、バイアス電源をコンパクトにまとめたモジュールです。+5 Vの電源によって、100 MHzまでの周波数帯域でさまざまな光検出に使用できます。

近赤外用

特 長 最大感度波長: 620 nm 広帯域 光ファイバアダプタも用意 (別売)

用 途 Si APDの評価用 フィルムスキャナ レーザモニタ

型名有効受光面サイズ*3

(mm)内蔵APD

遮断周波数 光電変換感度M=30, λ=620 nm

(V/W)

最低検出限界M=30, λ=620 nm

(nW rms)

増倍率温度安定度25 ± 10 °C

(％)

供給電源

(V)低域 高域

C12702-11 ϕ1.0 S12053-104 kHz

100 MHz -2.5 × 104 5±5 max. +5

C12702-12 ϕ3.0 S5344 40 MHz -1.9 × 104 6.3

短波長用

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型名有効受光面サイズ*(mm)

内蔵APD遮断周波数 光電変換感度

M=250, λ=800 nm(V/W)

最低検出限界M=250, λ=800 nm

(pW rms)

増倍率温度安定度0～40 °C(％)

供給電源

(V)低域 高域

C10508-01 ϕ1.0 S12023-10A DC 10 MHz 1.25 × 107 63 ±5 max. ±5

C10508-01は、APD、電流－電圧変換回路、高電圧電源回路に加えて、APDの増倍率の調整や温度補償制御を高精度に行うためのマイコンを内蔵しています。そのためAPDの増倍率を容易に変更でき、高増倍率でも温度変動に対して安定した検出を行うことができます。

特 長

増倍率をスイッチまたはPCからのコマンドにて変更 増倍率の温度安定度: ±5%以下　(増倍率: 250倍, Ta=0 °C～+40 °C) 取り扱いが容易: ±5 V電源供給のみ

用 途

Si APDの評価用 パワーメータ 微弱光検出

高安定タイプ

型名有効受光面サイズ*(mm)

内蔵APD遮断周波数 光電変換感度

M=100, λ=800 nm(V/W)

最低検出限界M=100, λ=800 nm

(nW rms)

増倍率温度安定度25 ± 10 °C

(％)

供給電源

(V)低域 高域

C5658 ϕ0.5 S12023-05 50 kHz 1 GHz 2.50 × 105 16 ±5 +12* 増倍作用が得られる範囲

特 長

高速光検出用 平坦な周波数特性 小型・軽量 単電源動作

用 途

OTDR 光通信 レーザレーダ 空間光伝送 光波距離計

広帯域周波数 (～1 GHz)において使用可能なタイプです。

高速タイプ

APDモジュール FCファイバアダプタ SMAファイバアダプタ

C12702-03 A8407-18 A8424-18C12702-04 A8407-05A A8424-05AC12702-11 A8407-18 A8424-18C12702-12 A8407-05A A8424-05AC12703 A8407-05 A8424-05C12703-01 A8407-05A A8424-05AC10508-01 A12855-01 A12855-02

以下のAPDモジュールは、FCファイバアダプタまたはSMAファイバアダプタを取り付けることによって、FCまたはSMAの光ファイバケーブルを接続することができます。

FC/SMAファイバアダプタ (別売)

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弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用されることを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機器および防災・安全装置など)には使用しないでください。 絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。 弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適切な警告・表示などを十分に実施してください。 製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したことなど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ごとに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。 弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。

浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い

受 光 素 子

光通信用デバイス ミニ分光器

LED 光半導体モジュール

主な光半導体製品営業品目

APD

フォトIC

MPPC

赤外線検出素子イメージセンサ

Siフォトダイオード

● 本資料の記載内容は、平成29年9月現在のものです。● 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。

Cat. No. KAPD0001J07 Sep. 2017 DN (800)

仙 台 営 業 所筑 波 営 業 所東 京 営 業 所中 部 営 業 所大 阪 営 業 所西日本営業所

〒980-0021〒305-0817〒105-0001〒430-8587〒541-0052〒812-0013

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光半導体製品

● 光電子増倍管● 光電子増倍管モジュール ● マイクロチャンネルプレート● イメージインテンシファイア● キセノンランプ・水銀キセノンランプ● 重水素ランプ● 光源応用製品 ● レーザ応用製品● マイクロフォーカスX線源● X線イメージングデバイス

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システム応用製品

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