25
СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ Автор Останин Б.П. Конец слайда Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 1. Всего 23.

СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Embed Size (px)

DESCRIPTION

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 1. Всего 23. СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ. Автор Останин Б.П. Конец слайда. К. Вход. Б. Выход. Выход. Вход. Выход. Вход. Э. Включение с ОЭ. Включение с ОК. Включение с ОБ. С. Вход. Выход. Выход. З. Вход. Выход. И. Вход. - PowerPoint PPT Presentation

Citation preview

Page 1: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 1. Всего 23.

Page 2: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Способы включения транзисторов

Вход

ВыходБ

К

Э

Включение с ОЭ

Вход

Выход

Включение с ОК

Вход Выход

Включение с ОБ

Выход

Вход

З

С

И

Включение с ОИ

ВыходВход

Включение с ОС

ВыходВход

Включение с ОЗ

Включение биполярного транзистора структуры n-p-n

Включение полевого транзистора с каналом n-типа

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 2. Всего 23.

Page 3: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 3. Всего 23.

Page 4: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

uВХ

UПVT

RБ1

RБ2

+

uКЭ

КБ

Э

uВЫХ

uВХ

UПVT

RБ1

RБ2

+

uВЫХ

КБ

Э

URК

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 4. Всего 23.

Page 5: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

При отсутствии сигнала (iВХ = 0) в цепях усилительного каскада протекают только постоянные токи (IRБ1 , IRБ2 , IБ , IК , IЭ ), созданные источником питания UП. Эти токи вызывают постоянные напряжения на сопротивлениях каскада и между выводами транзистора (URБ1 , URБ2 , UБЭ , URК

, UКЭ ). Такой режим называют режимом покоя.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 5. Всего 23.

IВЫХ

uВХ = 0

VT

RБ1

RБ2

+

UВЫХ = UКЭIRБ2

IRБ1

IБiВХ = 0

IЭUБЭ

Page 6: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 6. Всего 23.

IВЫХ

uВХ = 0

VT

RБ1

RБ2

+_

UВЫХ = UКЭIRБ2

IRБ1

IБiВХ = 0

IЭUБЭ

+

Page 7: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 7. Всего 23.

Page 8: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 8. Всего 23.

Page 9: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Входная и выходные характеристики б/п транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером

IБ max

IБ min

UБЭ maxUБЭ min

UБЭ

0

IK max

IK

UKЭ0

IKmin

UKЭmin UKЭmax UП

UKБ=0

IБ=0IБmin

IБmax

Точка насыщения

Точка отсечки

К

П

R

U

К

ПК R

UI

max

Когда транзистор полностью открыт, его сопротивление очень мало (принимаем его равным нулю)

Когда транзистор полностью закрыт, его сопротивление очень велико (принимаем его равным бесконечности)

0КЭU

0

К

ПК R

UI ПКЭ UU

КЭК

ПК RR

UI

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 9. Всего 23.

Page 10: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Классы усиления усилительных каскадов

В зависимости от значения и знака напряжения смещения UСМ и напряжения сигнала uC в схеме транзисторного каскада возможно несколько принципиально различных режимов его работы. Эти режимы называют классами усиления.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 10. Всего 23.

Page 11: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Класс А

В этом режиме ток протекает в течение всего периода.

ПКЭ

UU

К

ППК R

UI

2

ПКК II 2

)( minmaxmax

ККК

III

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего 23.

uВХ = uБЭ

VT

RБ1

RБ2

+

uВЫХ = uКЭiRБ2

iRБ1

iБiВХ

iВЫХ

Page 12: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

t

t

IБ max

IБ min

UБЭ maxUБЭ min

IБ П

UБЭ П

Т.П.

uБЭ0

Класс А

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего 23.

Page 13: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

IK max

IK

UKЭ

0

IKmin

UKЭmin UKЭmax UП

IБmin

IБmaxК

П

R

U

IБП

t

tТ.П.

Класс А

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего 23.

Page 14: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

uВХ = uБЭ

VT

RБ1

RБ2

+ _

uВЫХ = uКЭIRБ2

IRБ1

IБiВХ

iВЫХ

Класс А

В этом режиме ток протекает в течение всего периода.

ПКЭ

UU

К

ППК R

UI

2

ПКК II 2

)( minmaxmax

ККК

III

2

)( maxmin ККПК

III

5,0

ПКПКПК UIP Мощность, рассеиваемая в транзисторе -

По найденным значениям IКП и IК max для известного значения h21Э определяют IБ П, IБ max, UБЭ П и UБЭ max.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 12. Всего 23.

Page 15: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

uВХ = uБЭ

VT

RБ1

RБ2

+ _

uВЫХ = uКЭIRБ2

IRБ1

IБiВХ

iВЫХ

IБ max

IБ min

UБЭ max

UБЭ min

uБЭ

0

IБmax

IKminIБmin

IK max

IK

UKЭ

0UKЭmin UKЭmax UП

К

П

R

U

t

t

IБП2

UБЭ2

t

t

IБП1

UБЭ1

IБП1

t

tIКП 1

UКЭП 1

IБП2

t

tIКП 2

UКЭП 2

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 13. Всего 23.

Page 16: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

uВХ = uБЭ

VT

RБ1

RБ2

+ _

uВЫХ = uКЭIRБ2

IRБ1

IБiВХ

iВЫХ

IБ max

IБ min

UБЭ max

UБЭ min

uБЭ

0

t

t

IБП2

UБЭ2

IБmax

IKminIБmin

IK max

IK

UKЭ

0UKЭmin UKЭmax UП

К

П

R

U

IБП2

t

tIКП 2

UКЭП 2

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 14. Всего 23.

Page 17: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Точка покоя режима класса В. Она же точка отсечки

IK max

IK

UKЭ

0

IKmin

UKЭmin UKЭmax UП

UKБ=0

IБ=0IБmin

IБmax

Точка насыщения

К

П

R

U

Класс В В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины периода. Напряжение смещения равно нулю (UСМ = 0). При этом IКП = IКmin 0 и UКЭ П = UП - RКIКmin UП.

Положительным являются хорошие энергетические показатели (теоретический КПД до 0,785).

Недостатки

1. Усиливается только одна полуволна.

2. Большие нелинейные искажения (искажения типа «ступенька»).

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 15. Всего 23.

Page 18: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

RНuВХ

uВЫХ

VT1

VT2

+

+ _

_

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 16. Всего 23.

Page 19: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

IK max

IK

UKЭ

0

IKmin

UKЭmin UKЭmax UП

UKБ=0

IБ=0IБmin

IБmax

Точка насыщения

Точка отсечки

К

П

R

U

Точка покоя класса АВ

Класс АВ

В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода. Напряжение смещения равно или немного превышает UБЭ min.

Хорошие энергетические показатели.

Усиливается только одна полуволна.

Нет искажений типа «ступенька».

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 17. Всего 23.

Page 20: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Класс С В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает меньше половины периода. Напряжение смещения отрицательное. Транзистор больше половины периода находится в режиме отсечки. Усиливается только верхняя часть полуволны.

Это ключевой режим. На выходе получается напряжение в виде прямоугольных импульсов. Напряжение смещения равно нулю или отрицательное. Входное напряжение должно принимать либо значение меньше UБЭmin либо больше UБЭmax.

Класс D

Хорошие энергетические показатели (большой КПД).Большие нелинейные искажения.

Широко применяется в мощных резонансных усилителях (в радиопередающих устройствах).

КПД близок к единице.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ.. Слайд 18. Всего 23.

Page 21: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

КАК ПРОИЗВОДИТСЯ РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА ПОКАЗАНО НА

СЛЕДУЮЩЕМ ПРИМЕРЕ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 19. Всего 23.

Page 22: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

uВХ

UПVT

RБ1

RБ2

+

uВЫХ

КБ

Э

URК

Схема замещения усилительного каскада ОЭ

h21ЭiБh22Э

CК RНRБ h11ЭuВХ uВЫХ

ТРАНЗИСТОР

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 20. Всего 23.

Page 23: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

ЭБ

ЭБВХ hR

hRR

11

11

ККЭВЫХ RRhR 22

h21ЭiБh22Э

CК RНRБ h11ЭuВХ uВЫХ

ТРАНЗИСТОР

На средних частотах ёмкостное сопротивление ХСК очень велико и в расчёт не принимается, так как ток в нём практически равен нулю.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 21. Всего 23.

Page 24: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

БЭНВЫХ ihRu 21НК

НКН RR

RRR

БЭВХ ihu 11

Э

ЭН

БЭ

БЭН

ВХ

ВЫХU h

hR

ih

ihR

u

uK

11

21

11

210

h21ЭiБ

RБ h11ЭuВХ uВЫХ

ТРАНЗИСТОР

iБ h21ЭiБ

НR

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 22. Всего 23.

Page 25: СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

))(( 11

21

ЭБНК

БКЭ

ВХ

НI hRRR

RRh

i

iK

Б

ЭББ

ЭБ

ЭБ

БЭ

ЭБ

ЭБ

ВХ

ВХ

ВХВХ R

hRi

hR

hRih

hR

hRu

R

ui

)( 11

11

11

11

11

11

)(2121

НК

КБЭ

Н

НБЭ

Н

ВЫХН RR

Rih

R

Rih

R

ui

h21ЭiБRК

RНRБ h11ЭuВХ uВЫХ

ТРАНЗИСТОР

iБiВХ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 23. Всего 23.