ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов

Работу выполнили студенты группы 21303

Федотов РоманФилиппов Артём

Обозначения полупроводниковых приборов на принципиальных

электрических схемах

УЭ

А+

К-

А+

К-

«А» - Анод

«К» - Катод

«УЭ» - Управляющий Электрод

Диод Тиристор

P N P N P NА К А К

УЭ

Обозначения выводов биполярного транзистора

ЭК

Б«Э» - Эмиттер

«К» - Коллектор

«Б» - База

P N PЭ К

Б

Транзисторы

Обозначения выводов полевого транзистора

З

И С

З

И П С«З» - Затвор

«С» - Сток

«И» - Исток

«П» - Подложка

NP+ P+

ЗИ

П

С

З

Фотодиод

Буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов на основе

государственного стандарта

ГОСТ 11 336.919-81Диоды

Первый элемент

Г(1) - для германия или его соединенийК(2) - для кремния или его соединений

Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен прибор

А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия)

Второй элемент

Буква, определяющая подкласс (или группу) приборов

Д -Диоды выпрямительные и импульсныеЦ - выпрямительные столбы и блокиВ - варикапыИ - туннельные диодыА - сверхвысокочастотные диодыС - стабилитроныГ - генераторы шумаО - оптопарыН - диодные тиристорыУ - триодные тиристоры

Третий элемент

Назначение прибора:Диоды выпрямительные с

прямым током А: 1. менее 0.32. 0.3...10

Генераторы шума: 1.низкочастотные 2.высокочастотные

Туннельные диоды: 1.усилительные2.генераторные3.переключательные4.обращенные

Условное обозначение:

«1»«2»

«1»

«1»

«2»

«2»

«3»«4»

Четвертый элемент

Число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа

Пятый элемент

Буква, условно определяющая разбраковку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии

Пример

КД213Б

8612

КД213Б

2Д106А

КЦ405А8503

КЦ405А

ТранзисторыПервый элемент

Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор

Г(1) - для германия или его соединенийК(2) - для кремния или его соединений

А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия)

Второй элемент

Буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов

Т - для биполярных П - для полевых

Третий элемент

Цифра, определяющая основные функциональные возможности

цифрамаксимальная

граничная частотамаксимальная

мощность

123456789

не более 3 МГцот 3 до 30 МГц более 30 МГцне более 3 МГцот 3 до 30 МГц более 30 МГцне более 3 МГцот 3 до 30 МГц более 30 МГц

0,3 Вт

1,5 Вт

Больше 1,5 Вт

Четвёртый элемент

Число, обозначающее порядковый номер разработки

Пятый элемент

Буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзистора, изготовленного по единой

технологии

Пример

Б

А 8

КТ315Б

КТ805АМ

lll-83

КТ805АМ

Обозначения транзисторов по ГОСТам:

ГОСТ 10862 - 64 ГОСТ 10862 - 72

П217Г

Класс Номер разработки, указывающий на материал и

функциональные возможности

Группа

ВЗРП217Г

2-79

Зарубежные обозначения полупроводниковых приборов

-Американская система JEDECАмериканская система JEDEC -Японская система JIS Японская система JIS

Американская система JEDECАмериканская система JEDECПервый элемент Первый элемент Число p-n переходов:Число p-n переходов:1 – диод 1 – диод 2 – транзистор 2 – транзистор 3 – тиристор 3 – тиристор 4 – оптоприбор 4 – оптоприбор

Второй элемент Второй элемент Буква NБуква N

Третий элементТретий элемент Серийный номер прибора (100-9999)Серийный номер прибора (100-9999)

Четвертый элемент Четвертый элемент Буква модификации прибораБуква модификации прибора

Пример

2N5551S

CB114

11N

2N5551

1N4007

Японская система JISЯпонская система JISПример: 2SB247 Пример: 2SB247

Первый элемент Первый элемент 0 - фотодиод, фототранзистор0 - фотодиод, фототранзистор1 - диод1 - диод2 - транзистор2 - транзистор3 - тиристор 3 - тиристор Второй элемент Второй элемент Буква: S Буква: S Третий элемент Третий элемент Буква - тип прибора:Буква - тип прибора:A - A - высокочастотный PNP транзисторвысокочастотный PNP транзисторB - низкочастотный NPB - низкочастотный NPNN транзистор транзисторC - C - высокочастотный NPвысокочастотный NPNN транзистор транзисторD - D - низкочастотный Pнизкочастотный PNPNP транзистор транзисторF - тиристор F - тиристор I – I – Полевой транзистор с Р-каналомПолевой транзистор с Р-каналом

КК - - Полевой транзистор с Полевой транзистор с NN-каналом-каналомМ - Симметричный Тиристор (Семистор)М - Симметричный Тиристор (Семистор)Q - Q - СветодиодСветодиод R - R - Выпрямительный диодВыпрямительный диодV V -- ВарикапВарикапZ – Z – СтабилитронСтабилитронЧетвертый элемент Четвертый элемент Серийный номер:10-9999 Серийный номер:10-9999 Пятый элемент Пятый элемент Одна или две буквы: модификации прибораОдна или две буквы: модификации прибора