ГОСТы и ГОСТы и обозначения обозначения

полупроводниковых полупроводниковых приборовприборов

Работу выполнил студент группы 21303 Работу выполнил студент группы 21303 Берегов РоманБерегов Роман

Основные термины, определения и Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и буквенные обозначения основных и

справочных параметров полупроводниковых справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в следующих гостах:приборов приведены в следующих гостах:

25529-8225529-82 – Диоды полупроводниковые. – Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные Термины, определения и буквенные

обозначения параметров;обозначения параметров;19095-73 19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, – Транзисторы полевые. Термины,

определения и буквенные обозначения определения и буквенные обозначения параметров;параметров;

20003-74 20003-74 – Транзисторы биполярные. – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные Термины, определения и буквенные

обозначения параметров;обозначения параметров;20332-8420332-84 – Тиристоры. Термины, – Тиристоры. Термины,

определения и буквенные обозначения определения и буквенные обозначения параметров.параметров.

Отраслевой стандарт ОСТ Отраслевой стандарт ОСТ 11.336.919‑81 11.336.919‑81

И с х о д н ы й м а т е р и а л У с л о в н ы е

о б о зн а ч е н и я

Г е р м а н и й и л и е г о с о е д и н е н и я Г и л и 1

К р е м н и й и л и е г о с о е д и н ен и я К и л и 2

С о е д и н е н и я г а л л и я (н а п р и м е р , а р с е н и д г а л л и я )

А и л и 3

С о е д и н е н и я и н д и я (н а п р и м е р , ф о с ф и д и н д и я )

И и л и 4

Первый элемент.Первый элемент.

Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый материал, на базе которого создан

полупроводниковый прибор.полупроводниковый прибор.

Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов.подкласс полупроводниковых приборов.

П о д к л а с с п р и б о р о в

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

П о д к л а с с п р и б ор о в У с л о в н ы е

о б о зн а ч е н и я

В ы п р ям и т е л ьн ы е , у н и в е р с а ль н ы е , и м п у л ьс н ы е д и о д ы

Д С т а б и л и т р о н ы С

Т р а н зи с т о р ы б и п о л я р н ы е

Т В ы п р ям и т е л ьн ы е с т о л б ы

Ц

Т р а н зи с т о р ы п о л е в ы е

П Д и о д ы Г а н н а Б

В а р и к а п ы В С т а б и л и за т о р ы т о к а К

Т и р и с т о р ы д и од н ы е

Н С в е р х в ы с о к о ч а с т о т н ы е д и о д ы

А

Т и р и с т о р ы т р и о д н ы е

У И зл у ч а ю щ и е о п т о э л е к т р о н н ы е п р и б о р ы

Л

Т у н н е л ьн ы е д и о д ы

И О п т о п а р ы О

Н а зн а ч е н и е п р и б о р а

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

Н а зн а ч е н и е п р и б о р а

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

Д и о д ы в ы п р ям и т е л ь н ы е , с п р ям ы м т о к о м , А :

В ы п р ям и т е л ь н ы е с т о л б ы с п р ям ы м т о к о м , А :

м е н е е 0 ,3 1 м е н е е 0 ,3 1

0 ,3 … 1 0 2 0 ,3 . . . 1 0 2

Д и о д ы п р о ч и е (м а г н и т о д и о д ы , т е р м о д и о д ы и д р .)

3 В ы п р ям и т е л ь н ы е б л о к и с п ря м ы м т о к о м , А :

Д и о д ы и м п у л ь с н ы е , с в р е м е н е м в о с с т а н ов л е н и я , н с :

м е н е е 0 ,3 3

б о л е е 5 0 0 4 0 ,3 … 1 0 4

1 5 0 … 5 0 0 5 Т р а н зи с т о р ы б и п о л яр н ы е :

3 0 … 1 5 0 6 м а л о м о щ н ы е с р а с с е и в а е м о й м о щ н о с т ь ю Р x < 0 ,3 В т :

5 … 3 0 7

н и зк о й ч а с т о т ы (гр а н и ч н а я ч а с т о т а Fг р < 3 М Г ц )

1

1 … 5 8

с р е д н е й ч ас т о т ы (F г р = 3 … 3 0 М Г ц )

2

с э ф ф е к т и в н ы м в р е м е н е м ж и зн и н е о с н о в н ы х н о с и т е л е й за р яд а м е н е е 1 н с

9 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч ас т о т

3

Т р и о д н ы е т и р и с т о р ы с м а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы м с р е д н и м т о к о м в о т к р ы т о м с о с т о ян и и (и л и и м п у л ьс н ы м ), А :

с р е д н е й м о щ н о с т и (Р x = 0 ,3 … 1 ,5 В т ):

Третий элемент. Третий элемент.

Третий элемент Третий элемент (цифра) в (цифра) в обозначении обозначении полупроводниковых полупроводниковых приборов, приборов, определяет определяет основные основные функциональные функциональные возможности возможности прибора.прибора.

н е за п и р а е м ы е : н и зк о й ч а с т о т ы 4

м е н е е 0 ,3 (м е н е е 1 5 ) 1 с р е д н е й ч а с т о т ы 5

0 ,3 … 1 0 (1 5 … 1 0 0 ) 2 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч а с т о т

6

б о л е е 1 0 (б о л е е 1 0 0 ) 7 б о л ь ш о й м о щ н о с т и (Р x > 1 ,5 В т ):

за п и р а е м ы е : н и зк о й ч а с т о т ы 7

м е н е е 0 ,3 (м е н е е 1 5 ) 3 с р е д н е й ч а с т о т ы 8

0 ,3 … 1 0 (1 5 … 1 0 0 ) 4 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч а с т о т

9

б о л е е 1 0 (б о л е е 1 0 0 ) 6 Т р а н зи с т о р ы п о л е в ы е :

с и м м е т р и ч н ы е :

м а л о й м о щ н о с т и (Р х < 0 ,3 В т ):

м е н е е 0 ,3 (м е н е е 1 5 ) 5 н и зк о й ч а с т о т ы 1

0 ,3 . . . 1 0 (1 5 .. . 1 0 0 ) 6 с р е д н е й ч а с т о т ы 2

б о л е е 1 0 (б о л е е 1 0 0 ) 9 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч а с т о т

3

Т у н н е л ь н ы е д и о д ы : с р е д н е й м о щ н о с т и (Р х = 0 ,3 … 1 ,5 В т ):

о б р а щ е н н ы е 1 н и з к о й ч а с т о т ы 4

ге н е р а т о р н ы е 2 с р е д н е й ч а с т о т ы 5

у с и л и т е л ь н ы е 3 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч а с т о т

6

п е р е к л ю ч а т е л ь н ы е 4 б о л ь ш о й м о щ н о с т и (Р х > 1 ,5 В т ):

Г е н е р а т о р ы ш у м а : н и зк о й ч а с т о т ы 7

Н и зк о ч а с т о т н ы е 1

с р е д н е й ч а с т о т ы 8

в ы с о к о ч а с т о т н ы е 2 в ы с о к о й и с в е р х в ы с о к о й ч а с т о т

9

В а р и к а п ы : И с т о ч н и к и и н ф р а к р а с н о г о и зл у ч е н и я :

п о д с т р о ч н ы е 1 и зл у ч а ю щ и е д и о д ы 1

у м н о ж и т е л ь н ы е (в а р а к т о р ы )

2 и зл у ч а ю щ и е м о д у л и 2

С т а б и л и т р о н ы , с т а б и с т о р ы и о г р а н и ч и т е л и , с н а п р яж е н и е м с т а б и л и за ц и и , В :

П р и б о р ы в и зу а л ь н о г о п р е д с т а в л е н и я и н ф ор м а ц и и :

м о щ н о с т ь ю м е н е е 0 ,3 В т : с в е т о и зл у ч а ю щ и е д и о д ы

3

м е н е е 1 0 1 зн а к о в ы е и н д и к а т о р ы

4

1 0 … 1 0 0 2 зн а к о в ы е т а б л о 5

б о л е е 1 0 0 3 ш к а л ы 6

м о щ н о с т ь ю 0 ,3 … 5 В т : э к р а н ы 7

м е н е е 1 0 4 О п т о п а р ы :

1 0 … 1 0 0 5 р е зи с т о р н ы е Р

б о л е е 1 0 0 6 д и о д н ы е Д

м о щ н о с т ь ю 5 … 1 0 В т т и р и с т о р н ы е У

м е н е е 1 0 7 т р а н зи с т о р н ы е Т

1 0 … 1 0 0 8

б о л е е 1 0 0 9

Четвертый элемент. Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) Четвертый элемент (2 либо 3 цифры)

означает порядковый номер означает порядковый номер технологической разработки и изменяется технологической разработки и изменяется

от 01 до 999.от 01 до 999.

Пятый элемент. Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных цифровом коде системы условных

обозначений указывает разбраковку по обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, отдельным параметрам приборов,

изготовленных в единой технологии. Для изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные обозначения используются заглавные

буквы русского алфавита от А до Я, кроме буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с

цифрами.цифрами.

Условные обозначения и Условные обозначения и классификация зарубежных классификация зарубежных

полупроводниковых приборовполупроводниковых приборов

Наиболее распространенной является Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по объединенным техническим советом по электронным приборам США.электронным приборам США.

В Европе используется система, по которой В Европе используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association присваиваются организацией Association International Pro Electron.International Pro Electron.

Система стандартных обозначений, Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт разработанная в Японии (стандарт JIS‑C‑7012, принятый ассоциацией EIAJ-JIS‑C‑7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan).Electronic Industries Association of Japan).

Система обозначений JEDECСистема обозначений JEDEC

По этой системе приборы обозначаются индексом , в котором По этой системе приборы обозначаются индексом , в котором первая цифра соответствует числу первая цифра соответствует числу pp‑‑nn переходов: переходов:

1 – диод,1 – диод, 2 – транзистор, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор).3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует буква N и серийный номер, который За цифрой следует буква N и серийный номер, который

регистрируется ассоциацией предприятий электронной регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). промышленности (EIA).

За номером могут стоять одна или несколько букв, За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.мощность рассеяния или область применения.

Система обозначений Pro Electron Система обозначений Pro Electron

И с х о д н ы й м а т е р и а л Ш и р и н а

за п р е щ е н н о й зо н ы , э В

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

Г е р м а н и й 0 ,6 … 1 A

К р е м н и й 1 … 1 ,3 B

А р с е н и д г а л л и я б о л е е 1 ,3 C

А н т и м о н и д и н д и я м е н е е 1 ,6 D

Первый элемент. Первый элемент.

Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор.материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор.

П о д к л а с с п р и б о р о в У с л о в н ы е

о б о зн а ч е н и я Д и о д ы д е т е к т о р н ы е , б ы с т р о д е й с т в у ю щ и е , с м е с и т е л ь н ы е

А

Д и о д ы с п е р е м е н н о й е м к о с т ь ю В

Т р а н зи с т о р ы н и зк о ч а с т о т н ы е м а л о м о щ н ы е (R t h j a > 1 5 ºC /B т )

С

Т р а н зи с т о р ы н и зк о ч а с т о т н ы е м о щ н ы е (R t h j a < 1 5 ºC /B т )

D

Д и о д ы т у н н е л ь н ы е Е

Т р а н зи с т о р ы в ы с о к о ч а с т о т н ы е м а л о м о щ н ы е (R t h j a > 1 5 ºC /B т )

F

Т р а н зи с т о р ы в ы с о к о ч а с т о т н а е м о щ н ы е (R t h j a < 1 5 ºC /B т )

L

С в е т о ч у в с т в и т е л ь н ы е (ф о т о п р и е м н ы е ) п р и б о р ы (ф о т о д и о д ы , ф о т о т р а н зи с т о р ы и д р .)

Р

И зл у ч а ю щ и е п р и б о р ы Q

П р и б о р ы , р а б о т а ю щ и е в о б л а с т и п р о б о я R

Т р а н зи с т о р ы п е р е к л ю ч а ю щ и е м о щ н ы е S

Р е г у л и р у ю щ и е и п е р е к л ю ч а ю щ и е п р и б о р ы , м о щ н ы е у п р а в л яе м ы е в ы п р ям и т е л и (R t h j a < 1 5 ºC /B т )

Т

Т р а н зи с т о р ы п е р е к л ю ч а ю щ и е м о щ н ы е U

Д и о д ы у м н о ж и т е л ьн ы е X

Д и о д ы в ы п р ям и т е л ьн ы е м о щ н ы е Y

С т а б и л и т р о н ы Z

Второй элемент.Второй элемент. Второй элемент Второй элемент

(буква) обозначает (буква) обозначает подкласс подкласс

полупроводниковых полупроводниковых приборов. приборов.

Третий элемент.Третий элемент.

Третий элемент (цифра или буква) обозначает в Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского предназначенные для аппаратуры общегражданского

применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква).применения (буква).

Четвертый элемент. Четвертый элемент.

Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 номер технологической разработки и изменяется от 01

до 99.до 99.

Система стандартных обозначений, Система стандартных обозначений, разработанная в Японии - стандарт разработанная в Японии - стандарт

JIS‑C‑7012.JIS‑C‑7012.

К л а с с п р и б о р о в У с л о в н ы е

о б о зн а ч е н и я

Ф о т о д и о д ы , ф о т о т р а н зи с т о р ы 0

Д и о д ы 1

Т р а н зи с т о р ы 2

Ч е т ы р е х с л о й н ы е п р и б о р ы 3

Первый элемент. Первый элемент.

Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового

прибораприбора

П о д к л а с с п р и б о р о в

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

П о д к л а с с п р и б ор о в

У с л о в н ы е о б о зн а ч е н и я

Т р а н зи с т о р ы p -n -p в ы с о к о ч а с т от н ы е

A П о л е в ы е т р а н з и с т о р ы с n -к а н а л о м

K

Т р а н зи с т о р ы p -n -p н и зк о ч а с то т н ы е

B С и м м е т р и ч н ы е т и р и с т о р ы

M

Т р а н зи с т о р ы n -p -n в ы с о к о ч а с т от н ы е

C С в е т о и зл у ч а ю щ и е д и о д ы

Q

Т р а н зи с т о р ы n -p -n н и зк о ч а с т от н ы е

D В ы п р ям и т е л ьн ы е д и о д ы

R

Д и о д ы Е с а к и E М а л о с и г н а л ьн ы е д и о д ы

S

Т и р и с т о р ы F Л а в и н н ы е д и о д ы T

Д и о д ы Г а н н а G

Д и о д ы с п е р е м е н н о й е м к о с т ью , p in -д и о д ы

V

О д н о п е р е х о д н ы е т р а н зи с т о р ы

H С т а б и л и т р о н ы Z

П о л е в ы е т р а н зи с т о р ы с p -к а н а л о м

I

Второй элементВторой элемент. .

Второй элемент обозначается Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, буквой S и указывает на то, что данный прибор является что данный прибор является

полупроводниковым.полупроводниковым.

Третий элемент.Третий элемент.

Третий элемент (буква) Третий элемент (буква) обозначает подкласс обозначает подкласс

полупроводниковых приборов.полупроводниковых приборов.

Четвертый элемент.Четвертый элемент.

Четвертый элемент обозначает Четвертый элемент обозначает регистрационный номер регистрационный номер

технологической разработки и технологической разработки и начинается с числа 11.начинается с числа 11.

Пятый элементПятый элемент..

Пятый элемент отражает Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и модификацию разработки (А и

В – первая и вторая В – первая и вторая модификация).модификация).

Система обозначений Система обозначений JEDECJEDEC Первый элемент. Первый элемент.

Первый элемент (цифра) обозначает число Первый элемент (цифра) обозначает число pp‑‑nn переходов. переходов.

1 – диод, 1 – диод,

2 – транзистор, 2 – транзистор,

3 – тиристор, 3 – тиристор,

4 – оптопара.4 – оптопара.

Второй элементВторой элемент..

Второй элемент состоит из буквы Второй элемент состоит из буквы NN и и серийного номерасерийного номера, который , который регистрируется ассоциацией предприятий электронной регистрируется ассоциацией предприятий электронной

промышленности (EIA)промышленности (EIA)

Третий элемент. Третий элемент.

Третий элемент – Третий элемент – одна или несколько букводна или несколько букв, указывают на , указывают на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным

характеристикам.характеристикам.

Графические обозначения и стандартыГрафические обозначения и стандартыН а и м е н о в а н и е п р и б о р а

Д и о д в ы п рям и т е л ь н ы й , с т о л б в ы п ря м и т е ль н ы й

Д и о д т ун н е л ь н ы й

Д и о д о б р а щ е н и я

В а р и к а п

Д и о д с в е т о и з л у ч а ю щ и й

О д н о с т о р о н н и й с т а б и ли т р о н

О б о зн а ч е н и е

Н а и м е н о в а н и е п р и б о р а

Т р а н зи с т о р т и п а p -n - p

Т р а н зи с т о р т и п а n -p - n

О д н о п е ре х о д н ы й т р ан зи с т о р с n -б а зо й

П о л е в о й т р а н зи с т о р с к а н а л о м n - т и п а

П о л е в о й т р а н зи с т о р с к а н а л о м p - т и п а

П о л е в о й т р а н зи с т о р с и зо л и р о в ан н ы м за т во р о м о б о г а щ е н н о г о т и п а с n -к а н а л о м

П о л е в о й т р а н зи с т о р с и зо л и р о в ан н ы м за т в о р о м о б о г а щ е н н о г о т и п а с p -к а н а л о м

О б о зн а ч е н и е

Н а и м е н о в а н ие п р и б о р а

О б о зн а ч е н и е Н а и м е н о в а ни е п р и б о р а

О б о зн а ч е н и е

Д и о д н ы й т и р и с т о р

П о л е в о й т р а н зи с т о р с и зо л и р о в ан ны м за т в о р о м о б е д н е н н о г о т и п а с n - к а н а л о м

Т р и о д н ы й , за п и р а е м ы й в о б р а т н о м н а п р а в л е н и и , в ы к л ю ч ае м ы й, с у п р а в л е н и е м п о а н о д у

П о л е в о й т р а н зи с т о р с и зо л и р о в ан ны м за т в о р о м о б е д н е н н о г о т и п а с p - к а н а л о м

Т р и о д н ы й , за п и р а е м ы й в о б р а т н о м н а п р а в л е н и и , в ы к л ю ч ае м ы й, с у п р а в л е н и е м п о ка т о д у

Д в у с т о р о н н ий с т а б и л и т р о н

В справочных изданиях приводятся В справочных изданиях приводятся значения основных электрических значения основных электрических

параметров и предельные параметров и предельные эксплутационные характеристики эксплутационные характеристики полупроводниковых приборов. В полупроводниковых приборов. В

таблицах в качестве примера таблицах в качестве примера приведены данные для типичных приведены данные для типичных представителей различных типов представителей различных типов

отечественных приборов и их отечественных приборов и их зарубежных аналогов в соответствии зарубежных аналогов в соответствии со стандартами (ОСТ 11.336.919‑81 – со стандартами (ОСТ 11.336.919‑81 –

Россия, Россия, JEDEC – США,JEDEC – США,

Pro Electron – Европа, Pro Electron – Европа, JIS‑C‑7012 – Япония).JIS‑C‑7012 – Япония).

Ти

п п

рибо

ра

Мат

ери

ал,

стр

укту

ра,

те

хнол

оги

и

Pk

max

, мВ

т

Fгр

, Fh2

16, F

h21,

М

гц

Uк

б оп

, Uк

э rп

р, U

кэ

опр,

В

Uэб

оп

р, В

I к m

ax, I

k и

max

, мA

I kбо

, Ikэ

r, м

кA

К Т 3 1 5 И (О С Т 1 1 .3 3 6 .9 1 9 -8 1 )

S i n -p - n

1 5 0 2 5 0 6 0 6 5 0 0 .6 (1 0 В )

2 N 3 9 0 4 (JE D E C )

S i n -p - n

3 1 0 3 0 0 6 0 6 2 0 0 1 0 (6 0 В )

B F X 4 4 (P ro E le c tro n )

S i n -p - n

П Э 3 6 0 3 0 0 4 0 4

1 2 5 (2 5 0* )

0 ,1 (2 0 B )

2 S C 5 7 (J IS -C -7 0 1 2 )

S i n -p - n

П Э 3 6 0

2 0 0 4 0 5 2 0 0 0 ,1 (1 5 B )

Тип

пр

ибо

ра

Мат

ериа

л,

стру

кту

ра,

техн

олог

ии

Uоб

р, В

I обр

. m

ax, м

кА

Uпр

, В

I пр.

max

, мА

I ном

, мА

Сд,

пФ

Д 2 2 0 Б (О С Т 1 1 .3 3 6 .9 1 9 -8 1 )

S i 1 0 0 0 ,4 1 ,5 5 0 3 0 (3 0 В )

1 5

1 N 4 1 4 8 (JE D E C )

S i 7 5 0 ,0 2 5 1 1 0 1 0 ( 6 В )

4

B A W 6 3 (P ro E le c tro n )

S i 6 0 1 0 ,9 5 0 - 4

1 S 3 0 7 (J IS -C -7 0 1 2 )

G e 2 0 2 0 0 ,7 5 1 0 0 7 5 0 ,5

Обозначения полупроводниковых приборов на принципиальных электрических схемах

Диод Тиристор

А АК К+ +- -

УЭ

«А» - Анод

«К» - Катод

«УЭ» - Управляющий Электрод

P NА К P N P NА К

УЭ

Обозначения выводов биполярного Обозначения выводов биполярного транзистортранзистораа

ЭК

Б P N PЭ

Б

К«Э» - Эмиттер

«К» - Коллектор

«Б» - База

Обозначения выводов полевого транзистораОбозначения выводов полевого транзистора

З

И С И П С

ЗЗ

«З» - Затвор

«С» - Сток

«И» - Исток

«П» - Подложка

NP+ P+

ЗИ С

ПримерыПримеры

КД213Б

2Д106А

КЦ402А

2N2221A

По системе JEDECПо системе JEDEC

Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер

Спасибо за внимание.Спасибо за внимание.