2011 | Optogan Group 1

Направление Энергоэффективность и энергосбережение

Основная цель проекта

Создание общедоступных по цене, максимально эффективных и безотказных светодиодных ламп на замену традиционных ламп накаливания

Суть инновации Качественный переход от отдельного светодиода (СИД) к полностью интегрированной интеллектуальной осветительной схеме (ISLC – Integrated Smart LED Circuit), включающей чип-драйвер и чип-светоизлучатель

ПОЛНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ всех составляющих ОСВЕТИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫпозволит многократно уменьшить стоимость при одновременном увеличении эффективности

(аналогия с прорывной технологией перехода от электронных схем на дискретных компонентах

к ИНТЕГРАЛЬНЫМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ МИКРОСХЕМАМ)

Ключевые целевые параметры

2012: Схемы, содержащие интегрированный излучатель с первичной оптикой для формирования сложных диаграмм направленности, интегрированные элементы драйвера

2015: Полностью интегрированные интеллектуальные схемы, световой поток >1500 лм/см2, светоотдача 250 лм/Вт при CRI >90

2016: Технология передана в массовое производство

Оптоган Новые Технологии Света: Резюме проекта Sk

Сегодня

СИД лампа с использованием большего количества стандартных светодиодов

Завтра

Лампа на основе интегрированной интеллектуальной осветительной схемы

2011 | Optogan Group 2

Модернизация СИД лампы: от лампы настоящего ...

Матовый пластиковый рассеивательдля равномерного распределения белого света

Массивный металлический корпус для рассеяния избыточного тепла

Источник света – отдельные белые СИД

Массивный драйвер помещен внутрь корпуса

Создание эффективной, доступной широким слоям населения лампы, излучающей качественный свет с высоким индексом цветопередачи,

невозможно простым масштабированием с использования дешевеющих светодиодов в качестве источников света – необходимы принципиальные изменения как самого излучающего элемента, так и

конструкции самой лампы

2011 2012 2013 2014 2015 20160.0

10.020.030.040.050.060.070.080.090.0

100.0

Оптика

Сборка

Драйвер

Корпус

Источник света

Структура себестоимости производства светодиодной

лампы

2011 | Optogan Group 3

… через инновационные решения …

Рост наногетероструктур на объемных GaN гомоподложках: на фоне «перенаселенности» компаний на этапах создания добавленной стоимости от чипа до светильника этап создания структур на гомоподложках по-прежнему требует решения сложных технологических проблем

Интеграция с Si технологией: Si/GaN приборы

Изменение светоизлучающего элемента от отдельных светодиодов к модулям, базирующихся на многосегментных светодиодных чипах, частично перенимающих свойства драйвера

Переход к решениям chip-on-board с удаленным люминофором обеспечивает оптимальную эффективность и цветопередачу осветительного элемента и позволяет сокращать производственные издержки

Модернизация блока питания (драйвера) с целью существенного уменьшения его размеров и снижения стоимости в массовом производстве. Интегрированная интеллектуальная электроника: управляющие устройства, контроллеры и сенсоры.

Переход на принципиально новые материалы для корпуса лампы, а также использование оригинальных конструкционных решений для увеличения эффективности теплоотвода и уменьшения веса лампы

2011 | Optogan Group 4

... к лампе будущего

Пластиковый элемент с внедренным люминофором (remote phosphor) обеспечивает максимально равномерное свечение и предохраняет источник света от перегреваПластиковый каркасный корпус из специального теплопроводящего пластика уменьшает стоимость и облегчает конструкцию

Источник света – интегрированный модуль на многосегментных сверхэффективных светодиодных чипах с встроенной оптикой формирования диаграммы направленности

Интеллектуальный драйвер в виде интегрированного чипа помещен внутрь цоколя

Оптоган НТС - эволюция света

2011 | Optogan Group 5

Команда проекта и финансовые параметры проекта

Команда проекта

Российские ученые, получившие опыт работы в ведущих зарубежных научных центрах: ведущий российский специалист в области полупроводникового материаловедения д.ф.-м.н. А.Е. Романов (ISI citation index 2740, h-index 29), к.ф.-м.н. А.Р. Ковш (ISI citation index 4166, h-index 35)

Иностранные специалисты мирового уровня: ведущий финский специалист в области наноэлектроники, проф. Х. Липсанен (ISI citation index 1470, h-index 19) Кооперация с университетами (СПбГУ ИТМО, СПбГЭТУ ЛЭТИ, СПбГТУ, АФТУ) и исследовательскими

центрами (ФТИ им. Иоффе РАН) России

2011 2012 2013 2014 2015 2016

1500

1000

500

300

200 150

130

160

180

200

220230

Цена и эффективность СД лампы, замещающей 60 W лампу накаливания (710лм)

Эф

фекти

вн

ост

ь и

сточн

ика с

вета (

лм

/ В

т)

Цен

а л

ам

пы

в р

озн

иц

е (

руб.)

млн. руб

2 п. 2011

2012 2013 2014 2015 1 п. 2016

Грант от Сколково –50% стоимости проекта

60,5 126,5 134,2 142,5 151,7 84,4

Собственные вложения –50% стоимости проекта

60,5 126,5 134,2 142,5 151,7 84,4

Расходы на НИОКР 114,6 239,3 253,6 269,1 286,2 158,7

Административные расходы 6,5 13,7 14,8 15,9 17,2 10,1

Выручка от лицензирования технологии и процессов

243,0 405,0 582,8

EBITDA -121,1 -253,1 -268,4 -42,1 101,6 413,9

Бизнес-план