Embed Size (px)
DESCRIPTION
Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe, CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля в системах АЭС. АО «Парк ядерных технологий» Национальный Научный Центр «Харьковский Физико-технический институт». Астана, 2010. - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe,
CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля в системах АЭС
АО «Парк ядерных технологий»
Национальный Научный Центр «Харьковский Физико-технический институт»
Астана, 2010
KazAtomExpo 2010 1
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
2
Детекторы ионизирующих излучений
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
На сегодняшний день для измерения и регистрации радиоактивного излучения на АЭС во всем мире применяют три типа детекторов – газовые, сцинтилляционные и полупроводниковые.
KazAtomExpo 2010
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
3
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
Преимущества полупроводниковых детекторов в большой плотности, что позволяет резко снизить объём ППД, в котором происходит ионизация. Меньшая, чем в газах, энергия образования электронно-дырочной пары. Ионизационный эффект в ППД на несколько порядков выше, чем в газовой камере. За счет прямого преобразования энергии ионизирующего излучения в электрический сигнал у ППД примерно десятикратное преимущество по чувствительности перед системами с двухступенчатым преобразованием энергии (сцинтиллятор-фотодиод).
Главное достоинство ППД - высокая чувствительность при малых размерах. Одним из типов полупроводниковых сенсоров является CdTe и CdZnTe, работающие без охлаждения.
KazAtomExpo 2010
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
4
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
В Харьковском физико-техническом институте разработали собственную технологию создания полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe.
KazAtomExpo 2010
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
5
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
Вольт-амперные характеристики CdZnTe сенсора при различных
температурах
Учеными из Харьковского института были изучены основные характеристики и зависимости кристаллов из CdTe и CdZnTe. Также исследована радиационная стойкости и определен радиационный ресурс сенсоров в радиоактивном поле.
KazAtomExpo 2010
Зависимость электросопротивления CdZnTe сенсора от температуры
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
6
Блоки детектирования на основе кристаллов из CdTe и CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
Полученные кристаллы из CdTe и CdZnTe могут применяться в блоках детектирования гамма-излучения на АЭС для измерения и регистрации в различных зонах радиоактивной опасности.
KazAtomExpo 2010
Блоки детектирования для контроля мощности дозы гамма-излучения
Сенсор из CdZnTe с предусилителем (опытный образец)
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
7
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
KazAtomExpo 2010
Макеты устройств детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
8
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
В настоящее время АО «Парк ядерных технологий» совместно с Харьковским институтом и ООО «Позитрон GmbH» проводит работы по созданию производства приборов на основе полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe.
KazAtomExpo 2010
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
9
Производство приборов на основе детекторов из CdTe и CdZnTe
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
На сегодняшний момент проводится работа по адаптации систем ООО «Позитрон» под детекторы Харьковского института.
Производство новых систем будет создано на производственных площадях технопарка «Парк ядерных технологий» в г.Курчатов.
KazAtomExpo 2010
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
10
National Science CenterKharkov Institute of Physics and Technology
KazAtomExpo 2010
Контактная информация::Управляющая компания
АО «Парк ядерных технологий»Республика Казахстан
071100, ВКО, г. Курчатов, ул. Курчатова, 18/1
Тел.: +7 (722-51) 2-58-89Факс: +7 (722-51) 2-57-91
E-mail: [email protected]
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!
