46
ی ک ی ر کت لی ا ها ه ظ ف حا ده : ن ن ک ه ی ه ت# ب س ن ری ط ا) م ش ظ کا

حافظه های الکتریکی تهیه کننده : کاظم شاطری نسب

  • Upload
    tovah

  • View
    94

  • Download
    6

Embed Size (px)

DESCRIPTION

حافظه های الکتریکی تهیه کننده : کاظم شاطری نسب. تكنولوژِی ساخت حافظه های الکتریکی. اولين كامپيوتر الكترونيكي همه منظور كه در دهة 1940 ميلادي ساخته شد از لامپهاي خلاء استفاده مي كرد . اين لامپها نسبتاً بزرگ بوده و هر يك قادر بودند فقط يك بيت را نگداري كنند . - PowerPoint PPT Presentation

Citation preview

Page 1: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

الکتریکی های حافظه

کننده : نسب تهیه شاطری کاظم

Page 2: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

الکتریکی های حافظه ساخت تكنولوِژ�ی

دهة در كه منظور همه الكترونيكي كامپيوتر شد 1940اولين ساخته ميالديكرد . مي استفاده خالء المپهاي از

نگداري را بيت يك فقط بودند قادر يك هر و بوده بزرگ نسبتا> المپها اينكنند .

دهة . اواسط در كامپيوتر متداولترين بود اندك آنها حافظه ظرفيت 1950لذا

پوشانده شدن مغناطيس قابل مادة بايك كه گردان استوانة يك از نيز ميالديشد . مي استفاده اصلي حافظة عنوان به و بود شده

طي سالهاي 15در در هاي 1975تا 1960سال حلقه از طراحان ميالديجهت . يك در جريان عبور كردند استفاده اصلي حافظة واحد در مغناطيسيمعرف كه كند مي ايجاد ساعت هاي عقربه حركت جهت در مغناطيسي ميدان

جهت( 1بيت ) در مغاطيسي ميدان مخالف جهت در جريان عبور و باشد ميبيت ) معرف كه كند مي ايجاد ساعت هاي عقربه حركت .0عكس باشد( مي

Page 3: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

و ) سيليكن هادي نيمه مواد روي بر تحقيقات پيشرفت با ) ، ژرمانيم

كم . الكترونيكي عناصر آنها كه آمد وجود به ترانزيستورو كوچك ، مصرف

در . هادي نيمه عناصر اين كاربرد با هستند پردوامجمله از كامپيوتر مدارات

، كوچك حجم ، باال سرعت داراي ها حافظه مداراتوارزان اطمينان قابليت

درسال . بودند ديگري 1959قيمت مهم تحول ميالديهنگامي گرفت صورت

جنس از تراشه يك روي بر كامل طور به مدار يك كهگرفت . قرار سيليكن

مانند ) الكترونيكي عناصر شامل مجتمع مدار يك)... ، خازن ، مقاومت ، ترانزيستور

هادي نيمه ماده يك از تراشه يك برروي كه استگيرد) ( . مي قرار سيليكن

اند . شده عرضه حافظه تراشه صورت به ترتيب بدين " کامپيوترهای به محدود صرفا حافظه از استفاده

در و نبوده شخصیسلولی، : های تلفن نظير متفاوتی ، PDAدستگاههای

، اتومبيل راديوهای VCR ... استفاده آنها از وسيعی ابعاد در نيز و تلويزيون ،

. هر آيد می بعملرا   حافظه از متفاوتی های مدل فوق دستگاههای از يک

. نمايند  می استفاده

Page 4: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

RAMROMCache

Flash DiskVirtual Memory

الکتریکی های حافظه یا ها تراشه انواع: کامپیوتر یک در

Page 5: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

ب " " را حافظه واژه توان می اينکه وسيله هبا نوع هرسازی ذخيره

برای فوق واژه از اغلب ولی کرد، اطالق الکترونيکیحافظه نمودن مشخص

بعمل استفاده موقت سازی ذخيره قابليت با سريع های . صورتيکه در آيد می

نياز   مورد اطالعات بازيابی برای باشد مجبور پردازندهاز دائم بصورت خود

قطعا نمائد، استفاده ديسک عمليات هارد سرعتسرعت ) آن با پردازنده

. ) نياز مورد اطالعات زمانيکه گرديد خواهد کند باالذخيره حافظه در پردازنده

داده به دستيابی بعد از پردازنده عمليات سرعت گردند، . های حافظه از گرديد خواهد بيشتر نياز مورد های

می استفاده اطالعات موقت نگهداری بمنظور متعددیگردد.

حافظه اوليه ) RAM)Random Access Memory مبانی

Page 6: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

داخلي ساختار قسمت RAMاما سه از شده تشکيلاصلي

: آدرس ( گذرگاه داده ( الف گذرگاه ج ( ب

سازي ذخيره خازنهاي

و شود مي خوانده آنها روي از و شده ذخيره سلولها در اطالعاتبراي آدرس گذرگاه ، دارد آدرسي خود براي سلول هر که آنجا از

گذرگاه و باشد مي آدرس هر براي دستور تعيين و آدرس تعيينباشد مي خواندن يا سازي ذخيره براي ها داده انتقال براي .داده

حافظه از داده خواندن :مراحلگذرگاه 1 - روي را نظر مورد سلول آدرس ، پردازنده

دهد مي قرار .آدرسحافظه- 2 به تا کرده فعال را خواندن ي پايه ، پردازنده

دارد را حافظه از خواندن قصد که .بگويدگذرگاه- 3 را آن آدرس که را سلولي محتواي ، حافظه

دهد مي قرار داده گذرگاه روي کند مي دريافت آدرسداده- 4 گذرگاه از را نظر مورد ي داده ، پردازنده

کند مي .دريافت

Page 7: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

حافظه در داده نوشتن :مراحل

روي- 1 را موردنظر سلول آدرس ، پردازندهدهد مي قرار آدرس .گذرگاه

به- 2 تا کرده فعال را نوشتن پايه ، پردازندهرا حافظه در نوشتن قصد که بگويد حافظه

.داردگذرگاه- 3 روي را نظر مورد ي داده ، پردازنده

دهد مي قرار .دادهداده- 4 گذرگاه از را ارسالي ي داده ، حافظه

را آدرسش که سلولي در را آن و نموده دريافتکند مي ذخيره است خوانده آدرس گذرگاه .از

Page 8: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

( فرار های حافظه نوع از حافظه نوع ( Volatile Memoryاینمحسوب

بین از آن تغذیه منبع قطع با درآن موجود واطالعات شود میدو . رود می

  است شده زیرآورده در حافظه ازاین نوع

•Dram -1 یاDynamic Ram

مجتمع )RAMحافظه مدار تراشه يک ،IC )ميليون از که بودهترانزيستور ها

از . استفاده با ها حافظه اغلب در است شده تشکيل خازن ويک و خازن يک بکارگيری

. فوق سلول کرد ايجاد را سلول يک توان می ترانزيستوربيت يک نگهداری به قادر

. يا و يک که را بيت به مربوط اطالعات خازن بود خواهد دادهخود در ، است صفر

. سوييچ يک مشابه ترانزيستور عملکرد کرد خواهد نگهداریکنترل امکان که بوده

خواندن بمنظور را حافظه تراشه روی بر موجود مداراتو خازن در شده ذخيره مقدار

. مشابه خازن نمايد می فراهم ، آن به مربوط وضعيت تغيير يا ) بوده ) سطل ظرف يک

سازی . ذخيره بمنظور است ها الکترون نگهداری به قادر که " در" يک مقدار

. برای گردد پر الکترونها از بايست می فوق ظرف حافظه،صفر، مقدار سازی ذخيره

. گردد خالی فوق ظرف بايست می

Page 9: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

سوراخ ) وجود است اطالعات نشت خازن، با رابطه در مهم مسئلهاز ( پس ترتيب بدين ظرف در

می تخليه الکترون از مملو ظرف يک ثانيه ميلی چندين گذشتگردد.

را خود اطالعات پويا بصورت حافظه اينکه بمنظور بنابراينپردازنده بايست می ، نمايد نگهداری

به " " مکلف خازن، شدن تخليه از قبل حافظه کننده کنترل يا ونگهداری بمنظور آن مجدد شارژ

. " اطالعات " حافظه کننده کنترل منظور بدين باشند يک مقدار " اطالعات مجددا و خوانده را حافظه

( . فوق عمليات نمايد می بازنويسی يک( Refreshرا در مرتبه هزاران ،خواهد تکرار ثانيه

. نامگذاری علت ها DRAMشد حافظه نوع اين که است دليل بديناطالعات بازخوانی به مجبور

/ " . بازنويسی بازخوانی تکراری فرآيند بود خواهند پويا بصورتحافظه" نوع اين در اطالعات

. گردد کند حافظه سرعت و تلف زمان که شود می باعث ها

ای آرايه بصورت و سيليکون تراشه يک روی بر حافظه های سلولخطوط ) ها ستون از مشتمل

. ) تالقی ( ) نقطه گردند می تشکيل کلمات خطوط سطرها و بيتآدرس بيانگر ستون و سطر يک

است . حافظه سلول

Page 10: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های باعث DRAMحافظه نظر مورد ستون به شارژ يک ارسال بادر ترانزيستور شدن فعال

. شامل سطر خطوط نوشتن زمان در شد خواهند ستون، بيت هرخازن که شد خواهند وضعيتی

. خواندن زمان در گردد تبديل وضعيت آن به بايست -Senseمیamplifier شارژ سطح ،

. فوق سطح صورتيکه در نمايد می گيری اندازه را خازن در موجودباشد درصد پنجاه از بيش

" " " خوانده " صفر مقدار غيراينصورت در و شده خوانده يک مقدار . زمان مدت شد خواهد

يک ) نانوثانيه حسب بر و بوده کوتاه بسيار فوق عمليات انجاممی ( گيری اندازه ثانيه ميلياردم

. سرعت دارای که ای حافظه تراشه ، 70گردد است 70نانوثانيهکشيد خواهد طول ثانيه نانو

. دهد انجام را سلول هر بازنويسی و خواندن عمليات تا

•SRam - 2 یاStatic Ram :حافظه بيت هر سازی ذخيره برای فالپ فليپ از ها حافظه از نوع اين در

. تا چهار از حافظه، سلول يک برای فالپ فليپ يک گردد می استفادهکند . می استفاده ترانزيستور شش

Page 11: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های بود، / SRAMحافظه نخواهند اطالعات بازنويسی بازخوانی نيازمنداين سرعت بنابراين

های حافظه از بمراتب ها حافظه از اينکه . DRAMنوع به توجه با است بيشترهای حافظه

SRAM بر آنها شده استفاده فضای گردد، می تشکيل متعددی های بخش ازيک روی

نوع از حافظه سلول يک از بيشتر بمراتب . DRAMتراشه در بود خواهدمواردی چنين

تواند می امر همين و کرده پيدا کاهش تراشه يک روی بر حافظه ميزانقيمت افزايش باعث

. های حافظه بنابراين گردد ها حافظه از نوع و SRAMاين گران و سريعهای حافظه

DRAM . های حافظه از ، فوق موضوع به توجه با باشند می کند و ارزانSRAM بمنظور

در ) استفاده پردازنده سرعت های( Cacheافزايش حافظه از برای DRAMوفضای

.RAMحافظه گردد می استفاده کامپيوتر درنام به کوچک باتری یک کمک توانبه می را حافظه نوع این اطالعات ضمنا

Backupباتری حافظه ازاین نمونه یک که نمود نگهداری نیز سیستم برق قطع از بعد حتی

توان می را هاهای الکتریسیته CMOSحافظه به حساس العاده فوق ها حافظه این نامید

و باشند می ساکنمی ان سوختن به منجر ان های پایه با انسان بدن تماس صورت در

حافظه اکثر شودامروزههای تراشه کم حرارتی اتالف خاطر به ها وپردازنده این CMOSها از

ساخت در تکنولوژیهای حافظه شود می استفاده انها صورت CMOSقطعات به کامپیوتر در

استفاده تراشه یککامپیوتر اصلی پیکربندی به مربوط اطالعات معموال که شود ( setup)می

و وساعت وزمانطبیعی ... شرایط در ها حافظه این اطالعات کند می نگهداری خود در را

اینکه مگر است ثابتدر اطالعات کردن پاک شرایط زیر های روش از یکی فراهم CMOSبه را

نماییم .

Page 12: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

معموال- : 1 فوق های باتری باتری شدن از 4ضعیف بعد که دارند عمر سالالزم توان مدت این

ندارند را حافظه تغذیه برایان- 2 مجدد جایگذاری و باتری دراوردنحافظه- 3 کردن پاک مخصوص جامپر از اکثر CMOSاستفاده روی که

بینی پیش ها مادربورداند اتصال (شده کوتاهی مدت برای مخصوص جامپر باید موارد این در

به سپس شده کوتاهاید . در باز های دسته حالت حافظه شکل RAMبندی اساس بر

ظاهری :هاي- 1 )DIP ) Dual Inline Packageحافظههاي- 2 )SIMM ) Single Inline Memory Moduleحافظههای- 3 )RIMM ) RAMBUS Line Memory Moduleحافظههاي- 4 )DIMM ) Dual Inline Memory Moduleحافظه

Page 13: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

هاي- 1 DIP ( Dual Inline Package)حافظه

نوع . اين دارند قرار تراشه طرف دو در ها پايه حافظه نوع اين دركامپيوتر در اغلب حافظه

دارای 286يا XTهاي ها حافظه نوع این است شده استفاده قديميکه هستند پایینی سرعت

می استفاده گرافیک های کارت در حافظه بعنوان بیشتر امروزهمعموال حافظه نوع این شود

صورت بورد 18یا 20به در انها نصب برای هستندکه موجود پایهبردهای یا اصلی

هاي ظرفيت داراي و شود می استفاده مخصوص دیگرازسوکتهای( حداكثر تا (MB 1محدود

باشند . می

Page 14: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

هاي- 2 SIMM ( Single Inline Memory Modals)حافظه

در كه است بوردكوچكي يك صورت به حافظه نوع اينشكاف يك در دادن قرار براي كانكتوري آن طرف يك

نوع . اين دارد وجود نوع RAMمخصوص ترین ازرایج . اين است بوده پنتیوم از قبل کامپیوترهای در حافظه

نوع دو داراي حافظه نوع 72و 30نوع در که هستند پايهصورت 30 به اطالعات نوع 8پین در و به 72بیتی پین

شوند .32صورت می منتقل بیتیو ها تراشه تعداد به معموال ها حافظه این در ظرفیتبستگی هستند حافظه ماژول روی که یی بیتها تعداد

قرار . برد طرف يك در ها پايه اينكه علت به دارندهاي حافظه به نسبت را كمتري جاي روي DIPدارند

( از . ها حافظه اين كنند مي اشتغال اصلي ( KB256بردتا 30برای ( MB 4تا ) و موجود 72برای MB( 32 )پین پین

باشند . مي

Page 15: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب
Page 16: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های- 4 RIMM ( RAMBUS Line Memory Module)حافظه

از RAMBUSحافظه 1999درسال • استفاده با و شد عرضهبین داده انتقال برای باال سرعت خاص گذرکاه RAMیک

گذرگاه CPUو سریعترکرد را سیستم RAMعملکردسرعت 16خاص با را داده دهد MHZ 800 بیت می انتقال

با RAMBUSتکنولوژی خاص حافظه تراشه یک طریق ازسرعت RIMM نام با ها انتقال MHZ 800داده را ها داده

تکنولوژی دهد با RAMBUSمی خاص تراشه ازیک.RIMMنام) کند( می استفاده

شکاف RIMMتراشه • یک انحصاری RIMM 168به سوزندارد نیاز

Page 17: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

هاي- 3 DIMM ( Dual Inline Memory Module)حافظه

هاي • حافظه شبیه حافظه نوع باشند SIMMاين ميتعداد داراي بهتري 168ولي ظرفيت و عملكرد که پايه

هاي حافظه به درمادربردهاي . SIMMنسبت دارندماژولهاي اسالت معموال> بعد به صورت RAMپنتيوم به

باشند .168 مي بين

Page 18: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

ها پردازنده سرعت رفتن باال جدیدبا های درکامپیوترهای حافظه از است باالتری RAMالزم سرعتهای باماژولهای . شود در RAMاستفاده بکارگیری برای که

اند شده ارائه بازار به بعد به پنتیوم های سیستم: از عبارتند

(Synchronous Dynamic RAM:)SDRAM -1

(Extended Data Out RAM :)EDO RAM -2

(Fast Paging Mode RAM :)FPM RAM -3

(Double Data Rate RAM :)DDR RAM -4

Page 19: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

(Synchronous Dynamic RAM:)SDRAM -1تکنولوژی از حافظه نوع این در . Bursting در است شده استفاده

شروع ادرس تکنیک ایناطالعات تمام سپس گیرد می قرار اختیار در داده طول و داده

طور به محدوده دراین موجوددر ارسال سرعت که شود می باعث امر این گردد می ارسال یکجا

خیلی ها ماژول نوع ایننوع از باشد DRAMبیشتر

ماژولهای نوع این دیگر جالب در RAMخصوصیات که است اینبین همزمانی ایجاد انها

های پردازنده و مادربورد وجود 100گذرگاههای نیز مگاهرتزیرفتن باال باعث که دارد

ماژولهای . شود می دریافت و ارسال به SRAMسرعت معموالباشند 168صورت می پین

(Extended Data Out RAM :)EDO RAM -2 حافظه روی از خواندن عمل یک که حالی در حافظه از نوع این در

میچ باشد می اجرا حال دررا دیگر داده یک به دسترسی مقدمات نوع توان این نمود مهیا

اصلی بابورد باید حتما حافظه BIOS گیرد قرار استفاده مورد خودش به مخصوص

Page 20: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

(Fast Paging Mode RAM :)FPM RAM -3( تعدادیصفحه به حافظه فضای حافظه نوع این شده (pageدر تقسیم

وقتی . شوند می نگهداری صفحه یک در هم با مرتبط اطالعات وداده بقیه باشد خاصی صفحه یک اطالعات از استفاده به نیاز

وقت . لذا نمود پیدا توان می صفحه همین در نیازرا مورد هایرود می هدر به ها داده جستجوی برای کمتری

(Double Data Rate RAM :)DDR RAM -4است . اطالعات انتقال نرخ بودن برابر دو معنی به حافظه نوع این

مانند RAMدر معمولی در SD-RAMهای فقط اطالعات انتقالموج اوج تقطه تکنولوژی clockلحظه در ولی گیرد می صورت

DDR-RAM و موج اوج تقطه لحظه در هم اطالعات انتقال عملموج سقوط لحظه ترین پایین در که clockهم گیرد می صورت

سرعت : یا اطالعات انتقال نرخ گرفت نتیجه توان می بسهولتدر اطالعات در DDR-RAMانتقال انتقال سرعت برابر -SDدو

RAM دیگر عبارت به یا تراز DDR-RAM است سریع برابر -SDدوRAM باشد می

Page 21: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

DDR SDRAM ( Double Data-Rate Memory SDRAM) تکنولوژی

خالصه طور به بر DDRكه اي يافته ساختار تكنولوژي ميشود ناميدهدو PC133و PC100هاي SDRAMاساس براي و باشد مي فعلي

طراحي حافظه اطالعات نرخ كردن برابر. است شده

حافظه فركانس SDRAMيك يك 100با ميتواند را Signalمگاهرتزآن اطالعات ارسال نرخ و دهد انتقال زمان واحد يك 100در

. خواهد حافظه مگاهرتز فركانس DDRيك ميتواند 100با مگاهرتزارسال Signalدو نرخ و دهد انتقال زمان واحد در را اطالعات ازهمان MHz x2 100 آن حافظه 200يا يك و باشد مي DDRمگاهرتز

فركانس معادل 133با آن ارسال نرخ كه يا MHz x2 133مگاهرتز.266همان بود خواهد مگاهرتز

هاي حافظه انتقال خطوط علمي طور نوع DDRبه با PC1600ازو 100فركانس فركانس PC2100مگاهرتز و 133با از DDRمگاهرتز

فركانس PC2700نوع . 166با كلي طور به كرد خواهند كار مگاهرتزحافظه هاي ارسال DDRماژول نرخ MHz ،266MHz ،333MHzبا

200 . هاي حافظه نمايند مي نقش نسل DDRايفاي ايجاد باعثقبيل از مختلف سطوح در قدرت پر كامپيوترهاي جديد

Desktop ،Workstation ،Server ،Notebook وSub_Compact Computer . صنعت در تكنولوژي اين همچنين اند Data Communicationگرديده

قبيل از شبكه محصوالت ايفا Switchو Routerو بسزايي نقش نيزرده اين دروني ساختار در تحول و تغيير باعث و كند مي

. است گرديده دستگاهها

Page 22: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

در ديگري پيشرفت حاصل DDR )DOUBLE DATA RATE MEMORY ( اينكشده

. تكنولوژي DDR266 SDRAMفركانس MICRONاست در است 2را كرده برابرDDR2 533

SDRAM جديدMICRON بدون باشد مي وسيعتر باند پهناي داراي همچنينمصرفي توان كه اين

حقيقت باشد،در شده زياد نياز VOLT VDD 1.8و SSTL_18 I/Oسيستم از آنمصرفي توان

. است كاسته

DDR2 SDRAM با به 533مايكرون ها داده انتقال سرعت ثانيه در مگابايتاستفاده قابليت طراحان

جديد نسل توليد براي كه ابزاري تمام ، DESKTOPاز و LAPTOPها هاSERVER است داده ها

. باشد مي نظر مد پايين مصرفي توان و باال قابليت محصوالت اين در

يك از استفاده حقيقت در باال سرعت با جديد تكنولوژي اين از استفادهسيستم كه 64حافظه باشد مي بيتي

تواند اين 4300مي كه نمايد پردازش را ها داده ثانيه در برابر 1.5 مگابايتاز DDR 533سريعتر

. باشد مي استاندارد

DDR2 SDRAM ( Double Data-Rate Memory SDRAM) تکنولوژی

Page 23: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

DRAM DDR3

نوع( DRAMچیپ ) یا )DDR3از ظرفیت( Double Data Rateو مگابیت، 512باتکنولوژی

سرعت با که است حافظه از جدیدی م 1066نسل ثانیه در تواند ی مگابیتاندازه که کرده پردازش را دیتا

معادل برابر 8000ای دو معادل سرعتی یعنی است، ثانیه در روزنامه صفحهچیپهای فعلی DDR2نسل

DRAM . است گفته رابطه این در جنوبی کره الکترونیک، سامسونگ شرکتچیپهای نمونه اولین که

می که است کرده تولید کم توان مصرف با سریع فوق کامپیوتری حافظهآتی نسل استاندارد بعنوان تواند

. حافظه که میکند ادعا هادی نیمه صنعت غول این شود مصرف محصوالتDDR3 استانداردی میتواند

. چیپ نمونه اولین این باشد سرور و تاپ دسک بوک، نت کامپیوترهای درسرعت با که است 1.5حافظه

که شود کشیده باتری از جریان کمترین تا میشود باعث و میکند کار ولتبیسیم دنیای است . مطلوب

Page 24: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

DRAM DDR3نمونه

Page 25: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های حافظه فنی مشخصات RAMبررسی

ماژولهای • به مربوط های تراشه روی بر و RAMمعموال حروف سری یکباشند می حافظه فنی مشخصات کننده مشخص که دارند قرار عالئم

MB41C 1000 5CJ-GCحافظه : -1• سازنده کننده شرکت مشخص سریال این در اول حرف دو

شرکت به مربوط مورد این در که است حافظه سازنده می Fujitsuشرکتباشد

Page 26: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

حافظه- :2 کاراکتر 1000عدد ظرفیت سه از ظرفیت 41Cبعد کننده مشخصحسب بر استMBحافظه

حافظه- 3 از :RAMنوع بعد نوع 1000عدد از حافظه نوع کننده مشخصFPM یاEDOاست

حافظه - کننده صفرمشخص است .FPMعددحافظه 9یا 5عدد - کننده است . EDOمشخص)c حرف - حافظه نوع کننده مشخص هم مثال این باشد( FPM-EDOدر میحافظه- :4 های پایه جنس و کننده J حرف ساختار مشخص مثال این در

حروف از تواند می حرف این است حافظه های پایه وجنس -J-P-QنوعST-TJ-TP شود انتخاب

ثانیه- :5 نانو برحسب حافظه برای سرعت مشخصه این در عدد اخرینحافظه سرعت ها . RAMنمایش حافظه دراکثر معموال شود می استفاده

شود می جدا سریال بقییه از فاصله یک با سرعت عددحرف - سریال انتهای در اگر مجاز Cمعموال حرارت درجه یعنی باشد

ابتدای در اگر و باشد می سانتیگراد درجه هفتاد تا صفر بین حافظهحروف جای Wیا Vسریال به حافظه نیاز مورد ولتاژ یعنی باشد

- (5 V ) برابر (3.3 V ) باشد می

Page 27: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

عامل سیستم محیط در حافظه DOSانواع

متعارف- 1• ابتدایی (:(Conventional Memoryحافظه حافظه نوع یکحداقل کامپیوترها اغلب دارد کامپیوتروجود تمام روی بر که 256است

تا تواند می حافظه این و دارند متعارف حافظه بایت 640کیلوبایت کیلوحافظه این از خاصی دستورات به نیاز بدون ها برنامه یابد افزایش

کنند می استفادهگسترده- )2• این :( Expanded Memory Specificationیا EMSحافظه

کامپیوترهای در واقع . 286حافظه در گرفت قرار استفاده مورد بعد بهبین از KB 384 یعنی KB 1024تا KB 640فضای اول KB 640بعد

نامند می گسترده حافظه را حافظهافزوده- )3• این : Extended Memory Specification) یا XMSحافظه

ی کامپیوترها در فقط اکثر 286حافظه باشد می استفاده قابل باالتر یادارای کامپیوترها در 384این که باشند می افزوده حافظه کیلوبایت

از بیش تا حافظه این امروزی افزایش 255کامپیوترهای نیز بایت مگااست کرده پیدا

فوقانی- 4• حافظه قسمت : U.M.B))upper Memory blockبلوک اينبین و 640فضای از 1024کیلوبایت استفاده با که است بایت کیلو

تحت هاي برنامه ميتوان .Dosدستوراتي داد قرار محل اين در راباالیی- 5• حافظه همان :)H.M.A )High Memory Areaناحیه ناحیه اين

عامل 64 سیستم توانید می که است افزوده حافظه ابتدا کیلوبایتdos کنید بارگذاری ناحیه این در را

Page 28: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های حافظه ROMمبانی

شده ROMحافظه تشکيل ستون و سطر از ای شبکه شامل هائی تراشه ازحافظه ) نظير است

RAM . تراشه( . نمايند می قطع را يکديگر نقظه يک در وستون سطر هرتفاوت ROMهای دارای

های تراشه با . RAMاساسی حافظه باشند ترانزيستور " " RAMمی ازغيرفعال يا و فعال بمنظور

استفاده " " ، ستون و سطر برخورد نقاط در خازن يک به دستيابی نمودن . صورتيکه در نمايند می

های " )ROMتراشه ديود " يک . Diodeاز صورتيکه( در نمايد می استفاده” يک " مربوطه خطوط

" خطوط " باشد صفر مقدار اگر و شده استفاده ديود از اتصال برای باشند. شد نخواهند متصل يکديگر به

يک " " دارای و کرده ايجاد جهت يک در را جريان حرکت امکان صرفا ديود،اين . است خاص نقطه

اصطالحا ) . Forward break overنقطه ميزان( فوق نقطه شود می ناميدهبرای نياز مورد جريان

. نظير سيليکون بر مبتنی ای تراشه در کند می مشخص را ديود توسط عبورولتاژ ، حافظه و ها پردازنده

Forward break over . " از گيری بهره با است ولت دهم شش معادل تقريبابفرد منحصر ويژگی

تراشه يک از ROMديود، باالتر شارژ يک ارسال به Forward break overقادراز تر پايين و

انتخابی سطر با متناسب در . groundستون است خاص سلول يک در شدهسلول در ديود صورتيکه

طريق ) از شده هدايت شارژ گردد، ارائه نظر به ( Groundمورد توجه با وو ) صفر باينری سيستم

آن ( ) مقدار شود می خوانده يک سلول ، ( 1يک مقدار صورتيکه در بود خواهددر باشد صفر سلول

به ، ستون در شارژ و نداشته وجود ديودی ستون و سطر برخورد محلنخواهد منتقل نظر مورد سطر

. تراشه گرديد، اشاره که همانطور نويسی ROMشد برنامه مستلزم ،استاندارد . تراشه يک است ساخت زمان در داده نمی ROMوذخيره را

نوشت . آن در را جديدی اطالعات و مجدد ريزی برنامه توان

Page 29: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

ROM( Read Only Memory)حافظه مجتمع )ROMحافظه مدار نوع هائی( ICيک داده ساخت زمان در که است

. گردد می ذخيره آن دربرق ROMحافظه قطع با اطالعاتش که بوده الکتریکی های حافظه انواع از

از . نوع اين شود نمی پاکدستگاههای ساير در شخصی کامپيوترهای در استفاده بر عالوه ها حافظه

می استفاده نيز الکترونيکی . های حافظه زير ROMشوند انواع دارای شده، استفاده تکنولوژی لحاظ از

: باشند می

1 -PROM )Programmable ROM (:     حافظه کاربر ROMنوعی که باشد میمی

کند ) ذخیره آن در را خود نظر مورد اطالعات برای( Programmable Romتوانددر اطالعات نوشتن

سی آی به مشخص مدت به را معین ولتاژ یک باید حافظه نوع این داخل . این برای معموال که کرد اعمال

از یا Rom Brunnerمنظور . Rom Programmerو نوع این شود می استفادهتوانایی فقط حافظه

( دارد را ریزی برنامه (One-Time Programmableیکبار

 2 -EPROM )Erasable Programmable ROM (: توانایی حافظه نوع این

و حذف آنرا اطالعات توان می و دارد را ریزشدن برنامه بار چندین . حافظه هر کرد جایگزین جدیدی ( EPROMاطالعات که ) دارد حفره پنجره یه

تابش ( 20با که ) حفره این از مهتابی نور مثل بنفش ماوراء اشعه دقیقهدلیل . همین به شود می پاک حافظه اطالعات دارد قرار سی آی برروی . شود می چسبانده ای نقره برچسب یک معموال حافظه نوع این برروی

Page 30: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

حافظه نوع این به دلیل همین نیز UV-Erasable PROMویا UV-EPROMبه. شود می گفته

استفاده حافظه نوع این از کامپیوتر بردهای قدیمی مدلهای در معموالاین . آنها معایب از که شد می

. نبودند ریزی برنامه قابل سیستم برد توسط که بود

 3 -EEPROM )Electrically Erasable Programmable(: به حافظه نوع این ) می ) اطالعات سازی ذخیره یا حذف ریزی برنامه قابل الکتریکی صورت

برد . توسط حافظه نوع این ریزی برنامه امکان علت همین به باشددارد . وجود کامپیوتر اصلی

: Flash ) ) Flash Memory فلشحافظه- 4 ••: افزار سخت•   تاکنون گوناگون اشکال به و متفاوت اهداف با الکترونيکی ی ها حافظه

. های حافظه از نمونه يک ، فلش حافظه اند شده عرضه و طراحیدر اطالعات سريع و آسان سازی ذخيره برای که بوده الکترونيکی

    کامپيوتری : بازيهای کنسول ، ديجيتال های دوربين نظير دستگاههائی   . می ... استفاده هارد يک مشابه اغلب فلش حافظه گردد می استفاده و

اصلی . حافظه تا گرددگردد : در  • می استفاده فلش حافظه از زير تجهيزاتکامپيوتر BIOSتراشه • در موجود•Compact Flash . گردد می استفاده ديجيتال های دوربين در که•Smart Media گردد می استفاده ديجيتال های دوربين در اغلب که•Memory Stick . گردد می استفاده ديجيتال های دوربين در اغلب کهحافظه • های IIو Iنوع PCMCIAکارتويدئويی • بازيهای های کنسول برای حافظه های کارت

Page 31: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

فلش حافظه :مبانیهای تراشه از خاص نوع يک فالش فوق . EEPROMحافظه حافظه است

بر مشتمل ای شبکه شاملترانزيستور . دو از ستون يا و سطر هر تقاطع محل در است ستون و سطر

. دو گردد می استفاده . از يکی اند شده جدا يکديگر از اکسيد نازک اليه يک توسط فوق ترانزيستور

Floatingترانزيستورها gate ديگری . Control gateو بود " )Floating gateخواهد سطر به Wordصرفا

Line) متصليک . مقدار مربوطه سلول در باشد داشته وجود فوق لينک زمانيکه تا است

. بمنظور بود خواهد ذخيرهنام با فرآيندی از صفر به يک مقدار Fowler-Nordheim tunnelingتغيير

. از گردد می استفاده Tunneling در ها الکترون محل تغيير . Floating gateبمنظور شود می استفاد

الکتريکی شارژ يکبه 13تا 10حدود . ) floating gateولت شروع ستون از شارژ شود می bitدادهline )به سپس و

floating gate . می تخليه فوق شارژ نهايت در رسيد خواهدشارژ) ( . زمين گردد گردد می باعث فوق

ترانزيستور   " . floating gateکه نمايد " رفتار الکترون کننده پخش يک مشابهمازاد های الکترون

  را منفی شارژ يک و افتاد دام به اکسيد اليه ديگر سمت در و شده فشرده . های الکترون گردند می باعث

  بين عايق صفحه يک بعنوان ، منفی شده floating gateو control gateشارژمی  رفتار

. نام با خاصی دستگاه به Cell sensorنمايند شده داده پاس شارژ سطحfloating gate مونيتور را

. از بيشتر گيت جريان صورتيکه در کرد   50خواهد در ، باشد شارژ درصددارا را يک مقدار اينصورت

. از شده داده پاس شارژ زمانيکه بود نموده 50خواهد عدول آستانه درصدپيدا تغيير صفر به مقدار

. تراشه يک کرد بوده EEPROMخواهد باز آنها تمام که است هائی گيت دارایمقدار آن سلول هر و

. است دارا را يک

Page 32: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

حافظه  • نوع اين   در  ) حذف ) بمنظور ، فلش   ها بينی پيش مدارات از (   بکمک طراحی زمان در شده

•  .   ) توان می حالت اين در گردد می استفاده الکتريکی ميدان يک ايجاداز  خاصی های بخش يا و تمام

• . حافظه " " نوع اين کرد حذف را شوند، می ناميده بالک که را تراشههای حافظه به نسبت

• EEPROM "     معموال که هائی بالک طريق از ها داده چون ، است سريعتربه ) 512 باشند می بايت

می ( • نوشته لحظه هر در بايت يک ند. شوجای

فلش • حافظه های :کارتهای . BIOSتراشه • کارت است فلش حافظه نوع متداولترين کامپيوتر، در

Smart Media و• Compact Flash " اخيرا که بوده فلش های حافظه از ديگری های نمونه نيز

 . از اند شده متداول• " های " دوربين در الکترونيکی های فيلم بعنوان فوق های کارت

گردد می استفاده ديجيتال،•     نظير . کامپيوتری بازيهای برای حافظه PlayStationو Segaکارتهای

حافظه از ديگری های نمونه• . باشند می فلش هایاست :• زير مزايای دارای هارد به نسبت فلش حافظه از استفاده• . باشند نمی پذير نويز فلش های حافظهاست . • باال فلش های حافظه به دستيابی سرعت• . هستند کوچک اندازه دارای فلش های حافظه• . باشند ) ( نمی هارد نظير حرکت قابل عناصر دارای فلش حافظهاست . • بيشتر هارد به نسبت فلش های حافظه قيمت

Page 33: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

Flash Memory

Page 34: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب
Page 35: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

پنهان ( )Cacheحافظه

که • است الکتریکی های حافظه گرانترین و سریعترین از حافظه اینکهتوسط اطالعاتی و CPUاخرین کرده ذخیره خود در را شود می ازش

مجدد نیاز حافظه CPUدرصورت از سریعتر خیلی و کرده مراجعه ان بهRAM . انواع از حافظه نوع این کند می تهیه را خود نیاز مورد اطالعات

سریع های باشند .SRAM حافظه میخواهد Cacheحافظه • کامپیوترها سرعت بردن باال در زیادی بسیار سهم

حافظه تازه Cacheداشت به دینامیکی های حافظه برخالفباال( Refreshسازی) بسیار انها به دستیابی سرعت دلیل همین به و ندارند

در خازن بجای ترانزیستور بکارگیری موضوع این علت باشد میحافظه باشد SRAMسلولهای می

Page 36: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

حافظه : Cache انواع1 - Cache ( یا اولیه نهان حافظه (L1داخلی

هاي Cacheنوعي پردازنده در پردازش سرعت بهبود براي سطح 486كه و. شود مي تعبيه باالتر

Cache L1 حاوي عموما كه خواند، 8KBرا ساعت سيكل يك در توان مي استاين ابتدا در بنابراين

Cache. شود مي . Cache L1يك 486جستجو دو داراي پنيتيوم است Cacheداردبراي يكي كه

. برنامه داده اگر باشد مي ها داده براي وديگري در ها هنوز نياز مورد هايداشته قرار داخلي نهانگاه

نيست الزم . CPUباشند، داده چنانچه بماند نهانگاه منتظر اين در هاينباشد از CPUموجود را آنها

اصلي L2نهانگاه حافظه از مستقيم طور به يعني سيستم گذرگاه از يااز . حافظه این ظرفیت بخواند

8KB 256تا KB باشد می

2 -Cache ( یا ثانویه نهان حافظه L 2) خارجییا Cacheحافغظه های Mine Board Cacheخارجی مادربرد به 386DXدر

شده بینی پیش بعدصورت . به ها حافظه این با DIPاست مادربرد روی

در ( 64,128,256,512) مقادیر و کیلوبایتتا جدید باشند .1MB مادربردهای می شدن اضافه قابل نیز

کش حافظه پرو پنتیوم های پردازنده پردازنده L2در تراشه داخل در نیزافزایش باعث که گرفته قرار

است . گردیده نیز پردازنده سرعتهای پردازنده کارتریج IIIو IIدر روی و پردازنده کنار در حافظه این اول

ولی داشت قرار پردازندهپردازنده خود داخل در فوق حافظه بعد به سلرون دوم نسل پردازنده در

در ان مقدار که گرفته قرار

از مختلف های باشد 8MBتا 128KBپردازنه می متغیر

Page 37: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب
Page 38: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

3-Cache : ) سوم ) نهان حافظه جدید خارجینهان های حافظه بر پشتیبانی بر عالوه جدید پیشرفته های پردازنده L1اکثر

حافظه L2و توانند می هستند پردازنده کارتریج رو و پردازنده در کهنوع . این کنند پشتیبانی دارد قرار اصلی برد روی که را سومی نهان

شرکت جدید های پردازنده برای بیشتر مدلهای AMDحافظه K7و K6-3بااست . گردیده ومهیا طراحی انها مخصوص اصلی بردهای در

مجازی- :4 نهان حافظهحافظه مختلف عاملهای سیستم در کمکی های برنامه کمک به توان می

از . : عبارتند مجازی نهان های حافظه انواع نمود ایجاد مجازی نهان

1 -RAM Cache: حافظهRAM Cache حافظه فضای از که RAMبخشی استوفعال تعیین عامل سیستم در مختلف های برنامه و دستورات کمک به

جنس . از حافظه از نوع این چون شوند به DRAMمی نسبت استنهان های نوع . SRAMحافظه این وظیفه باشد می کمتری سرعت دارای

موقتا را سخت دیسک روی از شده خوانده های داده که است این حافظهاین به مجددا پردازنده که صورتی در کند می نگهداری خود داخل در

کند . می مراجعه حافظه فضای این به باشد داشته نیاز اطالعت

2 -Disk Cache: توسط مجازی حافظه برای قسمتی سخت دیسک Cacheازباشد می تنظیم قابل عامل سیستم توسط که شود می استفاده

Page 39: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

ديسک فلش با Flash Disk( )آشنائی

اطالعات بازيابی و ذخيره قابليت ، کامپيوتر توجه قابل های ويژگی از يکیسازی ذخيره های رسانه روی بر

هائی . نمونه فشرده های ديسک و ديسک فالپی ، ديسک هارد است متفاوتباشند . می زمينه اين در متداول

توان می که باشند می مهم ويژگی اين دارای جانبی های حافظه از برخی   از و نمود جابجا براحتی را آنان

.   به کرد استفاده متفاوتی های مکان در آنان روی بر شده ذخيره های دادههای حافظه ، ها حافظه از نوع اين

Removable . گذشته از فوق های حافظه ايجاد اوری فن شود می گفتهفراوانی تحوالت دستخوش تاکنون

. مغناطيسی نوار يک روی بر اطالعات اوليه، های حافظه در است شدهيک توسط که گرديد می ذخيره

از . کامپيوترها برخی ، آن از قبل گرديد می استفاده صوتی کاست دستگاهمنظور به کارت پانج

. ذخيره های داده از آگاهی منظور به نمودند می استفاده اطالعات ذخيرههای سوراخ ، شده

.   گرديد می تفسير پانچ کارت برروی موجود

آوری فن ، تاکنون زمان آن ازتوليد منظور به متعددی های

سازی ذخيره های رسانهRemovable . است شده ايجاد

اين روی بر توان می امروزه ( ، ديسک ها حافظه از نوع

کارتريج ( يا و کارت ، کاستچندين يا و مگابايت صدها

ذخيره را اطالعات گيگابايتنمود .

Page 40: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های • حافظه از استفاده Removable: مزايایتجاری • افزارهای نرم عرضه•Backup مهم اطالعات گرفتنکامپيوتر • دو بين داده اننتقالگردد . • نمی استفاده دائم بطور آنان از که اطالعاتی يا و افزار نرم ذخيرهدستيابی • آنان به افراد ساير نداريم تمايل که هائی داده سازی ايمن

باشند . داشته

اطالعات • سازی ذخيره های رسانه :انواعسازی ذخيره های عمده  Removableرسانه گروه سه به توان می را

نمود : تقسيممغناطيسی • های حافظهنوری • های حافظههای • Solid stateحافظه

ذخيره • های دستگاه جديدترين از يکی ، درايو فلش يا و ديسک فلشبه توجه با که است اطالعات سازی

•   عالقه توجه کانون در است توانسته خود بفرد منحصر های ويژگی . شده استفاده حافظه گيرد قرار مندان

•      نوع از ها دستگاه نوع اين   Solid Stateدر مرتبه هزاران توان می و بودهروی بر را اطالعاتی

•  . نمود حذف يا و نوشت آنان

Page 41: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

Sony 512MB USB  Flash Drive

Page 42: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

  ها ديسک فلش :ويژگیهای حافظه نوع متداولترين از يکی ، فلش های می Removableحافظه

دستگاه در آنان از که باشند   ، ديجيتال های دوربين نظير کوچکی   PDAهای استفاده  ديسک فلش يا و

. گردد میهای ديسک ذخيره USBفلش فضای افزايش منظور به آسان و سريع روشی

اختيار در را سازیهای . ويژگی از استفاده با ها دستگاه نوع اين دهند می قرار Plugکاربران

& Play از و بسادگیپورت يک کامپيوتر . USBطريق که زمانی در گردند می متصل کامپيوتر به

يک توان می است روشنپورت به را ديسک نمود .  USBفلش جدا آن از يا و متصل

پورت به ديسک فلش يک اتصال از   USBپس توسط آن شناسائی و کامپيوترنرم نصب و عامل سيستم

آن روی بر را نظر مورد های فايل بسادگی توان می ، ضروری افزارهایدرايوهای . قدرت نمود ذخيره

های پورت از متاثر فلش . USBفوق درايوهای از باشد منظور  USBمی بهبين اطالعات اشتراک

کار محل يا و منزل در نظر مورد اسناد و ها فايل از استفاده و کامپيوترهاهای . حافظه گردد می استفاده

را گيگابايت چندين تا تواند می و بوده متفاوتی های ظرفيت دارای فوقشود .  شامل

  و بوده حمل قابل ديسک هارد يک همانند ، ها ديسک فلش از استفاده نحوهپورت به آنان اتصال از پس

USB . کابل به رابطه اين در گردد می فراهم آنان از استفاده امکان کامپيوترآدپتور يا و اضافه های

باشد . نمی نياز خاصیفراهم مرتبه هزار يکصد تا را ها فايل حذف و افزودن امکان ها ديسک فلش

ذخيره منظور به و نمودهتئوری ) ( . لحاظ از باشند می مناسب سال ده تا ديجيتال محتويات

و بوده ديسک هارد يک مشابه آن عملکرد نحوه ، ديسک فلش نصب از پسرا ئی داده نوع هر توان می

نامه . ، اسناد ، موزيک های فايل نمود کپی يا و حذف ، ذخيره آن روی برو الکترونيکی های

.   باشد می رابطه اين در هائی نمونه فيلم

Page 43: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

های • ديسک شده USBفلش تعبيه قبل از اينترفيس يک می USBدارایهای پورت با که USBباشند

های . USB 2.0و 1.1 • ديسک فلش از استفاده امکان کند می در USBکارمتفاوتی عامل های سيستم

دارد . • وجود•   پورت يک از استفاده درايو  USB 2.0با فلش يک توان USB 2.0و می ،

بالغ سرعتی با را ها فايل•   در مگابايت هفت معادل سرعتی با و بازيابی ثانيه در مگابايت هشت بر

. نمود ذخيره ثانيه

که • صورتی فلش  BIOSدر توان می دهد، اجازه کامپيوتر اصلی بردنمود پيکربندی ای بگونه را ديسک

نمود )• اندازی راه را سيستم آن از استفاده با  booting) کهو • داشته وجود شبکه يک در ها ديسک فلش گذاشتن اشتراک به امکان

يک مشابه آنان عمليات تمامی•. باشد می درايو هاردچراغ • ، درايو فلش يک روی بر داده انتقال زمان می  LEDدر روشن آن

حال ) در ديسک فلش گرددکه (. • اين به توجه با است نوشتن يا و خواندن عمليات برای استفاده

از عامل های سيستم از برخی• cache  جدا از قبل بايست می ، نمايند می استفاده نوشتن زمان در

پورت از ديسک فلش USBنمودنچراغ • بودن غيرفعال نمودن . LEDاز خارج گردد حاصل اطمينان آنان

حين در کامپيوتر از ديسک فلشآسيب • معرض در را ها داده که اين بر عالوه خواندن و نوشتن عمليات

به تواند می دهد می قراربرساند .• آسيب نيز ديسک فلش و کامپيوتر

Page 44: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

ديسک • فلش از :استفادهپورت نصب :• به ديسک فلش نصب از توسط USBپس آن تشخيص و

بخش به مراجعه با عامل ليست My Computerسيستم در را آن توان میآيکون .) يک نمود مشاهده   ( Removable Diskدرايوها

نوشتن : و روی خواندن بر ها فايل حذف و کپی ، نوشتن ، خواندن نحوهاست . ديسک هارد مشابه فلش، درايوهای

Unplug: دستگاه پورت نمودن از را ديسک فلش توان می کار اتمام از پسUSB . فرآيند بايست می منظور بدين نمود   Safe Removalجدا آيکون طريق از را

بخش در نمود ) ( . Toolbarموجود دنبال زير شکل مطابق

Page 45: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

مجازی (Virtual Memory)حافظه

حافظه • که زمانی است هاردیسک از فضایی ویندوز در مجازی حافظهRAM شود مواجه فضا کمبود با

حافظه • جای به ان از کند RAMویندوز می استفادهاشغال • باعث ویندوز در مجازی حافظه از استفاده که داشت توجه باید

کاهش همچنین و موقتی فایلهای نگهداری برای هاردیسک فضایشود می هاردیسک روی از ها برنامه اجرای هنگام در سیستم سرعت

داد • کاهش یا افزایش ویندوز طریق از توان می را مجازی حافظه اینویندوز :• در مجازی حافظه تنظیم برای

Page 46: حافظه های الکتریکی تهیه کننده :  کاظم شاطری نسب

منابع •www.srco.ir

www.iritn.com http://what-read-know.persianblog.com

www.myisfahan.com www.ir-micro.com

shahingb1.mihanblog.com www.sakhtafzar.com

افزار سخت های ترفند کتابکامپیوتر مونتاژ و افزار سخت کامل مرجع کتاب

نظر ) ( پاک مسعود تون نور پیتر افزار سخت کتاب

تشکر • بانسب شاطری کاظم