Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для

создания новых приборов

Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С.

ООО «Инновационный альянс»Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН

Дубна 2013

2

Химическое Электрохимическое Фотоэлектрохимическое Механо-электрохимическое Химико-механическое Механическое Механохимическое Механо-термическое Магнитомеханическое Акустомеханическое Электронно-лучевое Лазерное и др.

Области применения технологии ХМП

Современнные нанотехнологии в электронике:Нанополирование (ХМП);Наноэпитаксия;Наноокисление;Нанолитография;Нанотравление;Наноструктуры;

6

Поверхность полупроводников после ХМП

АСМ изображения и сечения рельефа: а – Si (111), a = 0,5430нм; б – Ge (111), а = 0,5657нм; в – CdS (0001), а = 0,4134, с = 0,6749нм; г – SiC:6H (0001), а = 0,308, с = 0,252нм; д – ZnSe (100) после ХМП и последующего отжига в Н2.

а б в гРепл ЭМ поверхности при ув. 30 000: а – GaAs (100); б - InP (100); в - InAs (111); г – InSb (111), ХМПз.

а б в г д

А3В5

А4

А2В6

А4А4

7

Поверхность диэлектриков после ХМПАСМ изображения и сечения рельефа

α-Al2O3 (0001) бикристалл, ХМП

Scan: 2.5 x 2.5 мкм

α-Al2O3 (0001) ХМП, а = 0,4758нм, с = 0,1299нм .

ZrO2·Y2O3 (100) ХМП, а = 0,5141нм.

LiNbO3 y - cрез, а = 0,5150нм, с = 1,3816нм ХМП.

SrTiO3 (100) ХМП, а = 0,3904нм.CaF2 (111) ХМП, а =,5462нм.

Scan: 1,7 X 1,7 мкм

NdGaO3 (100) бикристалл, ХМП. MgAl2O4 после СК-1.

Кремниевые СБИС после ХМП АФС слоя Si3N4, h = 0,6мкм.

ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ПОСЛЕ ХМП В ПРИБОРАХ

11

Технология изготовления лазерных мишеней из монокристаллов

CdS, CdSe, CdSSe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnSe и ZnO для создания ЛЭЛТ с электронной накачкой видимого, УФ и ИК

диапазонов излучения

ЛМ:

- толщина 5-20мкм;- плоскостность ≤ 5N;- разнотолщинность ± 2мкм;- σ ≤ 1нм.

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ

artpoliofan@mail.ru