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種種種 一 MOS 種種種種種種種種種種種種種 A Method of Design Low-Power Operational Amplifier with CDB technique 種種 種種種 種種種 種種種種種 種種種種種 ：， ： Abstract Abstract 本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本 本本本本本本 本本本本本本本 體， 本本本本本本本本本本本本 本 。 0.35um 本本本本本本本本 本本本本本本 本本本本本本本本本本本本 一；， 本本本本本 0.18um 本本本本本本本本本 本本本本本 。 0.35um 本本本本本本本本本本本本本 本本 ， 本本本 本本本本本本本 本本本本本本本本本本本本本本 本本本本本 一，體 (Threshold Voltage 、 Vth) 本本本本本 本本本本本本本本 。 CDB(Current Driven Bulk) 本本本本本本 本本本本本本 本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本 本本本本本本本本本本 體，， 本本本本本本 。 . CDB(Current Driven Bulk) CDB(Current Driven Bulk) 本 NMOS 本本 ( 本 1.) 本本本本本本本本本 本本本本本本本本 ，， 本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本 本本 ， 本本本本 本本 體 (N A ) 本本 ， 本本本本本本本本 本本本本本本本 ， 本本本 ， 本本本本本本本本 ； PMOS 本本本本本本本本本本本 本本本 。 (本 3.) 本 CDB 本本本本本本本 。 case1:Single case1:Single PMOS PMOS I Inject [nA] V TH0 [mV] gm [u] R o [KΩ] 種 6. 種種種種種 VTH0 、 ro 種 gm 種種種 case2: With & Without CDB compare case2: With & Without CDB compare case3: Low voltage OPA design case3: Low voltage OPA design Conclusions Conclusions 本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本 本 體 本本本本 本本本本本本本本本本本本本本本本 本本本本本本 ，。 本本本本 本本本本本 本本本本本本本 本本本本本本本 本本本 ，體，一 本本本本本本本本本本本本本本本本本本本本 。 本本本本本本本 本本本本本本 本本本本本本 本本本本本本本 ？ 本本本本本本 本本本本本本本 本 本 本 本 本 本 本 本 本 本 本本 本本 ， 本本 本本 本本 HSPICE 本本 本本本本本 本本 CDB 本本 本本本本 種 3. CDB 種種種種種種種 Simulate & Result Simulate & Result 種 2. 種種 HSPICE 種種種種 PMOS 種種種種種種種種種種 I INJECT |VTH| gm ro 0 751m 146u 607KΩ 0.001n 718m 159u 319KΩ 0.01n 710m 161u 314KΩ 0.1n 702m 163u 248KΩ 1n 694m 162u 153KΩ 10n 686m 157u 70.4KΩ 種 3. 種種種種 種種種種種種種 ， 2.6V 種種種 CDB 種種種 種種種種種 2.6V 2.6V(with CDB) 種種 8029.1 7919.9 種種種種 2.4245MΩ 2.4302MΩ 種種種種 31.5085uW 20.2306uW 3dB 種種 664Hz 661Hz 種種種種 (P.M) 47.5° 48° 種種種 0.158 V/us 0.152 V/us 種種種種 (W T ) 6.98M 6.76M DFI Inject 本 1pA CI Inject 本 1nA 種 4. 種種種種種種 1.5V(with CDB) 種種種種種 1.5V 種種 5278.8 種種種種 1.3718MΩ 種種種種 23.1622uW 3dB 種種 2.54K 種種種種 (Phase Margin) 58° 種種種 (Slew Rate) 0.05 V/us 種種種種 (W T ) 45.2M 種種種種 (V b ) 0.7V DFI Inject 14nA CI Inject 0.1nA 種 1. 種種種種 Technology TSMC 2P4M0.35um Power Supply 1.5V Power consumption 23.09uW Compensation Capacitance 1pF Compensation Register 100KΩ Area 0.5um*0.5um I Injec t V DD 種 1. NMOS with CDB I Injec t -V DD 種 2. PMOS with CDB 種 5. LAYOUT 種 7. 種種種 種 8. 種種種 種 4. 種種種種種種種種 Department of Electronic Engineering @Feng Chia University
一種控制 MOS 門限電壓的運算放大器之設計 A Method of Design Low-Power Operational Amplifier with CDB technique
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gm [u]. R o [K Ω ]. V DD. -V DD. V TH0 [mV]. I Inject. I Inject. 圖 1. NMOS with CDB. 圖 2. PMOS with CDB. I Inject [nA]. 圖 6. 注入電流與 VTH0 、 ro 及 gm 關係圖. 可以工作 調低供應電壓. 無法工作 ， 重新設計. 設定 供應電壓源 與電流源大小. 計算電路參數 且電路是否工作？. 無法工作. 加入 CDB 技術. 經由 HSPICE 進行 模擬與驗證. 佈局並將結果 進行驗證及模擬. - PowerPoint PPT Presentation
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MOS A Method of Design Low-Power Operational Amplifier with CDB
technique Abstract 0.35um0.18um0.35um(Threshold
VoltageVth)CDB(Current Driven Bulk). CDB(Current Driven Bulk)
NMOS(1.)(NA)PMOS(3.)CDBcase1:Single PMOScase2: With & Without
CDB comparecase3: Low voltage OPA designConclusions Simulate &
Result5. LAYOUT7. 8. Department of Electronic Engineering @Feng
Chia University
2.
HSPICEPMOSIINJECT|VTH|gmro0751m146u607K0.001n718m159u319K0.01n710m161u314K0.1n702m163u248K1n694m162u153K10n686m157u70.4K
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1. TechnologyTSMC 2P4M0.35umPower Supply1.5VPower
consumption23.09uWCompensation Capacitance1pFCompensation
Register100KArea0.5um*0.5um
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