【105】四技二專統一入學測驗 105～1

四技二專

統一入學測驗

電機與電子群專業科目(一)(二) 電子學、電子學實習

（本試題答案係統一入學測驗中心公布之標準答案）

試題分析

一、命題焦點：

●電機類、資電類專業科目(一)─電子學：

命題平均分配於所有章節，其中以電晶體放大電路、場效電晶體、運算放

大器及基本振盪電路為主。命題包含綜合觀念與理論計算，其中第 9、12 題計

算過程繁雜，學生需要花多一些時間，整體而言，難度適中。

●電機類專業科目(二)─電子學實習：

命題平均分配於所有章節，其中以截波及箝位電路實驗、電晶體直流偏壓電路實

驗、電晶體放大電路實驗、運算放大器應用電路實驗與基本振盪電路實驗為主。命題

包含綜合觀念與理論計算，唯第 23 題應注意輸出電壓極性，整體而言，難度適中。

●資電類專業科目(二)─電子學實習：

命題平均分配於所有章節，其中以二極體之特性及應用電路實驗及運算放大器應

用電路實驗等章節比例較高。命題以綜合觀念為主，計算部分較少，實際實習內容考

題僅 2 題，整體而言，難度偏易。

二、配分比例表： 電機類、資電類

專業科目(一)電子學 題數

電機類專業科目(二) 電子學實習

題數

資電類專業科目(二) 電子學實習

題數

概論 1 工場安全及衛生 0 工場安全及衛生 0

二極體 2 二極體之特性及應用電路實驗 1 二極體之特性及應用電路實驗 2

二極體之應用電路 2 截波及箝位電路實驗 2 截波及箝位電路實驗 1

雙極性接面電晶體 1 雙極性接面電晶體之特性實驗 1 雙極性接面電晶體之特性實驗 1

電晶體直流偏壓電路 2 電晶體直流偏壓電路實驗 2 電晶體直流偏壓電路實驗 1

電晶體放大電路 4 電晶體放大電路實驗 2 電晶體放大電路實驗 0

串級放大電路 2 串級放大電路實驗 1 串級放大電路實驗 1

場效電晶體 3 場效電晶體之特性實驗 1 場效電晶體之特性實驗 1

場效電晶體放大電路 2 場效電晶體放大器電路實驗 1 場效電晶體放大器電路實驗 1

運算放大器 3 運算放大器應用電路實驗 2 運算放大器應用電路實驗 2

基本振盪電路 3 基本振盪電路實驗 2 基本振盪電路實驗 1

電子儀表 1

合計 25 合計 15 合計 12

105 年

X3

51

0﹝

I﹞夾入

35

10、

35

84

105～2 【105】四技二專統一入學測驗

電機類、資電類專業科目(一)─電子學：（第 1 至 25 題） _____ 1. 一週期性脈波信號其正峰值電壓為＋10V，負峰值電壓為－2V。若此

信號的平均值為＋5.2V，則工作週期(duty cycle)約為下列何值？

(A)70% (B)60% (C)50% (D)40%。 概論

_____ 2. 二極體在正常工作下逐漸增加順向電壓時，下列敘述何者正確？

(A)擴散電容變小 (B)多數載子流向接面 (C)空乏區寬度變大

(D)障壁電壓提高。 二極體

_____ 3. 如圖(一)所示電路，假設二極體的順向導通電壓為 0.7V，若不考慮順向

電阻，則 ID2為多少mA？ (A)1.0 (B)2.1 (C)2.7 (D)3.0。 二極體

_____ 4. 如圖(二)所示電路，輸入電壓為 Vi＝10sin(377t)V，其中稽納二極體

(Zener diode)Z1、Z2特性相同，順向電壓為 0.6V，稽納崩潰電壓為 6V。

此電路在正常工作時，下列敘述何者正確？

(A)此電路為箝位電路 (B)此電路為整流電路

(C)Vo最大值為＋6.6V (D)Vo最小值為－5.4V。 二極體之應用電路

_____ 5. 如圖(三)所示電路，若二極體具理想特性，輸入電壓 Vi 為工作週期

50%的脈波，最大電壓＋10V，最低電壓＋2V。若 RC 時間常數使輸

出脈波不失真，輸出電壓的平均值為 8V，則 VREF為多少伏特？

(A)2 (B)4 (C)6 (D)8。 二極體之應用電路

_____ 6. 關於提高 NPN 雙極性接面電晶體(BJT)電流放大率的方法，下列敘述

何者正確？ (A)射極雜質濃度減少，基極寬度變寬 (B)射極雜質濃

度增加，基極寬度變寬 (C)射極雜質濃度減少，基極寬度變窄

(D)射極雜質濃度增加，基極寬度變窄。 雙極性接面電晶體

_____ 7. 關於雙極性接面電晶體(BJT)共基極放大電路，下列敘述何者正確？

(A)輸出電流為射極電流 IE (B)輸入電流為集極電流 IC (C)輸入阻

抗小 (D)輸入與輸出電壓反相。 電晶體放大電路

_____ 8. 如圖(四)所示放大器直流偏壓電路，電晶體＝99，VBE＝0.7V。若 IB

＝50A，VCE＝5V，則 RE 為多少 Ω？ (A)500 (B)600 (C)800

(D)920。 電晶體直流偏壓電路

1.(B) 2.(B) 3.(A) 4.(C) 5.(B) 6.(D) 7.(C) 8.(A)

圖(二)

圖(一)

圖(三)

【105】四技二專統一入學測驗 105～3

_____ 9. 如圖(五)所示放大器直流偏壓電路，電晶體＝99，VBE＝0.7V。若 IB

＝40A，RE為多少 Ω？ (A)413 (B)502 (C)612 (D)705。

電晶體直流偏壓電路

_____ 10. 如圖(六)所示電路，電晶體工作

於作用區，＝99，VBE＝0.7V，

熱 電 壓 (thermal voltage)VT ＝

26mV，則此放大電路之電流增

益 ＝o

i

i

IA

I約為何值？ (A)30

(B)28 (C)25 (D)22。電晶體放大電路

_____ 11. 雙極性接面電晶體(BJT)小訊號模型中，VT 為熱電壓，re 為射極交流

電阻，ΔiC為集極電流微小變動量、ΔvBE為基射極電壓微小變動量，

ic 為集極小訊號電流，vbe 為基射極小訊號電壓，Q 為工作點，ICQ為

工作點集極直流偏壓電流。若不考慮歐力效應(Early effect)，則下列

有關轉移電導 gm的敘述，何者錯誤？

(A)

點

＝C

m

BE Q

ig

v (B) ＝

CQm

T

Ig

V (C) ＝

cm

be

ig

v (D) m

e

gr

＝ 。

電晶體放大電路

_____ 12. 如圖(七)所示電路，電晶體工作於

作用區，＝99，射極交流電阻 re

＝20Ω。若此放大電路之電壓增益

200o

V

i

VA

V＝ ＝ ，則 RC 約為何值？

(A)2.2kΩ (B)4.1kΩ (C)6.8kΩ (D)13.6kΩ。 電晶體放大電路

_____ 13. 下列哪兩種電容較會影響串級放大器之低頻響應？ (A)電晶體極際

電容、旁路電容 (B)耦合電容、變壓器雜散電容 (C)電晶體極際電

容、變壓器雜散電容 (D)耦合電容、旁路電容。 串級放大電路

9.(D) 10.(D) 11.(D) 12.(C) 13.(D)

圖(四)

圖(五)

圖(六)

圖(七)

105～4 【105】四技二專統一入學測驗

_____ 14. 有 4 支相同的喇叭並聯後，接於耦合變壓器二次側，每支喇叭電阻值

為 80Ω，一次側看入之有效負載總電阻值為 72kΩ，求所使用耦合變

壓器之一次側與二次側匝數比為下列何者？ (A)36：1 (B)60：1

(C)72：1 (D)90：1。 串級放大電路

_____ 15. 下列各元件之符號名稱，何者正確？ (A)P 通道 JFET

(B)N 通道增強型 MOSFET (C)P 通道空乏型 MOSFET

(D)NPN BJT 。 場效電晶體

_____ 16. 如圖 (八 )所示電路，其中 MOSFET 的參數 K＝

0.5mA/V2、臨界電壓(threshold voltage)Vth＝2V。若其

汲極電流 ID＝0.5mA，則電阻 RS 值應為多少？

(A)500Ω (B)1kΩ (C)2kΩ (D)3kΩ。 場效電晶體

_____ 17. 某 N 通道 JFET 之夾止電壓(pinch-off voltage)VP＝－4V、IDSS＝

16mA，當其閘極電壓 VG＝－6V、源極電壓 VS＝0V、汲極電壓 VD

＝5V 時，則汲極電流 ID 為何？ (A)0mA (B)4mA (C)8mA

(D)16mA。 場效電晶體

_____ 18. 如圖(九)所示電路，其中 JFET 之夾止

電壓 VP＝－4V。已知此 JFET 放大電

路的工作點為 VDS＝3V、ID＝1mA，

汲極電阻 rd忽略不計，則此電路之小

訊號電壓增益 Vo/Vi為何？ (A)－1.1

(B)－1.6 (C)－3.2 (D)－12。

場效電晶體放大電路

_____ 19. 如圖(十)所示電路，若 MOSFET 電晶

體之轉移電導 gm＝2mA/V，汲極電阻

rd＝50kΩ，則此電路之小訊號電壓增

益 Vo/Vi約為何值？

(A)0.79 (B)0.91 (C)1.09

(D)1.58。 場效電晶體放大電路

_____ 20. 如圖(十一)所示之運算放大器電路工

作在未飽和情形下，請問電壓增益

Vo/Vi為何？

(A)－10 (B)－5 (C)5 (D)10。運算放大器

14.(B) 15.(B) 16.(C) 17.(A) 18.(B) 19.(A) 20.(A)

圖(八)

圖(九)

圖(十)

圖(十一)

【105】四技二專統一入學測驗 105～5

_____ 21. 如圖(十二)所示之運算放大器電路，稽納二極體(Zener diode)的稽納

崩潰電壓為 VZ＝6.2V，求在正常工作下的輸出電壓 Vo為多少？

(A)3.1V (B)6.2V (C)12.4V (D)15V。 運算放大器

_____ 22. 如圖(十三)所示之兩級運算放大器電路皆工作在未飽和情形下，其中

電阻 R1＝10kΩ、R2＝20kΩ、R3＝R4＝30kΩ、Rf1＝Rf2＝30kΩ，當輸

入電壓 V1＝1V、V2＝2V、V3＝3V，請問輸出電壓 Vo為多少？ (A)9V

(B)6V (C)－6V (D)－9V。 運算放大器

圖(十二) 圖(十三)

_____ 23. 有關多諧振盪器的敘述，下列何者錯誤？ (A)多諧振盪器之輸出波

形為非正弦波 (B)無穩態多諧振盪器有一個輸入觸發信號 (C)單穩態

多諧振盪器的輸出狀態包括一種穩定狀態和一種暫時狀態

(D)雙穩態多諧振盪器之工作情形有如數位電路的正反器。基本振盪電路

_____ 24. 有一施密特(Schmitt)觸發電路如圖(十四)所

示，其中＋VCC 和－VCC 為電源電壓，Vr 為參

考電壓，若輸出之正飽和電壓為＋Vsat，負飽

和電壓為－Vsat，則其遲滯電壓 VH 為下列何

者？ (A)(2VsatR1)/R2 (B)(2VsatR2)/R1

(C)(2VsatR1)/(R1＋R2) (D)(2VsatR2)/(R1＋R2)。

基本振盪電路

_____ 25. 三角波信號產生電路可以應用施密特(Schmitt)觸發電路與下列何種

電路來組成？ (A)微分器電路 (B)比較器電路 (C)隨耦器電路

(D)積分器電路。 基本振盪電路

電機類專業科目(二)─電子學實習：（第 26 至 40 題） _____ 26. 如圖(一)所示之電路，稽納二極體之 VZ＝5V，最大額定功率為 200mW，

且其逆向最小工作電流（膝點電流）IZK＝0A。若 vo要維持在 5V，則負

載電阻 RL 值之範圍為何？ (A)10Ω～50Ω (B)50Ω～100Ω (C)100Ω

～500Ω (D)500Ω～900Ω。 二極體之特性及應用電路實驗

21.(C) 22.(A) 23.(B) 24.(C) 25.(D) 26.(C)

圖(十四)

105～6 【105】四技二專統一入學測驗

_____ 27. 如圖(二)所示之理想二極體電路，若 vi為±12V、頻率為 100Hz 之對

稱方波，則 vo之平均值約為何？ (A)－3V (B)－1.5V (C)1.2V

(D)2.5V。 截波及箝位電路實驗

_____ 28. 如圖(三)所示之理想二極體電路，若 vi＝10sin(377t)V 且 VE＝3V，則下

列敘述何者正確？ (A)若 vi＞VE，則二極體導通且 vo＝－vi (B)若 vi

＜VE，則二極體導通且 vo＝－VE (C)若 vi＞VE，則二極體導通且 vo＝

VE (D)若 vi＜VE，則二極體不導通且 vo＝vi。 截波及箝位電路實驗

_____ 29. 以指針型三用電表歐姆檔判別 BJT 接腳，若①號接腳分別對②號與

③號接腳測試時皆呈現導通狀態，則①號接腳為下列何者？ (A)基

極 (B)源極 (C)集極 (D)射極。 雙極性接面電晶體之特性實驗

_____ 30. 如圖(四)所示之電路，BJT 之＝120，VBE＝0.7V，若 BJT 工作在主

動區且 IB＝0.03mA，則 RB 值約為何？ (A)95.5kΩ (B)110.5kΩ

(C)212.7kΩ (D)255.2kΩ。 電晶體直流偏壓電路實驗

_____ 31. 如圖(五)所示之電路，BJT 之＝100，VBE＝0.7V，則 VCE 約為何？

(A)9.2V (B)8.2V (C)7.6V (D)6.6V。 電晶體直流偏壓電路實驗

_____ 32. 如圖(六)所示之電路，BJT 之＝100 且工作於順向主動區，基極交流

電阻 r＝1kΩ，則輸入阻抗 Zi 約為何？ (A)818Ω (B)2246Ω

(C)3125Ω (D)4500Ω。 電晶體放大電路實驗

_____ 33. 若 BJT 共射極放大器電路之電壓增益大小為 100，當輸入電壓訊號

vi(t)＝20sin(t)mV 時，則其輸出電壓訊號為何？ (A)－2cos(t)V

(B)2cos(t)V (C)－2sin(t)V (D)2sin(t)V。 電晶體放大電路實驗

27.(D) 28.(C) 29.(A) 30.(B) 31.(D) 32.(A) 33.(C)

圖(一)

圖(二)

圖(三)

圖(四)

圖(五)

圖(六)

【105】四技二專統一入學測驗 105～7

_____ 34. 下列有關 BJT 串級放大電路之敘述，何者正確？ (A)RC 耦合串級放

大器之前後級阻抗匹配容易 (B)直接耦合串級放大器之低頻響應佳

(C)變壓器耦合串級放大器沒有直流隔離作用 (D)RC 耦合串級放大

器之前後級直流工作點會相互影響。 串級放大電路實驗

_____ 35. 某工作於飽和區之增強型 N 通道 MOSFET，其臨界電壓 VT＝4V，當

閘-源極間電壓 VGS＝6V 時，汲極電流 ID＝2mA；則當 ID＝8mA 時，

其 VGS應為何？ (A)9V (B)8V (C)7V (D)5V。

場效電晶體之特性實驗

_____ 36. 下列有關圖(七)所示放大器電路之敘述，何者正確？ (A)輸入阻抗

Zi為 RGRS /(RG＋RS) (B)輸出阻抗 Zo為 RD (C)vo和 vi同相位

(D)輸入阻抗 Zi無窮大。 場效電晶體放大器電路實驗

_____ 37. 如圖(八)所示之理想運算放大器電路，vo值應為何？ (A)0V (B)4V

(C)8V (D)12V。 運算放大器應用電路實驗

_____ 38. 如圖(九)所示之理想運算放大器電路，若 vo＝8V，則 vi應為何？

(A)－4V (B)－3V (C)1V (D)2V。 運算放大器應用電路實驗

_____ 39. 下列有關圖(十)所示多諧振盪器

電路之敘述，何者正確？

(A)為單穩態多諧振盪器電路

(B)C2之功用為降低雜訊干擾

(C)正常工作下，C1之電壓 vc最

高值為＋VCC

(D)vo之波形為三角波。

基本振盪電路實驗

34.(B) 35.(B) 36.(B) 37.(C) 38.(B) 39.(B)

圖(七)

圖(八)

圖(九)

圖(十)

105～8 【105】四技二專統一入學測驗

_____ 40. 如圖(十一)所示之電路，若 vi為 1V 之直

流電壓，則下列敘述何者正確？

(A)其上臨限電壓為 2V

(B)其下臨限電壓為－2V

(C)為反相施密特觸發器

(D)vo＝12V。

基本振盪電路實驗

資電類專業科目(二)─電子學實習：（第 41 至 52 題）

_____ 41. 小林上電子學實習課時，想要設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路

供給手機充電，其輸出的直流平均電壓 VDC＝3.7V，則其輸入的交流

正弦波的峰對峰值電壓約為多少？ (A)4V (B)8V (C)10V

(D)12V。 二極體之特性及應用電路實驗

_____ 42. 小林上電子學實習課時，為了能準確量測其實驗電路，首先需校正他

使用的雙軌跡示波器，示波器面板上有一個標示為 CAL 的小孔，則

其輸出信號最有可能是哪一種波形？ (A)1kHz 方波 (B)1kHz 三角

波 (C)0.5kHz 鋸齒波 (D)0.5kHz 三角波。 電子儀表

_____ 43. 小林上電子學實習課時，想要設計一個穩定電壓的橋式整流輸出電路

供給手機充電，他先量測其輸出的直流脈動電壓，得到漣波電壓的峰

對峰值 Vr(p-p)為 2V，其輸出電壓的峰值 Vp或 Vm為 10V，則其漣波百

分率 r(%)約為多少？ (A)4% (B)8% (C)10% (D)12%。

二極體之特性及應用電路實驗

_____ 44. 有一二極體電路如圖(十四)所示，若施

加一正弦波信號於輸入端點 vi，則下列

敘述何者錯誤？

(A)該電路為偏壓型截波電路(Clipping Circuit)

(B)截波電路可用來將輸入的交流電壓信號之

部份波形截除

(C)該電路中電阻 R 值之大小會影響輸出波形失真

(D)箝位電路(Clamping Circuit)可用來將輸入的交流電壓信號定位到

所要的直流電壓準位上。 截波及箝位電路實驗

40.(D) 41.(D) 42.(A) 43.(B) 44.(A)

圖(十一)

圖(十四)

【105】四技二專統一入學測驗 105～9

_____ 45. 實作圖(十五)之電路以繪製輸出特性曲線，A、B、C、D 為量測儀表，

繪製成如圖(十六)所示的 3 條曲線，請選出錯誤的描述。

(A)若曲線 1、2、3 各自對應的是在工作溫度 T1, T2, T3所量得的結果，

則 T1＜T2＜T3

(B)儀表 A 與 D 可以是電流表

(C)儀表 B 與 C 可以是示波器或電壓表

(D)此電路架構為共射極組態。 雙極性接面電晶體之特性實驗

圖(十五) 圖(十六)

_____ 46. 有關圖(十七)的電路設計，下列敘述何者正確？

(A)屬於射極回授偏壓的設計

(B)電容 CE 對交流信號是短路，因此

屬於共基極的設計

(C)電容 CC 對交流信號是短路，因此

屬於集極回授偏壓的設計

(D)屬於共集極的設計。電晶體直流偏壓電路實驗

_____ 47. 下列有關達靈頓(Darlington)電路的敘述何者錯誤？

(A)達靈頓電路可由 1 個 PNP 電晶體與 1 個 NPN 電晶體構成 (B)達

靈頓電路可由 2 個 PNP 電晶體構成 (C)達靈頓電路為直接耦合串級

放大電路 (D)達靈頓電路特點是輸入阻抗很小。 串級放大電路實驗

_____ 48. 台灣的積體電路製造公司每年貢獻政府非常多的稅收與就業機會，關

於其製造的 MOSFET 電晶體特性，下列敘述何者正確？

(A)MOSFET 電晶體是以電壓控制的元件

(B)MOSFET 電晶體是以電流控制的元件

(C)MOSFET 電晶體的閘極電流 IG大於汲極電流 ID是正常現象

(D)N 通道 MOSFET 電晶體是以電洞作為主要傳輸載子。

場效電晶體之特性實驗

45.(A) 46.(A) 47.(D) 48.(A)

圖(十七)

105～10 【105】四技二專統一入學測驗

_____ 49. 下列有關場效電晶體放大器之敘述何者錯誤？

(A)共源極(CS)放大器輸入阻抗大，適合輸入電壓訊號

(B)共閘極(CG)放大器輸入阻抗小，適合輸入電流訊號

(C)共汲極(CD)放大器輸出與輸入電壓訊號同相，適合作電壓放大器

(D)共汲極(CD)放大器輸入阻抗大，適合輸入電壓訊號。

場效電晶體放大器電路實驗

_____ 50. 關於運算放大器(OPA)應用電路的實現，下列何者為正確？

(A)利用運算放大器(OPA)實現非零電位檢測器時，OPA 需使用負回

授電路架構

(B)利用運算放大器(OPA)實現減法器時，OPA 之非反相輸入端電壓會

追隨反相輸入端電壓

(C)利用運算放大器(OPA)實現反相放大器時，此反相放大器之輸入阻

抗為無限大

(D)利用運算放大器(OPA)實現積分器時，OPA 會工作於線性區。

運算放大器應用電路實驗

_____ 51. 小明上電子學實習課時，詳細聽老師講解運算放大器的理想特性與應

用後，終於知道理想的運算放大器有幾項特點。由此，當選擇運算放

大器來設計反相放大器時，下列何者錯誤？

(A)運算放大器的輸入阻抗愈大愈好

(B)運算放大器的共模拒斥比(CMRR)，愈大愈能抑制雜訊效應

(C)運算放大器的差模增益 Ad愈小愈好

(D)運算放大器的共模增益 Ac愈小愈好。運算放大器應用電路實驗

_____ 52. 下列有關振盪器的敘述何者錯誤？

(A)石英晶體振盪電路振盪頻率穩定性差

(B)方波產生電路又稱為多諧振盪器

(C)輸入一觸發脈衝信號可產出一特定的矩形波信號之電路稱為單穩

態多諧振盪器

(D)韋恩(Wien)電橋振盪器可產生正弦波電壓波形。

基本振盪電路實驗

49.(C) 50.(D) 51.(C) 52.(A)

【105】四技二專統一入學測驗 105～11

休息一下！看我一眼，茅塞頓開 析

電機類、資電類專業科目(一)─電子學

1. 1 2

1 2

10V t ( 2V) t

t t

＋－

＋

× ×＝5.2V，

1

2

t 72

t 48＝

工作週期＝1

1 2

t

t t＋×100%＝

72

120×100%＝60%

2. (A)∵二極體順向電壓 VD 增加，則順向電流 ID 也增加擴散電容 CD＝D

T

I

V

∴ID增加，擴散電容 CD增加 (C)二極體順向電壓 VD增加，空乏區寬度變

小 (D)二極體順向電壓 VD增加，障壁電壓不變。

3. 15.1 V 0.7

1kΩ

－ －＝

1V

1kΩ＋

1V 0.7

1kΩ

－ 1V 1.7V＝

ID2＝1V 0.7

1kΩ

－＝1mA

4. (A)(B)此電路為雙截波電路，－6.6V ≤ Vo ≤ 6.6V

(D)Vo最小值為－6.6V

5. (1) 當 Vi＝2V 時，二極體導通，此時 VC＝VREF－2V，Vo1＝VREF

(2) 當 Vi＝10V 時，二極體截止，此時 Vo2＝10V＋VC＝10V＋VREF－2V

(3) Vo平均值＝o1 o2V V

2

＋＝8V

REF REFV 10V V 2V

2

＋ ＋ －＝8V VREF＝4V

6. 提高雙極性接面電晶體(BJT)的電流放大率的方法是：

(1) 射極雜質濃度增加→IE↑

(2) 基極寬度變窄→IB↓ ＝C E B

B B

I I I

I I

－＝ ， 會上升

7. 共基極放大電路：

(A)輸出電流為集極電流 IC (B)輸入電流為射極電流 IE (D)輸入與輸出電

壓同相。

8. IE＝(1＋)IB＝100×50A＝5mA

VCC＝VCE＋(500Ω＋RE)IE 10V＝5V＋5mA×(500Ω＋RE)

RE＝500Ω

解

105～12 【105】四技二專統一入學測驗

9. VTH＝10V×20k

20k 30k

＋＝4V，RTH＝20kΩ//30kΩ＝12kΩ

VTH＝RTH×IB＋VBE＋(1＋)IBRE

4V＝12kΩ×40A＋0.7V＋100×40A×RE

RE＝3.3V 12k 40 A

100 40 A

－ ×

×＝705Ω

10. 此電路為 CC，

Z1 ＝200k//200k// [ r＋(1＋)(RE//RL)]

≒200k//200k// [100×(6k//3k)]≒200k//200k// 200k≒66.7kΩ

AV＝E L

E L

(1 )(R // R )

r (1 )(R // R )

＋

＋≒1

Ai

o

o iLV

ii L

i

v

i ZRA

vi R

Z

＝ ＝ ＝ × ≒1×66.7k

3k

≒22

11. (D)CQ BQ

mTT T

BQ

I Ig

VV V r

I

×＝ ＝ ＝ ＝

12. 此電路為 CB，C L

V

e

R // RA

r＝ ≒

C L

e

R // R

r 200＝

CR // 10k

20

RC//10kΩ＝4kΩ C

C

R 10k

R 10k

×

＋＝4kΩ ∴RC＝6.7kΩ 6.8kΩ

13. 影響低頻響應的是耦合電容與旁路電容

(1)因為耦合電容在低頻時，電容抗很大，所以使下一級輸入信號電壓降低，

使總電壓增益降低。(2)射極旁路電容，在低頻時，其電容抗很大，無法使

RE電阻短路，因此電壓增益降低。

14. R2＝80Ω//80Ω//80Ω//80Ω＝20Ω

R1＝72kΩ 1 1 2

2 2

R N

R N＝( )

1 1

2 2

N R 72k 3600 60

N R 20 1 1

＝ ＝ ＝ ＝

15. (A)為 N 通道 JFET

(C)為 N 通道空乏型 MOSFET

(D)為 PNP BJT

16. ID＝K(VGS－Vth)2 0.5mA＝0.5mA/V

2 (VGS－2V)

2 VGS＝3V

【105】四技二專統一入學測驗 105～13

又VGS＝VG－VS＝10V×2M

3M 2M＋－IDRS 3V＝4V－0.5mA×RSRS＝2kΩ

17. VGS＝VG－VS＝－6V－0＝－6V

∵ VP＝－4V ∴ VGS＜VP ∴ JFET 截止 ID＝0mA

18. VGS＝VG－VS＝－2V－1mA×1k＝－2－1＝－3V

又 ID＝IDSS(1－GS

P

V

V)2 1mA＝IDSS(1－

3

4

－

－)2 IDSS＝16mA

DSS GSm

P P

2I Vg (1 )

V V＝ －

2 16mA 3

4 4

× －＝ (1－ )＝

－ －2ms

m D LV

m S

g (R // R ) 2m (6k // 4k)A

1 g R 1 2m 1k

－ ×＝－ ＝

＋ ＋ ×＝－1.6

19. AV＝m d S L

m d S L

g (r // R // R )

1 g (r // R // R )＋＝

2m (50k //6k // 3k)

1 2m (50k //6k // 3k)

×

＋ ×≒0.79

20. AV＝－10k

1k

＝－10

21. Vo＝6.2V×(1＋5k

5k)＝12.4V

22.

Vo1 ＝1V×(－30k

10k)＋2V×(－

30k

20k)＋3V×(－

30k

30k)

＝－3V－3V－3V＝－9V

Vo ＝－9V×(－30k

30k)＝9V

23. (B)無穩態多諧振盪器無輸入觸發信號。

24. 此電路為反相輸入型樞密特觸發電路，VU＝Vr2

1 2

R

R R＋＋Vsat

1

1 2

R

R R＋

VL＝Vr2

1 2

R

R R＋－Vsat

1

1 2

R

R R＋ VH＝VU－VL＝Vsat

1

1 2

2R

R R＋

25. 三角波信號產生電路可以應用樞密特觸發電路與積分器電路組成。

105～14 【105】四技二專統一入學測驗

電機類專業科目(二)─電子學實習

26. 10V×L

L

R5V

100 R

＋ LR 100Ω

PZ＝VZ×IZM，200mW＝5V×IZM IZM＝40mA

I1＝IZM＋IL(min)

L(max)

L(max)

10 5V 5V40mA R 500

100 R

－＝ ＋ ＝ ∴RL為 100Ω～500Ω

27. 此電路為雙截波器

vo為 8V 以下以及－3V 以上有輸出

∴ o(av)

8 ( 3)v

2

＋－＝ ＝2.5V

28. (A)當 vi＞ E(3V)

V D ONvo＝VE＝＋3 (B)當－3V＜vi＜ E(3V)

V D ON vo＝

VE＝3V (C)當 vi＞ E(3V)

V D ON vo＝VE＝＋3V (D)當－10V＜vi＜

－ E( 3V)

V－

D OFF vo＝vi 故(A)(B)(D)錯。

29.

則 腳為基極

30. 此電路為集極回授偏壓電路

BI ≒CC BE

B C

V V

R (1 )R

－

＋ ＋ 0.03mA≒

B

12 0.7

R 121 2.2k

－

＋ × ∴ RB≒110.5kΩ

31. th

85kV 12V 6.8V

65k 85k＝ × ＝

＋

Rth＝65kΩ//85kΩ＝65k 85k

65k 85k

×

＋≒36.8kΩ

th BEB

th E

V V 6.8 0.7I

R (1 )R 36.8k 101 3k

－ －＝ ＝

＋ ＋ ＋ ×≒18A

IC＝IB＝100×18A＝1.8mA

VCE＝VCC－IERE≒VCC－ICRE≒12V－1.8mA×3k≒6.6V

32. Zi＝RB1//RB2//r＝45kΩ//5kΩ//1kΩ＝4.5kΩ//1kΩ＝0.818kΩ＝818Ω

33. vo(P) ＝AV×vi(P)＝100×20mV＝2V 又 CE 之 vo與 vi為反相

∴ vo(t)＝2sin(t＋)＝－2sin(t)V

【105】四技二專統一入學測驗 105～15

34. (A)RC 耦合串級放大器之前後級阻抗匹配不易 (C)變壓器耦合串級放大器

有直流隔離作用 (D)RC 耦合串級放大器之前後級直流工作點不會相互影

響，因為電容器可以阻離直流。

35. ID＝K(VGS－Vt)2 2mA＝K(6－4V)

2 K＝

1

2mA/V

2

又 8mA＝1

2mA/V

2(VGS－4)

2 VGS＝8V

36. 此電路為共源極放大器，(A)Zi＝RG (B)Zo＝RD (C)vo與 vi反相 (D)Zi＝RG。

37. vi＝16V×6k

6k 6k＋＝8V

又 vo＝V－＝V＋＝vi＝8V

38. 此電路為減法器 vo＝(v2－vi)×40k

10k

∴ vo＝(－1－vi)×40k

10k 8V＝(－1－vi)×4

∴ vi＝－3V

39. (A)為無穩態多諧振盪器

(B)C2之功用為降低雜訊干擾

(C)正常工作下，C1之電壓 vC最高值為2

3VCC (D)vo之波形脈波

40. (A)VU ＝Vref×1 2

2

R R

R

＋＋Vsat×

1

2

R

R＝(－2)×

10k 100k

100k

＋＋12×

10k

100k＝－1V

(B)VL ＝Vref×1 2

2

R R

R

＋－Vsat×

1

2

R

R

＝(－2)×10k 100k

100k

＋－12×

10k

100k＝－3.4V

(C)此電路為非反相樞密特電路

(D)當 vi＝1V 時，vi＞VU 1V＞－1V vo＝＋Vsat≒＋12V

資電機類專業科目(二)─電子學實習

41. DCV ＝ P

2V

＝0.636 PV 3.7＝ P0.636 V× PV ≒5.8V

∴ P PV ＝5.8 2× ＝11.6V≒12V

42. 示波器面板上 CAL 是 1KHz 的方波。

105～16 【105】四技二專統一入學測驗

43. r(rms)V ＝2V

2 2＝0.707V， dcV ＝ mV － r(P)V ＝10V－1V＝9V

r(%)＝r(rms)

dc

V

V×100%＝

0.707V

9V×100%＝8%

44. 該電路為偏壓型箝位電路。

45. (A)矽電晶體的 VBE 約為 0.7V，溫度每升高

1C，VBE下降 2.5mV（P－2.5mV/C），故 3 條

曲線中，T1＞T2＞T3。

46. (B)電容器 CE對交流信號是短路，所以是共射極放大器 (C)電容器 CC對交

流信號是短路，屬於射極回授偏壓電路 (D)屬於共射極的設計。

47. (D)達靈頓電路特點是輸入阻抗很大。

48. (B)MOSFET 電晶體是以電壓控制的元件 (C)MOSFET 的閘極電流 IG＝0，

故 IG＜ID (D)N 通道 MOSFET 電晶體是以自由電子為主要傳輸載子。

49. 共汲極（CD）放大器 vｏ與 vi同相，且 AV＜1，不適合作電壓放大器。

50. (A)運算放大器（OPA）實現非零電位檢測器，需利用 OPA 開迴路增益無限

大的特性，故不需外加任何回授元件 (B)運算放大器（OPA）實現減法器，

非反相輸入端（V+）電壓不會追隨反相輸入端（V－）的電壓 (C)運算放大

器（OPA）實現反相放大器，輸入阻抗 Zi＝R1。

51. (C)運算放大器差模增益 Ad愈大愈好。

52. (A)石英晶體振盪器振盪頻率穩定性佳。