东芝功率器件 Toshiba Discrete Devices for Power Supply

Copyright 2013 ， Toshiba Corporation. 東芝電子（上海）有限公司

东芝功率器件 Toshiba Discrete Devices for Power Supply

31 Aug. 201331 Aug. 2013 　

2東芝電子（上海）有限公司　 TOSHIBA ELECTRONICS （ SHANGHAI ） CO. ， LTD.

目录

东芝集团业务简介东芝分立器件简介功率器件的发展趋势（高压 MOS ，低压 MOS ）新材料功率器件（ SiC ， GaN ）电源的拓扑结构及东芝功率器件的产品线

• AC-DC ： Flyback ， Forward ， Half Bridge ， Full Bridge

• DC-DC ： Forward ， Push Pull ， Half Bridge ， Full Bridge （ Isolation type ）东芝官网分立器件参数模拟快速入门销售渠道



通过能源技术和存储技术的创新以及信息技术提供解决方案


东芝集团业务分布


各种业务领域的状态和目标


半导体 & 存储产品公司



分立器件

C-MOS Logic / 1 Gate Logic

Bus Switch Level Shifter

MOS FET/BRT

OP-AMP/Comparator

Diode （ SW/SBD / ESD etc）

RF Tr / Di

Power MOS FET （ HV-MOS/LV-MOS）

Power Di （ SBD / ZD）

Intelligent Power Device （ HV-IPD / LV-IPD ）

IGBT / IEGT

PhotoCoupler

White LED

Load Sw IC / Regulator

SOI Switch

BJT

Fiber Coupler （ TOSLINK）

Power MOS FET （ HV-MOS / LV-MOS ）

Compound Material （ SiC / GaN power ）

功率器件

标准的逻辑器件

小信号分立器件

光耦

分立器件简介


工业变频器 1700-4500V工业变频器 1700-4500V

电力机车

牵引、电力转换器、工业变频器牵引、电力转换器、工业变频器

变频器电力转换器

PMI PPI

大功率器件



GaNGaNGaNGaN

高速开关的应用高速开关的应用高速开关的应用高速开关的应用LV-MOSLV-MOSLV-MOSLV-MOS

SiCSiCSiCSiC

针对于大功率针对于大功率针对于大功率针对于大功率

U-MOSⅧ致力于提高效率

U-MOSⅧ致力于提高效率

HV-MOSHV-MOSHV-MOSHV-MOS

重点推出第四代DTMOS .Ⅳ

重点推出第四代DTMOS .Ⅳ

1

0.1

1 10 100 1000 10000

主要的产品


-MOSⅦ （ 400V / 500V / 600V / 650V ）

DTMOSⅡ（ 600V / 650V ）

CY ：2010 　 2012 　 2013 　 2014 　2011 　

-MOSⅦ（ 200V / 250V / 300V ）

　　 -MOSⅤ

-MOSⅣ（ 800V / 900V ）

DTMOSⅢ （ 600V ）

-MOSⅥ

U-MOSⅣ

U-MOS -HⅦ （ 30V ）　　　 U-MOS -HⅧ （ 30V ）

　　　 U-MOS -H Ⅷ（ 150V / 200V / 250V ）

Ⅸ-H

　　　HV-DTMOS

（ 800V / 900V ）

VDSS

15

-MOSⅧ（ 800V / 900V ）

U-MOS -HⅨ （ 40V-120V ）U-MOS -HⅧ （ 60V-120V ）

-MOS

-MOS

DTMOSⅣ （ 600V / 650V ）Fast Diode added

DTMOS Ⅴ（ 500V / 600V / 650V ）

DTMOSⅢ （ 700V / 4A ）

100V

300V

200V

500V

400V

700V

600V

900V

800V

DTMOS ⅣHigh Speed Switching

DTMOS

东芝功率 MOSFET 的发展蓝图


Standard TO-220 for HVMOS and LVMOS （ SR-MOS ）

CY ：2010 　 2012 　 2013 　 2014 　2011 　

TO-220SIS （ FP ） for HVMOS and LVMOS （ SR-MOS ）

Standard D-paksince p-MOS & DT3Ⅶ

TO-3P （ N ） for HVMOS （ -MOS / DTMOS ）

3x3mm for LVMOS （ U-MOS series ）

8x8mm DFN for DTMOS （ Since DTMOSⅣ ）

TO-247 for DTMOS

Standard D2-pak ， I2-pak for HVMOS （ Since DTMOSⅢ ）

TO-3P （ L ） for HVMOS （ High Current ）

5x6mm for LVMOS （ U-MOS series ）

Standard I-pak for HVMOS （ Since DTMOSⅢ ）

15

Both-Side Cooling

东芝功率 MOSFET 封装发展蓝图


【 Ron*A Improvement 】

In the same die size

RDSon can be reduced“30%”In the same RDSon

Die size can reduce 30%

【 Ron*A Improvement 】

In the same die size

RDSon can be reduced“30%”In the same RDSon

Die size can reduce 30%

DT3Size=100

RDSon=100

DT4Size=100

RDSon=70

DT4Size=70

RDSon=100

Size ： Chip SizeRDSon ： On resistance

1. Single-EPI （ SE ） Process Multi EPI

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Single-EPI

　

1. Single-EPI （ SE ） Process Multi EPI

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Single-EPI

　

New Generations

DTMOSⅣTarget for future Gen.

DTMOSⅤ

Ron

A（

mW

cm2）

10

0

20

30

40

‘03 ‘07 ‘11

50

AB

C

C

‘09‘05‘01

B

C

‘13

DTMOSⅢ

DTMOSⅠ

DTMOSⅡ

‘15

C

DTMOS 拥有超低内阻和丰富的封装，可以支持更高效率，更紧凑的电源设计方案DTMOS 拥有超低内阻和丰富的封装，可以支持更高效率，更紧凑的电源设计方案

Super Junction MOSFET （ DTMOS ）研发趋势


10

100

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

SE

ME

Super Junction

Type

Si limit （ 88 ）

MOSⅦ （ 100% ） DTMOSⅢ （ ME ）（ 25% ）

ME limit （ 20 ） DTMOSⅣ （ SE ）（ 16% ）

SE limit （ 8.8 ）

Ron ・ A Improvement （ Normalized ）

▲33%

Multi EPI ：

Single-EPI ：

Single-EPI 工艺的优势在于提高了器件的性能Single-EPI 工艺的优势在于提高了器件的性能

Single-EPI 工艺可使得制程时间减少 33%

DTMOS Ⅳ 最新工艺 Single-EPI 的优势


New

We will consider the additional line up （ other voltage ， with HSD etc... ） due to the market inquiry

Improvement by Fine patterning and Optimized Vertical profile

Optimization Gate layout and structure

DTMOSⅣ 性能的优化


DTMOSⅣ 优化了内阻的温度系数

SE 工艺使得在 MOS 管在较高的结温状态下也能保持较低的内阻，从而可以提高电源模块的效率。

SE 工艺使得在 MOS 管在较高的结温状态下也能保持较低的内阻，从而可以提高电源模块的效率。

A1

A2

B2

B1

DTMOSⅣ 的优势


0

1

2

3

4

5

6

7

0 100 200 300 400 500

Eoff (u

J)

VDS (V)

Conditions ： VDS=0 to 400V ， VGS=0 ， Ta=25℃Conditions ： VDS=0 to 400V ， VGS=0 ， Ta=25℃

DTMOSIII ： TK18A60VCompetitor A

Competitor BDTMOSII ： TK20A60U

20%reduction

20%reduction

Eos

s（

mJ

）

超级结的独特结构造成了较高的输出电容，从而导致电源模块在轻载时效率不好。相比于DTMOSⅢ ， DTMOSⅣ 的输出电容减少了 12% ，从而提高了在轻载时的效率。超级结的独特结构造成了较高的输出电容，从而导致电源模块在轻载时效率不好。相比于DTMOSⅢ ， DTMOSⅣ 的输出电容减少了 12% ，从而提高了在轻载时的效率。

12%reduction

12%reduction

DTMOSIV ： TK16A60W

DTMOSⅣ ： Eoss


・ Efficiency vs. OutputConditions ： 120W SPS board PFC stage ， Rg=10ΩConditions ： 120W SPS board PFC stage ， Rg=10Ω

： DTMOSII 0.19Ωmax

： DTMOSIII 0.19Ωmax

： DTMOSIV 0.19Ωmax

： IPA60R199CP 0.199Ω

： IPA60R190C6 0.19Ω

： SPA20N60C3 0.19Ω

： DTMOSII 0.19Ωmax

： DTMOSIII 0.19Ωmax

： DTMOSIV 0.19Ωmax

： IPA60R199CP 0.199Ω

： IPA60R190C6 0.19Ω

： SPA20N60C3 0.19Ω

相比于其他同规格的竞争者， DTMOSⅣ 在所有的功率段都能保持较高的效率相比于其他同规格的竞争者， DTMOSⅣ 在所有的功率段都能保持较高的效率

80

82

84

86

88

20 40 60 80 100 120 140

Effi

cie

ncy

(%)

Output power (W)

TK20A60U

TK18A60V

TK16A60W

Cool CP

Cool C6

Cool C3

TK20A60U：0.19Ω DTII TK18A60V：0.19Ω DTIIITK16A60W：0.19Ω DTIV

A1 : 0.199ΩA2 : 0.19ΩA3 : 0.19Ω

DTMOSⅣ ：效率的评估（ 120W SMPS ）


Main Market 2011 2012 2013 2014 2015

Nch

30V

NBPC

Li ion battery

DC-DC

Game

Server

40V AC-DC

DC-DC

Automotive

Motor60-120V

150-250V

DC-DC

Pch

20-100V

PMS

Automotive

U-MOSⅧU-MOSⅧ U-MOSⅨ

Pi-MOS / Ⅴ ⅦBest-in-class RonCiss

TK100E10N1 ： Ron=3.4mOhm （ max ） @10V in TO-220TPH4R50ANH ： Ron=4.5mOhm （ max ） @10V in SOP Advance

U-MOSⅧU-MOSⅧ

U-MOSⅧRonA = 10.8mΩ*mm2 （ 30V ）

U-MOSⅣRonA=16mΩ*mm2 （ 30V ）

U-MOS / Ⅳ Ⅵ U-MOSⅨ

U-MOSⅦTPCA8055-H

Ron=1.9mOhm （ max ） @10V

U-MOSⅧU-MOSⅧTPHR9003NH

Ron=0.9mOhm （ max ） @10V

U-MOSⅨ

Ron=0.7m （ typ. ） @10V in SOP Advance

（ CY ）LVMOS 发展蓝图（ Silicon ）


U-MOS -HⅧ 扩大了产品线，可以满足不同市场的需求 U-MOS -HⅧ 扩大了产品线，可以满足不同市场的需求

U-MOS -HⅧ 产品线


TK72E12N1 （ U-MOSⅧ / 120V / 4.4mΩ ）

TK72E12N1 （ U-MOSⅧ / 120V / 4.4mΩ ）

Competitor A （ 120V / 4.1mΩ ）Competitor A （ 120V / 4.1mΩ ）

Test condition ： 120W NBPC ADP ， Vin=100VAC ， Vout=19.5V

TK65E10N1 （ U-MOS /100VⅧ / 4.0mΩtyp ）TK65E10N1 （ U-MOS /100VⅧ / 4.0mΩtyp ）

Test condition ： 120W NBPC ADP ， Vin= 100VAC ， Vout=19.5V

VDS=120V VDS=100V

TK65E10N1 效率的对比




Competitor A （ 100V / 3.9mΩtyp ）Competitor A （ 100V / 3.9mΩtyp ）

轻载时TK65E10N1 更好！

轻载时TK65E10N1 更好！

TK72E12N1 一直保持了较高的效率！

TK72E12N1 一直保持了较高的效率！

优势 !!优势 !!

优势 !!优势 !!

U-MOS -HⅧ 效率的对比（ LVMOS ）


新材料功率器件


1. SiC 器件：相比于 Si ，可以实现低损耗 & 大容量2. GaN 器件：相比于 Si ，可以实现低损耗 & 更快的开关速度

复合型原材料的应用领域


原材料物理性能的对比


Si

SiC

GaN

Ron ・ A Limit of Si ， SiC ， GaN （ Theoretical value ）


VRRM

（ V ）

Currentrating（ A ）

TO-220 （ 2Leads ）

D2PAK（ 1 pin N.C ）

TO-220FP （ 2Leads ）

TO-247 （ Center Tap ）

650

6 TRS6E65C MP: OK

TRS6G65C* ES: Oct.13 MP: Jan.14

TRS6A65C* ES: 3Q.13

MP: 4Q.13

8 TRS8E65C MP: OK


TRS8A65C* ES: 3Q.13

MP: 4Q.13

10

TRS10E65C ES: OK MP: Aug.13


TRS10A65C* ES: 3Q.13

MP: 4Q.13

12 TRS12E65C MP: OK


TRS12A65C* ES: 3Q.13

MP: 4Q.13

TRS12N65D* ES: Oct.13

MP: Dec.13

16 TRS16N65D* ES: Oct.13

MP: Dec.13


MP: Dec.13


MP: Dec.13

*Under development

SiC-SBD 产品线


电源的拓扑结构及东芝功率器件的产品线


功率 MOS 管是开关电源的主要的器件

各种应用的开关电源及其电路结构

Separately ExcitedUp to around 70W

（ Constant operating frequency ）

AC-DC FlybackPower Supplies

开关电源

AC-DC ResonantHalf / Ful-BridgePower SuppliesUp to around 800W（ Constant operating frequency ）

Self-ExcitedUp to around 40W（ Variable operating

frequency ）

Power supplies for FPD TVsDesktop PCsServers

Notebook PC adaptors Chargers for portable products LCD adaptors PC peripherals Power supplies Standby power supplies and small adapters

AC-DC ForwardPower SuppliesUp to around 200W（ Constant operating frequency ）

Desktop PCsPower supplies for game consolesMultifunction printersIndustrial power supplies

DC-DC ConvertersIsolated

Non-isolated Output ： Around 50W

On-board DC-DC ConvertersNotebook PCsPower supplies for CPUsRegulator circuits Communications equipment


ElectricalElectricalOutletOutlet

ElectricalElectricalOutletOutlet

PFCPFC DC-DCDC-DCConverterConverter

RectifierRectifierAC-DCAC-DC

DC-DCDC-DCConverterConverter



Secondary side

AC-DC （ PFC ） Non-Isolated DC-DC

Primary side

Flyback Type Flyback Type Forward TypeForward Type

Half-Bridge TypeHalf-Bridge TypeFull-Bridge Type Full-Bridge Type

DC-DCDC-DCnon-non-

IsolatedIsolated

主要的电源拓扑结构


VIN=220VAC

-

+ -

+

Detect & Compare Control Circuit PFC Control SwitchPFC Control SwitchHigh-voltage

MOSFETMain SwitchMain SwitchHigh-voltage

MOSFET

Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage

MOSFET

Output

PFCFlybackAC-DC

反击式的拓扑结构是最简单，且元器件应用最少的一种拓扑，适用于低功率的电源。

反击式 AC-DC

反击式 AC-DC


正激式 AC-DC

VIN=220VAC

-

+ -

+

Detect & Compare Control Circuit

Main SwitchMain SwitchHigh-voltage

MOSFET

Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage

MOSFET

PFC Control Switch PFC Control Switch High-voltage

MOSFET

Output

Forward PFCAC-DC

正激式 AC-DC


半桥谐振 AC-DC半桥谐振电源适用于从 150W 至 1kW 相对较高的大功率电源应用。两个晶体管与输入供电电压串联

连接，降低输入电压适于变压器初级端的半桥结构。这部分也可能应用低压的晶体管。

-

+

-

+

-

+

Detect & Compare Control Circuit

Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage MOSFET

（ Synchronous rectification ）

Output

Half-Bridge

VIN=220VAC

-

+

PFC

AC-DC


MOSFET

PFC Control SwitchPFC Control SwitchHigh-voltage

MOSFET

半桥式 AC-DC


AC-DC 转换器（隔离 / 全桥）隔离的 DC-DC 转换器广泛用于初级端和次级端电压变化较大的变压器。隔离正激式转换器和隔离全桥式转换器可以达到 800W 。大部分 PC 电源使用隔离式 DC-DC 转换器。

Control Circuit

Drive Circuit

Secondary Secondary SwitchSwitch

Low-voltageMOSFET


MOSFET

Output

VIN=220VAC

-

+

PFCAC-DC Full Bridge

全桥 AC-DC


DC-DC 转换器（非隔离） DC-DC 转换器将一个直流电从一个电压级别到另一个电压级别。然而非隔离 DC-DC 转换器被初级端用于 1W-30W 的转换，高于 100W 需要增加一个 MOSFET 。许多 DC-DC 转换器被应用于变得更小更轻，功能丰富的移动电话和移动设备。

-

+

DC-DCController

DC-DC ConversionDC-DC ConversionLow-voltage

MOSFET

Output

DC-DC 转换器　


正激推挽+Vin

Control Circuit

+Vout

DriveCircuit

半桥+Vin

Control Circuit+Vout

DriveCircuit

全桥+Vin

Control Circuit

+Vout

DriveCircuit

MOSFET VDSS

Primary ： 100-250V Secondary ： 20-150V

+Vin +Vout

DriveCircuit

Control Circuit

隔离的 DC-DC 转换器的拓扑结构


ID （ A ）Ron Max

D-PAK（ TO-25

2 ）

I-PAK（ TO-25

3 ）

I2-PAK（ TO-26

2 ）D2-PAK

（ TO-263 ） 8x8mm DFN TO-220 TO-220SIS TO-3P（ N ） TO-247 TO-3P （ L ）

5.4A0.9Ω

TK5P60W ES: OKMP: OK

TK5Q60W ES: OK MP: OK

TK5A60WES: OK MP: OK

6.2A0.75Ω

TK6P60W ES: OK MP: OK

TK6Q60W ES: OK 　　　　　　　　 MP: OK

TK6A60W ES: OK

MP: OK

7A0.6Ω


TK7Q60W ES: OK MP: OK

TK7A60WES: OKMP: OK

8A0.5Ω

TK8P60WES: OK 　

MP: OK

TK8Q60W ES: OK

MP: OK

TK8A60WES: OK MP: OK

9.8A0.38Ω


TK10Q60W ES: OK 　　　　　　　　　　 MP:

OK

TK10V60W ES: OK

MP: Aug.13

TK10E60W ES:

OK MP: OK

TK10A60W ES: OK MP:

OK

11.5A0.3Ω

TK12P60W ES: OK 　　　　　　　　　　 MP:

OK

TK12Q60W ES: OK 　　　　　　　　　　 MP:

OK

TK12V60WES: OK

MP: Aug.13

TK12E60W　　　　

ES: OK MP: OK

TK12A60W ES: OK MP: OK

TK12J60W ES: OK MP: OK

15.8A0.19Ω

TK16C60W ES: OK

MP: Aug.13

TK16G60W ES: OK

MP: OK

TK16V60W ES: OKMP: OK

TK16E60W ES: OK

MP: OK

TK16A60W ES: OK

MP: OK


TK16N60W ES: OK

MP: Aug.13

（ 20 ） A0.16Ω

TK20C60W ES: OK

MP: Aug.13

TK20G60W ES:

OKMP: Aug.13


TK20E60W ES: OKMP: OK

TK20A60W ES ： OKMP: OK

TK20J60W ES ： Feb.12MP: OK

TK20N60W ES: OKMP: OK

30.8A0.088Ω


TK31E60W ES: OKMP: OK

TK31A60W ES: OK MP: OK


TK31N60W ES: OK MP: OK

38.8A0.065Ω

Under investigation

TK39A60W ES ： OKMP: OK


TK39N60W ES: OK

MP: Aug.13

61.8A0.038Ω

TK62J60W ES: OK

MP: OK

TK62N60W ES: OK MP: Aug.13

100A0.018Ω

TK100L60W ES: OKMP: OK

0.43Ω

0.34Ω 0.34Ω

0.43Ω

Schedule as CYSchedule as CY

0.82Ω 0.82Ω

Low Rdson only available

by DTMOS4

Variety of package lineups!（ 8x8 and TO-247 are newly added ）

DTMOSⅣ （ VDS=600V ）产品线（ Schedule as CY ）

Already on MP


Already on MP

RDS （ ON ）

max.

D-PAK（ TO-252 ）

D2-PAK（ TO-263 ） TO-220 TO-220SIS TO-3P （ N ） TO-247

（ 0.65-0.67 ）TK7P60W5

ES: OKMP: Sep.13

TK7A60W5 ES: OK

MP: Sep.13

（ 0.54-0.56 ）

TK8P60W5 （ 0.56Ω ） ES: OK

MP: Sep.13

TK8A60W5 （ 0.54Ω ）ES: OK

MP: Sep.13

0.45TK10A60W5

ES: OKMP: Sep.13

0.23TK16G60W5

ES: OKMP: Oct.13

TK16E60W5 ES: OK

MP: Oct.13

TK16A60W5 ES: OKMP: OK

TK16J60W5 ES: OK

MP: Oct.13

TK16N60W5 ES: OK

MP: Oct.13

0.175TK20A60W5

ES: OKMP: Aug.13

TK20J60W5 ES: OK

MP: Oct.13

0.099TK31J60W5

ES: OKMP: OK

TK31N60W5 ES: OK

MP: Oct.13

0.074TK39J60W5

ES: OKMP: OK

TK39N60W5 ES: OK

MP: Oct.13

（ 0.045 ）TK62J60W5

ES: OKMP: Oct.13

DTMOSⅣ （ VDS=600V ，快恢复二极管）产品线（ Scheduled as

CY ）


TO-220SISTO-220SIS

TO-247TO-247

RDS （ ON ）

max.D2-PAK

（ TO-263 ）I2-PAK

（ TO-262 ） TO-220 TO-220SIS TO-247

0.39TK11A65W

ES: OKMP: Aug.13

0.25

TK14G65W

ES: OKMP: Sep.13

TK14C65W ES: OK

MP: Sep.13

TK14E65W

ES: OKMP: Sep.13

TK14A65W ES: OKMP: Aug.13

TK14N65W ES: OK

MP: Sep.13

（ 0.2 ）

TK17E65W

ES: OKMP: Sep.13

TK17A65W

ES: OKMP: Sep.13

TK17N65W ES: OKMP: Sep.13

（ 0.11 ）TK28N65W

ES ： OKMP ： Oct.13

（ 0.080 ）TK35A60W

ES: OKMP: Aug.13

TK35N65W ES: OKMP: Aug.13

（ 0.055 ）Ω

TK49N65W

ES: OK

MP: Aug.13

DTMOSⅣ （ VDS=650V ）产品线（ Scheduled as CY ）


TO-220SISTO-220SIS

TO-247TO-247

R DS （ ON ）

max.D2-PAK

（ TO-263 ）I2-PAK

（ TO-262 ）TO-220 TO-220SIS TO-247

0.3

TK14G65W5

ES: Aug.13MP: Oct.13

TK14C65W5ES: Aug.13MP: Oct.13

TK14E65W5


TK14A65W5 ES: OK

MP: Oct.13

TK14N65W5 ES: OK

MP: Oct.13

（ 0.23 ）

TK17A65W5

ES: OKMP: Oct.13

（ 0.13 ）

TK28N65W5 ES:

Aug.13MP: Oct.13

（ 0.095 ）TK35A60W5

ES: OKMP: Oct.13

TK35N65W5 ES:

Aug.13MP: Oct.13

（ 0.057 ）

TK49N65W5


DTMOSⅣ （ VDS=650V ，快恢复二极管）产品线（ Schedule as CY ）


5 x 6 S1DT7 205

3 x 3 S1CL9 200

5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112

3 x 3 S1CL8 126

5 x 6 S1DT2 64 TPH6400ENH 64 TPH5200FNH 52

3 x 3 S1CL7 59

5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29

3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33

5 x 6 TPH1500CNH 15.4

3 x 3 TPN22006NH 22

5 x 6 TPH14006NH 14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6

3 x 3 TPN14006NH 13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH 16

5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3

3 x 3 TPN11003NL 10.6

5 x 6 TPH8R903NL 8.9

3 x 3 TPN8R903NL 8.9

5 x 6 TPH7R506NH 7.5 TPH8R008NH 8 TPH8R80ANH 8.8

3 x 3 TPN7R506NH 7.5

5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9

3 x 3 TPN6R003NL 6

5 x 6 TPH4R003NL 4 TPH4R606NH 4.6 TPH4R008NH 4 TPH4R50ANH 4.5

3 x 3 TPN4R303NL 4.3

5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3

3 x 3 TPN2R703NL 2.7

5 x 6 TPH1R403NL 1.4

3 x 3

5 x 6 TPHR9003NL 0.9

3 x 3

Ron(10V)max

8mΩ

6mΩ

4mΩ

30mΩ

50mΩ

100mΩ

15mΩ

<1mΩ

12mΩ

>200mΩ

20mΩ

2mΩ

10mΩ

1mΩ

PKG250V30V

VDSS

100V 150V 200V80V60V

Full-Bridge Bus Converter

（ Vin=36-75V ， Vout=12V ）

Full-Bridge Bus Converter

（ Vin=36-75V ， Vout=12V ）

250-750W Primary & Secondary

150-250W Primary & Secondary

ORing

UMOS -HⅧ 应用于全桥中间母线电源转换器（ 1 ）

+Vin

Control Circuit

+Vout

DriveCircuit

+Vin

Control Circuit

+Vout

DriveCircuit


5 x 6 S1DT7 205

3 x 3 S1CL9 200

5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112

3 x 3 S1CL8 126


3 x 3 S1CL7 59

5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29

3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33

5 x 6 TPH1500CNH 15.4

3 x 3 TPN22006NH 22



5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3

3 x 3 TPN11003NL 10.6

5 x 6 TPH8R903NL 8.9

3 x 3 TPN8R903NL 8.9


3 x 3 TPN7R506NH 7.5

5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9

3 x 3 TPN6R003NL 6


3 x 3 TPN4R303NL 4.3

5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3

3 x 3 TPN2R703NL 2.7

5 x 6 TPH1R403NL 1.4

3 x 3

5 x 6 TPHR9003NL 0.9

3 x 3

Ron(10V)max

8mΩ

6mΩ

4mΩ

30mΩ

50mΩ

100mΩ

15mΩ

<1mΩ

12mΩ

>200mΩ

20mΩ

2mΩ

10mΩ

1mΩ

PKG250V30V

VDSS

100V 150V 200V80V60V

Isolated Forward Converter （ <100W ）

（ Vin=36-75V ， Vout=3.3-12V ）

Isolated Forward Converter （ <100W ）

（ Vin=36-75V ， Vout=3.3-12V ）

Secondary （ Vout=12V）

Primary

Secondary （ Vout=3.3-5V）

UMOS -HⅧ 应用于隔离的 DC-DC 转换器（ 2 ）

+Vin +Vout

DriveCircuit

Control Circuit

+Vin +Vout

DriveCircuit

Control Circuit


5 x 6 S1DT7 205

3 x 3 S1CL9 200

5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112

3 x 3 S1CL8 126


3 x 3 S1CL7 59

5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29

3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33

5 x 6 TPH1500CNH 15.4

3 x 3 TPN22006NH 22



5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3

3 x 3 TPN11003NL 10.6

5 x 6 TPH8R903NL 8.9

3 x 3 TPN8R903NL 8.9


3 x 3 TPN7R506NH 7.5

5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9

3 x 3 TPN6R003NL 6


3 x 3 TPN4R303NL 4.3

5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3

3 x 3 TPN2R703NL 2.7

5 x 6 TPH1R403NL 1.4

3 x 3

5 x 6 TPHR9003NL 0.9

3 x 3

Ron(10V)max

8mΩ

6mΩ

4mΩ

30mΩ

50mΩ

100mΩ

15mΩ

<1mΩ

12mΩ

>200mΩ

20mΩ

2mΩ

10mΩ

1mΩ

PKG250V30V

VDSS

100V 150V 200V80V60V

Half-Bridge Converter （ 100-200W ）

（ Vin=36-75V ， Vout=3.3-5V ）

Half-Bridge Converter （ 100-200W ）

（ Vin=36-75V ， Vout=3.3-5V ）

Secondary

Primary

UMOS -HⅧ 应用于隔离的 DC-DC 转换器（ 3 ）

+Vin


DriveCircuit

+Vin


DriveCircuit


5 x 6 S1DT7 205

3 x 3 S1CL9 200

5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112

3 x 3 S1CL8 126


3 x 3 S1CL7 59

5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29

3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33

5 x 6 TPH1500CNH 15.4

3 x 3 TPN22006NH 22



5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3

3 x 3 TPN11003NL 10.6

5 x 6 TPH8R903NL 8.9

3 x 3 TPN8R903NL 8.9


3 x 3 TPN7R506NH 7.5

5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9

3 x 3 TPN6R003NL 6


3 x 3 TPN4R303NL 4.3

5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3

3 x 3 TPN2R703NL 2.7

5 x 6 TPH1R403NL 1.4

3 x 3

5 x 6 TPHR9003NL 0.9

3 x 3

Ron(10V)max

8mΩ

6mΩ

4mΩ

30mΩ

50mΩ

100mΩ

15mΩ

<1mΩ

12mΩ

>200mΩ

20mΩ

2mΩ

10mΩ

1mΩ

PKG250V30V

VDSS

100V 150V 200V80V60V

POL （ Non-Isolated DC-DC ）

（ Vin=12V ）

POL （ Non-Isolated DC-DC ）

（ Vin=12V ）

POL

UMOS -HⅧ 应用于负载点（非隔离 DC-DC 转换器）



网页模拟器入口（ To be high-lighted more ）

网页模拟器入口设计 / 支持 - 网页模拟器


应用设计器应用设计器

For MOSFETFor MOSFET

For LDO/Load SWFor LDO/Load SW

交互式规格书交互式规格书

设计记录（即将启用）设计记录（即将启用）

什么是网页模拟器？（ 1 ）


Buck Conv.

Switching Simulation

交互式产品说明（电气的特性模拟）交互式产品说明（电气的特性模拟）

应用设计（电源电路的模拟）应用设计（电源电路的模拟）

ID-VDS

Qg



第二步生成

注册 & 登录



DT4 Planer UMOS7(X35) UMOS6/ 7 (X34) LDO Load SwitchTK5P60W TK10A60E TK30E06N1 TPH14006NH TPCA8055- H SSM3J 328R TCR2ENxx series TCK101GTK10A60W TK12A50E TK40E06N1 TPH7R506NH TPCA8056- H SSM6J 503NU TCR2EExx series TCK102GTK10P60W TK5A50D TK58E06N1 TPH5R906NH TPCA8057- H SSM6N57NU TCR2EFxx series TCK104GTK16A60W TK8A50D TK100E06N1 TPH4R606NH TPCA8058- H SSM6J 501NU TCR2DGxx series TCK105GTK31A60W TK10A50D TK35E08N1 TPH2R306NH TPCA8059- H SSM6K504NU TCR3DMxx series TCK106GTK39J 60W TK12A50D TK46E08N1 TPH12008NH TPCA8064- H SSM6P49NU 5 series TCK107GTK62J 60W TK15A50D TK72E08N1 TPH8R008NH TPCA8065- H SSM6N55NU TCK108GTK5A60W TK18A50D TK100E08N1 TPH4R008NH 7 SSM6J 502NU TCK111GTK6A60W TK2Q60D TK22E10N1 TPH1400ANH SSM6J 505NU 8TK7A60W TK4A60DA TK34E10N1 TPH8R80ANH SSM6N58NUTK8A60W TK4A60D TK40E10N1 TPH4R50ANH SSM3J 334RTK12A60W TK6A60D TK65E10N1 TPN22006NH SSM3K324RTK20A60W TK8A60DA TK100E10N1 TPN14006NH SSM3J 332RTK39A60W TK10A60D TK32E12N1 TPN7R506NH SSM3K333RTK100L60W TK12A60D TK42E12N1 TPN30008NH 14TK6P60W TK13A60D TK56E12N1 TPN13008NHTK7P60W TK15A60D TK72E12N1 TPN3300ANHTK8P60W 17 17 TPN1600ANHTK12P60W TPHR9003NLTK16A60W5 TPH11003NLTK31J 60W5 TPH8R903NLTK39J 60W5 TPH6R003NL

22 TPN11006NL17

HVMOS LVMOS ICsUMOS8

19

目前网页模拟器上的产品


#1#2 #3

网页模拟器的首页（外部服务器）


搜索和寻找 FET

#1 ： MOSFET 的交互式产品说明书（部分选择）


选择模拟测试条件

或者点击这个按钮开始默认值进行全部的测试

选择测试条件

#1 ： MOSFET 交互式产品规格书（分析）


下载 PDF 版本的总结报告

#1 ： MOSFET 交互式产品规格书（摘要）


#1 ：通用电路分析程序列表


选择电路拓扑(1)非隔离降压 DC-DC(2)全桥 DC-DC(3)反激 DC-DC(4)PFC+ 全桥 AC-DC(5)PFC+ 反激 AC-DC

设置测试条件

#2 ：交互式应用设计（设计要求）


高边和初级端的 FET 的选择低边和次级端 FET 的选择

为了匹配测试条件按照 VDSS 分类推荐 FET

自定义的 FET 选择

#2 ：交互式应用设计器（产品选择）


可变的电路 /驱动条件（如果想改变某个元件，可以直接点击此元件）

可选择的驱动条件

可变的驱动电压

#2 ：交互式应用设计（分析）


可选择的波形

测量标记

#2 ：交互式应用设计（波形）


下载 PDF 格式的报告

#2 ：交互式应用设计器（摘要）


#3 ：交互式设计注释（部分选择）


#3 ：交互设计注释（设计要求）


可调整测试条件（点击想改变的器件）

#3 ：交互式设计注释（分析）



TEHZTEHZTEHZTEHZ

TENJTENJTENJTENJ

TEWHTEWHTEWHTEWH

TEHPTEHP

TESYTESYTESYTESY

TEQDTEQDTEQDTEQD

TEBJTEBJTEBJTEBJ

TELSTELS

TEALTEAL

TETTET

TDMTTDMT

TEDLTEDLTEDLTEDL

TEXMTEXMTEXMTEXM

TESZTESZTESZTESZ

TEXATEXATEXATEXA

TECQTECQTECDTECDTECDTECD

TEDGTEDG

东芝半导体 & 存储产品公司的销售渠道

深圳深圳（（ TESZTESZ ））深圳深圳（（ TESZTESZ ））

上海（ TELS ）上海（ TELS ）

香港（ TEAL ）香港（ TEAL ）

台湾（ TDMT ）

西安（ TEXA ）西安（ TEXA ）

北京（ TEBJ ）北京（ TEBJ ）

青岛青岛（（ TEQDTEQD ））青岛青岛（（ TEQDTEQD ））

大连（ TEDL ）大连（ TEDL ）沈阳（ TESY ）沈阳（ TESY ）

杭州（ TEHZ ）杭州（ TEHZ ）

武汉（ TEWH ）武汉（ TEWH ）

成都成都（（ TECDTECD ））成都成都（（ TECDTECD ））

重庆重庆（（ TECQTECQ ））重庆重庆（（ TECQTECQ ））

厦门厦门（（ TEXMTEXM ））厦门厦门（（ TEXMTEXM ））

南京（ TENJ ）南京（ TENJ ）

东莞（ TEDG ）东莞（ TEDG ）

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香港（ TEAL ）

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