Embed Size (px)
Citation preview
1. Характеристикою електричного поля, що не залежить від властивостей середовища є:
o електрична індукція
2. Характеристикою магнітного поля, що не залежить від властивостей середовища є:
o напруженість магнітного поля
3. Який вектор електромагнітного поля є аналогом напруги?
o напруженість електричного поля
4. Який вектор електромагнітного поля є аналогом струму?
o напруженість магнітного поля
5. Діелектрична проникність середовища є аналогом:
o ємності
6. Магнітна проникність середовища є аналогом:
o індуктивності
7. Силовою характеристикою поля є:
o напруженість електричного поля
8. Інтегральною характеристикою поля є:
o потік вектора
9. Диференціальною характеристикою поля є:
o дивергенція
10. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується потоку вектора поля:
o це скалярна величина, яка чисельно дорівнює кількості ліній вектора, що пронизує задану поверхню та дозволяє судити про наявність вільних зарядів в об’ємі простору, обмеженому заданою поверхнею
11. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується дивергенції вектора поля:
o це скалярна величина, що має смисл об’ємної густини потоку та дає інформацію про розподіл зарядів всередині об’єму, обмеженому заданою поверхнею
12. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується циркуляції вектора поля:
o це робота по переміщенню одиничного додатного заряду по замкнутому контуру
13. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується ротора вектора поля:
o це векторна величина, що характеризує наявність замкнутих ліній поля в області заданої точки
14. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується першого закону Максвела:
o джерелом магнітного поля є струм провідності та змінне в часі електричне поле
15. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується другого закону Максвела:
o електричне поле, створене змінним магнітним полем, має вихровий характер. Вихром (ротором) вектора напруженості електричного поля є швидкість зміни вектора магнітної індукції
16. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується третього закону Максвела:
o рівняння узагальнює закон взаємодії електричних зарядів
17. З перелічених тверджень виберіть те, що стосується четвертого закону Максвела:
o рівняння установлює факт відсутності магнітних зарядів
18. В прямокутному хвилеводі не можуть існувати хвилі типу:
o Т-
19. Електричними називають хвилі у яких:
o Нz=0
20. Магнітними називають хвилі у яких:
o Еz=0
21. Електромагнітне коливання – це періодична зміна напруги, струму, заряду в електричних колах або просторі, які супроводжуються відповідними змінами:
o електричного та магнітного полів
22. Гармонічне електромагнітне коливання – це частковий випадок електромагнітних коливань в яких періодична зміна фізичних величин відбувається за функцією:
o синуса (або косинуса)
23. Електромагнітна хвиля – це частковий випадок електромагнітного коливання параметри якого змінюються:
o в часі та просторі
24. Довжина електромагнітної хвилі – це найкоротша відстань, яку проходить електромагнітна хвиля за:
o один період коливань
25. Фронт електромагнітної хвилі – це сукупність точок коливань електромагнітного поля у просторі:
o з однаковою фазою
26. Коефіцієнт поширення електромагнітної хвилі характеризує зміну:
o амплітуди та фази електромагнітної хвилі
27. Який математичний зв’язок між довжиною електромагнітної хвилі (λ ), частотою ( f ) та швидкістю поширення світла (с) у вільному просторі?
o fc /=λ
28. Критична довжина електромагнітної хвилі в лінії передачі – це електромагнітна хвиля певного типу, яка ще здатна поширюватись в лінії передачі без значних втрат і яка за довжиною хвилі є:
o найбільшою
29. До діапазону надвисоких частот відносяться хвилі з довжиною:
o 1 ÷ 10 см
30. Основною електромагнітною хвилею в лінії передачі називається хвиля певного типу, яка має критичну довжину хвилі:
o найбільшу
31. До пристроїв надвисоких частот відносять радіоелектронні засоби генерування, підсилення та оброблення електромагнітних сигналів, які працюють в діапазонах електромагнітних хвиль завдовжки:
o менше, ніж 10 м
32. Хвильовим називають опір, який потрібно підключити на кінці лінії передачі у якості навантаження, щоб у ній встановився режим:
o біжучої хвилі
33. Від чого залежить критична довжина хвилі при розповсюдженні електромагнітної хвилі у прямокутному хвилеводі?
o від властивостей середовища всередині хвилеводу, а також від типу хвилі і розмірів поперечного перерізу хвилеводу
34. Чому дорівнює критична довжина хвилі типу „Т” в лініях передачі?
o ∞
35. Для поширення електромагнітної хвилі усередині прямокутного хвилеводу без значних втрат необхідне виконання умови
o крхв λλλ pp0
36. Антени радіотехнічних систем (РТС) призначені для:
o перетворення енергії зв’язаних ЕМК в енергію вільних ЕМК і навпаки
37. Що таке випромінююча система у структурній схемі передавальної антени?
o це область простору у якій протікають струми, які збуджують електромагнітну хвилю
38. Що таке розподілювач у структурній схемі антени?
o це конструкція з провідників та діелектриків для створення потрібного закону розподілення випромінюючих струмів, яка забезпечує формування потрібної характеристики спрямованості
39. Що характеризують спрямовані властивості антени?
o здатність антени випромінювати електромагнітні хвилі в різних напрямках з різною інтенсивністю
40. Що називають діаграмою спрямованості антени?
o графічне зображення залежності функції спрямованості антени від кутових координат
41. Вхідний опір антени – це:
o відношення комплексної амплітуди напруги до струму на вхідних клемах живлення
42. Коефіцієнт направленої дії – це:
o число, що показує в скільки разів потрібно було б збільшити потужність випромінювання при заміні направленої антени на абсолютно ненаправлену гіпотетичну ізотропну антену при умові збереження постійного модуля вектора Пойтінга в точці спостереження
43. Максимальне значення коефіцієнта направленої дії – це:
o число, що показує, у скільки разів максимальне значення вектора Пойтінга на даній відстані R більше його середнього значення, обчисленого по кулі радіуса R яка охоплює антену
44. Коефіцієнт підсилення антени -
o показує, у скільки разів повинна бути збільшена потужність, яка підводиться до антени при заміні реальної направленої антени з втратами, на абсолютно ненаправлену гіпотетичну антену без втрат при умові зберігання модуля вектора Пойтінга в точці спостереження
45. Коефіцієнт корисної дії антени -
o це відношення випромінюваної потужності до повної потужності, що підводиться до антени
46. Електричний диполь Герца -
o це прямолінійний елемент струму, довжина якого l<<λ (довжини електромагнітної хвилі)
47. Векторний електричний електродинамічний потенціал:
o r
r r r&A
j e dVr
j Se dl kre
a ej r
V
a ej r
l
= =⋅− −
∫ ∫µπ
µπ
γ γ
4 40
48. Поляризація електромагнітної хвилі – це:
o орієнтація вектора напруженості поля, переважно електричного, у просторі
49. Електричним вібратором називають:
o відрізок прямолінійного тонкого циліндричного провідника довжиною l і радіусом r при умові l»r, що живиться змінним струмом від генератора ЕМК високої частоти
50. Антенна решітка – це:
o належним чином розташовані в просторі сукупності випромінювачів ЕМК
51. Вібраторними називають антени:
o базовим елементом яких є електричний вібратор
52. Напівхвильовий симетричний вібратор – це антена:
o яка складається з двох однакових за розмірами вібраторів розташованих на одній вісі і має загальну довжину приблизно рівною 2/λ
53. Що таке директорна антена?
o це поздовжня антенна решітка з кількох симетричних півхвильових вібраторів
54. Що таке сканування діаграми спрямованості антени?
o це керування положенням головної пелюстки діаграми спрямованості антени у просторі
55. Що таке фазовані антенні решітки (ФАР)?
o це антенні решітки, які побудовані на елементах з незалежним керуванням фазою випромінюваних електромагнітних хвиль
56. Яка суть електричного способу сканування діаграмою спрямованості антени?
o це сканування завдяки змінні амплітудно-фазового розподілу збудження в розкриві антени електричним способом
57. Будь-яке векторне поле можна представити у вигляді Аr
o ( ) ( ) ( ) ( ) 332132321213211321 ,,,,,,,,,,,, etxxxAetxxxAetxxxAtxxxАrrrrrrr
++=
58. Скалярні поля – це поля, що описуються
o скалярними функціями ( )txxx ,,, 321ψ
59. Складання векторів
o )()()( 000 zzyyxx BAzBAyBAxBА +++++=+rr
60. Скалярний добуток векторів
o zzyyxx BABABAABBАBABА ++==== αcos),()(rrrrrr
61. Векторний добуток векторів
o zyx
zyx
BBB
AAAzyx
ABvBABАBА000
0 sin],[][ ==×== αrrrrrr
62. Для трьох векторів ,Аr
,Br
Crвизначено властивість циклічність
o ][][][ ACBBACCBАrrrrrrrrr
==
63. Змішаний добуток векторів
o zyx
zyx
zyx
CCC
BBB
AAA
CBА =],[rrr
64. Для скалярного добутку векторів
o )()( ABBABАrrrrrr
==
65. Для векторного добутку векторів
o ][],[][ ABBABАrrrrrr
−==
66. Подвійний векторний добуток векторів
o )()(][[ BACCABCBАrrrrrrrrr
−=
67. Під множенням вектора на скаляр розуміють
o ,AmBrr
= що є рівносильним трьом скалярним рівностям ,xx mAB = ,yy mAB = zz mAB =
68. Два вектори та називають колінеарними, Аr r
B
o якщо вони знаходяться на паралельних прямих BАrr
||
69. Три вектори називають компланарними, o якщо вони паралельні деякій площині або лежать в одній площині
70. Сума двох векторів BArr
+ визначається
o за правилом паралелограма або за правилом трикутника
71. В загальному випадку під однорідним лінійним перетворенням векторів Аrта
розуміють Br
o або ⎪⎪⎩
⎪⎪⎨
⎧
++=
++=
++=
zzzyzyxzxz
zyzyyyxyxy
zxzyxyxxxx
AmAmAmB
AmAmAmB
AmAmAmB
z
y
x
zzzyzx
yzyyyx
xzxyxx
z
y
x
z
y
x
A
AA
mmm
mmm
mmm
A
AA
m
B
BB
×=×=
72. Для колінеарних векторів Аrта B
rоднорідне лінійне перетворення має вигляд
o z
y
x
z
y
x
z
y
x
A
AA
mm
m
A
AA
m
B
BB
×=××=00
0000
001010100
73. Скалярним полем
o називається плоска або просторова область, в кожній точці М якої пов’язане визначене значення деякої скалярної фізичної величини )(Muu =
74. Лінією рівня плоского скалярного поля
o називається сукупність точок площини, в яких функція цього поля має однакові значення iCyxu =),(
75. Поверхнею рівня просторового скалярного поля
o називається сукупність точок простору, в яких функція цього поля має однакові значення iCzyxu =),,(
76. Похідною функції по направленню )(Mu l
o називається границя відношення різності до величини направленого відрізку ,
коли точка прямує до точки
)()( 1 MuMu − 1MM
1M M , залишаючись на прямій : l1
1 )()(lim1 MM
MuMulu
MM
−=
∂∂
→
77. Похідна функції по направленню )(Mu l обчислюється за формулою
o 0coscoscos lNzu
yu
xu
lu
⋅=∂∂
+∂∂
+∂∂
=∂∂ γβα
78. Похідна функції по направленню )(Mu l визначає
o величину швидкості зміни функції при переміщені точки )(Mu M по направленню l
79. Градієнтом функції (поля) називається вектор )(Mu
o .kzuj
yui
xuugradu
rrrr
∂∂
+∂∂
+∂∂
=∇=
80. Градієнт функції (поля) є )(Mu
o вектор швидкості зміни функції , який направлений у сторону максимального зростання функції . При цьому напрямок вектора у кожній точці
)(Mu)(Mu gradu M співпадає з напрямком
нормалі до поверхні (лінії) рівня, яка проходить через цю точку.
.222
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛∂∂
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛∂∂
+⎟⎠⎞
⎜⎝⎛∂∂
==∂∂
zu
yu
xugradu
lu
gradu
81. Поверхні рівня, на яких потенціал const=ϕ
o називаються еквіпотенціальними поверхнями.
82. Силові лінії
o це силові лінії, дотичні до яких у кожній точці вказують напрямок вектора. Густина силових ліній відповідає інтенсивності поля. При цьому кількість векторних ліній, які пронизують ортогональну площину 1м2 дорівнює абсолютному значенню вектора.
83. Диференційне рівняння силової лінії
o .3
33
2
22
1
11
Adxh
Adxh
Adxh
== .
84. Коефіцієнти Ляме
o це метричні коефіцієнти (коефіцієнти пропорційності) між диференціалами узагальнених координат і диференціалами довжин вздовж відповідних координатних ліній.
85. Граничні умови для нормальних складових векторів електричної індукції електромагнітного поля:
o нормальні складові вектора електричної індукції стрибають на величину поверхневої густини заряду
86. Граничні умови для нормальних складових векторів магнітної індукції електромагнітного поля:
o нормальні складові вектора магнітної індукції сприймають стрибок на величину густини поверхневого магнітного заряду в точці, що досліджується
87. Граничні умови для тангенціальних складових векторів електричного поля?
o тангенціальні складові векторів напруженості електричного поля на границі розділу двох середовищ є неперервними
88. Граничні умови для тангенціальних складових векторів магнітного поля у випадку, коли числові значення електродинамічних параметрів обох граничних середовищ є кінцевими?
o на границі розділу двох середовищ з кінцевими значеннями електродинамічних параметрів тангенціальні складові векторів напруженості магнітного поля є неперервними
89. Граничні умови для тангенціальних складових векторів магнітного поля у випадку, коли провідність одного із середовищ є нескінченно великою?
o поверхневий електричний струм на границі ідеального провідника протікає в напрямку перпендикулярному до вектора напруженості магнітного поля, який існує у звичайному середовищі, при цьому густина поверхневого електричного струму чисельно дорівнює тангенціальній проекції вектора напруженості магнітного поля
90. Граничні умови для тангенціальних складових векторів магнітного поля?
o поверхневий струм протікає в напрямку перпендикулярному до напруженостей магнітних полів обох середовищ і чисельно рівний різниці тангенціальних складових векторів магнітних полів цих середовищ
91. Правило перестановчої двоякості?
o емеcmмcmeaкa jjEH ρρµε &&&r&r&r&r −−− ←→
←→
←→
←→ ,,, ..к
92. Система рівнянь Максвелла в диференціальній формі має наступний вигляд:
o ( )
⎪⎪⎩
⎪⎪⎨
⎧
==
++−=++=
e
м
cm.мзм.мnp.м
cm.eм.enp.e
DdivBdiv
jjjErotjjjHrot
ρρ
r
r
rrrr
rrrrз
93. Система рівнянь Максвелла в інтегральній формі має наступний вигляд:
o
( ) ( )
( )
∫∫∫
∫∫∫
∫∫∫
∫∫∫
==
==
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−==
++==
Vм
VSn
Ve
VSn
nSSnl
Snзместорепре
Snl
dVdVBdivdsB
dVdVDdivdsD
dstBdsErotdlE
dsjjjdsHrotdlH
ρ
ρ
∂∂
r
r
rr
rrrr
94. Система рівнянь Максвелла у комплексній формі має наступний вигляд:
o
⎪⎪⎪
⎩
⎪⎪⎪
⎨
⎧
=
−==
−=−−=
−=+=
ем
е
мaкacm.мкa
eaкacm.eкa
Bdiv.jjdivDdiv
jjHjErot
jjEjHrot
ρρωρωσµµωµωσεεωε
&&r&&r&&r
&r&r&r
&r&r&r
95. Система рівнянь Максвелла для електричних джерел має наступний вигляд:
o
⎪⎪⎩
⎪⎪⎨
⎧
==
−−==
ee
e
зммnpмe
ee
DdivBdiv
jjErotjHrot
ρr
r
rrr
rr
0..
96. Система рівнянь Максвелла для магнітних джерел має наступний вигляд:
o
⎪⎪⎩
⎪⎪⎨
⎧
==−=
+=
0
..
м
eм
мм
змеnpем
DdivBdiv
jErotjjHrot
r
r
rr
rrr
ρ
97. Теорема Умова-Пойтінга в інтегральній формі для миттєвих значень:
o ( ) ( ) ( )∫∫∫ ∫ +−=++++V
cmмcmeV
HES V
eм dVHjEjdVwwt
dVEHdsnПrrrrrr
..22
∂∂σσ
98. Теорема Умова-Пойтінга в диференційній формі для миттєвих значень:
o ( ) ( )HjEjHEt
EHПdiv cmмcmeaa
eм
rrrrr..
2222
22+−=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++++µε
∂∂σσ
99. Теорема Умова-Пойтінга в диференційній формі для комплексних амлітуд:
o [ ] ( )*ст.м
*ст.eaa“e
* HjEjEHjHEHEdiv &r&r&r&r&r&r&r&r&r&r +−=⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −+⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ ++2222
εµωσσ
100. Теорема Умова-Пойтінга в інтегральній формі для комплексних амплітуд:
o ( ) ( )
∫
∫∫∫
⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −+
+⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ ++=+−
Vaa
Vмe
SVстмстe
dVEHj
dVHEdSnПdVHjEj
22
22*
.*.
21
21
21
&r&r
&r&rr&r&r&r&r&r
εµω
σσ
101. Вектор густини потоку електромагнітної енергії – вектор Пойтінга визначається за наступним виразом:
o [ ]r r rП EH=
102. Хвильове рівняння для векторного електродинамічного потенціалу у випадку електричних джерел:
o ( ) e“ee
aeaecm.eae
aae At
Aj
tA
Ar
rr
rr
σσ∂∂
εσµσµ∂∂
µε∆ +++−=− 2
2
103. Хвильове рівняння для скалярного електродинамічного потенціалу у випадку електричних джерел:
o ( ) e“ee
a“aea
eeaae tt
ϕσσ∂∂ϕ
εσµσερ
∂ϕ∂
µεϕ∆ +++−=− 2
2
104. Калібровка Лоренца у випадку електричних джерел:
o t
Adiv eaaeeae ∂∂ϕ
µεϕσµ −−=r
105. Калібровка Лоренца у випадку магнітних джерел у комплексній формі:
o 0=⎟⎠⎞⎜
⎝⎛ + макам jAdiv ϕεωµ &&r
106. Рівняння Гельмгольца для магнітного скалярного електродинамічного потенціалу у випадку магнітних джерел:
o a
ммкакам µ
ρϕεµωϕ&
&& −=+∆ 2
107. Закон збереження електричного заряду в інтегральній формі:
o eS
eV
eV
ee IdsjdVjdivdV
tI ===−= ∫∫∫
rr
∂∂ρ
108. Закон збереження електричного заряду в диференційній формі:
o ( ) ( )tt
Ddivjjdiv eе.сторе.пр ∂
∂ρ∂
∂−=−=+
rrr
109. Ізотропним називають середовище:
o фізичні властивості якого є однаковими по всім напрямкам у кожній точці
110. Лінійним називають середовище:
o фізичні властивості якого не залежать від величини векторів поля
111. Нелінійним називають середовище:
o властивості якого залежать від величини векторів поля
112. Однорідним називають середовище:
o параметри якого мають однакові значення в усіх його точках, тобто не є функціями координат
113. Неоднорідним називають середовище:
o параметри якого мають неперервну зміну від точки до точки та представляють собою деякі функції просторових координат
114. Анізотропним називають середовище:
o фізичні властивості якого є різними по різних напрямках, тобто описуються тензорами другого рангу
115. Парамагнетиками називають:
o ізотропні лінійні магнетики, які під дією зовнішнього поля намагнічуються у напрямку цього поля, тобтоµ >1
116. Діамагнетиками називають:
o ізотропні лінійні магнетики, які під дією зовнішнього поля намагнічуються у протилежному напрямку цього поля, тобтоµ <1
117. Феромагнетиками називають:
o нелінійні магнетики, у яких функціональна залежність магнітної індукції від напруженості магнітного поля має нелінійний гістерезисний характер, тобтоµ >>1
118. Теорема Стокса:
o ( )A dl rotA dslL
nS
∫ ∫=r
119. Теорема Остроградського-Гаусса:
o A ds divAdvnS V∫ ∫=
r
120. Перша теорема Гріна:
o ( ) ( )u gradu ds u u gradu gradu dvS V
1 2 1 2 1 2r
∫ ∫= +∆
121. Друга теорема Гріна:
o [ ] ( )∫∫ ∆−∆=−VS
dvuuuusd)gradu(u)gradu(u 12211221r
122. Оператор Лапласа в криволінійних координатах:
o ⎥⎦
⎤⎢⎣
⎡⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=∆
33
21
322
31
211
32
1321
1xh
hhxxh
hhxxh
hhxhhh ∂
∂ψ∂∂
∂∂ψ
∂∂
∂∂ψ
∂∂ψ
123. Дивергенція в криволінійних координатах:
o ( ) ( ) ( )
divAh h h
A h hx
A h hx
A h hx
r= + +
⎛
⎝⎜⎜
⎞
⎠⎟⎟
1
1 2 3
1 2 3
1
2 1 3
2
3 1 2
3
∂∂
∂∂
∂∂
124. Градієнт в криволінійних координатах:
o 33
322
211
1111
xhe
xhe
xhegrad
∂∂ψ
∂∂ψ
∂∂ψψ rrr
++=
125. Ротор в криволінійних координатах:
o
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−+
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−−⎟⎟
⎠
⎞−⎜⎜
⎝
⎛=
⎟⎟⎟⎟⎟⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜⎜⎜⎜⎜⎜
⎝
⎛
=
2
11
1
22
21
3
3
11
1
33
31
2
3
22
2
33
32
1
332211
321
21
3
31
2
32
1
xAh
xAh
hhe
xAh
xAh
hhe
xAh
xAh
hhe
AhAhAhxxx
hhe
hhe
hhe
Arot
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
∂∂
r
rr
rrr
r
126. Критична довжина хвилі у прямокутному хвилеводі:
o 22
2
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛+⎟
⎠⎞
⎜⎝⎛
=
bn
am
kpλ
127. Критична довжина хвилі у циліндричному хвилеводі:
o nm
kpR
βεµπ
γεµπ
λ22
2
==
128. Формула ідеального радіозв’язку :
o 2
24⎟⎠⎞
⎜⎝⎛=
rDDРР прпрдпрдпр π
λ
129. Нижня атмосфера:
o км 60≤
130. Тропосфера:
o h 15 км ≤
131. Стратосфера:
o 15 км≤ h≤ 60 км
132. Верхня атмосфера - іоносфера:
o 60 км≤ h≤ 20000км
133. Шар D в іоносфері:
o 60<h<90 км., існує тільки днем, eN ≤ 104 см-3
134. Шар Е в іоносфері:
o h 110 км., днем = см≈ eN 5105.1 ⋅ -3, уночі =5 смeN 310⋅ -3
135. Шар F в іоносфері:
o днем h=250 км, =2 смeN 610⋅ -3, уночі h=320 км, =2 смeN 510⋅ -3
136. Абсолютна комплексна діелектрична проникливість:
o ( )eaa
aaка jtgjj δεωεσε
ωσεε −=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=−= 11
137. Абсолютна комплексна магнітна проникливість:
o ( ) мj
м
aмa
a
мa
мaкa e
cosjtgjj δ
δµδµ
ωµσµ
ωσµµ −=−=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=−= 11
138. Абсолютна комплексна магнітна проникливість:
o ( ) мj
м
aмa
a
мa
мaкa e
cosjtgjj δ
δµδµ
ωµσµ
ωσµµ −=−=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=−= 11
139. Тангенс кута діелектричних втрат:
o a
etgωεσδ =
140. Умови випромінювання Зомерфельда:
o ( )∫ =−∞→
Sr
dsUgradGGgradUlim 0&&&&
141. Рівняння Гельмгольца для неоднорідного середовища:
o [ ]HrotgradHgradgradHH aa
aa
aa&r&r&r&r ε
εµ
µµεω 112 −⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛⋅−=+∆
142. Рівняння Гельмгольца для вектора r&E :
o a
ecm.eкаcm.мкака gradjjjrotEE
ερωµµεω&&r&r&r&r ++=+∆ 2
143. Рівняння Гельмгольца для вектора r&E у випадку плоскої однорідної електромагнітної хвилі:
o 02
22
2
=+ xкакаx E
zE &
43421
&
γ
µεω∂∂
144. Коефіцієнт поширення:
o )1)(1( мeaaм
ae
aкака tgtgjj δδµεωωσ
µωσ
εωµεωγ −−=⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −==
145. Хвильовий (характеристичний) опір:
o )1)(1( мeaaм
ae
aкака tgtgjj δδµεωωσ
µωσ
εωµεωγ −−=⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛ −==
146. Коефіцієнт фази:
o λπβ 2
=
147. Фазова швидкість однорідних плоских хвиль у магнітодіелектричному середовищі без втрат:
o εµµεεµµεβ
ων c
aaф ====
00
111
148. Характеристичний опір магнітодіелектричного середовища :
o εµπ
εεµµ 120
0
0х ==z
149. Довжина хвилі:
o βπλ 2
=
150. Регулярними лініями передачі називають:
o лінії передачі у яких у повздовжньому напрямку є незмінними поперечний переріз та електромагнітні властивості середовищ, які заповнюють лінію
151. Електронний підсилювач – це…
o пристрій, що призначений для збільшення потужності електричного сигналу
152. За підсиленням сигналу підсилювачі діляться на:
o потужності, напруги і струму
153. Для підсилювача напруги справедлива рівність
o ; вхдж RR << нвих RR <<
154. Для підсилювача струму справедлива рівність
o ; вхдж RR >> нвих RR >>
155. Для підсилювача потужності справедлива рівність
o ; вхдж RR = нвих RR =
156. Чутливість підсилювача – це
o максимальна вхідна напруга, яку необхідно подати на вхід підсилювача, щоб на його виході дістати задану потужність
157. Залежність коефіцієнта підсилення підсилювача від величини напруги живлення називають …
o амплітудною характеристикою
158. Залежність модуля коефіцієнта передачі підсилювача від частоти сигналів називають …
o амплітудно-частотною характеристикою
159. Залежність фазових зсувів між вихідними і вхідними сигналами від частоти називають ...
o фазо-частотною характеристикою
160. Залежність вихідного сигналу від часу при стрибкоподібному впливі вхідного сигналу називають …
o перехідною характеристикою
161. Робочим діапазоном підсилювача вважають…
o смугу частот, у межах якої коефіцієнт підсилення зменшується в 0,707 раз відносно свого значення на середній частоті
162. Як називається підсилювач, навантаженням якого є паралельний коливальний контур?
o резонансний
163. Біполярний транзистор це:
o напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими p-n переходами
164. Що є серйозним недоліком транзисторних підсилювачів?
o залежність їх параметрів від впливу температури
165. Який струм є вхідним при включенні транзистора по схемі з спільною базою?
o струм емітера
166. Який струм є вхідним при включенні транзистора по схемі з спільним емітером?
o струм бази
167. При якій схемі включення транзистора вхідний сигнал не підсилюється по струму, але посилюється за напругою?
o при включенні транзистора по схемі із спільною базою
168. При якій схемі включення транзистора вхідний сигнал не підсилюється за напругою, але посилюється за струмом?
o при включенні транзистора за схемою із спільним колектором
169. При якій схемі включення транзистора вхідний сигнал підсилюється і по струму і по напрузі?
o при включенні транзистора по схемі із спільним емітером
170. В яких каскадах на біполярних транзисторах найменший вхідний опір?
o спільною база
171. В яких каскадах на біполярних транзисторах найбільший вхідний опір?
o спільним колектором
172. В яких каскадах на біполярних транзисторах найменший вихідний опір?
o спільним колектором
173. В яких каскадах на біполярних транзисторах найбільший вихідний опір?
o спільною базою
174. В якій схемі на біполярних транзисторах найбільше підсилення по потужності?
o спільним емітером
175. Максимальний вхідний опір має підсилювальний каскад на біполярному транзисторі:
o із спільним колектором
176. Максимальний вихідний опір має підсилювальний каскад на біполярному транзисторі:
o із спільною базою
177. Резистивний каскад із спільним емітером забезпечує підсилення:
o струму і напруги
178. Максимальний коефіцієнт підсилення потужності забезпечує каскад на біполярному транзисторі:
o із спільним емітером
179. Схема із спільною базою має наступні параметри:
o опір навантаження великий, вхідний струм великий, вхідний опір малий, підсилює напругу
180. Схема із спільним емітером має наступні параметри:
o опір навантаження великий, вхідний струм малий, вхідний опір великий, підсилює напругу і струм
181. Схема із спільним колектором має наступні параметри:
o опір навантаження великий, емітерний повторювач, підсилює струм і потужність
182. Який каскад дозволяє підсилювати сигнал по струму і напрузі одночасно, зрушує фазу на 180°?
o зі спільний емітер
183. Що є причиною зниження коефіцієнта підсилення на нижніх частотах?
o наявність конденсаторів
184. Активний (лінійний) режим роботи біполярного транзистора
o колекторний перехід транзистора знаходиться в закритому стані, а емітерний – у відкритому
185. Режим насичення роботи біполярного транзистора :
o колекторний і емітерний перехід транзистора знаходяться у відкритому стані
186. Режим відсікання роботи біполярного транзистора :
o колекторний і емітерний перехід транзистора знаходяться в закритому стані
187. Інверсний режим роботи біполярного транзистора :
o колекторний перехід транзистора знаходиться у відкритому стані, а емітерний – в закритому
188. Яким формалізованим h-параметром оцінюють вхідний опір транзистора при короткому замиканні на виході
o 1111 I/Uh ∆∆=
189. Яким формалізованим h-параметром оцінюють вихідну провідність транзистора при холостому ході на вході
o 2222 U/Ih ∆∆=
190. Яким формалізованим h-параметром оцінюють коефіцієнт зворотнього зв'язку за напругою при холостому ході на вході
o 2112 U/Uh ∆∆=
191. Яким формалізованим h-параметром оцінюють коефіцієнт передачі струму при короткому зам на виході
o 1221 I/Іh ∆∆=
192. Польовий транзистор керується …?
o напругою
193. Які підсилювачі бувають за кількістю каскадів?
o одно - і багатокаскадні
194. У підсилювачах потужності з двома джерелами живлення для покращення температурної стабілізації включають:
o діод
195. Більш ефективне підсилення забезпечує каскад на
o транзисторах різної провідності
196. Якщо у схемі транзистори ввімкнені зі спільним колектором, то такі каскади мають назву
o комплементарні повторювачі напруги
197. Якщо у схемі ввімкнені різнотипні транзистори, то такі каскади мають назву
o каскади з додатковою симетрією
198. Складені транзистори застосовують з метою:
o збільшення коефіцієнта підсилення за струмом
199. Які складені транзистори мають надзвичайно малий вхідний струм?
o польовий-польовий
200. Яка схема містить транзистори різної полярності?
o схема Шиклаї
201. Каскодний підсилювач – це підсилювач, що містить:
o два транзистори, перший з яких включений по схемою зі спільним емітером, а другий - за схемою зі спільною базою
202. Як визначається коефіцієнт підсилення струму складеного транзистора за схемою Дарлінгтона
o 2е211е21 hh ⋅
203. Як визначається вхідний опір резистивного каскодного підсилювача?
o 1е11h
204. Вхідні каскади та каскади попереднього підсилення є:
o підсилювачами напруги
205. Вихідні або кінцеві каскади підсилення є:
o підсилювачами струму і потужності
206. Явище передачі сигналу з вихідного кола на вхід - це:
o зворотні зв'язки підсилювача
207. Замкнутий контур, який включає в себе зворотний зв'язок і частина підсилювача між точками його підключення, називають:
o петлею
208. Від’ємний зворотний зв'язок в підсилювачах використовується з метою:
o підвищення стабільності підсилювача
209. Як впливає на вхідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ послідовний за напругою
o збільшує
210. Як впливає на вихідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ послідовний за напругою
o зменшує
211. Як впливає на вихідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ паралельний за напругою
o зменшує
212. Як впливає на вихідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ паралельний за напругою
o зменшує
213. Як впливає на вхідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ послідовний за струмом
o збільшує
214. Як впливає на вихідний опір резистивного каскаду негативний ЗЗ послідовний за струмом
o збільшує
215. Як впливає на вхідний опір підсилювального каскаду негативний ЗЗ паралельний за струмом
o зменшує
216. Як впливає на вихідний опір підсилювального каскаду негативний ЗЗ паралельний за струмом
o зменшує
217. Операційний підсилювач – це …
o підсилювач постійного струму з великим коефіцієнтом підсилення
218. Операційний підсилювач має …
o два входи і один вихід
219. Скільки джерел живлення використовують для живлення операційного підсилювача?
o два джерела живлення
220. Ідеальний операційний підсилювач має коефіцієнт підсилення по напрузі …
o ku=∞
221. Реальний операційний підсилювач має коефіцієнт підсилення по напрузі …
o ku=103-106
222. Як зміниться вхідний опір неінвертуючого каскаду порівняно з вхідним опором реального операційного підсилювача?
o збільшиться
223. Як зміниться вихідний опір неінвертуючого каскаду порівняно з вихідним опором реального операційного підсилювача?
o зменшиться
224. Як зміниться вихідний опір інвертуючого каскаду порівняно з вихідним опором реального операційного підсилювача?
o зменшиться
225. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( )0),( 2121 ∨= xxxxY :
o 1x
226. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( )1),( 2121 ∨= xxxxY :
o 21 xx ⋅
227. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( )22121 ),( xxxxxY ∨= :
o 21 xx ⋅
228. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( )22121 ),( xxxxxY ∨= :
o 1x
229. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції
212121 ),(Y xxxxxx ⋅∨⋅= :
o 1x
230. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( )( )212121 ),(Y xxxxxx ∨∨= :
o 1x
231. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції 21121 ),( xxxxxY ∨⋅= :
o 2x
232. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( ) 21121 ),( xxxxxY ⋅∨= :
o 21 xx ⋅
233. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( ) 2121 0),( xxxxY ⋅∨= :
o 21 xx ⋅
234. Знайдіть мінімальну форму запису логічної функції ( ) 2121 1),( xxxxY ∨∨= :
o 2x
235. Запишіть операторне представлення логічної функції за
картою Карно
4o 2Y xx ⋅=
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
236. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 42Y xx ⋅=
237. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
o 42Y xx ⋅=
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
238. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 31Y xx ⋅=
239. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
o 31Y xx ⋅=
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
240. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 31Y xx ⋅=
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
241. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 31Y xx ⋅=
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
242. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 1Y x=
243. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
o 1Y x=
244. Запишіть операторне представлення логічної функції за картою
Карно
o 42Y xx ⋅=
245. Правило інверсії:
00 01 11 10 00
01
11
10
43 xx
21 xx
( )4321 ,,,Y xxxx
o проходячи через інвертор, сигнал міняє своє значення на протилежне
246. Логічна змінна: o змінна, значення якої може бути рівним або логічному 0, або логічній 1
247. Логічна схема: o змінна, значення якої може бути рівним або логічному 0, або логічній 1
248. Логічна функція: o функція, що включає в себе логічні змінні, значення якої може бути рівним
логічному нулю, або логічній одиниці
249. Інвертор: o логічний елемент, який реалізує операцію НI
250. Логічний елемент: o графічне зображення елементарної логічної функції
251. Логічне заперечення:
o операція НI, інверсія – логічна дія, під час якої відбувається зміна стану на протилежний
252. Логічне додавання: o операція АБО, диз’юнкція – логічна дія, під час якої поява хоча б однієї логічної
одиниці на вході дає логічну 1 на виході.
253. Логічне множення: o операція І, кон’юнкція – логічна дія, під час якої поява хоча б одного логічного нуля
на вході дає логічний нуль на виході
254. Дешифратором: o називають пристрій, що перетворює двійковий код в унарний. Із всіх m виходів
дешифратора активний рівень є тільки на одному, а саме на тому, номер якого дорівнює поданому на вхід двійковому числу. На всіх інших виходах дешифратора рівні напруги неактивні. Зазвичай дешифратори мають інверсні виходи. При цьому на обраному виході 0, а на всіх інших "1". Унарний код називають ще кодом "1 з m". Дешифратор має n входів, m виходів і використовує всі можливі набори вхідних змінних, тоді m=2n
255. Шифратором: o називають пристрій, що виконує функцію, зворотну дешифратору. Класичний
шифратор має m входів й n виходів, і при подачі сигналу на один із входів (обов'язково на один, і не більше) на виході вузла з'являється двійковий код номера збудженого виходу. Число входів і виходів такого шифратора зв'язано співвідношенням m=2n
256. Мультиплексор- це: o логічна схема, яка здійснює вибір одного з декількох інформаційних входів у
відповідності до обраної адреси і комутацію обраного інформаційного входу з єдиним інформаційним виходом
257. Напівсуматор - це: o вузол з двома входами та двома виходами, який виконує операцію арифметичного
додавання двох однорозрядних чисел А та В у відповідності до наступного правила: при будь-яких наборах сигналу А та В на виході сигналу суми S' формується результат додавання по модулю два, на виході сигналу переносу Р1 у всіх випадках буде 0, крім А=В=1, тоді Р' = 1. Таким чином, для реалізації напівсуматора необхідні суматор по модулю два та логічний елемент І.
258. Повний однорозрядний суматор - це:
o пристрій, який виконує операцію арифметичного додавання двох однорозрядних чисел Аі та Ві з урахуванням переносу з молодшого розряду. Він має три входи і два виходи (суми S та сигналу переносу Р)
259. Багаторозрядний суматор - це: o пристрій, що виконує операцію арифметичного додавання двох багаторозрядних
чисел. Кількість входів та виходів суматора визначається розрядністю доданків. За організацією переносу розрізняють суматори з послідовним та паралельним перенесенням
260. Арифметико-логічний пристрій - це: o пристрій призначений для виконання логічних та арифметичних операцій над двома
багаторозрядними числами
261. Пристрої контролю парності - це: o пристрої, які призначені для перевірки кодових комбінацій на наявність в останній
парної (непарної) кількості одиниць. Такий цифровий вузол має m входів та один вихід. На виході формується напруга високого рівня тільки в тому випадку, якщо кількість одиниць у вхідному коді непарна. Основу цих пристроїв складають суматори по модулю два, які входять в склад багатьох серій
262. Пристрій порівняння (цифровий компаратор) - це: o пристрій, який виконує операцію порівняння двох кодів А та В і формує ознаку
результату порівняння у вигляді напруги високого рівня на одному з виходів: FA=B, FA>B, FA<B
263. Тригер - це: o логічна схема з позитивним зворотнім зв’язком, яка може знаходитись лише в
одному з двох стійких станів, що приймаються за стан логічного нуля і логічної одиниці
264. Встановлення тригеру - це: o перехід тригеру в стан, коли на його прямому виході стан логічної одиниці
265. Скидання тригеру - це: o перехід тригера в стан, коли на його прямому виході стан логічного нуля
266. Послідовний цифровий пристрій - це: o пристрій в якому вихідні сигнали залежать не тільки від поточних значень вхідних
сигналів, але й від послідовності значень вхідних сигналів, що надійшли на входи в попередні моменти часу
267. Передній (позитивний) фронт сигналу - це: o зміна його з рівня логічного нуля на рівень логічної одиниці (позначається 0/1)
268. Задній (негативний) фронт сигналу - це: o зміна його з рівня логічної одиниці на рівень логічного нуля (позначається 1/0)
269. D-тригер - це: o синхронний тригер, що має два входи – вхід даних D і вхід синхронізації C
270. Регістр – це: o інтегральна мікросхема середнього рівня інтеграції, призначена для
запам’ятовування і зберігання багаторозрядного слова
271. Регістрова пам’ять – register file – це: o надоперативний запам’ятовуючий пристрій - схема з декількох регістрів,
призначена для збереження декількох багаторозрядних слів
272. Третій стан (перших два – це логічний 0 і логічна 1) - це: o стан виходів інтегральної мікросхеми, при якому вони відімкнені і від джерела
струму, і від загальної точки
273. Лічильник – це: o функціональний вузол комбінаторної логіки, призначений для підрахунку сигналів
274. Лічильник, який додає – це: o лічильник, що видає послідовність зі збільшенням коду
275. Лічильник, який віднімає – це: o лічильник, що видає послідовність зі зменшенням коду
276. Двійкова арифметика – це: o сукупність правил для здійснення арифметичних операцій у двійковому коді
277. Двійковий лічильник – це: o схема, що генерує при подачі на рахунковий вхід послідовність двійкових кодів
278. Динамічний вхід інтегральної мікросхеми –це: o керуючий вхід, що виконує свою функцію за фронтом сигналу
279. Реверсивний лічильник –це: o лічильник в якому передбачено перемикання з режиму додавання на режим
віднімання і навпаки
280. Синхронний лічильник – це: o виконує всі перемикання тільки при наявності дозволяючого синхросигналу
281. Статичний вхід інтегральної мікросхеми– це: o керуючий вхід, що виконує свою функцію при подачі певного рівня сигналу
282. Постійна пам'ять (ПЗП — постійний запам'ятовуючий пристрій, ROM — Read Only Memory —пам'ять тільки для читання) - це:
o пам’ять, у яку інформація заноситься один раз на етапі виготовлення мікросхеми. Інформація в пам'яті не пропадає при вимиканні її живлення, тому її ще називають енергонезалежною пам'яттю
283. Програмована постійна пам'ять (ППЗП — програмована ПЗП, PROM — Programmable ROM) - це:
o пам’ять, у яку інформація може заноситися користувачем за допомогою спеціальних методів (обмежене число раз). Інформація в ППЗП теж не пропадає при вимиканні її живлення, тобто вона також енергонезалежна
284. Оперативна пам'ять (ОЗП — оперативний запам'ятовуючий пристрій, RAM — Random Access Memory — пам'ять із довільним доступом)- це:
o пам’ять, запис інформації в яку найбільш проста й може проводитися користувачем скільки завгодно раз протягом усього терміну служби мікросхеми. Інформація в пам'яті пропадає при вимиканні її живлення
285. Оперативна пам'ять (ОЗП — оперативний запам'ятовуючий пристрій, RAM — Random Access Memory — пам'ять із довільним доступом)- це:
o пам’ять, запис інформації в яку найбільш проста й може проводитися користувачем скільки завгодно раз протягом усього терміну служби мікросхеми. Інформація в пам'яті пропадає при вимиканні її живлення
286. Логічний аналізатор - це: o контрольно-вимірювальний прилад, призначений для запам'ятовування (фіксації) і
наступного аналізу (наприклад, перегляду на екрані) тимчасових діаграм великої кількості цифрових сигналів. Логічні аналізатори використовуються при динамічному налагодженні різних цифрових пристроїв і систем, а також при контролі їх роботи
287. Логічний аналізатор - це: o контрольно-вимірювальний прилад, призначений для запам'ятовування (фіксації) і
наступного аналізу (наприклад, перегляду на екрані) тимчасових діаграм великої кількості цифрових сигналів. Логічні аналізатори використовуються при динамічному налагодженні різних цифрових пристроїв і систем, а також при контролі їх роботи
288. Цифро-аналогові перетворювачі - це: o пристрої, які призначені для перетворення цифрової інформації в аналогову і
використовуються для формування сигналу у вигляді напруги або струму, лінійно зв’язаними зі вхідним цифровим кодом. Найчастіше ЦАП використовують для сполучення систем цифрової обробки сигналів зі аналоговими споживачами цієї інформації
289. Аналого-цифрові перетворювачі - це: o пристрої, що призначені для перетворення електричних величин (напруги, струму,
потужності, опору, ємності та інш.) в цифровий код. Враховуючі те, що серійні АЦП, які випускаються промисловістю, призначені для роботи з напругами, то для перетворення інших електричних величин їх необхідно перетворити у напругу
290. Розрізнювальна здатність: o визначається числом дискретних значень цифрового коду перетворювача,
характеризує потенційні можливості перетворювача з точки зору його точності та залежить від масштабу перетворення
291. Абсолютна похибка перетворення або інтегральна нелінійність INL (Integral Non-Linearity):
o характеризує ідентичність приростів вихідного сигналу перетворювача на всьому діапазоні перетворення і визначається як найбільше відхилення реальної характеристики перетворення від прямої абсолютної точності, яка проводиться через нульову точку та точку, яка відповідає номінальному значенню напруги повної шкали
292. Диференціальна нелінійність DNL (Differential Non- Linearity): o характеризує ідентичність суміжних приростів вихідного сигналу перетворювача. Її
визначають як максимальну різницю двох сусідніх квантів перетворення сигналу в межах діапазону перетворення
293. Час перетворення o є динамічною характеристикою перетворювача і визначається як інтервал часу від
початку скачкоподібної зміни вхідного сигналу до моменту часу, при якому
вихідний сигнал досягає сталого значення з допустимою похибкою , що відповідає статичному режиму перетворення ∆± 5
294. Максимальна частота перетворення o є величиною оберненою до часу перетворення
295. Передаточна характеристика цифрового логічного елемента o являє собою залежність його вихідної напруги Uвих від вхідної Uвх
296. Максимальний рівень логічного „0’’ та мінімальний рівень логічної „1” ( і )
0maxU
1minU
o характеризують роботу логічного елемента при найгірших умовах. Значення цих рівнів задається нормативно-технічною документацією
297. Порогові значення логічного „0” та „1” ( і ) 0порU 1
порU
o визначають найбільше значення низького рівня і найменше значення високого рівня напруги на вході логічного елемента, при якому ще не відбувається перехід з одного логічного стану в інший
298. Максимальний рівень напруги логічної одиниці на виході логічного елемента
1maxU
o залежить від напруги живлення інтегральної мікросхеми та у номінальному режимі для схем ТТЛ складає приблизно 4,5 В (при напрузі живлення %105 ±+= ВE ). Максимально допустимий рівень логічної одиниці на вході інтегральної мікросхеми при якому гарантуються експлуатаційні параметри складає 5,25В, при може відбутися електричний пробій інтегральної мікросхеми
ВU 5,5вх ≥
299. Статична завадостійкість o визначається максимально допустимою напругою статичної завади Uзав (напруга
завади постійна або змінюється значно повільніше перехідних процесів, що виникають при переході логічного елемента з одного стану в інший), яка може бути подана на вхід логічного елемента відносно рівня „0” або „1”, не викликаючи при цьому його некоректної роботи. Розрізняють статичну завадостійкість по рівням нуля та одиниці. Ці напруги визначаються різницею порогових напруг та відповідних логічних рівнів
300. Яка кількість основних інформаційні шин входить в системну магістраль мікропроцесорної системи ?
o Дві шини
301. Для чого застосовується мультиплексування шин ?
o Для зменшення кількості шин.
302. Як називається пристрій, що відповідає за виконання арифметичних, логічних і операцій управління, записаних в машинному коді ?
o Мікропроцесор
303. ADDR bus розшифровується як?
o шина адреси
304. При шинній структурі зв'язків сигнали між пристроями передаються:
o по різних лініях зв'язку, але в один і той же час
305. Мікропроцесорний пристрій - це...?
o функціонально і конструктивно закінчений виріб, що складається з декількох мікросхем, до складу яких входить мікропроцесор, призначений для виконання певного набору функцій : отримання, обробка, передача, перетворення інформації і управління
306. Архітектура ЕОМ - це ... ?
o опис структури і функцій ЕОМ на рівні, достатньому для розуміння принципів роботи і системи команд ЕОМ
307. Як називається шина, в якій передача даних може виконуватися в обох напрямах?
o Двонаправлена
308. У чому полягає призначення зовнішньої пам'яті комп'ютера?
o довготривале зберігання великої кількості різних файлів
309. Для того, щоб інформація зберігалася довгий час її, потрібно записати
o на жорсткий диск
310. Зовнішня пам'ять - це?
o Пам'ять, що призначена для тривалого зберігання програм і даних
311. Назвіть правильні характеристики зовнішньої пам'яті :
o Енергонезалежна, повільна, може зберігати великий об'єм інформації
312. Яка з приведених операцій не вимагає проведення циклу обміну інформацією?
o усі операції вимагають проведення циклу обміну
313. Який тип обміну забезпечує більш високу швидкість передачі інформації?
o синхронний обмін з можливістю асинхронного обміну
314. Яка структура шин адреси і даних забезпечує більшу швидкодію?
o Немультиплекcуєма
315. Перехід в який режим обміну максимально простий?
o векторне переривання
316. Для чого призначені регістри процесора?
o для тимчасового зберігання інформації
317. Що таке порт?
o пристрій введення-виведення
318. Для чого служить регістр ознак?
o для зберігання прапорців результатів виконаних операцій
319. Який принцип роботи стекової пам'яті?
o перший записаний код читається останнім
320. Яка функція конвеєра?
o прискорення вибірки команд
321. У якій пам'яті зберігається вміст регістра ознак при перериванні?
o у стековій пам'яті
322. Виберіть вірне твердження
o пристрій введення-виведення призначений виключно для двонаправленого обміну із зовнішніми пристроями
323. Що таке операнд?
o код даних
324. Який регістр визначає адресу поточної виконуваної команди?
o спеціалізований регістр
325. Яке розділення функцій між внутрішніми регістрами процесора?
o кожен регістр виконує свою індивідуальну функцію
326. Що таке виконавча адреса?
o адреса поточної виконуваної команди
327. До якої групи команд відносяться команди роботи із стеком?
o команди пересилки
328. До якої групи відносяться команди зсуву кодів?
o арифметичні команди
329. Які команди зазвичай не міняють прапорці PSW?
o команди переходів
330. До якої групи відноситься команда "Виключне АБО"
o логічні команди
331. До якої групи команд відноситься команда декремента?
o арифметичні команди
332. Яка команда використовується для повернення з програмного переривання?
o спеціальна команда повернення з переривання
333. За яких умов тригер переповнювання таймера/лічильника генерує запит на переривання мікроконтролера?
o при переповнюванні таймера/лічильника, якщо переривання від таймера дозволені
334. Яка типова розрядність таймера/лічильника у складі мікроконтролера?
o 8 чи 16
335. Що називається "Вектором переривання" мікроконтролера?
o адреса переходу до підпрограми обробки переривання
336. Яка основна перевага сегментації пам'яті?
o сегментація дозволяє збільшити об'єм пам'яті системи
337. Який режим обміну забезпечує найбільшу швидкість передачі інформації?
o обмін з прямим доступом до пам'яті
338. Яка архітектура забезпечує більш високу швидкодію?
o Гарвардська
339. Який режим обміну використовується найчастіше?
o обмін з прямим доступом до пам'яті
340. Який сенс вкладається в термін "архітектура" ПК?
o розгляд апаратних засобів ПК
341. По якій з системних шин передаються коди команд?
o по шині даних
342. Який принцип лежить в основі динамічної пам'яті?
o заряд/розряд паразитних ємностей
343. На якому принципі заснована робота статичної пам'яті?
o на роботі тригерів
344. На пам'яті якого типа організована кеш-пам’ять?
o Статичної
345. На пам'яті якого типа організовано системне ОЗП?
o Динамічної
346. До якого адресного простору можна звернутися, використовуючи вісім ліній адресної шини?
o 256 байт.
347. Який тип обміну даними найбільш небажаний для роботи швидких пристроїв введення/виведення?
o програмне введення/виведення
348. Для чого використовується вектор переривання?
o для виклику підпрограми обробки
349. з режимів обміну дозволяє виконувати операції в обхід процесора?
o ПДП
350. Поясніть значення абревіатури IRQ I.
o переривання номер 1
351. Що означає поняття "32-розрядний процесор"?
o 32-розрядні регістри загального призначення
352. Завдяки якій процедурі в осередках DRAM підтримується постійний рівень заряду?
o Регенерації
353. Яка технологія дозволяє пам'яті DDR SDRAM працювати швидше за SDRAM?
o синхронізація фронтом і зрізом імпульсів
354. Режим переривання використовують коли
o з’являється необхідність негайної передачі від пристрою введення/виведення до МП
355. Пріоритетне переривання полягає в тому, що
o визначається пристрій, якій має пріоритет в обслуговувані
356. Векторне переривання полягає в тому, що
o швидкодіючий пристрій обмінюється з МП по одному слову в порядку пріоритету
357. Для зменшення втрат часу при обміні масивами даних доцільно застосувати:
o режим прямого доступу до даних
358. Під адресним простором розуміють
o множину адрес ОЗП та ПЗП, яка доступна для программ
359. Якщо адреса мікропроцесорної системи формується у вигляді 16-розрядного слова, то адресний простір дорівнює:
o 64Кбайт
360. Якщо адреса мікропроцесорної системи формується у вигляді 20-розрядного слова, то адресний простір дорівнює:
o 1Мбайт
361. Суть «Гарвардської архітектури» полягає в тому
o пам’ять програм відокремлена від пам’яті даних, для того щоб одночасно виконувати вибірку команд та даних
362. Кеш-пам’ять
o запам’ятовує копії інформації між процесором та основною пам’яттю
363. Стек ...
o зберігає черги даних з порядком вибірки слів таким же, як й порядок їх надходження
364. Flash-пам’ять
o застосовується для зберігання даних
365. Сигнал READY
o показує, що пам’ять або зовнішній пристрій готові до обміну з мікропроцесором
366. Сигнал INTR
o використовується, як вихід підтвердження векторного переривання
367. Сигнал HOLD
o формується зовнішнім пристроєм для запиту захоплення шин МП
368. Сигнал HLDA
o підтверджує режим захоплення шин МП
369. У чому основне призначення режиму Protected Mode?
o у використанні механізму захисту програм і даних
370. Як організована багатозадачність? o виділенням для кожної програми кванта часу
371. Який компонент системи забезпечує початковий старт комп'ютера ?
o BIOS
372. Яка шина використовується тільки для відеоадаптера? o AGP
373. Яка з шин представлена на материнській платі не більше ніж одним роз'ємом?
o AGP
374. Контролер жорсткого диска називають... o IDE
375. Контролер дисководу називають... o FDC
376. Порт принтера інакше називають ... порт o LPT
377. Послідовний порт інакше називають ... порт o COM
378. Пряма адресація передбачає, що o операнди вилучаються з пам’яті за адресою, котра зберігається в команді
379. Пряма регістрова адресація передбачає, що o у коді команди зберігається ім’я регістра, в якому знаходиться операнд
380. Безпосередня адресація передбачає, що o операнди вилучаються з пам’яті за адресою, котра зберігається в команді
381. Непряма адресація передбачає, що o операнд з пам’яті вилучається через комірку пам’яті
382. Відносна адресація передбачає, що o виконавча адреса формується шляхом додавання базової адреси до адресного поля команди
383. Який байт переданий по UART ?
o 0b10010110
384. Який це інтерфейс ? o I2C
385. Скільки мінімум біт необхідно для розміщення числа 32000?
o 15
386. Яка пам’ять втрачає дані при відключенні живлення? o SRAM
387. Яке рівняння еквівалентно схемі ?
o Y=(((B*C)+(A*B))*C*A
388. Номер комірки пам’яті або пристрою вводу/виводу даних це:
o адреса;
389. Один із регістрів загального призначення, який бере участь у багатьох операціях і позначається літерою А:
o акумулятор;
390. Складова частина мікропроцесора, яка виконує операції по арифметичній та логічній обробці даних:
o АЛП.
391. Двійковий код, який використовується мікропроцесором для формування початкової адреси однієї із підпрограм обробки запиту на переривання:
o вектор переривання;
392. Назва мови низького рівня, на якій пишуть програми для мікропроцесорів та мікро-ЕОМ:
o Асемблер
393. Дані, над якими виконується математична або логічна операція:
o Операнд
394. Група регістрів, які є складовою мікропроцесора і призначені для надоперативної обробки даних:
o регістри загального призначення
395. Спеціально відокремлена область пам’яті, яка призначена для запису змісту внутрішніх регістрів мікропроцесора та адреси останньої команди при переході до обробки запиту на переривання:
o стек
396. Спеціально виділений тригер, який сигналізує своїм станом про події, яка відбулися:
o Прапор
397. Сукупність ліній зв’язку, по яких передаються дані, адреси та керуючі сигнали:
o шина
398. Частина мікропроцесора, яка виробляє послідовність керуючих сигналів для координації роботи всіх його складових:
o пристрій керування
399. Команда на мові Асемблера, яка слугує для пересилання даних, має мнемонічне позначення:
o MOV
400. Команда на мові Асемблера, яка слугує для додавання двох операндів, має мнемонічне позначення:
o ADD
401. Команда на мові Асемблера, яка слугує для перемноження двох операндів, має мнемонічне позначення:
o MUL
402. Команда на мові Асемблера, яка слугує для ділення двох операндів, має мнемонічне позначення:
o DIV
403. Команда на мові Асемблера, яка забезпечує безумовний перехід, має мнемонічне позначення:
o JMP
404. Команда на мові Асемблера, яка забезпечує зменшення змісту регістру на одиницю, має мнемонічне позначення:
o DEC
405. Команда на мові Асемблера, яка забезпечує збільшення змісту регістру на одиницю, має мнемонічне позначення:
o INC
406. Команда на мові Асемблера, яка не викликає виконання жодної операції, має мнемонічне позначення:
o NOP
407. Команда на мові Асемблера, яка слугує для віднімання двох операндів, має мнемонічне позначення:
o SUB
408. Адресний простiр вiд 0 до 1Fh памятi даних SRAM збiгається iз:
o регiстрами загального призначення R0-R31
409. Адресний простiр вiд 20 до 5Fh памятi даних SRAM збiгається iз:
o набором регiстрiв введення/виведення (register file)
410. Виводи мiкроконтролера XTAL1, XTAL2 слугують для пiдключення до них:
o Кварцевого резонатора
411. Вивод мiкроконтролера RESET потрiбен для: o Переведення мiкроконтролера у стан скидання
412. Вкажiть робочий дiапазон напруги живлення мiкроконтролера AT90S8535.
o 2.7/3.3 V
413. Вкажiть тип мiкроконтролера який виготовляє фiрма Microchip.
o PIC16F84
414. Вкажiть тип мiкроконтролера який виготовляє фiрма Motorola.
o 68HC11
415. Вкажiть тип мiкроконтролера який розробила фiрма Intel. o i8051
416. Вказати iнструкцiю котра нiчого не виконує: o NOP
417. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї ADD R16, R25: o безпосередня адресацiя двох регiстрiв загального призначення
418. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї CLR R10: o безпосередня адресацiя одиночного регiстру загального призначення
419. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї ICALL Read_byte: o непряма адресацiя памятi программ
420. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї JMP Begin: o безпосередня адресацiя памятi программ
421. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї LD R12, Y: o непряма адресацiя даних
422. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї LD R3, -X: o непряма адресацiя даних iз переддекрементом
423. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї LPM: o адресацiя константи у памятi програм
424. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї OUT PORTA, R25: o безпосередня адресацiя регiстрiв введення/виведення (register file)
425. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї RJMP Connect: o вiдносна адресацiя памятi программ
426. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї STD Z+15, R20: o непряма адресацiя даних iз змiщенням
427. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї STS 0x0350, R20: o безпосередня адресацiя даних
428. Вказати режим адресацiї для iнструкцiї ST Y+, R23: o непряма адресацiя даних з пiсляiнкрементом
429. Вказати серед наведених регiстрiв загальний регiстр признакiв переривань:
o GIFR
430. Вказати серед наведених регiстрiв статусний регiстр аналогового компаратора:
o ACSR
431. Для зберiгання данах якi постiйно використовуються але з часом змiнюються i повиннi залишатися при вимкненнi живлення слiд зберiгати у пам'яти типу:
o EEPROM
432. Для зберiгання даних якi оперативно змiнюються i використовуються лише пiд час виконання програми слiд використовувати пам'ять типу:
o SRAM
433. Для зберiгання програм у мiкроконтролерi AT90S8535 використовується пам'ять типу:
o Flash
434. З яких регiстрiв загального призначення складається регiстр X у AT90S8535:
o R26:R27
435. З яких регiстрiв загального призначення складається регiстр Y у AT90S8535:
o R28:R29
436. З яких регiстрiв загального призначення складається регiстр Z у AT90S8535:
o R30:R31
437. Мiкроконтролер AT90S8535 будується на основi RISC архiтектури яка означає:
o Reduced Instruction Set Computing
438. Мiкроконтролер AT90S8535 має розряднiсть шини даних: o 8 бiт
439. Максимальна тактова частота роботи мiкроконтролера AT90S8535 становить.
o 16 МГц
440. На який вивiд мiкроконтролера AT90S8535 подається взiрцева опорна напруга для аналогоцифрового перетворювача?
o AREF
441. Вкажiть тип мiкроконтролера який виготовляє фiрма Atmel.
o AT90S8535
442. Розряднiсть регiстрiв X, Y, Z у AT90S8535 становить: o 16 бiт
443. Розряднiсть регiстрiв загального призначення R0-R31 у AT90S8535 становить:
o 8 бiт
444. Серед наведених iнструкцiй вказати iнструкцiю переходу: o SBRC R16, 5
445. Серед наведених iнструкцiй вказати iнструкцiю яка виконує арифметичну дiю:
o ADIW R3, 0x3F
446. Серед наведених iнструкцiй вказати iнструкцiю яка виконує логiчну операцiю:
o EOR R17, R18
447. Серед наведених регiстрiв вказати регiстр вибору мультиплексора АЦП:
o ADMUX
448. Серед наведених регiстрiв вказати регiстр признакiв переривань таймерiв:
o TIFR
449. Серед наведених регiстрiв вказати статусний регiстр: o SREG
450. У якому типi корпуса мiкроконтролер AT90S8535 не виготовляється.
o MLF
451. Яка iз наведених iнструкцiй є iнструкцiєю передачi даних: o LDS R17, 0x01B7
452. Яка iз наведених iнструкцiй є iнструкцiєю роботи iз бiтами: o SBIC PIND, 7
453. Яка iз фiрм виробникiв електрорадiокомпонентiв не займається випуском мiкроконтролерiв.
o International Rectifier
454. Яка кiлькiсть регiстрiв загального призначення мiститься у мiкроконтролерi AT90S8535.
o 32
455. Який iз мiкроконтролерiв виготовляє фiрма Texas Instruments.
o MSP430
456. Який iз наведених мiкроконтролерiв не будується за RISC архiтектурою.
o i8051
457. Який iз наведених регiстрiв є загальним регiстром маски переривань:
o GIMSK
458. Який iз наведених регiстрiв є регiстром даних енергонезалежної памятi EEPROM:
o EEDR
459. Який iз наведених регiстрiв є регiстром керування сторожевим таймером:
o WDTCR
460. Який iз наведених регiстрiв є регiстром маски переривань таймерiв:
o TIMSK
461. Який iз наведених регiстрiв є регiстром напрямку порта В: o DDRB
462. Який обєм енергонезележної памятi типу EEPROM мiститься у мiкроконтролерi AT90S8535.
o 512 байт
463. Який об'єм оперативної памятi знаходиться у мiкроконтролерi AT90S8535.
o 512 байт
464. Який об'эм памятi для зберiгання програм є у мiкроконтролерi AT90S8535.
o 8 кбайт
465. Який периферiйний пристрiй вiдсутнiй у мiкоконтролерi AT90S8535.
o ЦАП
466. Яку кiлькiсть 8-бiтних портiв мiстить мiкроконтролер AT90S8535.
o 4 шт
467. Яку кiлькiсть разiв можна гарантовано прошивати програму у Flash память мiкроконтролера AT90S8535.
o бiля 1000 разiв
468. h12e - це: o Коефіцієнт зворотного зв'язку для схеми включення із спільним емітером;
469. Wв це: o Верхній рівень енергії електронів валентної зони;
470. Wп це: o Нижній рівень енергії електронів зони провідності;
471. Біполярний транзистор знаходиться в режимі відсіку. В якому стані знаходяться емітерний та колекторний р-п переходи?
o ЕП - звор, КП - звор;
472. Величина втрат в діелектрику залежить від: o Частоти зміни напруги, величини напруги, розмірів діелектрика та його різновидності;
473. Величина опору провідника: o Прямо пропорційна величині питомого опору, довжині провідника та зворотно пропорційна
площі поперечного перерізу;
474. Вибрати із списку ту послідовність схем включення біполярного транзистора при якій вхідний опір буде збільшуватись?
o СБ. СЕ. СК
475. Вихідним опором для схеми включення із спільним емітером являється:
o 1/h22e;
476. Вихідною провідністю для схеми включення із спільним емітером являється:
o h22e;
477. Власна електропровідність напівпровідника залежить від: o Різновидності напівпровідника, рухливості електронів, дірок, ширини забороненої зони,
температури навколишнього середовища;
478. В основі принципу роботи біполярного транзистора: o є робота емітерного р-п переходу при прямому, а колекторного - при зворотному включенні;
479. В основі принципу роботи світлодіодів лежить:
o Явище виділення енергії в напівпровідниках при рекомбінації носіїв зарядів при умові прямого включення р-п переходу;
480. В основі принципу роботи фотодіодів лежить: o Явище фотоефекту в р-п переході;
481. В основі принципу роботи фоторезисторів лежить: o Явище фотопровідності напівпровідників;
482. Втрати на гістерезис залежать від: o Частоти коливання, товщини матеріалу, площі, та максимальної індукції;
483. Вхідним опором для схеми включення із спільним емітером являється:
o h11e;
484. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по потужності?
o Із спільним емітером;
485. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по струму?
o Із спільним емітером та спільним колектором;
486. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по напрузі?
o Із спільною базою;
487. В якому пункті найбільш повно розкриті переваги польових транзисторів?::В якому пункті найбільш повно розкриті переваги польових транзисторів?
o Високий вхідний опір, малий рівень власних шумів;
488. Для визначення напруги Uке та струму Ік при певному значенні струму бази необхідно мати:
o Множину вихідних статичних характеристик для схеми включення із спільним емітером;
489. Для яких з нижчеприведених приладів робочим включенням є зворотне?
o Стабілітрон, фотодіод та варікап;
o Стабілітрон, варікап та тунельний діод;
490. До основних параметрів магнітних матеріалів відносяться: o початкова та максимальна магнітна проникність, залишкова (остаточна) магнітна індукція,
індукція насичення, коерцитивна сила, температура Кюрі, магнітострикційна деформація насичення, втрати па гістерезис;
491. Загальний струм через діелектрик залежить від: o скрізного струму, струму абсорбції, струму зміщення;
492. На корпусі резистора написано 1К6М. повний запис позначення буде мати вигляд:
o Резистор опором 16К ±10%,ТУ;
o Резистор опором 16кОм ±20%, ТУ;
493. На корпусі резистора написано М10К. повний запис позначення буде мати вигляд:
o Резистор опором 10М ±10%;
o Резистор опором 10МОм ±10%;
494. На приведеному рисунку показане умовне графічне зображення:
o фототранзистора;
495. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Біполярного транзистора структури п-р-п;
496. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o тиристора з управлінням по аноду.
497. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o симістора;
498. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o тиристора з управлінням по катоду.
499. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Біполярного транзистора структури р-п-р;
500. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Польового МДН транзистора з індукованим каналом р-типу з виводами від основи.
501. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу з виводами від основи;
502. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o фототранзисторної фототопари;
503. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o фототранзисторної фототопари;
504. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Динисторної оптопари.
505. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Резисторної оптопари;
506. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Діодної оптопари;
507. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o фотодинистора;
508. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o фотодіода;
509. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Обидва варіанти правильні;
510. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o фоторезистора;
511. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу;
512. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o оберненого діода;
513. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o стабілітрона;
514. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o динистора.
515. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o двоханодного стабілітрона.
516. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o діода Шоткі.
517. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o світлодіода;
518. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o тунельного діода;
519. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу з виводом від основи;
520. На приведеному рисунку показано умовне графічне зображення
o Польового МДН транзистора з вбудованим каналом n-типу;
521. ОСНОВНИМИ елементами гібридної мікросхеми є o Все враховано в першому та другому варіантах.
522. Основні параметри провідникових матеріалів це o величина питомого опору, температурний коефіцієнт питомого опору, коефіцієнт термо-ерс,
коефіцієнт теплопровідності.
523. Основою вольтамперної характеристики діністора, тірістора, симістора являється
o Пряма вітка вольтамперної характеристики діода;
524. Пасивна частина гібридної мікросхеми є o Все враховано в першому та другому варіантах.
525. Поляризація діелектрика характеризується o Поляризованістю;
526. При збільшенні частоти o Відбувається зсув по фазі між струмом емітера та струмом колектора, зменшується коефіцієнт
передачі "alpha;" або "beta;".
527. При збільшенні частоти властивості р-п переходу погіршуються
o У випадку зворотного включення внаслідок впливу бар'єрної ємності переходу.
528. При зворотному включенні р-п переходу o Збільшується потенціальний бар'єр, утворюється бар'єрна ємність, збільшується його ширина -
перехід веде себе як діелектричний матеріал;
529. При зворотньому включенні р-п переходу небезпечним є o Перевищення напругою величини Uзвmax, що веде до електричного пробою переходу
530. Припой повинен мати o Добру рідкотекучість, малий інтервал температур кристалізації, механічну міцність, корозійну
стійкість, електропровідність та захищати поверхні. що паяються, від окислення в процесі пайки.
531. При прямому включенні р-п переходу o Зменшується потенціальний бар'єр, утворюється дифузійна ємність, зменшується його ширина -
перехід веде себе як провідниковий матеріал;
532. При прямому включенні р-п переходу небезпечним є o Перевищення струмом величини Іпрmax, що веде до теплового пробою переходу;
533. Пробій діелектрика це o Лавинне наростання струму через діелектрик внаслідок зростання кількості носіїв
534. Символом "α" позначається o Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільною базою;
535. Символом "β" позначається o Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільним емітером;
536. Скільки виводів має діністор?
o 2
537. Скільки виводів має симістор? o 3
538. Скільки виводів має тиристор? o 3
539. Скільки транзисторів має процесор Pentium III? o 9... 10млн.
540. Стокова характеристика польового транзистора - це залежність
o Іс - f(Uвз) при Uвс - const;
541. Стоко-затворна характеристика польового транзистора - це залежність
o Іс - f(Uвз) при Uвс - const;
542. Функція Іб \= f(Uбе) при Uкб - соnst o Такий вираз не існує.
543. Функція Іб \= f(Uбе) при Uке - соnst o Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;
544. Функція Іе \= f(Uбе) при Uкб - соnst o Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;
545. Функція Іе \= f(Uбе) при Uке - соnst o Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;
546. Функція Іе \= f(Uкб) при Іб - соnst o Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;
547. Функція Іе \= f(Uкб) при Іе - соnst o Такий вираз не існує.
548. Функція Ік \= f(Uке) при Іб - соnst o Такий вираз не існує.
549. Функція Ік \= f(Uке) при Іе - соnst o Такий вираз не існує.
550. Що найбільше впливає на роботу транзистора при збільшенні температури?
o Збільшення струму колектора Ік та струму бази Іб;
551. Що означають цифри, як вказуються в позначенні типу конденсатора після букви "К"?
o Ні один із вказаних варіантів не підходить для відповіді.
552. Явище фотопровідності використовується в o фоторезисторах;
553. Яка величина напруги живлення ЕЗЛ мікросхем - 1\: 5...6В, 2\: -5...-7В, 3\: 9...10В, 4\: 3...5В.
o 2, 3
554. Яка величина напруги живлення МДН (КМДН) мікросхем - 1\: 5...6В, 2\: -5...-7В, 3\: 9...10В, 4\: 3...15В.
o 4.
555. Яка величина напруги живлення ТТЛ мікросхем - 1\: 5...6В, 2\: -5...-7В, 3\: 9...10В, 4\: 3...5В.
o 1;
556. Яка особливість переходу Шотткі? o Відсутність інжекції неосновних носіїв зарядів, внаслідок чого відсутня дифузійна ємність, що
значно покращує частотні властивості переходу, а, також значно менше значення падіння напруги на переході
557. Яка ширина забороненої зони арсеніду галію?::Яка ширина забороненої зони арсеніду галію?
o 1,42ЕВ;
558. Яка ширина забороненої зони германію? o 0,66ЕВ;
559. Яка ширина забороненої зони кремнію? o 1,1ЕВ;
560. Як буде вести себе трьохшарова напівпровідникова структура у випадку, якщо принципи будови біполярного транзистора не будуть виконані?
o Не буде зовсім виконувати підсилювальних функцій, буде являти собою два діода із загальним анодом (катодом);
561. Як встановлюють величини опорів, потужностей, відхилень опорів резисторів при їх виготовленні
o Згідно встановленим стандартами рядами опорів, потужностей, відхилень;
562. Який з приведених записів відповідає неполярному керамічному конденсатору?
o К53-19а-10мкФ-16В±20%,ТУ;
o К53-19а-16В-10мкФ-±20%,ТУ.
563. Який з приведених записів відповідає полярному електролітичному конденсатору?{
o Ні один.
564. Який з приведених записів відповідає полярномуоксидно- напівпровідниковому конденсатору?
o Жоден.
565. Який з приведених нижче параметрів біполярного транзистора приводиться в довідниковій літературі?
o h21e;
566. Який з приведених приладів може регулювати напругу змінного струму?
o симістор або тиристор.
567. Які з нижчеприведених приладів можуть забезпечувати комутацію електричних ланцюгів?
o Правильний перший та третій варіант.
568. Які з приведених нижче параметрів біполярного транзистора є основними та приводиться в довідниковій літературі?
o h21e, Uке, Ік, Uкб, Uеб, fгр, Рмакс;
569. Які з приведених нижче параметрів відповідають параметрам стабілітрона?
o Істмін, Істмакс, Rдиф, Uстмін, Uстмакс, Рмакс
570. Які з приведених нижче параметрів польового транзистора є граничними?
o Uвз, Іс, Uвс, fгр, Рмакс;
571. Які з приведених нижче параметрів польового транзистора є основними та приводиться в довідниковій літературі?
o Uвідс(Uпор), Іс, S, Uвс, fгр, Rвих, Рмакс;
572. Які з приведених операцій використовуються при виробництві гібридних мікросхем\: 1\: аналіз принципової схеми, 2\: розробка топології. 3\: виготовлення фотошаблонів, 4\: виготовлення фотошаблонів та масок, 5\: нанесення плівкових пасивних елементів, 6\: нанесення плівкових пасивних елементів та установка дискретних елементів. 7\: конструктивне оформлення, 8\: дифузія, 9\: епітаксія?
o 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7;
573. Які з приведених операцій використовуються при виробництві напівпровідникових мікросхем\: 1\: аналіз принципової схеми, 2\: розробка топології, 3\: виготовлення фотошаблонів. 4\: виготовлення фотошаблонів та масок. 5\: нанесення плівкових пасивних елементів, 6\: нанесення плівкових пасивних елементів та установка дискретних елементів, 7\: конструктивне оформлення, 8\: дифузія, 9\: епітаксія?
o 1, 2, 4, 8, 9;
574. Які з приведених оптопар можуть працювати в ланцюгах змінного струму\: 1\: резисторні, 2\: діодні, 3\: транзисторні, 4\: тірісторні?
o 1, 4;
575. Які з приведених оптопар можуть працювати в ланцюгах тільки постійного струму\: 1\: резисторні, 2\: діодні, 3\: транзисторні, 4\: тірісторні?
o 1, 2, 3
576. Які напрямки техніки відносяться до мікроелектроніки? o Охоплює функції, вказані в усіх трьох варіантах.
577. Які основні параметри комутаційних пристроїв? Вкажіть найбільш повний варіант.
o Іком, Uком, R., L, С, Uпроб, термін служби (кількість комутацій);
578. Які параметри діода відносяться до граничних o Іпрмакс, fмакс, Uзвмакс, Рмакс.;
579. Напівпровідникові діоди з малим зворотнім струмом і різким переходом в ділянку пробою, це:
o Стабілітрон
580. Пасивний електрорадіоелемент, який створює активний опір електричному струму і використовується для регулювання струму та напруги в електричних колах, називається:
o Резистором
581. Із кераміки, скла або ситалу виготовляють: o Основу резисторів
582. Якщо на резисторі вказано 1кОм 10%, це значить, що реальне значення опору лежить в діапазоні:
o Від 900 Ом до 1,1кОм
583. Стабілітрони виготовляють із: o Кремнію
584. Симетричні стабілітрони вмикаються в електричне коло у: o Будь якому
585. За виразом знаходиться o Обмежуючий опір для стабілізатора
586. При прямому включені стабілітрона змінюється: o Напруга і струм
587. На схемі зображено:
o Реостатного включення змінного резистора і навантаження
588. Для яких резисторів виконується Закон Ома: o Змінний резистор
589. Елемент електронної апаратури, який в електричному колі чинить активний опір струмові, це:
o Резистор
590. До основних параметрів стабілітрона відносяться: o Напруга стабілізації, максимальний струм, максимальна потужність
591. Основним недоліком дротяних резисторів є: o Підвищена індуктивність
592. Відношення цих опорів називають: o Коефіцієнтом номінального значення
593. При збільшені температури опір резисторів: o Збільшується
594. Фоторезистори працюють на явищах: o Внутрішнього фотоефекту
595. За виразом знаходиться: o Внутрішній опір стабілітрона
596. При зворотньому включені стабілітрона змінюється: o Лише струм
597. На схемі зображено: o Потенціометричного включення змінного резистора і навантаження
598. Найменшу індуктивність мають: o SMD-резистори
599. На якій ділянці ВАХ стабілітрона виконується Закон Ома: o Стабілізації
600. Які пристрої працюють на явищі лавинного пробою: { o Стабілітрон і тиристор
601. При паралельному з'єднанні двох однакових резисторів: o Провідність збільшується в два рази
602. Надійність резисторів спадає в наступному порядку: o Постійний, підстроєчний, змінний,
603. При збільшені температури опір терморезисторів: o Зменшується
604. При паралельному з'єднані трьох однакових резисторів струм, що протікає через кожен:
o Зменшиться в три рази
605. За виразом знаходиться: o Диференційний опір стабілітрона
606. Для термокомпенсації ВАХ стабілітрона найкращим є варіант: {
o Включення додаткового стабілітрона в прямому напрямку
607. Червона межа фоторезистора залежить від: o Довжини хвилі світла
608. Рівень шумів стабілітрона у порівнянні з діодом: o Значно більший
609. Основним робочим режимом стабілітрона є: o Протікання струму лавинного пробою
610. Закон Ома виконується для: o Резистора і фото резистора
611. При послідовному з'єднанні двох стабілітронів з різними напругами стабілізації
o Напруга стабілізації збільшується
612. Із збільшенням робочої частоти втрати в дротяному резисторі:
o Збільшуються за рахунок опору і індуктивності
613. При збільшені температури опір позістора: o Не міняється
614. Паразитна ємність збільшується в наступних резисторах: o Композитний, плівковий, дротяний
615. При послідовному з'єднанні трьох однакових резисторів струм, що протікає через кожний:
o Залишиться не змінним
616. Який із вказаних резисторів є змінним: o Багатооборотний
617. При паралельному з'єднані двох резисторів їх опір визначається як:
o
618. Для забезпечення режиму стабілізації вхідна напруга повинна бути:
o Більшою напругою стабілізації
619. Напругу стабілізації стабілітрона можна змінювати: o Змінюючи тип стабілітрона в стабілізаторі
620. ВАХ варистора має вигляд: o Кубічної параболи
621. З підвищенням частоти активний опір високоомних резисторів:
o Зростає
622. Який резистор чутливий до зміни тиску: o Тензорезистор
623. Основною характеристикою фоторезистора є: o ВАХ і енергетична
624. Перевищення потужності розсіювання на стабілітроні призведе до:
o Теплового пробою
625. При послідовному з'єднані постійного та змінного резистора діапазон регулювання опору:
o Зменшується
626. При зворотньому включені стабілітрона змінюється: o Лише струм
627. Відхилення 5% від номіналу резисторів забезпечує ряд: o Е24
628. Який із вказаних резисторів має лінійну ВАХ: o Змінний резистор
629. Який параметр відноситься до операційного підсилювача? o напруга зміщення нуля
630. Кремнієвий діод нечутливий до прямої напруги в межах? o до 600 мВ
631. Маркування КТ315А відноситься до транзисторів типу { o кремнійових біполярних
632. Яка серія мікросхем визначається найбільшим споживанням від джерела живлення?
o ЕЗЛ
633. За якою технологією побудовано переважну більшість сучасних мікропроцесорів
o КМОН
634. Оберіть з списку елемент що випромінює світло? o Світлодіод
635. Який елемент може бути використаний для комутування кількох сигналів на єдину вихідну шину?
o Мультиплексор
636. До уніполярних елементів можна віднести?
o польовий транзистор
637. Похибку квантування має наступний елемент? o аналогово -цифровий перетворювач
638. Параметр насичення колектор-емітер характеризує наступний елемент?
o Біполярний транзистор
639. Який елемент має вольт-амперну характеристику у формі латинської N?
o туннельний діод
640. У режимі ключа може працювати? o Транзистор
641. Назва БТ визначається кількістю: o Типів носіїв заряду
642. БТ називається: o Напівпровідниковий тріод
643. Який з цих параметрів БТ більше 1:
o
644. Який з цих параметрів БТ менше 1: o
645. Вхідна характеристика БТ в схемі із ЗЕ це:
o
646. Вхідна характеристика БТ в схемі із ЗБ це:
o
647. Вхідна характеристика БТ в схемі із ЗК це:
o
648. На схемі зображено: o Потенціометричного включення змінного резистора і навантаження
