(19) 민 특허청(KR)

(12) 등 특허공보(B1)

(45) 공고 2016 03월04

(11) 등 10-1600200

(24) 등 2016 02월26

(51) 특허 (Int. Cl.)

H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)(21) 원 10-2014-0151281

(22) 원 2014 11월03

심사청 2014 11월03

(56) 사 헌

KR1020130021835 A*

KR1020140079309 A*

KR1020130118578 A

JP2012195280 A

*는 심사 에 여 헌

(73) 특허

울시립 산 단

울특별시 동 울시립 163 ( 동,울시립 )

(72)

병

울특별시 천 동 10 17-10, 빌라302 ( 동, 청림)

(74) 리

특허

체 청 : 15 심사 : 고재

(54) 체 지 그

(57)

본 체 지 그 에 것 다. 본 지는

상 포 고, 상 상 사 에 질 비 , 상 질

체(Ionic liquids, ILs) 1 포 다.

도 - 도5

등록특허 10-1600200

- 1 -

청

청 1

;

상 ;

상 상 사 에 비 질 ; 포 ,

상 질 체(Ionic liquids, ILs) 1 포 고,

상 는 1 상 1 에 극 포 ,

상 상 는 2 , 상 2 에 는 상 극 상 상 극상에 는 다공질

포 고,

상 1 가상 극 , 상 상 극에 는 극 고, 상 극에 는 극

,

상 질 에 포 질 상 1 산 원 ,

상 1 생 는 산 원 여, 상 상 간 격거리

는 지고, 상 상 극과 극 주변에 상 질 누 는 것 는 것 특징

는, 지.

청 2

삭

청 3

1 에 어 ,

상 1 어도 것 특징 는, 지.

청 4

1 에 어 ,

상 극 도 것 특징 는, 지.

청 5

1 에 어 ,

상 극 도 과 도 것 특징 는, 지.

청 6

1 에 어 ,

상 는 도 는 것 특징 는, 지.

청 7

6 에 어 ,

상 도 는 에 도 또는 도 과 도 착시 는

것 특징 는, 지.

등록특허 10-1600200

- 2 -

청 8

1 에 어 ,

상 1 에 염료가 착 는 것 특징 는, 지.

청 9

1 에 어 ,

상 1 에 어도 통공 것 특징 는, 지.

청 10

1 에 어 ,

상 1 복 는 것 특징 는, 지.

청 11

1 에 어 ,

상 상 극상에 다공질 에는 염료가 착 는 것 특징 는, 지.

청 12

11 에 어 ,

상 상 극 도 또는 도 과 도 것 특징 는, 지.

청 13

1 에 어 ,

상 상 는 는 2 , 상 2 상에 는 다공질 포 고,

상 2 에는 도 또는 도 과 착 ,

상 다공질 에는 염료가 착 는 것 특징 는, 지.

청 14

1 에 어 ,

상 1 ,

재 원료 는 도가니 재 원료 승 지 가열 는 1 단계;

상 1 단계에 생 재 원료 승 체가 상 체에 착 는 2 단계;

상 승 체가 상 체에 재결 는 3 단계; 포 는 통 는 것 특징

는, 지.

청 15

14 에 어 ,

상 3 단계 후에 상 재결 재 상 체 리 는 4 단계; 포

는 것 특징 는, 지.

청 16

14 에 어 ,

상 3 단계에 는 상 체 도 상 체 도 는 것

특징 는, 지.

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- 3 -

본 체 지 그 에 것 다.[0001]

경

지는 질 또는 리 여, 들 변 는 에 지 에 지 변 는[0002]

말 다.

지 지, 리 지 리 지라 , 지가 보[0003]

편 다.

지는 1차 지 2차 지 눌 다. 1차 지는 질 극 가 에 미리 어 고, [0004]

질 변 에 생 는 에 지 다.

질 변 가 다 여 재생 없고, 건 지 리 사 다. [0005]

2차 지는 에 지 여 질 변 후에도 다시 지에 에 지 공 , [0006]

질 재생 어 어, 지 많 사 다.

리 지에는 태 지, 열 지 등 , 태 지는 태 빛 직 에 지 꾸는 도체 [0007]

루어 다.

특 , 근에는 청 에 지에 심 지 , 태 여 생산 는 심도 크[0008]

게 가 고 다.

태 에 지 여 생산 는 통상 라 또는 태 지 고 다. 태 지는 그[0009]

동 식에 라 크게 실리 태 지 염료감 태 지 다.

염료감 태 지는 비 가 가능 고, 태 지 에 사 는 재료가 경[0010]

, 태 지 시에 CO2 량 에 차 태 지 주 고 다.

그러 , 염료감 태 지 경우에는 염료 가 는 만 변 에 게 는 , 염[0011]

료 는 실리 트럼에 비 여 생 에 낮 보 에 실리

사 는 태 지에 비 여 변 낮 진다는 단 므 , 에 결

고 는 실 다.

헌

특허 헌

(특허 헌 0001) 민 특허청 등 10-0584680 [0012]

내

결 는 과

본 상 같 래 결 여 것 , 체 지 그[0013]

사 에게 공 는 그 다.

편, 본 에 루고 는 과 들 상에 언 과 들 지 , 언[0014]

지 또 다 과 들 래 재 본 는 에 통상 지식 가진 에

게 게 것 다.

과 결 단

상 과 실 본 지는 상 포 고, 상 [0015]

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- 4 -

상 사 에 질 비 , 상 질 체(Ionic liquids, ILs)

1 포 다.

또 , 상 는 1 상 1 에 극 포 다.[0016]

또 , 상 1 어도 다.[0017]

또 , 상 극 도 다.[0018]

또 , 상 극 도 과 도 다.[0019]

또 , 상 는 도 다.[0020]

또 , 상 도 는 에 도 또는 도 과 도 착시 [0021]

다.

또 , 상 1 에 염료가 착 다.[0022]

또 , 상 1 에 어도 통공 다.[0023]

또 , 상 1 복 다.[0024]

또 , 상 상 는 2 , 상 2 에 는 상 극 상 상 극상에 는 다[0025]

공질 포 고, 상 다공질 에는 염료가 착 다.

또 , 상 상 극 도 또는 도 과 도 다.[0026]

또 , 상 상 는 는 2 , 상 2 상에 는 다공질 포 고, 상[0027]

2 에는 도 또는 도 과 착 , 상 다공질 에는 염료가

착 다.

또 , 상 1 , 재 원료 는 도가니 재 원료 승 지 가열 는 1 단계; 상[0028]

1 단계에 생 재 원료 승 체가 상 체에 착 는 2 단계; 상 승

체가 상 체에 재결 는 3 단계; 포 는 통 다.

또 , 상 3 단계 후에 상 재결 재 상 체 리 는 4 단계; [0029]

포 다.

또 , 상 3 단계에 는 상 체 도 상 체 도 [0030]

다.

과

본 상 같 래 결 여 것 체 지 그 [0031]

사 에게 공 다.

편, 본 에 얻 는 과는 상에 언 과들 지 , 언 지 또 다 [0032]

과들 래 재 본 는 에 통상 지식 가진 에게 게

것 다.

도 간단

본 에 첨 는 다 도 들 본 람직 실시 시 는 것 , 상 과[0033]

께 본 사상 욱 시키는 역 는 것 므 , 본 그러 도 에 재 사 에

만 어 어 는 니 다.

도 1 본 과 여, 체 재 계 도시 개 도 다.

도 2는 도 1에 도시 체 재 에 도 도

시 것 다.

도 3 본 과 여, 체 재 계 도시 개 도 다.

도 4는 본 과 태 지 타낸 단 도 다.

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- 5 -

도 5는 본 에 체 태 지 타낸 단 도 다.

도 6 본 에 체 태 지 다 타낸 단 도 다.

도 7 본 에 체 태 지 또 다 타낸 단 도 다.

도 8 본 에 체 태 지 또 다 타낸 단 도 다.

실시 체 내

, 도 참 여 본 람직 실시 에 다. 또 , 에 는 실시 는 특[0034]

허청 에 재 본 내 당 게 지 , 본 실시 태에 는 체가 본

결 단 라고는 없다.

체(Ionic liquids, ILs)는 에 훌 도 타내는 낮 , ,[0035]

열 지닌 염 다.

상 특 체(ILs)는 산업, 산업, 신 재 등에 폭[0036]

게 사 고 다.

특 , 체는 어 재 는 에 도 다.[0037]

OLED(Organic Light Emitting Diodes) 시 통 다.[0038]

근에는 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 시 가 차 시 각 고 다. 그 는 [0039]

LED가 는 동 없 뿐만 니라, , 막, 빠 답 도, 시 각 등

과 다 다색 다.

러 OLED는 공과 가 에 재결 여 들뜬 상태 는 여 (exciton) 생 고, 생 여[0040]

에 지에 특 갖는 빛 는 컫는다.

OLED는 리 등 (Glass)상에 극(Anode), 공 주 (Hole injection layer: HIL), 공 [0041]

(Hole transport layer: HTL), (Emission layer: EML), (Electron transport layer:

ETL), 주 (Electron injection layer: EIL) 극(Cathode) 차

다.

OLED 에 어 는 다. 그런 , 러 공[0042]

주 뿐만 니라 주 공과 재결 에 직 여 에, 도는 OLED 라,

우 는 주 고 다.

, 내 량 주 시 , 공과 재결 낮 어[0043]

가 뿐만 니라, 첨가 새 운 에 지 어 색 도

다.

라 , 고 도, 고 , 계 달 는, 계 , 공([0044]

) 주 특 우 신재료 개 , 새 운 재료개 과 어 OLED

도 상 고 다.

편, OLED 에 어 는 매 사 재결 또는 승 에 재결 [0045]

사 고 다. 승 에 재결 진공 에 재료가 승 어 재결 므 , 들어가지

는 특 갖는다. 라 , 통상 계 재료 는 승

사 고 다.

여 , 승 (sublimate)는 상평 도에 3 도 에 생 는 체-고체상 상 지[0046]

다. 상 에 가열 열 는 질 라 지라도 1 낮 에 는 비 도에

도 지 는 상태가 지 다. 러 질 여 도 울 어가 가능 승 내에 ,

질 가열 여 질 지 상태 승 다 과 리 는 진공 승

(vacuum sublimation method) 라 다. 러 진공 승 리 보 시 사

그 에 지 에, 시료 염 없고 리 큰 가지고 어 OLED

재 에 다.

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재 통상 사 고 는 OLED 재 연 승 (train sublimation) 다. [0047]

공 에 상 재 시키고, 진공 내 진공시킨 상태

에 가열 체에 걸쳐 도 울 만드는 것 다. 게 리 고 는 재

승 차 에 재결 차 재 리 다. 경우에 라 는 도

가 쪽에 낮 쪽 진공도가 크게 어지지 는 내에 는 재 지

는 질 또는 체 동시 재 체 운 는 운 체 사 고 다. 러 운

체는 재 체 원 게 동시키는 역 다.

재 원료는 도가니 내에 담 고, 도가니는 2 리 내 에 다. 편, 2 리[0048]

1 리 감싸고 는 갖는다. 여 , 도가니는 도시 지 단 가 개

공 원통 단 에 워 맞 어지 , 리 틸 재료 갖는

뚜껑 갖도 다.

는 1 리 러싸듯 다. , 는 도가니가 는 에[0049]

다. 진공 는 2 리 타 에 어 2 리 내 진공상태 지시키는 역

다.

승 는, 우 진공 2 리 내 진공상태 만들고, 량 운 체 진[0050]

공 가 2 리 체에 주어 미 울 다. 그리고, (250)

도 리 2 리 체에 걸쳐 도 울 가 는 , 는 도

포는 규 포 곡 타낸다.

편, 도가니 도가 그 에 담 상 재 원료 승 보다 지 재는 승 시[0051]

, 체 는 도가니 에 울 에 진공 가

동 시 다. , 재 원료보다 승 도가니 내 에 다.

진공 가 동 는 체 는, 승 도 가진 2 리 간에 다[0052]

시 고체상 어, 2 리 내 에 결 상태 맺 다.

편, 시간 경과 고 가열 고 냉각시 상 과 같 지 2 리 체[0053]

결 상태 재 어내 다.

그런 , OLED에 사 는 재( 재)는 량 극 고 도 상태여 므 단 [0054]

는 도 재 얻 어 다.

다시 말 , 승 경우 재 승 차 원료 질 도가 질 [0055]

는 는 , 과 승 - 복 는 과 에 질 상당량 체

께 실 므 , 질 비 질 매우 낮다는 다.

에 공 에 비 는 에 지가 많고, 는 질 원가가 상승 는 [0056]

게 다.

러 결 , 진공 에 도 체 여 OLED 재 간편[0057]

게 량 생산 는 체 재 가 다.

에 는, 에 체 재 실시 들 첨[0058]

도 참 여 상 다.

도 1 본 과 여, 체 재 계 도시 개 도 다.[0059]

도 1에 도시 같 , 실시 재 (300)는 OLED 재 원료 가[0060]

열 여 승 시키는 진공 승 단과, 승 재 승 체 체 시

체 에 재결 시키는 진공 재결 단, 승 단과 재결 단 동 어 는

어 단 포 여 다.

여 , 승 단 재 원료(311) 는 도가니(310) , 도가니(310)가 내 [0061]

갖는 가열챔 (320) , 가열챔 (320) 내 진공상태 만드는 진공 (350) , 도가니(310) 가열 는

1 (312), 가열챔 (320) 에 연결 어 체 공 는 체공 원(360) 포

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- 7 -

여 다.

그리고, 재결 단 체(341) (340) , 가열챔 (320) 내 연통 고[0062]

타 (340) 내 체(341)에 지 는 연결도 (330)과, (340) 내 진공상태 만

드는 상 진공 (350), (340) 체(341) 에 집 체 (340)

는 (353) 포 여 다.

편, 가열챔 (320) (340)는 상 에 연결 , 그 연결 에 진공 (350)가 다. [0063]

그리고, 진공 (350) 연결라 에는 가열챔 (320) (340) 택 연통시키는 브(351, 35[0064]

2)가 각각 다.

그리고, (340) 상 쪽에는 재 에 사 체(341) 공 거쳐 재[0065]

도 집 는 체 집 (370) 갖도 다.

실시 에 체(341) 는 식 1 1- 틸-3- 틸리미다 리움 비 (트리 루 틸 포[0066]

닐) 미드(1-Butyl-3-methylimidazorium bis(trifluoromethyl sulfonyl)imide)(BMIM TFSI) 거 ,

식 2 1- 틸-3- 틸리미다 리움 비 (트리 루 틸 포닐) 미드(1-Octyl-3-methylimidazorium

bis(trifluoromethyl sulfonyl)imide)(OMIM TFSI) 다. 또는, 1-에틸-3- 틸리미다 리움 비

(트리 루 틸 포닐) 미드(1-Etyl-3-methylimidazorium bis(trifluoromethyl

sulfonyl)imide)(EMIMTFSI) 도 다.

식 1[0067]

[0068]

식 2[0069]

[0070]

상 같 체(BMIM TFSI, OMIM TFSI, EMIM TFSI)는 비 매 체 내에 [0071]

(organic) 질과 -재결 없 복 는 과 에 과포 도에 빨리 도달 는 재

가 우 재결 는 커니 다 재 재결 는 사 가능 다.

편, BMIM TFSI, OMIM TFSI, EMIM TFSI는 (low melting point), (low vapor pressure), 연[0072]

(nonflammable), (consist of organic molecular ions), - 간 비 질

(controllable properties by combinations of anions and cations) 등 특 가지고 다.

실시 에 체는 재 재결 는 사 는 것 , 100~120℃, 107[0073]

Torr에 도 체상 여 진공 공 에 도 매 가능 다.

편, 실시 에 재 원료(311) 는 공 (HTL) 재료 쓰 는 NPB(N,N'-bis(naphthalen-1-[0074]

yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine) 재 다.

여 , NPB는 승 180℃ 상 다. 라 , 가열챔 (320) 내 도가니(310) 200℃ 상 가열시키[0075]

승 다.

편, OLED 사 는 착 질( 재 원료) 상 같 질 에도 여러 가지가 [0076]

재 다. 라 , 러 여러 재 원료 가 다.

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도가니(310)는 가열챔 (320) 닥 쪽에 는 것 , 쪽에 1 (312) 갖도 다.[0077]

또 , 도가니(310)는 그 내 에 상 재 원료(311) 담 는 태 갖도 다.[0078]

편, 연결도 (330) 그 가열챔 (320) 상 에 연결 고, 타 (340) 상 통 연[0079]

여 체(341) 내 에 지 는 태 다. 러 연결도 (330) 주 에는 연결도 (330)

가열 는 2 (331)가 다. 여 , 2 (331)는 후 체가 연결도 (330) 통

체(341) 는 과 에 , 승 체(313)가 승 지 도 연결도

(330) 주 가열 는 역 다.

그리고, (340) 에는 3 (342)가 가 다. 여 , 3 (342)는 [0080]

체(341) 가열 여 승 체(313)가 체(341)에 는 도 는 역 다. 또

, (340) 상 쪽에는 (353)가 다. , (353) 라 에는 브

(354)가 는 것 람직 다.

또 , (340) 상 쪽에는 체 집 (370)가 다. 여 , 체 집[0081]

(370)는 재 에 사 체(341) 시 과 재 리 공

거쳐 재 도 집 는 역 는 것 , (340) 내 에 고 곡 태 갖는

집 (371)과, (340) 내 에 고 어 집 (371)에 집 는 체 는 집통

(372) 갖도 다.

래에 는 상 같 실시 재 재 는 에 [0082]

다.

도 2는 도 1에 도시 체 재 에 도 도[0083]

시 것 다.

도 1 도 2에 도시 같 , 가열챔 (320) 내 에 재 원료(311)가 담 도가니(310) [0084]

고, (340)에 체(341) 당량 주 후, 진공 (350) 가열챔 (320)

(340) 진공 시킨다. 그런 다 , 1 (312) 도가니(310) 재 승 지 가열시킨다.

그러 , 재 재 승 체(313)가 다(S410).[0085]

상태에 체공 원(360)에 가열챔 (320) 내 체 공 다. , 체[0086]

는 진공도가 크게 어지지 는 내에 재 (300) 는 재 지 는 질

또는 곤 가 등 사 다. 러 체는 승 체(313) (340) 내 체

(341) 동시키는 역 는 것 , 승 체(313) 어 체가 다(S420).

게 체는 가열챔 (320) 내 에 상승 에 라 연결도 (330) 통 체[0087]

(341) 어 포 다(S430). 편, 체가 연결도 (330) 통 체(341)

는 과 에 , 연결도 (330) 주 에 2 (331)가 연결도 (330) 주 가열 에 라

승 체(313)가 승 지 상태 체(341) 다.

편, 체(341)에 체는 포 포 승 체(313)가 체[0088]

(341)에 고, 체는 체(341)에 지 채 체(341) 라

(340) 상 에 집 다. 게 (340) 상 에 집 체는 (353)에

(340) 어 다(S440). 편, (340) 어 체는

체 리 단 통 체공 원(360) 리 어 재 도 다. 여 , 체 리 단

등 다.

체(341)에 승 체(313)가 비 상 재 량 [0089]

에, 재가 우 과포 상태에 러 재결 가 시 어 고 도 재(343)

다(S450). , (340) 에 는 3 (342) 승 체(313)가 체

(341)에 는 도 가 다. 그 , 승 체(313)에 체(341)

도 여 체(341) 내에 재 과포 도 재 재결 도 등 어가 가능

다. 재결 는 과 에 , 게 체(341) 내에

는 고 도 재(343)는 가열챔 (320) 다. 들어, (340)

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에 개폐 그 곳 통 재(343) 다.

상 같 체(341) 내에 는 고 도 재(343)가 고 , 체(341) 내에[0090]

는 체 내에 포 어 과포 도에 지 재 량 게

다. 또 , 공 진 에 라 체(341) 내 량 가 게 고, 시 에 는

또 과포 도에 다다 게 어 재결 재 내에 생 게 다. 시

에 공 체 고 도 체 주는 것 람직 다.

편, 재 체 비 여 그 도가 다 다. , 체 [0091]

도가 재 에 비 낮다. 러 특 체 리 는 것

가능 다. , 3 (342) 체 도 가열시키 , 체는

체 집 (370) 집 (371) 거쳐 집통(372)에 고 고 재 만

게 다. 게 는 고 재 별도 거 후 매 재처리 통

재 리공 거 후, 도 갖는 재는 다시 재결 원료

다. 또 , 집통(372)에 체는 체 리 단 통 (340) 내

리 어 재 다. 여 , 체 리 단 등 다.

편, 실시 재 (300)는 체가 (340) 체(341) 내에 고 ,[0092]

포 내 승 체(313)가 체(341) 여 도 포 게 만드는

포 미 단 포 도 다.

또 , 실시 재 (300)는 승 체(313)가 체(341)에 도 [0093]

단 포 도 다. 들어, 승 체(313)가 체 상태에

체(341) 시간 통과 도 도 승 체 진 도 다.

도 3 본 과 여, 체 재 계 도시 개 도 다.[0094]

도 3에 도시 같 , 실시 에 재 (300A)는 재(343A) 원 가 가능[0095]

도 (340A) 태 3 (342A) 변 것 고는 재

(300) 동 게 다. 라 , 실시 에 는 동 들에 는 동 도 여 고

그에 생략 다.

실시 (340A)는 그 쪽 태 고, 쪽에 재(343A) 통(344)[0096]

별도 갖도 다. , 통(344)는 (340A) 단에 리 결 가능 게 다. 라

, 통(344)에는 상 같 공 거쳐 재(343A)가 게 다.

편, (340A) 에는 통(344) 체가 동 지 못 도 어 는 브(345)가 [0097]

다.

라 , 통(344) 내에 재(343A)가 량 브(345) 폐쇄 고, 통(344) (340[0098]

A)에 리 재(343A) 다.

편, 실시 3 (342A)는 (340A) 에 통(344) 갖도 에 라, [0099]

(340A) 에 간 가열 식 재(343A)가 원 게 도 가열 다.

체는 지에도 다.[0100]

특 , 체는 태 지에 다.[0101]

본 체 내 에 염료감 태 지 에 도 참 여 [0102]

다.

도 7는 본 과 태 지 타낸 단 도 다.[0103]

도 7 참 , 염료감 태 지는 질 (3) 사 에 고 상 가 다.[0104]

여 는 컨 리 등 루어진 (1)과, (1)상에 는 극[0105]

(2) 비 다. 극(2) 컨 (Pt) 다.

상 는 컨 리 등 루어진 상 (6)과, 상 (6)상에 는 상 극(5) 다[0106]

공질 , TiO2 (4) 비 다. 상 상 극(5) 컨 SnO2 등 극 루어지고, TiO2

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(4)에는 컨 루 늄(Ru)계 염료가 착 다.

상 태 지는 상 극(5) 통 사 , 사 는 상 (6)과 상 극[0107]

(5) 통 TiO2 (4) 달 다. 같 달 TiO2 (4)에 착 어 는 염료 들

여 다. 러 여 상태에 염료들 TiO2 (4) 들 주 고, 같 주 들

TiO2 (4) 상 극(5) 산 다.

편 어 린 염료 에 는 질 가 공 다. 질 컨 드 [0108]

는 , 드는 염료에 공 트리 드 (triiodide) 산 다. 어 린 트리 드

극, 극(2) 산 동 어 통 는 다시

드 원 고, 같 원 드는 다시 극, 상 극(5) 산 동 게 다.

상 염료감 태 지에 어 는 염료 공 는 량 상 질 [0109]

다. 그런 질 많 지게 상 극(5)과 극(3)간 거리가 어지게 드

산 , 원 원 게 루어지지 게 다. 그리고 상 극(5) 주변에 산 트리 드

누 게 염료에 생 트리 드 재결 태 지 변 게

다.

도 5는 본 에 체 태 지 타낸 단 도 다.[0110]

도 5에 어 는 질 주 는 질 (3)에 리막(31) 비 다. 리막(31) 컨[0111]

다공 고 질 다.

그리고 그 도 4 실질 동 므 , 동 에는 동 참 고 그 상[0112]

생략 다.

본 실시 에 어 는 질 (3) 간 에 어 는 리막(31) 심 드 트리[0113]

드 게 리막(31) 가상 극 게 다.

여 리막(31) 는 체(Ionic liquids, ILs)가 다.[0114]

, 상 리막(31) 상 극(5)에 는 극, 극(2)에 는 극 게 다.[0115]

그리고 리막(31) 심 는 드 트리 드 간에 산 , 원 어 게 다.[0116]

, 상 극(5) 산 동 는 트리 드 리막(31)에 그 드[0117]

취 여 드 원 고, 극(2) 상 산 동 는 드는 리막

(31)에 상 드 에 후 트리 드 산 다.

그리고 같 원 산 드 트리 드 다시 상 극(5) 극(2) 산[0118]

동 게 다.

, 상 실시 에 어 는 질 (3)에 질 공 도 가상 상 극(5)과[0119]

극(2)간 거리 도 극간 원 지도 게 다.

본 실시 에 태 지 는 경우에는 우 통상 과 마찬가지 (1) 극[0120]

(2) 는 체 다. 그리고 통상 과 마찬가지 상 (6), 상 극(5)

TiO2 (4) 는 상 체 후 TiO2 (4)에 염료 착시킨다.

그리고 리막(31) 사 에 고 상 체 결 시킴과 어 질 (3)에 질 주[0121]

여 태 지 게 다.

또 , 본 람직 실시 에 어 는 상 리막(31)에 염료가 착 다.[0122]

리막(31)에 염료가 착 , 상 TiO2 (4)에 착 어 는 염료에 지 [0123]

리막(31)에 착 어 는 염료에 다. 그리고 상 같 염료는 여 상태

생 게 고, 같 생 는 상 극(5) 산 동 는 트리

드 에 달 어 드 원시키게 다,

그리고 같 염료는 극(2) 상 산 동 는 드 [0124]

게 다.

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, 본 실시 에 어 는 리막(31)에 착 어 는 염료에 리막(31) 드 [0125]

리막(31) 상 트리 드 간 달 매우 원 게 루어지게 다. , 태 지에 어

극(2) 상 극(5) 원 지게 태 지 지게 다.

또 본 실시 에 태 지 는 경우에는 리막(31) 에 리막(31)[0126]

염료 에 시간 동 지 여 리막(31)에 염료 착시키는 공 실 게 다. 그리고 그

공 도 5에 타낸 실시 실질 동 다.

도 6 본 에 체 태 지 다 타낸 단 도 다.[0127]

본 실시 에 어 는 질 (3) 간 에 리막(40) 비 고, 리막(40) 2개 [0128]

(41, 42) 어 다.

여 리막(40)에는 체(Ionic liquids, ILs)가 다.[0129]

본 실시 에 어 상 리막(40) 1 (41) 상 실시 마찬가지 다공 고 질[0130]

고, 2 (42) 등 도 , 람직 게는 (Pt) 다. , 2 (42) 는

질 는 특 것에 지 고, (Au), (Ag), 동(Cu) 등 도 질 다.

또 , 상 2 (2) 는 질 는 도 사 고, 도 과 도 [0131]

도 람직 게 사 다.

, 사 가능 도 는 컨 도 체 재 는 컨 폴리 닐린, 폴리(3, 4-에[0132]

틸 시티 )/폴리 티 포 트(PEDOT:PSS) 등 사 다.

또 , 도 6 람직 실시 에 어 상 1 (41)에는 염료가 착 다. 또 도 6 다 람직 실[0133]

시 에 어 는 리막(40) 통 질 게 동 도 2 (42) 시

다.

본 실시 에 어 는 1 (41)에 드 가 2 (42) 신 게 달 1[0134]

(41)에 트리 드 다시 1 (41) 재결 여 원 는 것 과 지

게 다.

도 7 본 에 체 태 지 또 다 타낸 단 도 다.[0135]

도 7에 어 는 (61) 가 다. 그리고 (61) 상 에는 극(62)[0136]

다. 극(62) 는 도 에 도 도 과 도

다.

(61)에 도 루어지는 극(62) 는 경우에는 컨 진공 착 [0137]

다. 그리고 (61)상에 도 도 과 도 는 경우에

는 크 크린 쇄 또는 다.

또 , 상 (61) 는 다. [0075] 가능 는 폴리[0138]

미드(PI), 폴리 보 트(PC), 폴리에 폰(PES), 폴리에 에 (PEEK), 폴리 틸 탈

트(PBT), 폴리에틸 탈 트(PET), 폴리염 비닐(PVC), 폴리에틸 (PE), 에틸 공 체, 폴리

(PP), 공 체, 폴리(4- 틸-1- )(TPX), 폴리 릴 트(PAR), 폴리 탈(POM), 폴리 닐 사

드(PPO), 폴리 폰(PSF), 폴리 닐 드(PPS), 폴리염 비닐리 (PVDC), 폴리 산비닐(PVAC), 폴리비닐

(PVAL), 폴리비닐 탈, 폴리 티 (PS), AS 지, ABS 지, 폴리 틸 타크릴 트(PMMA), 지,

지(PF), 라민 지(MF), 우 지(UF), 포 폴리에 (UP), 에폭시 지(EP), 릴 탈 트 지

(DAP), 폴리우 탄(PUR), 폴리 미드(PA), 실리 지(SI) 또는 것들 다.

(61) 는 경우에는 극(62) 람직 게는 도 도[0139]

과 도 다.

질 (3)에는 리막(60) 비 다. [0140]

여 리막(60)는 체(Ionic liquids, ILs)가 다.[0141]

리막(50) 상 실시 에 언 어 것도 사 가능 다.[0142]

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그리고 그 상 실시 실질 동 므 , 동 에는 동 참 고 그[0143]

상 생략 다.

또 , 도 8 본 에 체 태 지 또 다 타낸 단 도 다.[0144]

본 실시 에 어 는 (70) 도 사 극 거 다. 도 [0145]

는 에 도 , 보다 람직 게는 도 과 도 착시 것

다.

과 여 게 과 결 에 크랙 생[0146]

우 가 게 다. 그러 러 질 착시키게 질 과 강 게

결 시키게 크랙 등 생 험 게 낮 지게 다.

또 , 본 실시 에 어 는 상 (80) 사 여 에 도 , 람직 게는 도[0147]

과 도 착시킨다. 그리고 래 상 극 거 다. 상 (80)

는 경우에는 우 에 TiO2 (4) 후, 에 도 도 또는 도 과

도 착시키게 다.

에 착시키게 에 결 는 달 통 능 게 므 [0148]

과 크게 지게 다.

그리고 그 상 실시 동 므 , 상 실시 실질 동 에는 동 참[0149]

고 그 상 생략 다.

본 실시 에 어 는 (70)과 상 (80) 도 사 다. 래 실리 또는 리[0150]

경우에는 가 어 고 연 없다는 단 다. 에 여 본 에 (70, 80)

본 재질 게 므 가 고 연 탁월 므 연 는 태 지

공 게 다.

상 본 에 실시 다. 그러 본 상 실시 에 지 고 본 [0151]

사상 어 지 는 내에 다 게 변 시 실시 다.

편, 본 또 컴퓨 는 매체에 컴퓨 가 는 드 는 것 가능[0152]

다. 컴퓨 가 는 매체는 컴퓨 시 에 질 는 가 는 든

포 다. 컴퓨 가 는 매체 는 ROM, RAM, CD-ROM, ,

크, 등 , 또 리어 웨 브( 들어 통 ) 태 는 것

도 포 다. 또 , 컴퓨 가 는 매체는 트워크 연결 컴퓨 시 에 산 어, 산 식

컴퓨 가 는 드가 고 실 다. 그리고, 본 능

(functional) 그램, 드 드 그 트들 본 는 그래 들에

게 다.

또 , 상 같 상 실시 들 과 게 는 것[0153]

니라, 상 실시 들 다 변 루어질 도 각 실시 들 또는 가 택

어 도 다.

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도

도 1

도 2

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도 3

도 4

도 5

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