2-DIODOS

UNIVERSIDAD DE OVIEDO © Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)

-

-

-

-

+

P N

+

+

+

ZONATRANSICIÓN

ÁNODO CÁTODO

ÁNODO CÁTODO

SÍMBOLO

Zona libre de cargas.Solo quedan los iones fijos.

Fue descubierto accidentalmente el los laboratorios Bell por Russel Ohl en 1940



INCISO: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I

+

-

V

I I

V

Corto(R = 0)

+

-

V

I I

V

Abierto(R = ∞)

+

-

V

I I

V

Batería

+

-

I I

V

Resistencia(R)

V

I

+

-

V

V

FuenteCorriente

I



MOMENTO DE REFLEXIÓN:A la vista de lo anterior y sin mas consideración

¿Como debería ser la característica de un diodo?

+

-

V

I I

V

Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podríamos pensar que debe comportarse como una resistencia bastante pequeña (idealmente un corto).

FALSO



I

P N

POLARIZACIÓN DIRECTA:LA CONSIDERACIÓN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA

+ -

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven empujados a "invadir" la zona de transición.

La zona de transición se ve reducida drásticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa puede llegar a ser importante.

La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente un cable es razonable)

P

N



POLARIZACIÓN INVERSA:FALLA LA INTUICIÓN.

I

P

N

P N

- +-

-

-

-

+

+

+

+

+

+

+

+

-

-

-

-

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven empujados a "escapar" de la zona de transición.

La zona de transición aumenta drásticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa será muy pequeña (idealmente nula).

La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)



+

-

V

I

P

N

I

V

CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

¡¡ PRESENTA UN COMPORTAMIENTO NO LINEAL !!

ANÉCDOTAUn símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua (corriente) en un único sentido.



p n

ánodo cátodo

A K

Símbolo

IS = Corriente Saturación InversaK = Cte. Boltzman VD = Tensión diodoq = carga del electrónT = temperatura (ºK)ID = Corriente diodo

Silicio Germanio

DIODO REAL

1TK

qV

SD

D

eII

V [Volt.]

0

1

0.25-0.25

i [mA]

0.5

Ge Si



V [Volt.]

0

1

0.25-0.25

i [mA]

0.5

Ge Si

0 1-4

30

i [mA]

V [Volt.]

GeSi

DIODO REAL (Distintas escalas)

-0.8

-0.5 0

i [A]

V [Volt.]

-10

-0.5 0

i [pA]

V [Volt.]

GeSi

Ge: mejor en conducciónSi: mejor en bloqueo



DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I

V

Solo tensión de codoGe = 0.3Si = 0.6

I

V

Tensión de codo yResistencia directa

I

V

Ideal

I

V

Corriente de fugas conTensión de codo yResistencia directa

I

V

Curva real(simuladores, análisis gráfico)



DIODO: LIMITACIONES

I

V

Corriente máxima

Límite térmico, sección del conductor

Tensión inversa máxima

Ruptura de la Unión por avalancha

600 V/6000 A200 V /60 A 1000 V /1 A



VR = 1000V Tensión inversa máximaIOMAX (AV)= 1A Corriente directa máximaVF = 1V Caída de Tensión directaIR = 50 nA Corriente inversa

VR = 100V Tensión inversa máximaIOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máximaVF = 1V Caída de Tensión directaIR = 25 nA Corriente inversa

DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

Vd

id

iS

VR

IOmax

NOTA:Se sugiere con un buscador obtener las hojas de características de un diodo (p.e. 1N4007). Normalmente aparecerán varios fabricantes para el mismo componente.



DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)La ruptura no es destructiva.(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta como una fuente de tensión (Tensión Zener).

Necesitamos, un límite de corriente inversa.

Podemos añadir al modelo lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeñas fuentes de tensión y referencias.

I

V

TensiónZener(VZ)

Límite máximo

Normalmente, límite de potencia máxima



DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A KA K



DIODOS ESPECIALES

Fotodiodos (Photodiode)

0

i

V

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan una corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo su aplicaciones principales:

Sensores de luz (fotómetros)Comunicaciones

COMENTARIOLos diodos normales presentan variaciones en la corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados como sensores térmicos

i

0

V T1

T2>T1

El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente de la luz o de la temperatura según el caso

I = f(T)



DIODOS ESPECIALES

Células solares (Solar Cell)

i

V VCA

iCC

Cuando incide luz en una unión PN, la característica del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como generador.

Paneles de células solares

Zonauso



DIODOS ESPECIALES

Diodo Varicap (Varicap , Varactor or Tuning diode)

P N

- +-

-

-

-

+

+

+

+

+

+

+

+

-

-

-

-

d

Dieléctrico

La unión PN polarizada inversamente puede asimilarse a un condensador de placas planas (zona de transición).

Esta capacidad se llama Capacidad de Transición (CT).

Notar, que al aumentar la tensión inversa aumenta la zona de transición. Un efecto parecido al de separar las placas de un condensador (CT disminuye).

Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensión inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada esta capacidad.

Uso en equipos de comunicaciones (p.e. Control automático de frecuencia en sintonizadores)

CT

VI

30 pF

10 V



DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo 0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho teóricamente en 1938 por Walter H. Schottky



DIODOS ESPECIALES

Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)

ID

VD

Zona de resistencia negativa.Efecto Túnel

Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105 veces mayor).

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto túnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).

Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en la característica directa del diodo.

Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del radar. Está presente en todos los radares marinos actuales).

Diodo GUNN



ASOCIACIÓN DE DIODOS

DISPLAY

Diodo de alta tensión (Diodos en serie)

Puente rectificador

+

-

+

-

Monofásico

Trifásico



APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de espejo

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera



APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: FotómetrosSensor de lluvia en vehículosDetectores de humoTurbidímetrosSensor de Color

LED

Fotodetector

LED azul

LED verde

LED rojo Fotodiodo

Objetivo

LED



COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos no lineales.

¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición!¡Cuidado, no se puede aplicar el análisis con complejos

VE

VS

VE

R

VMAX

MAXV

EJEMPLO TÍPICO:RECTIFICADOR

+

-

ID

VD

VE

t

t

VS

t



VAC

VE

VCC

VCC

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Si POLARIZAMOS en una zona de funcionamiento, podremos aplicar el principio de superposición y sustituir el dispositivo por un equivalente lineal.

Hablaremos de: Circuito de polarización (Circuito de continua) y de: Circuito alterna

¡¡¡ AQUÍ SI, PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL!!

+

-

ID

VD

VE

t

Equivalentedel diodo

VS

VS

tt



APLICACIÓN DEL EQUIVALENTE THEVENIN EN ELECTRÓNICA

CircuitoLineal

(R, fuentes)

+

-

ID

VD

+

-

ID

VD

EquivalenteThévenin

VTH

RTH

CircuitoLineal

+

-

VTH = VVACIO

Tensión Thevenin = Tensión de Vacio

Resistencia Thevenin

Anular fuentes dependientes.

tensión = corto corriente = abierto

RTH



TH

TH

R

V

THV

Característica del diodo

Característica del circuito lineal (RECTA DE CARGA)

PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

I

V

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

+

-

ID

VDVTH

RTH

CIRCUITOLINEAL

ID

VD



DIODOS: Propuesta para el alumno

Búsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y consultar hojas de características (Datasheet) de diodos comerciales.

Es normal encontrar para cada referencia de componente, fabricantes distintos. Toda la información está siempre en Ingles.

A continuación se sugieren algunas referencias para la búsqueda. No obstante, con el término ingles (diode, Zener diode, tunnel diode, etc) aparecen muchísimas referencias, catálogos completos, guías de selección, etc.

1N4007 Diodo de Silicio1N4148 Diodo de Silicio rápido (FAST)OA91 Diodo de GermanioHLMPD150 Diodo LEDBZX79C15 Diodo Zener10MQ040N Diodo SchottkyOK60 Panel SolarBB152 Diodo VaricapMG1007-15 Diodo GUNNAI201K Diodo TunelBPW21R Fotodiodo

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