2SA495@ シリコンPNPエピタキシ 7ル形トランジスタ (PCT方式〉SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR (PCf PROCESS)

。蔓号雪之主増需用 O高速度スイッチング用

日:~と F，equency Amplifier Applications

- ~:5三 S;:>eed Switching Applications

・2SC372⑥. 2SC373⑬とコンプリメンタリになります.

.トランジション周波数が高い:IT=200MHz(Typ.)

・f!?l和電圧が小さい:VCE(砲の=-0.2V(Typ.)

・スイッチング時聞が速い :tstg=0.3μ:s (Typ.)

・Complementaryto 2SC372⑤ and 2SC373⑬

最大定格 MAXIMUM RATINGS (Ta=250C)

Characteristic Symbol Rating

= ;...-クタ・ベース間電庄 VCBO -35

=レクタ・エミッタ関電圧 VCEO -30

ニミッタ・ベース間電匡 VEBO -5

= ，/クタ電流 Ic -100

ニミッタ電流 h 100

コνクタ損失 Pc 200

接合温度 Tj 125

栄脊:温度 Tstg -55~125

Unit

V 一一一

V

V

mA

mA

mW

。C

。C

通信工業用グリーン

lndustrial Applications

]. E"IlTTER 2. COLLECTOR 3. BASE

JEDEC

EIAJ

TOSHIsA 2・58

電気的特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=250C)

Characteristic Symbol Condition Min. I Typ. I Max. I Unit コ J クタしゃ断電流 |IcBo 1VcB=-15V， h=O 1 - | 一 一0.5 μA

ニミッタしゃ断電流 |hBO 1VEB=ー2V，Ic=O l - | 一 一1.0 μA

匡流電流増市高率 (Note) i hFE | VcE=-lV，Ic=ーωrnA I 70 1_ -_I~ 二二三j・エミ ッタ間飽和電圧 V四 (sat)I Ic=-10mA， h=-lmA l -I -0.2 I -0.4 I V

ベース ・エミ ッタ間飽和電庄 V回 (sat)lIc=-10mA. Is=-lmA i -1-0.8 ー1.0 I V

二ン Jション周波数 fT 1 VCE=ー10V，h:=山nA 100 I 200 I - I MHz

¥ プ之引抵抗 rbb' |VCE=一代h=lmA，f=淵 HzI - I 30 I 70 I Q

= -5出力容量 COb I VcB=-10V， h=O， f=lMHz I - I 5 I 7 I pF

で 5一一ン時間 ton I - I 25 I - I ns

'.- 三宮王手!lIi I t日g Fig. 1 - I 300 I - I ns

ニ :..= .....三寺認 1 tr _ - I 35 - I ns

~0:= 二-二」り下表のように分類し， 現品表示してあ

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λCCCI了dingto the value of hFE， the 2SA495⑬

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""""148-

Fig.l スイ yチン グ時間測定回路

SWITCHING TIME TEST CIRCUIT

内 トー「U_R_f

2SA495@

STATIC CHARλC'l'ERISTICS STATIC . CHARACTERISTICS

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エミ ッタ接地

COMMON EMIτ'TER-

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コレクタ ・エミ ッア間電r:EVn: (V)

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STATIC CHARACTERISTICS

エミ yタ接地

COMMON EMITTER

Ta=-5S'C

REGION)

エ ミッ タ接地_L! COMMON EMITTER-

ーTa=-55・c~~41. 0

3.5

~ 3.0

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IB=-0.5mA

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VOLTAGE

-1 -2 -3 -4

コレ77・ェミ，7問電圧 VCE(V)

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IC-YCE (LOW VOLTAGE REGION)

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2 レクタ ・エミッタ間電fEVCE (V)

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周囲温度

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