MICROSCOPIA ELECTRONIC

Microscopia electronic este una dintre metodele moderne de studiere a unor aspecte structurale foarte fine, de ordinul a 10-5- 10-7 cm, pe baza unor mriri de pn la 300000 ori, prin utilizarea proprietilor de propagare i focalizare ale fasciculelor de electroni sub aciunea cmpurilor magnetice sau electrice.Microscopul electronic, caracterizat printr-o putere separatoare de ordinul 10-8 cm, folosete, n locul radiaiilor luminoase, fascicule de electroni rapizi, iar n locul lentilelor optice lentile magnetice sau lentile electrostatice. Dup procedeul de cercetare al obiectelor, microscoapele electronice se clasific n urmtoarele tipuri:5.6.3.1. MICROSCOPUL ELECTRONIC CU TRANSMISIE

Acest tip de microscop electronic este comparabil cu microscopul optic cu dou etaje de lentile, n figura 5.50 sunt ilustrate comparativ, mersul radiaiilor luminoase n microscopul optic (fig. 5.50 a) i mersul fasciculelor de electroni n microscopul electronic magnetic (fig. 5.50 b) i microscopul electronic electrostatic (fig. 5.50 c). Principiul de funcionare al microscoapelor electronice este relativ simplu. Electronii emii de catod S sunt accelerai n drumul lor spre anod de o diferen de potenial V i apoi focalizai prin intermediul condensorului C. Fasciculul de electroni astfel focalizat, traverseaz obiectul R (lam subire, amprenta suprafeei metalice), fiind n ansamblu transmii de obiect i primii de obiectivul O, cu excepia celor absorbii i difuzai n fiecare punct n cantitate proporional cu iregularitile reliefului, cu constituia sau structura obiectului.

Astfel, obiectivul O produce o prim imagine intermediara mrit a obiectului R, care va fi ulterior din nou mrit i proiectat prin intermediul ocularului P pe un ecran fluorescent sau pe o plac fotografic. Datorit lungimii de und de Broglie, asociat electronilor n micare, mult mai mic (de ordinul 0,05 A) dect cea a undelor luminoase, acest tip de microscop ar trebui s aib o putere de rezoluie de 105 ori mai mare dect cea a microscoapelor optice, dar care are practic o valoare mai mic datorit aberaiilor sferice produse de imperfeciunile pieselor polare ale lentilelor care impun deschideri ale fasciculului de electroni foarte mici.n cadrul microscopului electronic prezint interes:

Sursa de electroni. n cele mai multe microscoape electronice, sursa de electroni, denumit tun electronic" (fig. X), este constituit dintr-un filament de tungsten, nclzit sub un curent de 10 400 mA. Utilizarea acestor catode cu nclzire direct si nu a catozilor cu strat de oxid cu nclzire indirect, este determinat de faptul c n cazul catozilor reci electronii emii au viteze ridicate si prezint salturi brute care favorizeaz aberaia cromatic.

Fig. X Tunul electronic

Lentilele. Pentru a obine refracia undelor asociate electronilor, se utilizeaz fie cmpuri magnetice fie cmpuri electrice.Lentilele magnetice utilizeaz cmpuri magnetice produse de electromagnei sau de magnei permaneni. Cmpul magnetic acioneaz ntr-un interval ngust dintre dou piese polare cu simetrie axial, ce ndeplinesc rolul lentilelor i produc att o focalizare a fluxului de electroni ct i o rotire a imaginii.

Fig XX a) lentile elctrostatice;

b) lentile magnetice

Lentilele electrostatice sunt piese de revoluie de form convenabil crora li se aplic un potenial determinat i care, prin cmpul pe care-l creeaz, deviaz electronii i-i focalizeaz. Cele mai simple lentile electrostatice sunt formate din trei discuri paralele, gurite n centrul lor, electrodului central aplicndu-i-se un potenial negativ puternic, iar ceilali doi fiind pui la pmnt. nalta tensiune necesar accelerrii electronilor poate fi aplicat, de asemenea, lentilelor, n microscopul electrostatic distana focal este determinat de spaiul dintre prile lentilei (partea ce se afl sub nalta tensiune i partea pus la pmnt), ori o variaie a acesteia este mai convenabil s se fac printr-o mrire a vidului dect printr-o reducere a distanei disruptive.

Figura 5.51 Schema de principiu a microscopului electronic de transmisie cu trei etajec) Ecranul. Pentru vizualizarea imaginii obiectului, fasciculul de electroni ce o formeaz cade pe un ecran acoperit cu un strat subire de sulfura de bariu, care sub aciunea fluxului de electroni se excit emind lumin.

d) Microscopul electronic cu transmisie cu trei etaje. Microscopul electronic cu transmisie cu dou etaje a fost utilizat iniial n metalografie aproape exclusiv la observarea amprentelor suprafeelor metalice. Aceste amprente, la nceput foarte grosiere, au devenit din ce n ce mai fine, permind atingerea unor rezoluii mult mai ridicate, fr ns a reda vreodat limitele de rezoluie pe care le permite microscopul electronic. Ameliorarea calitii acestor microscoape prin creterea densitii fluxului de electroni i a tensiunii acceleratoare a lsat nerezolvat problema varierii grosismentului, care nu se poate realiza dect cu ajutorul proiectorului i aceasta ntre limite relativ nguste. Pentru obinerea grosismentului optic, cruia i corespunde cea mai slab aberaie, s-au realizat microscoapele electronice de transmisie cu trei etaje (fig. 5.51) n cadrul crora ntre obiectiv i proiector s-a plasat o lentil intermediar, constituind cel de al treilea etaj al microscopului. De aceast dat este suficient ca grosismentul lentilei intermediare s varieze ntre limite nguste pentru a obine o mare variaie a grosismentului final al proiectorului, corespunztor grosismentului optic.

e) Fondul ntunecat. n mod curent n microscopia electronic prin transmisie, ca i n cea optic, pentru studiul imaginii se utilizeaz metoda cmpului luminos generat de electronii care traverseaz normal obiectul. Sunt, ns, cazuri n care se utilizeaz i metoda cmpului ntunecat, care permite o mrire a contrastului imaginii, astfel c din natura imaginii obinute se poate defini structura obiectului. Cmpul ntunecat n microscopia electronic prin transmisie se obine: prin deplasarea diafragmei deschiderii iluminaiei, prin nclinarea sistemului de iluminare sau prin introducerea unei diafragme inelare ntre tunul electronic i condensor. Imaginea este, n acest caz, format de electronii difuzai, n cazul obiectelor cu structur slab ordonat, sau de electronii difractai de feele cristalografice ale cristalului. Metoda de observaie n cmp ntunecat este indicat la punerea n eviden a cristalelor mici, pentru care reflexiile selective de tip Bragg, n cazul cmpului luminos, sunt nglobate (necate) n fondul general al cmpului luminos.

n cazul obiectelor care difuzeaz electronii, metoda cmpului ntunecat permite i depistarea particulelor ale cror dimensiuni, n special grosimea, sunt mai mici dect ale celor depistate n cmp luminos, dar calitatea imaginii n cmp ntunecat este inferioar celei din cmpul luminos.

n condiii identice de lucru, calitatea i intensitatea imaginii n cmp ntunecat a obiectelor cristaline sunt sensibil mai bune dect cele ale obiectelor cu structur slab ordonat. La substanele cristaline studiul n cmp ntunecat permite att punerea n eviden a tuturor detaliilor structurii lor ct i determinarea structurii interne a acestora (punerea n eviden a incluziunilor), n timp ce studiul n cmp luminos a acestor substane permite a se vedea numai conturul imaginii.

MICROSCOPIA ELECTRNIC DE BALEIAJ (SEM)

Spre deosebire de microscopia electronic de transmisie, SEM este utilizat exclusiv pentru examinarea suprafeei probelor, obinndu-se informaii extrem de valoroase privind morfologia membranelor.

n microscopul electronic de baleiaj, fascicolul de electroni produs de tunul electronic este micorat la maximum prin intermediul unor lentile electromagnetice, urmrindu-se obinerea unui fascicul extrem de ngust, cu diametrul de maxim 100 , care este proiectat pe suprafaa membranei de analizat. El este obligat s efectueze o micare de zigzag, realiznd astfel o baleiere a suprafeei membranei. n urma impactului fascicolului primar cu proba rezult o serie de semnale, materializate mai ales n electroni secundari. Acetia sunt captai de un detector, iar curentul aprut este amplificat i trimis ntr-un tub catodic, unde se moduleaz intensitatea fasciculului i este trimis semnalul la un monitor. Fiecrui punct de pe prob i va corespunde un punct de pe ecranul tubului catodic, evideniindu-se astfel suprafaa membranei. Stabilirea unui punct pe ecran depinde de numrul de electroni secundari ce prsesc suprafaa probei n punctul corespunztor.

Cu ajutorul acestei metode pot fi determinate forma i dimensiunile porilor unei membrane.MICROSCOPIA ELECTRONIC DE BALEIAJ PRIN EFECT TUNEL (STM)

Principiul metodei const intr-o sond microscopic micat cu precizie pe suprafaa membranei de examinat de ctre un element piezoelectric, sub control electronic. n timpul baleierii se realizeaz, practic, condiii pentru o interaciune sau o separare constant ntre atomi terminali ai sondei i cei ai suprafeei examinate. Informaia principal este profilul tridimensional de interaciune constant.

Microscopia de baleiaj prin efect tunel furnizeaz imagini tridimensionale de nalt rezoluie ale suprafeei unei probe conductoare, prin msurarea curentului aprut prin efect tunel ntre prob i sond, cnd vrful acesteia baleiaz exponenial cu distana dintre vrf i prob. STM poate lucra n dou moduri:

Varianta cu curent constant n care curentul prin efect tunel este msurat la un voltaj convenabil, cnd vrful metalic este destul de aproape de suprafa. La scanarea suprafeei de ctre vrf, o reea de feedback variaz nlimea vrfului pentru a menine curentul constant.

Varianta de nlime constant cnd vrful scaneaz suprafaa la o nlime aproape constant i voltaj constant i se msoar curentul rezultat prin efect tunel.

Procedeul este caracterizat de o nalt rezoluie, imaginile obinute fiind la o scar subnanometric, dar este limitat de conductivitatea probei, ceea ce restrnge aplicaiile considerabil, avnd n vedere faptul c cele mai multe membrane sunt realizate din materiale polimerice neconductive. Totui pot fi vizualizate structurile unor materiale precum polietilena atunci cnd sunt depuse pe un strat conductiv (grafit pirolitic nalt orientat sau aur). Metoda este folosit la analiza membranelor impermeabile (membrane de solubilitate sau folii)

5.6.3.2. MICROSCOPUL ELECTRONIC CU REFLEXIE

Imposibilitatea de a observa la microscopul electronic cu transmisie suprafaa obiectelor masive a impus ideea examinrii acestora pe baza unui proces de reflexie. Bombardnd suprafaa obiectului cu un flux monocinetic de electroni i utiliznd electronii reflectai, pe baza unui sistem electrooptic identic cu cel al microscopului electronic cu transmisie, se poate obine imaginea suprafeei, n realitate, dac un fascicul de electroni cade pe suprafaa unui obiect nu exist un proces de reflexie, n sensul optic al cuvntului, ci o difuzie a electronilor. Deoarece electronii sunt difuzai n toate direciile nu se reculeg n direcia obiectivului dect o fraciune din electronii incideni, fapt ce determin o iluminare a imaginii mult mai slab, n plus, electronii difuzai nu sunt monocinetici, iar absorbia cromatic a obiectivului limiteaz rezoluia. Pentru a elimina, cel puin parial, parte din aceste dificulti i pentru a dirija pe o direcie preferenial o fraciune ct mai important din electronii difuzai, n microscopul electronic cu reflexie, axa fasciculului electronic care bombardeaz suprafaa obiectivului, este nclinat n raport cu axa obiectului, cu un anumit unghi (.

5.6.3.4. MICROSCOPUL ELECTRONIC CU EMISIE

n acest tip de microscop, imaginea este format de electronii emii de suprafaa obiectului i focalizarea lor printr-un sistem electrooptic adecvat, astfel nct toi electronii emii de un punct al suprafeei obiectului s fie concentrai ntr-un singur punct al imaginii. Electronii emii de suprafaa analizat, avnd o foarte slab energie, trebuie s fie accelerai nainte de focalizare. De aceea, obiectul, care constituie catodul, este urmat de doi electrozi de slab deschidere; primul electrod este conceput ca un cilindru Wehnelt i se afl la un potenial identic sau foarte apropiat de cel al obiectului, iar la ieirea din acesta electronii sunt accelerai de ctre cmpul electrostatic creat ntre acest cilindru Wehnelt i anod. Prima lentil a microscopului electronic cu emisie este, astfel, o lentil electrostatic care poart numele de obiectiv de imersie". Consecina cea mai important i imediat a vitezei mici pe care o au electronii emii de suprafaa de analizat const n faptul c i cei emii dup o traiectorie foarte nclinat fa de axa optic sunt totui suficient de refractai n cmpul lentilei obiectiv pentru a putea participa i ei la formarea imaginii.

Aceste microscoape se utilizeaz curent la observarea transformrilor de faz, creterea cristalelor etc., chiar la temperaturile la care aceste procese au loc.

5.6.3.5. MICROSCOPUL AUTOELECTRONIC

Acest tip de microscop folosete emisia electronic proprie a suprafeei de analizat a obiectului sub aciunea unui cmp electric puternic, de ordinul 31077107V/cm. Spre deosebire de emisia termoelectronic la care pot prsi metalul prin salt peste bariera de potenial numai electronii de o anumit energie, sub aciunea cmpului pot prsi suprafaa considerat prin efect tunel i electronii de energie mult mai mic. Dar i de aceast dat emisia de electroni este direct influenat de starea suprafeei ce emite, motiv pentru care acest tip de microscop este utilizat la studiul fenomenelor de suprafa. Pentru a obine cmpuri de o asemenea intensitate, se utilizeaz n locul catodului emitor, fire fine al cror vrf are o raz de curbur de ordinul a l 000 i poteniale de ordinul 2 ~ 5 kV. Electronii ce se gsesc mai departe de bariera de potenial fiind caracterizai printr-o energie cinetic de valoare redus vor urma liniile de for ale cmpului, care, n cazul n care suprafaa emitoare este o suprafa echipotenial, vor fi perpendiculare la aceasta, iar electronii se vor ndeprta radial de la vrf. Dac vrful emitor este nconjurat de un ecran conductor, ce ndeplinete i funcia de anod, electronii care diverg de la vrf vor forma pe ecran o imagine mult mrit (aproximativ 106 ori) a suprafeei vrfului (fig. 5.52).

Microscopia bazat pe emisia de electroni sub aciunea cmpurilor electrice puternice permite: msurarea emisiei diferitelor fee ale unui cristal dac se calculeaz potenialul de extracie; msura vitezei la care vrful de emisie se tocete n funcie de temperatur; punerea n eviden a moleculelor izolate sau strnse n grupe, care provoac apariia unor pete strlucitoare ce se suprapun peste imaginea obinuit; studiul creterii fazelor de toate genurile; punerea n eviden a tuturor constituenilor ce sunt absorbii . a.

Fig. 5.52 Vrful emitor i formarea imaginii pe ecran la microscopul autoelectronic5.6.3.6. PREGTIREA PROBELOR N VEDEREA CERCETRII prin microscopie

Metoda direct.

Probele care se cerceteaz la microscopul electronic trebuie s prezinte transparen suficient fa de electroni (grosimi sub 10-5cm), s nu se distrug n vid sau sub aciunea fasciculului de electroni i s nu se ncarce electric sau s se ionizeze. Proba se aeaz direct pe o pelicul transparent ca suport sau poate fi inclus n pelicule subiri. Probele ce ndeplinesc aceste condiii sunt introduse n microscopul electronic fiind aezate pe grile suport care pot fi, fie site metalice de form rotund cu un diametru de 3 mm i cu ochiuri cu un diametru de 0,1 mm, ce sunt stanate dintr-o reea fin de srm de nichel sau bronz fosforos cu diametrul de 0,07 mm, fie diafragme metalice rotunde cu diametrul de 3 mm. Peliculele de suport sunt confecionate obinuit din: materiale plastice ca polivinil, colodiu, polistirol; din metale ca beriliu, aluminiu; sau din cuar, carbon . a.

n cazul pulberilor, acestea sunt mcinate fin apoi dispersate ntr-un mediu care s nu dizolve suportul pe care se aeaz proba i care s se evapore complet evitnd aglomerarea particulelor.

Metode indirecte

Aceste metode, denumite i metodele replicilor, utilizate n cazul materialelor opace la fluxurile de electroni, folosite mult n metalografia electronic, constau n obinerea unor amprente de pe suprafaa de analizat, cu un material din genul celor utilizate ca suport n cazulFig. 5.53 Obinerea replicii cu o singur treapt (a) i cu dou trepte (b)metodelor directe. Aceste replici, care aezate pe suprafaa probei primesc relieful probei, au grosimi de ordinul 500 ~ 1 000 . n cazul n care se folosete replica luat direct de pe prob (fig. 5.53 a) care d negativul" reliefului probei, aceasta este numit replica cu o singur treapt, iar n cazul cnd de pe aceast replic se ia o a doua replic, care are acelai relief cu proba (fig. 5.53 b), replica se numete cu dou trepte. Pentru determinarea nlimii detaliilor ct i pentru punerea n evident a unor detalii cu nlimi, sub puterea de rezoluie a microscopului, se folosete metoda de umbrire, care permite mrirea contrastului imaginii prin dispunerea n vid, pe prob sau pe replic, a unei pelicule metalice (Au, Cr, Pt, Pd etc.) sub un anumit unghi.

5.6.3.7. STUDIUL STRUCTURII PRIN METODA REPLICILOR

Pe lng multiplele aplicaii ale microscopiei electronice redate n detaliu n cadrul fiecrui tip de microscop electronic, prin folosirea replicilor se obin detalii structurale inaccesibile altor metode, n felul acesta, microscopia electronic permite, prin utilizarea metodei replicilor, s fie studiate forma i dimensiunile diferitelor microgranule i microcristalite a celor mai diferii compui chimici organici i anorganici, precum i ale diverselor incluziuni nemetalice insolubile care se aglomereaz la limita dintre granule n metale i aliaje, uurnd identificarea lor.

Tot pe aceast cale se studiaz structura domeniilor de magnetizare a substanelor feromagnetice, se determin grosimea pereilor Bloch ce separ domeniile magnetice i se stabilete forma i dimensiunea benzilor Bitter-Akulov la limita dintre aceste domenii.

Tehnica de acoperire n dublu strat pentru microscopia electronic de emisie i crioscanare

Imagistica probelor obinute prin ngheare rapid este cea mai direct abordare pentru microscopia electronic a materialelor organice, putnd s previn fixarea chimic i erorile datorate uscrii probelor. Probele ngheate pot fi replicate i analizate imagistic n TEM sau pot fi direct vizualizate utiliznd crio-SEM. Tehnica de acoperire n dublu strat combin aceste dou tehnici i prezint multe dintre avantajele lor. Astfel proba ngheat este acoperit, n acelai mod utilizat n TEM, cu un strat de platin (sub un unghi de 45o) i cu un strat de carbon, ulterior fiind transferat n SEM echipat cu o suprafa rece i analizat imagistic prin microscopie electronic de emisie care va releva modul de distribuie al platinei.

Prin aceast metod sunt reduse semnificativ erorile datorate ncrcrii i efectele distructive ale fasciculelor incidente. Dei pn n prezent rezoluia tehnicii de replicare nu a putut fi mbuntit, aceast metod faciliteaz mult procesarea probelor ngheate, cu fragilitate mare, reducnd semnificativ manipularea materialelor analizate.

Microscopia electronic de baleiaj (SEM) de rezoluie nalt are potenial unic de a vizualiza structurile de la rezoluia macroscopic pn la nivel molecular. Astfel este capabil s umple golul dintre tehnicile moleculare biologice, precum difracia cu raze X pe de o parte i tehnicile de microscopie optic (cu rezoluii de ordinul micronilor), pe de alt parte. Astfel SEM cu rezoluie nalt permite studiul macromoleculelor n contextul complex al celulelor, organitelor i organismelor mici.

Tehnica SEM este capabil s redea doar imaginea suprafeei fizice. La majoritatea probelor biologice ns, structurile de interes sunt situate profund (n interiorul celulelor sau al esuturilor) sau sunt acoperite de o pelicul apoas. Pentru a avea acces la aceste structuri, specimenul trebuie deschis prin fracturare sau prin secionare sau trebuie nlturat pelicula de ap, aceste procedee fiind valabile doar n cazul probelor solide. Cel mai simplu mod de a solidifica o prob biologic este nghearea. Totui microscopia de nalt rezoluie cu baleiaj a probelor ngheate ridic o serie de probleme specifice cum ar fi deshidratarea datorat iradierii cu fasciculul electronic i ncrcrii. Aceste probleme sunt parial soluionate utiliznd tehnica de acoperire n dublu strat.

Obinerea de imagini cu ajutorul microscopiei electronice de emisie.

Probele neconductoare sunt acoperite cu un strat metalic subire cu scopul creterii conductivitii lor electrice, fcnd astfel posibil localizarea semnalului pe suprafaa probei. Acest procedeu are o serie de limite n sensul c pentru studiile de nalt rezoluie, stratul metalic trebuie s fie suficient de subire pentru a nu masca caracteristicile morfologice de mici dimensiuni. Pe de alt parte conductivitatea electric scade odat cu scderea grosimii stratului metalic, fenomen ce duce la apariia erorilor de ncrcare n cazul folosirii semnalului electronilor secundari emii de probele voluminoase i cu asperiti. n plus, probele hidratate prin ngheare prezint fragilitate crescut la penetrarea de ctre fasciculul electronic. O alternativ o constituie folosirea semnalului electronilor mprtiai de material pentru obinerea imaginilor.

n figura 1.a, este prezentat imaginea suprafeei unei frunze, ngheat n azot lichid i acoperit prin pulverizare cu un strat de platin cu o grosime de 5 nm, obinut prin captarea semnalului electronilor secundari. Se observ un semnal foarte luminos care nu corespunde cu morfologia suprafeei i poate fi interpretat ca un efect de ncrcare (sarcin). Imaginile obinute prin BSE sunt ns mult mai uor de interpretat, depresiunile aprnd ntunecate iar proeminenele luminoase, fr ca ncrcarea probei s afecteze imaginea.

Fig. 1 Imaginea unei frunze de mr obinut prin SE (1.a) i BSE (Vo = 10kV) (1.b) [18]

Totui contrastul imaginii obinute prin BSE este relativ slab, fapt demonstrat n figura 2. S-a utilizat o folie de carbon acoperit prin pulverizare cu un strat de platin cu grosimea de 2 nm. La o magnificaie semnificativ granulele individuale de platin sunt vizibile clar n imaginea obinut prin SE. Comparativ cu aceasta, imaginea obinut prin BSE prezint un zgomot de fond accentuat. Astfel, pentru a putea exploata la maximum semnalul BSE, este nevoie de un detector foarte sensibil.

Fig.2 Folie de carbon acoperit cu un strat de platin. Imagine mrit x 500000 [18]

2.a Imagine obinut prin SE

2.b Imagine obinut prin BSE

Acoperirea n dublu-strat a probelor hidratate i ngheate (DLC)

Probele biologice acoperite cu un strat uniform sunt frecvent distruse la penetrarea de ctre fascicolul electronic, fapt care creeaz probleme de acoperire i semnal BSE slab.

Figura 3 comparaie ntre imagini ale fragmentelor de esut pulmonar murin obinute prin tehnicile SE i BSE [18]

3.a Semnal SE generat la suprafa

3.b Semnal generat de electronii disperai la nivelul stratului de platin aflat n contact intim cu structurile biologice de interes.

3.c Imagine obinut prin SE. Se observ distorsiunile generate de vaporii de ap contaminani.

3.d Imagine obinut prin BSE. Structurile biologice sunt clar vizibile, fr distorsiuni.

De aceea se poate folosi o metod de acoperire similar cu tehnica de replicare pentru TEM. Proba este iniial acoperit cu un strat de metal greu gros de 1-3 nm, care va genera contrastul i ulterior cu o manta de carbon de 5-10 nm care va stabiliza mecanic proba i va reduce semnificativ pierderea de mas cauzat de fasciculul electronic [19,20]. Cnd o astfel de prob acoperit n dublu strat este investigat cu electroni secundari (fig.3a) se obine imaginea mantalei de carbon la suprafaa creia se acumuleaz frecvent vapori de ap contaminani. ns electronii dispersai la nivelul stratului de platin reuesc s penetreze att stratul de carbon, ct i contaminanii. (fig. 3b)

Figurile 3.c i 3.d prezint o zon de esut pulmonar ngheat aflat sub presiune nalt. n imaginea obinut prin SE (fig. 3.c), suprafaa probei prezint zone neclare ntinse, cauzate de vaporii de ap contaminani. Aceast contaminare s-a produs n mare parte n timpul proceselor premergtoare analizei. Imaginea obinut prin BSE (3.d) este mult mai puin contaminat, iar distribuia platinei este vizibil, evideniind straturile fracturate i porii nucleari.

BIBLIOGRAFIE

1. Bally, D., Metode fizice n studiul corpului solid, Edit. didactic i pedagogic, Bucureti, 1966.

2. Colan, H., Filipescu, M., Bicsak, E., Studiul metalelor, Edit. didactic i pedagogic,,Bucureti, 1968.

3. Freund, H., Handbuch der Mihroskopie in der Technik, Umshan Verlag, Frankfurt Main, 1957.

4. Gdea, Suzana i colab., ndrumar de laborator pentru metalurgie fizic, Edit. didactic i pedagogic, Bucureti, 1967.

5. Glazunov, V., Metallographie, Dunod, Paris, 1951.

6. Habraken, L., de Brouwer, L. J., Bases de la metalographie, Dunod, Paris, 1968.

7. Hall, E.E., Introduction to electron microscopy, McGraw Hill, New York, 1953.

8. Heindenreih, D. R., Fundamentall of transmission electron microscopy, Interscience Publishers, New York, 1964.

9. Magnan, C., Traite de microscopie electronique, Hermann, Paris, 1961.

10. Michel, K., Die Mikrophotographie, Springer Verlag, Wien, 1957.

11. Nestler, C.G., Einfuhrung in die Elektronenmetallographie, VEB Deutscher Verlag, Leipzig, 1961.

12. Nitzsche, K., Werkstoffprufung von Metallen, VEB Deutscher Verlag, Leipzig, 1969.

13. Picht, J., Heydenreich, J., Einjuhrung in die Elektronenmikroskopic, VEB Verlag Technik., 1966.

14. Pop, I. i colab., Structura corpului solid, Edit. Academiei, Bucureti, 1971.

15. Ross, A., Precis de metallographie appliquee, Dunod, Paris, 1951.

16. Schumann. H., Metalurgia fizic (traducere din limba german), Edit. tehnic, Bucureti, 1964.

17. Wyckoff, G.W.R., Electron Microscopy Technique and Applications, Interscience, New York, 1949.

18. P. Walther, M. Mller - Double Layer Coating for Field Emission Cryo Scanning Electron Microscopy - Present State and Applications SCANNING Vol.19, 343-348 (1997)

19. Walther P, Hentschel J: Improved representation of cell surface structures by freeze substitution and backscattered electron imaging. Scanning Microsc 1989, 3, Supplement 3, 201-211 (1989)

20. Walther P, Chen Y, Malecki M, Steffen Zoran SL, Schatten GP, Pawley JB: Scanning Electron Microscopy of High Pressure Frozen Sea Urchin Embryos. Scanning Microsc 7, 1283-1293 (1993)Principiul microscopului electronic i drumul fasciculului de electroni n microscopul electronic magnetic (b) i microscopul electronic cu lentile electrostatice (c) comparativ cu drumul radiaiilor optice la microscopul clasic (a)