Respons Frekuensi

Bab 9

Model Transistor pada Frekuensi Tinggi

Efek Kapasitansi Parasitik Transistor Sifat kapasitif muncul pada semua terminal

yang “bertetangga”

Efek Kapasitansi Parasitik Transistor Besaran Efek Kapasitif Gate1. Daerah trioda

2. Saturasi

3. Cut-of

4. Overlap Gate-Source dan Gate-drain

oxgdgs WLCCC2

1

oxgs WLCC3

2

0gdC

0 gdgs CC

oxgb WLCC

oxovov CWLC

Efek Kapasitansi Parasitik Transistor Besaran Efek Kapasitif Junction

dimana Csb0 dan Cdb0 adalah kapasitansi junction tanpa bias dan V0 dan tegangan built-in junction (0,6-0,8V)

0

0

1VV

CC

SB

sbsb

0

0

1VV

CC

DB

dbdb

Model Ekivalen Sinyal Kecil Lengkap

Source-Body terhubung singkat

Model Ekivalen Sinyal Kecil Bila Cdb diabaikan

Frekuensi Penguatan Satu Definisi frekuensi transisi fT: frekuensi saat penguatan

arus hubung singkat konfigurasi CS bernilai satugsgdgsmo VsCVgI

gsmo VgI

gdgs

igs CCs

IV

gdgs

m

i

o

CCs

g

I

I

1

gdgsT

m

i

o

CCj

g

I

I

gdgs

mT CC

g

gdgs

mT CC

gf

2

Model MOSFET Frekuensi Tinggi

OVnOVoxnm VkVL

WCg

Doxnm IL

WCg 2

OV

Dm V

Ig

2

DD

Ao II

Vr

1

oxovoxgs CWLWLCC 3

2

oxovgd CWLC 0

0

1VV

CC

SB

sbsb

0

0

1VV

CC

DB

dbdb

gdgs

mT CC

gf

2

Dnm Ikg

Kapasitansi Parasitik BJT Kapasitansi Difusi Cde

Kapasitansi Junction Base-Emitter Cje

Kapasitansi Junction Base-Collector C

T

CFde V

IC

02 jeje CC

m

CB

VV

CC

0

0

1

Model Hibrida-

jede CCC

jcCC

Frekuensi Transisi

VsCgI mc

sCsCr

ICCrIV b

b

1

||||

rCCs

rg

sCsCr

g

sCsCr

sCg

I

Ih mmm

b

cfe

111

rCCs

h fe 1

0

rCC 1

Frekuensi Transisi

CC

gf mT

2

CC

gmT

0 TGBW

rCCs

h fe 1

0

Kebergantungan fT pada Bias

Model BJT Frekuensi Tinggi

mgr 0

T

Cm V

Ig

T

m

f

gCC

2

m

CB

VV

CC

0

0

1

jede CCC

C

Ao I

Vr mFde gC 02 jeje CC