Φ8” Si基板の塗布データ

　レジスト名 TCIR AZ-4620 PMER-LA900 THB-124N THB-126N PIX-3400

　粘度[cP] 96 400 900 1500 1750 13000

　厚み[um] 4 7 30 30 40 10

　分布[(max-min)/ave][%] 1.39 1.67 2.68 3.18 3.76 4.7

　ウェハ間分布[%] 0.84 1.51 1.13 - 1.02 1.51

Φ12” Si基板の塗布均一性

Max. Min. Ave. Range 面内均一

29.69 28.76 29.20 0.93 3.18％

Y1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

29.05 28.98 28.85 29.03 28.99 29.30 29.69 29.68 29.64 29.52 29.51 29.36 28.99 29.05 29.18

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

Xa b c d e f g h i j k l m n o

29.05 29.06 28.96 29.05 28.76 29.16 29.57 29.68 29.14 29.21 29.08 29.28 28.89 29.10 29.20

基板：　300㎜径 Si wafer

レジスト：　JSR 　THB-124N（1500ｃｐ）

目標膜厚：　30 μm （±5%）

塗布方法：　自動塗布

塗布条件：　300 rpm x 10 sec.

　 +1500 rpm x 20 sec. ベーク条件： 　110℃ 　300 sec

測定点：　　29 ポイント （X, Y）

30(mm)

29

280 4 8 12 16

測定点（29点）

レジスト厚み

スループット 参考例　（Φ８“）

Baking unit Max.5-stage

VDP (HMDS) & Cooling unit

Spin Cup 1

Spin Cup 2

Cassette stage 1 Cassette stage 2Centering Unit

Φ6” Si基板の塗布データ

回転カップによる「材料収率」大幅改善例

ポリイミド塗布（φ6” Si基板）12

6

0

9

3

15 micron 4 micron

70%削減 60%

削減

マニュアル機 少量生産向け 量産機

高圧ジェットによる「メタルリフトオフ」

レジスト膨潤が必要な場合

Before During Process

Patte rn 1Patte rn 2

After

膨潤（80℃加温NMP）

高圧ジェット（Max. 20Mp）

リンス（DIW or IPA）

Step 1 Step2 Step 3

DeviceSoaking Process

RequiredPressure Value

(MPa)Chemical Heater

　VCSEL 〇 7～15 recommendable

　ＬＥＤ X 10 ～ 20

　ＬＤ ○ 1～10 recommendable

　SAW filter X 10～15

　MEMS ○ 1～10 recommendable

　Power IC（ＨＥＭＴ） ○ 10～15

　High Frequency ( T - Gate ) ○ 1 ～ 5 recommendable

ASAP製リフトオフのアプリケーション

リフトオフ後の顕微鏡写真

LED 縦型LED Tゲート

NMP recycle & circulation system

FreshNMP Heater

High Pressure Soaking Line (Recycle)

Overflow

Washable Filter 10 & 5 micron

Washable Filter 1 micronor Disposable 0.2 micron

DrainTank

Used NMP Store Tub15L～20L

Metal Trap(Mesh) F P

P

F