Upload
pv-hung
View
1.389
Download
37
Embed Size (px)
Citation preview
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
MỤC LỤC
MỤC LỤCiLỜI NOacuteI ĐẦUiiiTHUẬT NGỮ VIẾT TẮTivDANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼviCHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M1
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M112 Caacutec bước thực hiện213 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang6132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số6123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất8124 Phacircn tiacutech phổ10
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-9041421 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 90414
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-90414212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-90414
22 Phần phaacutet15221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật15
2211 Sơ đồ khối152212 Chỉ tiecircu kỹ thuật16
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet162221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh1722211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo1822212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ1822213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ1822214 Ngẫu nhiecircn hoaacute1822215 Chegraven AIS192222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet19
223 Khối cấp nguồn20224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo21225 Khối kiacutech thiacutech22
2251 Khối điều chế OQPSK232252 Bộ tổng hợp tần số24
226 Khối khuyếch đại cocircng suất25227 Khối hiển thị25
23 Phần thu25231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật25
2311 Sơ đồ khối252312 Chỉ tiecircu kỹ thuật26
232 Khối biến đổi hạ tần272321 Bộ biến đổi hạ tần272322 Bộ tổng hợp tần số28
233 Khối khuyếch đại trung tần28
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 i
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
234 Khối băng tần cơ sở292341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh292342 Khối băng tần cơ sở phụ32
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S3331 Giới thiệu hệ thống33
311 Tổng quaacutet33312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh33
32 Cấu higravenh hệ thống33322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+134
33 Mocirc tả hoạt động37331 Phần phaacutet37332 Phần thu39
KẾT LUẬN40
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 ii
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
LỜI NOacuteI ĐẦU
Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống
viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu
higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển
nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia
chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa
dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được
nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip
Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng
được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong
phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ
băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip
Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng
dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về
caacutec vấn đề sau
Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M
Chương II Thiết bị ViBa RMD-904
Chương III Hệ thống SDH DMR300S
Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi
những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc
Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde
dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn
sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh
thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
AXEAutomatic Cross-Connection
EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động
ATT Attenuator Ăng tenAMP FET
Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor
trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải
BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối
FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần
số
GSMGlobal System for Mobile
communicationHệ thống thocircng tin di động
toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep
IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần
IP Internet Protocol Giao thức mạng
INTFC Interface Giao diện
ITU-RInternational Telecommunication
UnionRadio Communication Sector
Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế
LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp
MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện
MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha
PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến
RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến
SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ
TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo
thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP
VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất
nhỏ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
234 Khối băng tần cơ sở292341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh292342 Khối băng tần cơ sở phụ32
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S3331 Giới thiệu hệ thống33
311 Tổng quaacutet33312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh33
32 Cấu higravenh hệ thống33322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+134
33 Mocirc tả hoạt động37331 Phần phaacutet37332 Phần thu39
KẾT LUẬN40
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 ii
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
LỜI NOacuteI ĐẦU
Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống
viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu
higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển
nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia
chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa
dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được
nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip
Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng
được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong
phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ
băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip
Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng
dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về
caacutec vấn đề sau
Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M
Chương II Thiết bị ViBa RMD-904
Chương III Hệ thống SDH DMR300S
Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi
những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc
Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde
dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn
sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh
thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
AXEAutomatic Cross-Connection
EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động
ATT Attenuator Ăng tenAMP FET
Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor
trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải
BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối
FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần
số
GSMGlobal System for Mobile
communicationHệ thống thocircng tin di động
toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep
IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần
IP Internet Protocol Giao thức mạng
INTFC Interface Giao diện
ITU-RInternational Telecommunication
UnionRadio Communication Sector
Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế
LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp
MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện
MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha
PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến
RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến
SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ
TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo
thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP
VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất
nhỏ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
LỜI NOacuteI ĐẦU
Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống
viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu
higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển
nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia
chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa
dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được
nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip
Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng
được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong
phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ
băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip
Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng
dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về
caacutec vấn đề sau
Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M
Chương II Thiết bị ViBa RMD-904
Chương III Hệ thống SDH DMR300S
Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi
những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc
Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde
dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn
sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh
thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
AXEAutomatic Cross-Connection
EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động
ATT Attenuator Ăng tenAMP FET
Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor
trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải
BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối
FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần
số
GSMGlobal System for Mobile
communicationHệ thống thocircng tin di động
toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep
IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần
IP Internet Protocol Giao thức mạng
INTFC Interface Giao diện
ITU-RInternational Telecommunication
UnionRadio Communication Sector
Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế
LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp
MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện
MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha
PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến
RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến
SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ
TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo
thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP
VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất
nhỏ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
AXEAutomatic Cross-Connection
EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động
ATT Attenuator Ăng tenAMP FET
Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor
trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải
BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối
FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần
số
GSMGlobal System for Mobile
communicationHệ thống thocircng tin di động
toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep
IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần
IP Internet Protocol Giao thức mạng
INTFC Interface Giao diện
ITU-RInternational Telecommunication
UnionRadio Communication Sector
Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế
LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp
MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện
MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha
PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến
RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến
SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ
TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo
thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP
VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất
nhỏ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP
VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất
nhỏ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT
8922M
11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di
động MS theo tiecircu chuẩn GSM
- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test
mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)
- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz
-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng
tần
- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave
lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra
- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng
maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục
Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 12 Cấu truacutec MS
12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL
ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem
việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ
maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave
caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm
caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh
viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại
pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau
Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Bước2 Tổ chức cuộc gọi
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M
bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET
bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey
di động
bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M
bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on
bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi
Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr
hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị
bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS
bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX
level chất lượng tiacuten thu RX Qual
bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian
Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được
nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được
Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy
1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động
Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải
cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber
Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card
Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey
bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi
nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc
gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS
bằng
caacutech ấn phiacutem ORG CALL
bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn
caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)
1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem
1048766 CELL CNTL ORG CALL
Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet
Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay
đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot
- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện
Handover
- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể
thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp
+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi
+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh
theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr
của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm
trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ
Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB
- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng
tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr
Bước 3 Thực hiện đo phổ
1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Thực hiện lần lượt caacutec bước sau
bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)
bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay
chuyển mạch)
Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch
tần số
bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)
bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)
bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace
1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng
Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL
bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ
bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo
Agilent 8922M
bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu
bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần
của
maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết
Bước 4 Đaacutenh giaacute
- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng
- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn
- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống
13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6
131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho
một cụm đơn
Peak Power 1396 dBm
Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh
132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế
vagrave tạp acircm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số
của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute
trị đo được về sai pha vagrave sai tần
Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số
Single burst
Items Measure Values Unit Ranges
Tx Phase Error RMS 118 Deg
Tx Phase Error peak 242 Deg
Tx Frequency Error 259 hz
Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm
trong giới hạn đo cho pheacutep
Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết
Phase Error View
Items Measure Values Unit Ranges
Phase Error at bit 15 032 Deg
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Phase Error at bit 50 147 Deg
Phase Error at bit 75 168 Deg
Phase Error at bit 115 -068 Deg
Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng
giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec
123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian
một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để
nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge
( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)
1 Rise Edge
Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn
tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ
-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả
theo như bảng sau
Items Measure Values Unit Ranges
Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb
Level Range -40dB 003dB db -40
Level at -2Tb -3716 db
Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn
từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo
được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng
suất lagrave -803 dB
2 Fall Edge
Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối
của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới
hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144
đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau
Items Measure Values Unit Ranges
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 db -40
Level at 148Tb -092 db
124 Phacircn tiacutech phổ
Mục điacutech
bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS
bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong
băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ
tiacuten hiệu
bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu
Phổ tiacuten hiệu đầu ra
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu
Date 27 04 2012 Time 14h
Class H10VT1Mark
Name of Students
1 Lecirc Trường Nam 2
ITEMSMEASURE VALUES
UNIT RANGES
A Pre-Test
I Test Conditions
CCH
RF Channel Number 18 1 124
Level -68 dBm -127 -7dBm
TCH
RF channel Number 18 1 124
TS 6 2 6
Level 16 1 19(41 5dBm)
Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm
II Call Status
Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)
462022111661406
MS IMSI
MS Reports
Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)
Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)
Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)
III Handover Conditions
New TS 3 2 6
New RF Chanel Number 16 1 124
Status OK Ok
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
B GSM Specific Measurements
I Peak Carrier Power
Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm
Bảng kết quả đo tổng hợp
Differ From Expected Input
Coupling Loss
Uplink -316 dBm
DownLink -109 dBm
II Phase and Frequency Error
Single Burst
Tx Phase Error RMS 118 dBm
Tx Phase Error Peak 242 dBm
Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz
Multiple Bursts
Number of Bursts 10
Tx Mean Phase Error RMS 113 deg
Tx Mean Phase Error Peak 275 deg
Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz
Phase Err View
Phase Error at Bit 15 032 deg
Phase Error at Bit 55 147 deg
Phase Error at Bit 85 168 deg
Phase Error at Bit 135 -068 deg
III Power Ramp Mask
Rise Edge View
Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb
Level Range -40dB 003dB -40 +5dB
Level at -2Tb -3716
Complied OK Ok
Fall Edge View
Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb
Level Range -40 -045 -40 5dB
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Level at 147Tb -092
Complied OK Ok
Top 2dB View
Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB
Complied Ok Ok
Total Test Time
Remarks Points Passed Points Failed
Others
Telecommunication Faculty I
Radio Section
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz
1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương
thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho
pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng
suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa
chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết
caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey
Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần
900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21
Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu
212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)
- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz
- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm
- Ngưỡng thu -90(dbm)
- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK
- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng
- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB
- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm
- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)
- Tần số tone gọi 2 KHz
- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM
- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone
- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB
- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)
- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC
- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối
+ Với cocircng suất ra 5 w 63w
+ Với cocircng suất ra 1w 43w
Caacutec phương phaacutep dự phograveng
+ Dự phograveng ấm (warm standby)
+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)
+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)
+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)
- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo
vệ (Protection switch)
- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten
parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m
22 Phần phaacutet
221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2211 Sơ đồ khối
Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904
Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904
gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy
- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)
- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)
- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)
- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)
2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau
- Cocircng suất ra +37dBm
- Trở khaacuteng ra 50 Ω
- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
- Cocircng suất tiecircu thụ
+ Khi cocircng suất ra 5W 51w
+ Khi cocircng suấtra 1W 31W
222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở
higravenh 23
Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet
Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)
- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)
- Cấp nguồn một chiều
- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo
Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng
đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde
NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai
trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
Khối thực hiện caacutec chức năng sau
1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo
1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ
1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs
1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs
1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai
1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự
cố
1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp
với mạng quản lyacute
22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea
cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp
N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm
cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần
số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh
dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a
22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở
khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep
được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute
biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi
mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+
vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ
22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci
phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ
khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven
22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn
hoaacute
Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau
bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu
bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu
bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số
22215 Chegraven AIS
Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten
hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS
2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh
4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển
hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng
4245Mbs
2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten
hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe
- Caacutec tiacuten hiệu ra
+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng
mang RF
+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei
+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset
- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm
+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave
lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn
+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh
vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu
nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute
+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng
tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet
Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ
223 Khối cấp nguồn
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey
phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo
vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng
mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep
theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn
bull Caacutec điện aacutep vagraveo
+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -
30V dương nguồn nối đất
+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -
60V dương nguồn nối đất
bull Caacutec điện aacutep ra
5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey
+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep
+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet
+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap
224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra
hiển thị trước mặt maacutey
- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng
lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch
đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey
Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF
để điều khiển khối kiacutech thiacutech
- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số
tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet
vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương
ứng
+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3
vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng
+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF
phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức
cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea
trước mặt maacutey phaacutet
- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau
+ Sự coacute số liệu vagraveo
+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet
+ Sự cố tổng hợp tần số
+ Sự cố gheacutep kecircnh
Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh
baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet
225 Khối kiacutech thiacutech
Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng
số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương
phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang
RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ
một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu
sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối
khuyếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh
giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu
ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc
caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ
Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech
Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh
- Khối điều chế OQPSK
- Khối trộn nacircng tần
- Khối tổng hợp tần số
Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng
2251 Khối điều chế OQPSK
Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng
pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch
pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey
được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp
nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu
vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều
chế noacutei trecircn cụ thể hơn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai
luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể
trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở
caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec
pha của soacuteng mang được điều chế như sau
S1 S2
T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha
2252 Bộ tổng hợp tần số
Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số
Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp
tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước
nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển
mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia
16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa
nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập
trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh
Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để
điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch
226 Khối khuyếch đại cocircng suất
Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao
gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo
khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại
của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep
Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng
Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất
Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng
(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải
Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại
trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm
227 Khối hiển thị
Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED
cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện
thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống
truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng
thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet
23 Phần thu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
2311 Sơ đồ khối
Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29
Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu
Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea
phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế
Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một
khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh
- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul
- Modul trung tần - IF Modul
- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand
- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)
2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau
bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz
bull Độ ổn định tần số 15 ppm
bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz
bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm
bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK
bull Tần số trung tần 35MHz
bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA
bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần
cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB
bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)
bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W
232 Khối biến đổi hạ tần
Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần
số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210
Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng
2321 Bộ biến đổi hạ tần
Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại
trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu
được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng
thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động
caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định
Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại
trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng
đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ
caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)
2322 Bộ tổng hợp tần số
Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn
giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở
vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch
xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động
thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập
trigravenh
233 Khối khuyếch đại trung tần
Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận
tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố
định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống
thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo
Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần
Khối nagravey coacute hai tấm mạch in
- Tấm lọc trung tần thu
- Tấm khuyếch đại trung tần thu
bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave
đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave
một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave
Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất
bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi
coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute
sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra
với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute
AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit
234 Khối băng tần cơ sở
Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci
phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea
phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng
số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực
hiện caacutec chức năng sau
bull Khocirci phục soacuteng mang
bull Giao tiếp số liệu
bull Khocirci phục đồng hồ
Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
bull Phacircn kecircnh số
bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
bull Cấp nguồn
2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu
2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng
tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau
+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
+ Khocirci phục số liệu IampQ
+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute
pha
+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp
+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute
+ Phacircn kecircnh số
+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3
+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS
+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ
đưa số liệu AIS vagraveo luồng số
diams Khocirci phục soacuteng mang
Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha
COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng
mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS
cho ở higravenh 212
Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch
nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện
caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại
trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep
với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất
Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục
so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng
thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang
diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q
Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh
tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế
diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu
Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số
liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-
Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của
VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại
diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea
Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung
4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự
chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang
được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh
một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu
nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave
tiacuten hiệu NRZ
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3
Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde
HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng
diams Chegraven AIS
Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven
vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS
2342 Khối băng tần cơ sở phụ
Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động
VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz
trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ
lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp
22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech
hoạt Rơle
Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm
- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet
- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ
- Đầu ra tai nghe
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
31 Giới thiệu hệ thống
311 Tổng quaacutet
Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển
tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động
ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc
128-QAM
Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần
6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep
312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
32 Cấu higravenh hệ thống
Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-
giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt
(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP
321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp
Cấu higravenh hệ thống
Loại thiết bị Tecircn thiết bị
3000S SDH MICROWAVE
RADIO
BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF
TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet
MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế
Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300
BR-[]G-900[]
BR CKTDUP CKT
TRP-150MB[]
Transmitter-Receiver
EQL BOARD
PIO INTFC
(NFB BOARD)
IDB INTFC
MDP1-1150MB[]-900[]
MDP1-1150MB[]-900[]
(OPTION RACK)
Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng
Maacutey thu phaacutet
Bảng mạch cacircn bằng
Giao diện vagraveo ra song song
Bảng cầu dao
Giao diện phacircn phối trung gian
Bộ điều chếgiải điều chế 1
Bộ điều chếgiải điều chế 2
Option rack
Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s
322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1
1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học
viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave
một trạm lặp (Repeater)
1 Hệ thống cảnh baacuteo
1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường
1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay
1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi
nghiecircm trọng hơn
1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng
2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng
Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng
noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp
với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn
tập khocircng gian (SD)
SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống
N+1 (với N=1)
3 Khối thu phaacutet TRP
Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự
phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm
lặp khocircng coacute
4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng
5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)
song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)
6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau
7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1
Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc
tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại
dugraveng cho dự phograveng
8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2
Gồm coacute 3 khối con
1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng
1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh
AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator
ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency
BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency
DIST Distributor SD Space Diversity
FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module
HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver
INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching
LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency
LMS Local Monitoring System
33 Mocirc tả hoạt động
331 Phần phaacutet
Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs
Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển
mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu
được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem
Chuyển mạch phaacutet
Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ
bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch
được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự
phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul
HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới
kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực
hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo
vệ
Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa
chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt
động bigravenh thường
Điều chế
Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo
vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL
Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven
RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST
Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave
hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến
(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea
Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận
Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao
trong hệ thống 64QAM
Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức
hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần
của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức
điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec
Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều
chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế
được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2
Biến đổi tần số IF thagravenh RF
Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng
trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định
sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần
phaacutet trong kecircnh tần ấn định
Khuếch đại cocircng suất
Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng
trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức
danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng
đổi theo hệ thống ATPC va ALC
332 Phần thu
Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở
tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến
đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải
điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn
bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR
DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập
bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp
becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường
Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch
150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40
Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp
KẾT LUẬN
Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng
maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong
lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn
đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng
lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước
với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những
nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn
sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước
Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn
ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu
caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave
đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey
Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng
traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận
tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa
qua
Sinh viecircn thực hiện
Lecirc Trường Nam
SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40