65
Báo cáo thực tập tốt nghiệp MỤC LỤC MỤC LỤC........................................................ i LỜI NÓI ĐẦU.................................................. iii THUẬT NGỮ VIẾT TẮT............................................ iv DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ.......................................... vi CHƯƠNG I : ĐO MS TIÊU CHUẨN GSM BẰNG MÁY ĐO AGILENT 8922M......1 1.1. Giới thiệu máy đo Aligent 8922M.........................1 1.2 Các bước thực hiện.......................................2 1.3. Kết quả đo kiểm và phân tích kết quả đo.................6 1.3.1 Đo công suất đỉnh sóng mang................................6 1.3.2 Đo lỗi pha và lỗi tần số......................................6 1.2.3 Đo và phân tích mặt nạ phổ công suất..........................8 1.2.4 Phân tích phổ............................................10 CHƯƠNG II: THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904..........................14 2.1. Sơ đồ khối và chỉ tiêu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904......................................................... 14 2.1.1. Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904.......................14 2.1.2. Chỉ tiêu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904..................14 2.2. Phần phát..............................................15 2.2.1. Sơ đồ khối và chỉ tiêu kỹ thuật..............................15 2.2.1.1. Sơ đồ khối...........................................15 2.2.1.2. Chỉ tiêu kỹ thuật...................................... 16 2.2.2. Khối băng tần cơ sở phát..................................16 2.2.2.1. Khối băng tần cơ sở phát chính...........................17 2.2.2.1.1. Khôi phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vào.............18 2.2.2.1.2. Biến đổi mã\ HDB3 thành NRZ..........................18 2.2.2.1.3. Ghép hai luồng 2048Kb/s mã NRZ thành luồng 4,245Mb/s mã NRZ. ......................................................... 18 2.2.2.1.4. Ngẫu nhiên hoá.....................................18 2.2.2.1.5. Chèn AIS...........................................19 2.2.2.2. Khối băng tần cơ sở phụ phát............................19 2.2.3. Khối cấp nguồn..........................................20 2.2.4. Bộ khuyếch đại logarit và các mạch cảnh báo...................21 2.2.5. Khối kích thích........................................... 22 2.2.5.1. Khối điều chế OQPSK...................................23 2.2.5.2. Bộ tổng hợp tần số....................................24 2.2.6. Khối khuyếch đại công suất.................................25 SVTH: Lê Trường Nam_Lớp H10VT1 i

Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

  • Upload
    pv-hung

  • View
    1.389

  • Download
    37

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

MỤC LỤC

MỤC LỤCiLỜI NOacuteI ĐẦUiiiTHUẬT NGỮ VIẾT TẮTivDANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼviCHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M1

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M112 Caacutec bước thực hiện213 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang6132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số6123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất8124 Phacircn tiacutech phổ10

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-9041421 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 90414

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-90414212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-90414

22 Phần phaacutet15221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật15

2211 Sơ đồ khối152212 Chỉ tiecircu kỹ thuật16

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet162221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh1722211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo1822212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ1822213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ1822214 Ngẫu nhiecircn hoaacute1822215 Chegraven AIS192222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet19

223 Khối cấp nguồn20224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo21225 Khối kiacutech thiacutech22

2251 Khối điều chế OQPSK232252 Bộ tổng hợp tần số24

226 Khối khuyếch đại cocircng suất25227 Khối hiển thị25

23 Phần thu25231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật25

2311 Sơ đồ khối252312 Chỉ tiecircu kỹ thuật26

232 Khối biến đổi hạ tần272321 Bộ biến đổi hạ tần272322 Bộ tổng hợp tần số28

233 Khối khuyếch đại trung tần28

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 i

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

234 Khối băng tần cơ sở292341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh292342 Khối băng tần cơ sở phụ32

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S3331 Giới thiệu hệ thống33

311 Tổng quaacutet33312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh33

32 Cấu higravenh hệ thống33322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+134

33 Mocirc tả hoạt động37331 Phần phaacutet37332 Phần thu39

KẾT LUẬN40

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 ii

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

LỜI NOacuteI ĐẦU

Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống

viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu

higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển

nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia

chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa

dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được

nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip

Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng

được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong

phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ

băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip

Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng

dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về

caacutec vấn đề sau

Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M

Chương II Thiết bị ViBa RMD-904

Chương III Hệ thống SDH DMR300S

Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi

những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc

Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde

dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn

sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh

thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

AXEAutomatic Cross-Connection

EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động

ATT Attenuator Ăng tenAMP FET

Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor

trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải

BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối

FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần

số

GSMGlobal System for Mobile

communicationHệ thống thocircng tin di động

toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep

IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần

IP Internet Protocol Giao thức mạng

INTFC Interface Giao diện

ITU-RInternational Telecommunication

UnionRadio Communication Sector

Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế

LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp

MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện

MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha

PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến

RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến

SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ

TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo

thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP

VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất

nhỏ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 2: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

234 Khối băng tần cơ sở292341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh292342 Khối băng tần cơ sở phụ32

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S3331 Giới thiệu hệ thống33

311 Tổng quaacutet33312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh33

32 Cấu higravenh hệ thống33322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+134

33 Mocirc tả hoạt động37331 Phần phaacutet37332 Phần thu39

KẾT LUẬN40

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 ii

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

LỜI NOacuteI ĐẦU

Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống

viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu

higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển

nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia

chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa

dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được

nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip

Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng

được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong

phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ

băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip

Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng

dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về

caacutec vấn đề sau

Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M

Chương II Thiết bị ViBa RMD-904

Chương III Hệ thống SDH DMR300S

Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi

những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc

Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde

dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn

sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh

thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

AXEAutomatic Cross-Connection

EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động

ATT Attenuator Ăng tenAMP FET

Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor

trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải

BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối

FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần

số

GSMGlobal System for Mobile

communicationHệ thống thocircng tin di động

toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep

IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần

IP Internet Protocol Giao thức mạng

INTFC Interface Giao diện

ITU-RInternational Telecommunication

UnionRadio Communication Sector

Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế

LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp

MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện

MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha

PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến

RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến

SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ

TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo

thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP

VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất

nhỏ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 3: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

LỜI NOacuteI ĐẦU

Ngagravey nay cugraveng với sự phaacutet triển khocircng ngừng của khoa học kĩ thuật hệ thống

viễn thocircng ngagravey nay lagrave phương tiện phổ biến để mọi người trao đổi thocircng tin dữ liệu

higravenh ảnh videohellipNoacute lagrave yếu tố quan trọng goacutep phần thuacutec đẩy kinh tế-xatilde hội phaacutet triển

nhanh choacuteng đồng thời goacutep phần nacircng cao đời sống của mọi người của từng quốc gia

chacircu lục Nhu cầu sử dụng dịch vụ viễn thocircng con người ngagravey cagraveng phong phuacute vagrave đa

dạng vigrave vậy để đaacutep ứng được caacutec nhu cầu đoacute đogravei hỏi caacutec hệ thống viễn phải luocircn được

nacircng cấp vagrave đổi mới cả về cocircng nghệ tiacutenh năng vagrave dịch vụhellip

Ngagravey nay nhiều hệ thống hệ thống viễn thocircng hiện đại tiến tiến khocircng ngừng

được nghiecircn cứu thử nghiệm vagrave đưa vagraveo khai thaacutec Caacutec dịch vụ trở necircn đa dạng vagrave phong

phuacute hơn caacutec yecircu cầu của khaacutech hagraveng ngagravey cagraveng được đaacutep ứng như yecircu cầu về tốc độ

băng thocircng chất lượng acircm thanh higravenh ảnhhellip

Qua thời gian thực tập tại Trung tacircm Viễn thocircng ở bộ mocircn Vocirc tuyến được hướng

dẫn học tập vagrave tiếp xuacutec với caacutec thiết bị thực tế bản baacuteo caacuteo thực tập em xin trigravenh bagravey về

caacutec vấn đề sau

Chương I Đo MS tiecircu chuẩn GSM bằng maacutey Agilent 8922M

Chương II Thiết bị ViBa RMD-904

Chương III Hệ thống SDH DMR300S

Do thời gian vagrave kiến thức bản thacircn coacute hạn necircn bagravei baacuteo caacuteo sẽ khocircng traacutenh khỏi

những thiếu soacutet về mặt nội dung rất mong nhận được sự chỉ bảo goacutep yacute của caacutec Thầy Cocirc

Qua đacircy em cũng xin gửi lời cảm ơn đến caacutec Thầy Cocirc giaacuteo trong Khoa Viễn Thocircng đatilde

dạy dỗ vagrave truyền đạt cho chuacuteng em những kiến thức quiacute giaacute vagrave đặc biệt gửi lời biết ơn

sacircu sắc tới Cocirc giaacuteo Phạm Thuacutey Hiền đatilde hướng dẫn tận tigravenh cho em trong suốt quaacute trigravenh

thực tập vagrave lagravem baacuteo caacuteo

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iii

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

AXEAutomatic Cross-Connection

EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động

ATT Attenuator Ăng tenAMP FET

Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor

trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải

BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối

FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần

số

GSMGlobal System for Mobile

communicationHệ thống thocircng tin di động

toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep

IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần

IP Internet Protocol Giao thức mạng

INTFC Interface Giao diện

ITU-RInternational Telecommunication

UnionRadio Communication Sector

Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế

LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp

MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện

MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha

PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến

RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến

SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ

TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo

thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP

VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất

nhỏ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 4: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

AXEAutomatic Cross-Connection

EquipmentThiết bị nối cheacuteo tự động

ATT Attenuator Ăng tenAMP FET

Amplifier FETBộ khuếch đại tranzitor

trườngBPF Band Pass Filter Bộ lộc thocircng dải

BR CKT Branching Circuit Mạch rẽ nhaacutenhDIST Distributor Phacircn phối

FDM Frequency Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo tần

số

GSMGlobal System for Mobile

communicationHệ thống thocircng tin di động

toagraven cầuHPA High Power Amplifier Bộ khuyếch đại cocircng suất caoHYB Hybrid Lai gheacutep

IF Intermedia Frequency Soacuteng trung tần

IP Internet Protocol Giao thức mạng

INTFC Interface Giao diện

ITU-RInternational Telecommunication

UnionRadio Communication Sector

Khu vực Liecircn hiệp viễn thocircng quốc tế

LNA Low Noise Amplifier Bộ khuyếch đại tạp acircm thấp

MGW Media Gateway Cổng đa phương tiện

MS Mobile Station Trạm di độngNGN Next Generation Nextwork Mạng thế hệ sauPCM Pulse Code Modulation Điều chế xung matildePSK Phase Shift Key Khoacutea chuyển pha

PSTN Public Switching Telephone Network Mạng điện thoại cocircng cộngRF Radio Frequency Soacuteng vocirc tuyến

RXndash IF Receiver Intermediate Frequency Thu tần số trung cấpRX ndash RF Receiver Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyến

SD Space Diversity Phacircn tập khocircng gianSTM Synchronous Transport Module Module vận chuyển đồng bộ

TDM Time Division MultiplexerGheacutep kecircnh phacircn chia theo

thời gianTWT Travelling Wave Tube Đegraven soacuteng chạy

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 iv

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP

VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất

nhỏ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 5: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

TR-X Transmitter Receiver Thiết bị thu phaacutetTX-SW Transmitter Switching Chuyển mạch đầu thuTX-RF Transmitter Radio Frequency Thu tần số vocirc tuyếnVMS Message System Hệ thống bản tin thoạiVoIP Voice over IP Thoại qua IP

VSAT Very Small Aperture TerminalThiết bị đầu cuối coacute độ mở rất

nhỏ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 v

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 6: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 vi

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 7: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 8: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT

8922M

11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M

- Agilent 8922M GSM Test Set lagrave maacutey đo kiểm tra caacutec thocircng số của trạm di

động MS theo tiecircu chuẩn GSM

- Maacutey coacute thể lagravem việc ở 3 chế độ Ocirc tiacutech cực (Active cell) chế độ kiểm tra (Test

mode) tạo soacuteng mang liecircn tục (CW-Generator)

- Maacutey lagravem việc ở băng tần 900MHz

-8922M kết hợp với Opt 010 83220E tạo necircn 8922P- Hệ thống kiểm tra đa băng

tần

- Maacutey coacute thể thực hiện caacutec pheacutep đo cơ bản Cocircng suất soacuteng mang đỉnh lỗi pha vagrave

lỗi tần số mặt nạ cocircng suất BER phổ tiacuten hiệu RF đầu ra

- Maacutey coacute thể được định cấu higravenh lagravem việc như maacutey phacircn tiacutech phổ maacutey hiện soacuteng

maacutey đo acircm tần maacutey đo soacuteng mang liecircn tục

Higravenh 11 Maacutey đo kiểm Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 1

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 9: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 12 Cấu truacutec MS

12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN

Bước1 Chọn chế độ do ACTIVE CELL

ACTIVE CELL MODE lagrave chế độ mặc định khi nagravey maacutey đo Agilent 8922M lagravem

việc như một trạm gốc BTS ở mạng GSM Vigrave vậy cho pheacutep thực hiện caacutec cuộc gọi từ

maacutey đo Agilent 8922M đến maacutey di động (MS) vagrave ngược lại Dựa vagraveo caacutec loại tiacuten hiệu vagrave

caacutec pheacutep đo coacute thể coacute giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep tổ chức thực hiện caacutec pheacutep đo kiểm

caacutec pheacutep đo vagrave tiacuten hiệu được 8922M thể hiện dưới dạng caacutec trường Field trecircn magraven higravenh

viacute dụ số kecircnh biecircn độ tiacuten hiệu khe thời gian magrave MS đang lagravem việc cũng như caacutec loại

pheacutep đo được minh hoạ bằng magraven higravenh sau

Higravenh 13 Giao diện của Aligent 8922M

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 2

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 10: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Bước2 Tổ chức cuộc gọi

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ maacutey di động đến Agilent 8922M

bull Bật nguồn maacutey đo hoặc ấn phiacutem PRESET

bull Lắp tấm SIM test [Subscriber Identity Module] lưu trữ thocircng tin khaacutech hagraveng vagraveo maacutey

di động

bull Kết nối MS với đầu nối RF INOUT của Agilent 8922M

bull Bật maacutey di động vagrave chờ để MS vagrave 8922M thu nhận thocircng tin của nhau Camp on

bull Quay số bất kỳ nagraveo đoacute vagrave ấn phiacutem gửi

Khi cuộc gọi đatilde được thiết lập thigrave trường trạng thaacutei CALL STATUS trecircn hagravem higravenhrArr

hiển thị CONNECTED khi nagravey caacutec thocircng số sau được hiển thị

bull Cocircng suất phaacutet đỉnh của MS

bull Caacutec thocircng số được MS baacuteo caacuteo Mức cocircng suất phaacutet TX level mức cocircng suất thu RX

level chất lượng tiacuten thu RX Qual

bull Hiển thị kecircnh lưu lượng vagrave khe thời gian

Nếu cuộc gọi khocircng được xử lyacute thigrave cần phải giải quyết MS Khi cuộc gọi đatilde được

nối thocircng ta coacute thể kiểm tra chất lượng MS bằng caacutech noacutei vagraveo MS acircm thanh đoacute được

Agilent 8922M gửi trở lại MS với thời gian trễ lagrave 05 giacircy

1048766 Thực hiện một cuộc gọi từ Agilent 8922M đến maacutey di động

Để thực hiện một cuộc gọi (hoặc tigravem gọi MS) từ Agilent 8922M đến MS cần phải

cho Agilent 8922M biết số SIM trong MS đacircy lagrave IMSI [International Mobile Subcriber

Identity] con số nagravey vagrave thocircng tin khaacutec của MS được lưu trữ trong SIM Card

Coacute hai caacutech để Agilent 8922M biết nhận được thocircng tin nagravey

bull Thực hiện một cuộc gọi từ MS đến Agilent 8922M Khi cuộc gọi được khởi

nguồn từ MS thigrave Agilent 8922M tự động đọc số IMSI trecircn SIM Card Nếu coacute một cuộc

gọi trước đatilde thagravenh cocircng với cugraveng một SIM card thigrave coacute thể thưc hiện cuộc gọi tới MS

bằng

caacutech ấn phiacutem ORG CALL

bull Vagraveo magraven higravenh MS INFORMATION vagrave nhập số IMSI trực tiếp từ bagraven phiacutem ấn

caacutec phiacutem sau đacircy để thực hiện

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 3

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 11: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 SHIFT CELL CONFIG (MS INFO)

1048766 Vagraveo trường Paging IMSI vagrave nhập số IMSI từ bagraven phiacutem

1048766 CELL CNTL ORG CALL

Thay đổi kecircnh khe thời gian vagrave mức phaacutet

Trước khi thiết lập cuộc gọi hoặc đang thực hiện cuộc gọi (Handover) coacute thể thay

đổi caacutec thocircng số sau đacircy ở vugraveng (4) như Channel Tx Level Timeslot

- Channel Khi chuyển đổi kecircnh khocircng lagravem giaacuten đoạn cuộc gọi khi nagravey thực hiện

Handover

- Tx Level Mức cocircng suất phaacutet được 8922M ra lệnh cho MS phaacutet ở mức cụ thể

thiacutech hợp Khi thay đổi mức cocircng suất phaacutet của MS Tx Level thigrave xẩy ra hai trường hợp

+ Cocircng suất phaacutet của MS được thay đổi

+ Trường biecircn độ Amplitude trong vugraveng (5) Expected Input tự động điều chỉnh

theo giaacute trị danh định được xaacutec định bởi trường Tx Level cho pheacutep bộ phacircn tiacutech RFrArr

của 8922M đồng chỉnh theo biecircn độ đầu ra mong muốn của MS Nếu tiacuten hiệu khocircng nằm

trong phạm vi 3dB so với biecircn độ mong muốn thigrave cần phải điều chỉnh trường biecircn độ

Amplitude sao cho mằm trong phạm vi 3 dB

- Timeslot Caacutec khe thời gian số 0 1 vagrave 7 được dagravenh riecircng cho việc duy trigrave thocircng

tin giữa MS vagrave 8922M cho pheacutep mocirc phỏng việc thực hiện HandoverrArr

Bước 3 Thực hiện đo phổ

1048766 Lựa chọn trường OUT RF SP từ magraven higravenh điều khiển Cell

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 4

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 12: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Thực hiện lần lượt caacutec bước sau

bull Đảm bảo trường Frep Offset được đặt giaacute trị 0 (1)

bull Lựa chọn Ramp Ref hay Mod Ref (2) (phụ thuộc vagraveo pheacutep đo điều chế hay

chuyển mạch)

Hai bước trecircn nhằm thiết lập mức tham khảo để so saacutenh caacutec giaacute trị tại caacutec độ lệch

tần số

bull Lựa chọn Ramping hay Modulation (3)

bull Đặt caacutec giaacute trị Freq Offset (4)

bull Coacute thể xem sự biến đổi của phổ RF đầu ra MS bằng caacutech lựa chọn View-Trace

1048766 Quan saacutet phổ tiacuten hiệu đầu ra MS trecircn một dải rộng

Chọn trường SPEC ANL trecircn magraven higravenh CEL CNTL

bull Main ndash Magraven higravenh hiển thị caacutec chức năng cơ bản của bộ phacircn tiacutech phổ

bull RF Generator ndash Đugraveng để điều khiển bộ tạo tiacuten hiệu cao tần trong maacutey đo

Agilent 8922M

bull Marker ndash Magraven higravenh điều khiển điểm đaacutenh dấu

bull Auxiliary ndash Magraven higravenh điều khiển caacutec đầu vagraveo vagrave caacutec thiết lập suy hao

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 5

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 13: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sử dụng trường (2) vagrave trường (3) kết hợp với việc thay đổi độ phacircn giải băng tần

của

maacutey đo để khảo saacutet phổ tiacuten hiệu một caacutech chi tiết

Bước 4 Đaacutenh giaacute

- Ghi caacutec kết quả đo vagraveo bảng

- Dựa vagraveo tiecircu chuẩn

- Dựa vagraveo sự phacircn bố tần số của hệ thống

13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo

Caacutec kết quả đo ở dưới tương ứng với RF Chanel 18 vagrave Time slot 6

131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang

Mục điacutenh Thực hiện đo vagrave tiacutenh trung bigravenh cocircng suất soacuteng mang maacutey phaacutet cho

một cụm đơn

Peak Power 1396 dBm

Higravenh 14 Magraven higravenh hiển thị cocircng suất đỉnh

132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số

Mục điacutech Xaacutec định giaacute trị lỗi pha vagrave lỗi tần số của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế

vagrave tạp acircm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 6

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 14: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Sau khi thực hagravenh thiacute nghiệm chuacuteng ta coacute thể xaacutec định được lỗi pha vagrave lỗi tần số

của tiacuten hiệu do quaacute trigravenh điều chế vagrave tạp acircm đối với hướng phaacutet phần vocirc tuyến Bảng giaacute

trị đo được về sai pha vagrave sai tần

Higravenh 15 Bảng hiển thị lỗi pha vagrave lỗi tần số

Single burst

Items Measure Values Unit Ranges

Tx Phase Error RMS 118 Deg

Tx Phase Error peak 242 Deg

Tx Frequency Error 259 hz

Caacutec giaacute trị về lỗi pha RMS lỗi pha đỉnh vagrave lỗi tần số thể hiện trong bảng đều nằm

trong giới hạn đo cho pheacutep

Bảng giaacute trị đo tiếp theo lagrave về lỗi pha chi tiết

Phase Error View

Items Measure Values Unit Ranges

Phase Error at bit 15 032 Deg

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 7

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 15: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Phase Error at bit 50 147 Deg

Phase Error at bit 75 168 Deg

Phase Error at bit 115 -068 Deg

Caacutec giaacute trị đo thể hiện lỗi pha theo caacutec biacutet số liệu Chuacuteng ta coacute thể thấy được rằng

giaacute trị về lỗi pha trong phần thực nghiệm tương đối nhỏ chứng tỏ pheacutep đo khaacute chiacutenh xaacutec

123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất

Mục điacutech Thực hiện hiển thị xung tiacuten hiệu phaacutet của MS trong khoảng thời gian

một cụm vagrave kiểm tra xem mức nagravey coacute phugrave hợp với caacutec chuẩn GSM hay khocircng Để

nghiecircn cứu sacircu về mặt nạ phổ cocircng suất chuacuteng tocirci đi vagraveo đo đạc vagrave phacircn tiacutech Rise Edge

( sườn tăng của xung) Top 2dB (khoảng giữa cụm) fall edge ( sườn xuống của xung)

1 Rise Edge

Higravenh 16 Phổ cocircng suất sườn lecircn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 8

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 16: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Rise Edge View thể hiện mức cocircng suất đỉnh 30dB trong phần sườn

tăng củadạng soacuteng Thang biecircn độ giới hạn từ -40 đến 5 dBm thang thời gian giới hạn từ

-8 đến 4 TbTrong phần thực hagravenh nagravey chuacuteng tocirci đatilde tiến hagravenh đo đạc vagrave coacute được kết quả

theo như bảng sau

Items Measure Values Unit Ranges

Rising Period 44Tb 02Tb Tb -8Tb

Level Range -40dB 003dB db -40

Level at -2Tb -3716 db

Trong phần thực hagravenh chuacuteng tocirci đưa ra được khoảng thời gian tăng của sườn lecircn

từ t=-32Tb đến t=02 TbMức cocircng suất thấp nhất (-40dB) vagrave cao nhất (-021dB) đo

được đều nằm trong giải giới hạn Tại vị triacute biacutet trung tacircm (t= -2Tb) đo được mức cocircng

suất lagrave -803 dB

2 Fall Edge

Higravenh 17 Phổ cocircng suất sườn xuống

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 9

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 17: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Magraven higravenh Fall Edge hiển thị mức cocircng suất tiacuten hiệu trong khoảng thời gian cuối

của cụm ( sườn xuống của xung ) cho pheacutep xaacutec định thời gian giảm của tiacuten hiệu Giới

hạn về thang biecircn độ lagrave từ -40 dBm đến 5 dBm vagrave giới hạn về thang thời gian lagrave từ 144

đến 156 Tb Chuacuteng tocirci tiến hagravenh đo vagrave đưa ra được kết quả như sau

Items Measure Values Unit Ranges

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 db -40

Level at 148Tb -092 db

124 Phacircn tiacutech phổ

Mục điacutech

bull Xaacutec định đaacutenh giaacute phổ tiacuten hiệu RF của phần phaacutet MS

bull Đaacutenh giaacute chất lượng của bộ điều chế vagrave caacutec bộ lọc trong phần phaacutet của MS trong

băng tần hệ thống Kiểm tra nhiễu do điều chế kiểm tra nhiễu do Ramping của biecircn độ

tiacuten hiệu

bull Xaacutec định giới hạn cho mỗi pheacutep đo tại độ lệch tần số cụ thể vagrave mức nhiếu

Phổ tiacuten hiệu đầu ra

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 10

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 18: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 18 phổ cocircng suất tiacuten hiệu

Date 27 04 2012 Time 14h

Class H10VT1Mark

Name of Students

1 Lecirc Trường Nam 2

ITEMSMEASURE VALUES

UNIT RANGES

A Pre-Test

I Test Conditions

CCH

RF Channel Number 18 1 124

Level -68 dBm -127 -7dBm

TCH

RF channel Number 18 1 124

TS 6 2 6

Level 16 1 19(41 5dBm)

Expected Input 11dBm dBm -279 +41dBm

II Call Status

Type of Call (MTC MOC) MTCMS ONUM (Originate Number)

462022111661406

MS IMSI

MS Reports

Tx Level 16( 11dBm ) dBm 1 19(41 5dBm)

Rx Level 41( -60 -69dBm) dBm 7 63(-104 -48dBm)

Rx Quality (BER) 0( lt02 ) BER 0 7 ( lt02 gt128)

III Handover Conditions

New TS 3 2 6

New RF Chanel Number 16 1 124

Status OK Ok

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 11

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 19: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

B GSM Specific Measurements

I Peak Carrier Power

Peak Power 1396 dBm dBm 0 40dBm

Bảng kết quả đo tổng hợp

Differ From Expected Input

Coupling Loss

Uplink -316 dBm

DownLink -109 dBm

II Phase and Frequency Error

Single Burst

Tx Phase Error RMS 118 dBm

Tx Phase Error Peak 242 dBm

Tx Frequency Error 2590 Hz 90Hz

Multiple Bursts

Number of Bursts 10

Tx Mean Phase Error RMS 113 deg

Tx Mean Phase Error Peak 275 deg

Tx Mean Frequency Error -1408 Hz 90Hz

Phase Err View

Phase Error at Bit 15 032 deg

Phase Error at Bit 55 147 deg

Phase Error at Bit 85 168 deg

Phase Error at Bit 135 -068 deg

III Power Ramp Mask

Rise Edge View

Rising Period 44Tb 02Tb -8Tb 4Tb

Level Range -40dB 003dB -40 +5dB

Level at -2Tb -3716

Complied OK Ok

Fall Edge View

Falling Period 1474 1508 Tb 144Tb 156Tb

Level Range -40 -045 -40 5dB

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 12

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 20: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Level at 147Tb -092

Complied OK Ok

Top 2dB View

Time Range -11 1477 Tb -10Tb 160TbLevel Range -01 014 dB -12 +12dB

Complied Ok Ok

Total Test Time

Remarks Points Passed Points Failed

Others

Telecommunication Faculty I

Radio Section

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 13

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 21: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904

21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904

211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904

Hatildeng AWA sản xuất caacutec hệ thống vi ba số lagravem việc ở caacutec băng tần 900MHz

1500MHz vagrave 1800MHz Caacutec thiết bị vagrave tuyến vi ba số của hatildeng nagravey sử dụng phương

thức điều chế pha vuocircng goacutec (QPSK - Quadrature Phase Shift Keying) Hệ thống cho

pheacutep truyền dẫn caacutec luồng 2Mbs 2times2Mbs vagrave 4times2Mbs matilde đường HDB3 ở mức cocircng

suất +37dBm (5Wat) Cấu truacutec Modul của thiết bị cho pheacutep dễ dagraveng bảo quản vagrave sửa

chữa Đacircy lagrave thiết bị vi ba băng hẹp do hatildeng AWA của UacuteC sản xuất Hiện nay hầu hết

caacutec tỉnh huyện đều đang khai thaacutec thiết bị nagravey

Trong phạm vi đề tagravei nagravey ta nghiecircn cứu thệ thống vi ba số lagravem việc ở băng tần

900MHz Sơ đồ khối thiết bị thu phaacutet vi ba số RMD904 được cho ở higravenh 21

Higravenh 21 Sơ đồ khối thiết bị phaacutet thu

212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 14

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 22: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Dung lượng 22Mbs (60 kecircnh thoại)

- Tần số vocirc tuyến 820 MHz - 960 MHz

- Cocircng suất ra nối ANTEN +36dBm

- Ngưỡng thu -90(dbm)

- Điều chế tiacuten hiệu số OQPSK

- Đầu vagraveo số liệu HDB3 2048Mbits 75Ω khocircng cacircn bằng

- Điều chế kecircnh nghiệp vụ FM

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh nghiệp vụ 300 divide 2200Hz 2 dB divide 3 dB

- Mức vagraveora kecircnh nghiệp vụ 600Ω 0 dBm

- Tỉ số tiacuten hiệutạp acircm SN gt40 (dBm opchặng)

- Tần số tone gọi 2 KHz

- Điều chế kecircnh giaacutem saacutet FM

- Di tần kecircnh giaacutem saacutet 5khztone

- Đaacutep tuyến tần số kecircnh giaacutem saacutet 27Khz - 50Khz +2 dBdivide3dB

- Mức vagraveo kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Mức ra kecircnh giaacutem saacutet (600Ω) -10(dBm)

- Nguồn cung cấp cho thiết bi điện aacutep DC -24 VDC hoặc -48 VDC

- Cocircng suất tiecircu thụ toagraven bộ trecircn một maacutey đầu cuối

+ Với cocircng suất ra 5 w 63w

+ Với cocircng suất ra 1w 43w

Caacutec phương phaacutep dự phograveng

+ Dự phograveng ấm (warm standby)

+ Dự phograveng noacuteng (hot standby)

+ Phacircn tập tần số (frequency diversity)

+ Phacircn tập khocircng gian (space diversity)

- Để thực hiện việc bảo vệ trạm viba coacute dự phograveng được lắp bộ chuyển mạch bảo

vệ (Protection switch)

- Thiết bị thu phaacutet lagravem việc với phido lagrave caacutep đồng trục trở khaacuteng 50

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 15

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 23: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Tugravey thuộc theo điều kiện thực tế yecircu cầu thiết bị viba lagravem việc với anten

parabol đường kiacutenh 09 m 12m 18m 24m

22 Phần phaacutet

221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2211 Sơ đồ khối

Higravenh 22 Sơ đồ khối maacutey phaacutet RMD - 904

Sơ đồ khối phần phaacutet của RMD 904 được cho ở higravenh 22 Maacutey phaacutet RMD-904

gồm coacute caacutec khối chiacutenh sau đacircy

- Khối băng tần cơ sở phaacutet (TxBaseBand)

- Khối kiacutech thiacutech (Exciter)

- Khối khuếch đại cocircng suất phaacutet PA (Power Amplifier)

- Tấm mạch hiển thị maacutey phaacutet (Tx Display)

2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ thuật của phần phaacutet như sau

- Cocircng suất ra +37dBm

- Trở khaacuteng ra 50 Ω

- Độ ổn định tần số 15 ppm- Bước nhẩy tần số 100KHz

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 16

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 24: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

- Cocircng suất tiecircu thụ

+ Khi cocircng suất ra 5W 51w

+ Khi cocircng suấtra 1W 31W

222 Khối băng tần cơ sở phaacutet

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của khối băng tần cơ sở phaacutet được mocirc tả ở

higravenh 23

Higravenh 23 Sơ đồ khối PBA băng tần cơ sở phaacutet

Khối thực hiện bốn chức năng chiacutenh sau

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở chiacutenh (số)

- Xử lyacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ (tương tự)

- Cấp nguồn một chiều

- Khuyếch đại logarit vagrave caacutec hiển thị cảnh baacuteo

Nguyecircn lyacute hoạt động Khối thực hiện nhận 2 luồng 2048Kbs matilde HDB3 từ tổng

đagravei hoặc maacutey gheacutep kecircnh hoặc caacutec thiết bị khaacutec đến gheacutep thagravenh một luồng 4245Mbs matilde

NRZ sau đoacute được ngẫu nhiecircn hoaacute chia thagravenh 2 luồng 21225 Mbs được matilde hoaacute vi sai

trước khi đưa khối điều chế Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet được gheacutep thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz đưa đến điều tần vagraveo soacuteng mang RF

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 17

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 25: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh

Khối thực hiện caacutec chức năng sau

1048766 Khocirci phục CLK từ luồng số HDB3 vagraveo

1048766 Biến đổi luồng số từ matilde HDB3 thagravenh matilde NRZ

1048766 Gheacutep hai luồng số 2048Kbs thagravenh luồng 4245Mbs

1048766 Ngẫu nhiecircn hoaacute luồng số 4245Mbs

1048766 Biến đổi nối tiếp thagravenh song song luồng số 4245Mbs vagrave matilde hoaacute vi sai

1048766 Chegraven AIS (Alarm Indication Signal) trong trường hợp caacutec luồng số vagraveo bị sự

cố

1048766 Ngoagravei ra cograven coacute mạch hội chuẩn để đưa ra caacutec hiển thị cảnh baacuteo hay giao tiếp

với mạng quản lyacute

22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo

Với mỗi luồng số liệu 2048Kbs matilde HDB3 vagraveo Được qua biến aacutep T1 tại phiacutea

cuộn thứ biến aacutep T1 xuất hiện datildey xung HDB3+ vagrave HDB3- đưa qua hai bộ so saacutenh N1amp

N4 qua mạch OR đầu ra của mạch OR điều khiển mạch dao động cộng hưởng LC gồm

cuộn sơ của biến aacutep T3 vagrave tụ C4 mắc song song Bộ dao động nagravey được thiết kế để coacute tần

số cộng hưởng tại tần số đồng hồ 2048KHz Đầu ra của bộ dao động được biến đổi thagravenh

dạng xung bằng caacutech sử dụng caacutec bộ so saacutenh N2a

22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ

Với mỗi luồng vagraveo 2048Kbs matilde HDB3 được đưa đến biến aacutep phối hợp trở

khaacutengcaacutech ly T1 vagrave T2 Caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) tại đầu ra của biến aacutep

được taacutech ra bởi caacutec bộ so saacutenh N1 vagrave N2 Caacutec bộ so saacutenh nagravey đưa ra caacutec xung RZ coacute

biecircn độ +5V Sau đoacute caacutec xung RZ (lagrave xung HDB3+ vagrave HDB3-) nagravey được đưa đến vi

mạch IC tại đacircy dưới sự điều khiển của xung đồng hồ khocirci phục hai dẫy số liệu HDB3+

vagrave HDB3- biến đổi thagravenh luồng số 2048Kbs matilde NRZ

22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ

Hai luồng số 2048Kbs matilde NRZ dưới sự điều khiển của caacutec xung đồng hồ khocirci

phục 2048KHz vagrave đồng hồ 4245MHz được tạo ra trong mạch chuacuteng được gheacutep thagravenh

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 18

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 26: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

luồng 4245Mbs trong vi mạch D1 trong đoacute gồm caacutec bit dữ liệu caacutec bit của từ đồng bộ

khung (FAW) caacutec bit chegraven vagrave bit chỉ thị chegraven

22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute

Luồng số liệu 4245Mbs matilde NRZ được ngẫu nhiecircn hoaacute bởi mạch ngẫu nhiecircn

hoaacute

Mục điacutech ngẫu nhiecircn hoaacute như sau

bull Đễ truyền đồng hồ cho đồng bộ phiacutea thu

bull Để traacutenh phổ vạch dẫn đến khoaacute nhầm pha phiacutea thu

bull Để giảm nhiễu giữa caacutec maacutey vi ba hoạt đồng gần tần số

22215 Chegraven AIS

Trong trường hợp luồng số liệu vagraveo coacute sự cố thigrave mạch giaacutem saacutet cảnh baacuteo tạo ra tiacuten

hiệu cảnh baacuteo đưa điến điều khiển hiển thị đồng thời cho pheacutep bộ dao động AIS

2048KHzchegraven vagraveo luồng số bị sự cố đoacute Nếu bộ gheacutep kecircnh (hai luồng 2048Kbs thagravenh

4245Mbs) bị sự cố thigrave cũng tạo ra tiacuten hiệu cảnh baacuteo sự cố gheacutep kecircnh đi đến điều khiển

hiển thị cảnh baacuteo đồng thời mạch dao động AIS 4245MHz chegraven tiacuten hiệu AIS vagraveo luồng

4245Mbs

2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet

Khối chức năng xử lyacute kết hợp caacutec đầu vagraveo tiacuten hiệu tương tự tần số thấp thagravenh tiacuten

hiệu băng tần cơ sở phụ xử lyacute tiếng noacutei vagrave caacutec đầu ra tai nghe

- Caacutec tiacuten hiệu ra

+ Đầu ra tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ đưa tới khối kiacutech thiacutech để điều tần soacuteng

mang RF

+ Đầu ra tiacuten hiệu tiếng noacutei đatilde được xử lyacute đưa tới giao diện becircn ngoagravei

+ Đầu ra tiếng noacutei kecircnh nghiệp vụ đưa tới tổ hợp Handset

- Caacutec tiacuten hiệu vagraveo gồm

+ Đầu vagraveo micro nhận tiếng noacutei từ ống noacutei tổ hợp đưa tới mạch khuyếch đại vagrave

lọc thocircng thấp 2 KHz để coacute biecircn độ đủ lớn

+ Đầu vagraveo tiếng noacutei hai mạch sẵn sagraveng nhận tiacuten hiệu thoại từ maacutey thu becircn cạnh

vagrave một để nhận tiếng thoại từ maacutey phaacutet becircn cạnh (trạm chuyển tiếp)

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 19

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 27: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu tone gọi 2KHz (tiacuten hiệu baacuteo gọi cho kecircnh nghiệp vụ) tiacuten hiệu

nagravey chỉ được tạo ra khi người vận hagravenh ấn nuacutet Call trước maacutey phaacute

+ Đầu vagraveo tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet (27 -5 kHz) coacute hai đầu vagraveo một để nhận thocircng

tin từ maacutey thu becircn cạnh một để nhận thocircng tin từ thiết bị giaacutem saacutet

Higravenh 24 Sơ đồ khối băng tần cơ sở phụ

223 Khối cấp nguồn

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối nguồn nuocirci được cho ở higravenh 25 Khối nguồn maacutey

phaacutet coacute thể lagravem việc với điện aacutep vagraveo lagrave -24VDC hoặc -48 VDC Bộ nguồn coacute mạch bảo

vệ chống đấu ngược điện aacutep một chiều mạch bảo vệ quaacute aacutep mạch bảo vệ quaacute dograveng

mạch chống nhiễu do lagravem việc ở chế độ xung Nguồn nagravey thực hiện biến đổi vagrave ổn aacutep

theo nguyecircn lyacute điều chế độ rộng xung

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 20

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 28: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 25 Sơ đồ khối cấp nguồn

bull Caacutec điện aacutep vagraveo

+ Đối với điện aacutep vagraveo -24VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 20V đến -

30V dương nguồn nối đất

+ Đối với điện aacutep vagraveo -48VDC mạch lagravem việc với giải điện aacutep vagraveo từ - 40V đến -

60V dương nguồn nối đất

bull Caacutec điện aacutep ra

5v cung cấp cho caacutec vi mạch số toagraven maacutey

+10v cấp điện cho caacutec transistor khuyếch đại aacutep

+20v cấp điện cho caacutec transitor khuyếchđại cocircng suất phaacutet

+36v cấp điện cho mạch tổ hợp tần số điều khiển varicap

224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo

Caacutec yecircu cầu về chỉ thị trạng thaacutei vagrave sự cố của hệ thống đều được xử lyacute rồi đưa ra

hiển thị trước mặt maacutey

- Để giaacutem saacutet xaacutec định mức cocircng suất phaacutet một mạch điện được thiết kế triacutech năng

lượng soacuteng cao tần tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất sau đoacute thực hiện nắn khuyếch

đại logarit rồi kiacutech hoạt saacuteng một trong hai mươi vạch ở thanh LED ngang trecircn mặt maacutey

Phạm vi cho pheacutep hiển thị mức cocircng suất phaacutet từ +30 đến +37 dBm Mức thường dugraveng

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 21

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 29: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

khoảng 32 đến 34dBm Một điện aacutep ALC cũng được tạo ra từ mẫu tiacuten hiệu giaacutem saacutet RF

để điều khiển khối kiacutech thiacutech

- Mạch logic cảnh baacuteo thược trực giaacutem saacutet caacutec tiacuten hiệu trong maacutey phaacutet vagrave một số

tiacuten hiệu điều khiển từ chuyển mạch bảo vệ Khi caacutec thocircng số tiacuten hiệu tại điểm giaacutem saacutet

vượt quaacute một giaacute trị ngưỡng thiacute mạch tạo ra mức logic kiacutech hoạt caacutec đegraven cảnh baacuteo tương

ứng

+ Mạch giaacutem saacutet số liệu vagraveo DATA IN Thường trực giaacutem saacutet caacutec luồng số HDB3

vagraveo nếu một trong hai luồng bị sự cố thigrave tạo ra tiacuten hiệu kiacutech thiacutech đegraven DATA IN saacuteng

+ Mạch giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF LEVEL Thường trực giaacutem saacutet mức tiacuten hiệu RF

phaacutet tại đầu ra khối khuyếch đại cocircng suất khi mức cocircng suất phaacutet hiện thời nhỏ hơn mức

cocircng suất danh định 3dB thigrave tạo tiacuten hiệu logic kiacutech hoạy đegraven cảnh baacuteo RF LEVEL phiacutea

trước mặt maacutey phaacutet

- Mạch giaacutem saacutet sự cố phần phaacutet Tx FAIL giaacutem saacutet xaacutec định caacutec sự coacute sau

+ Sự coacute số liệu vagraveo

+ Sự cố mức cocircng suất phaacutet

+ Sự cố tổng hợp tần số

+ Sự cố gheacutep kecircnh

Khi tồn tại một trong caacutec sự cố nagravey thigrave mạch tạo ra mức logic điều khiển đegraven cảnh

baacuteo TxFAIl saacuteng ở phaacutei trước mặt maacutey phaacutet

225 Khối kiacutech thiacutech

Nguyecircn lyacute hoạt động của khối được cho ở higravenh 26 Thực hiện điều chế hai luồng

số liệu sau khi đatilde được matilde hoaacute vi sai vagraveo soacuteng mang trung tần 220MHz theo phương

phaacutep điều chế OQPSK Sau đoacute tiacuten hiệu IF phaacutet được trộn năng tần với tần số soacuteng mang

RF nằm trong băng tần cocircng taacutec Soacuteng mang RF sử dụng để trộn nacircng tần được tạo ra từ

một bộ dao động điều khiển điện aacutep VCO vagrave vograveng điều khiển tổng hợp tần số Tiacuten hiệu

sau khi trộn nacircng tần được lọc khuyếch đại vagrave khống chế mức +8dBm đưa tới khối

khuyếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ 5KHz gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh

giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone được truyền đi bằng caacutech điều tần vagraveo soacuteng mang cao tần RF với

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 22

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 30: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

độ di tần cực đại 15KHz trước khi tới bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu IF 220MHz Kết quả đầu

ra của bộ trộn nacircng tần tiacuten hiệu RF phaacutet chứa caacutec thocircng tin của luồng số từ tổng đagravei hoặc

caacutec thiết bị khaacutec vagrave caacutec thocircng tin nghiệp vụ

Higravenh 26 Sơ đồ khối kiacutech thiacutech

Modul kiacutech thiacutech gồm ba khối chức năng chiacutenh

- Khối điều chế OQPSK

- Khối trộn nacircng tần

- Khối tổng hợp tần số

Sau đacircy ta nghiecircn cứu nguyecircn lyacute hoạt động của từng khối chức năng

2251 Khối điều chế OQPSK

Điều chế OQPSK bao gồm việc tạo ra hai luồng số đồng pha (kyacute hiệu I) vagrave vuocircng

pha (kyacute hiệu Q) ở bộ biến đổi nối tiếp vagraveo song song vagrave sau đoacute lấy hai luồng số liệu lệch

pha 900 nagravey điều chế cho hai soacuteng mang trung tần coacute pha lệch nhau Quaacute trigravenh nagravey

được thực hiện ở hai bộ trộn cacircn bằng Đầu ra của hai bộ trộn cacircn bằng được kết hợp

nhau vagrave điều chỉnh mức để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất IF phaacutet Kết quả ta được tiacuten hiệu

vocirc tuyến coacute pha dịch theo sự lập matilde của hai dograveng số điều chế Ta xeacutet quaacute trigravenh điều

chế noacutei trecircn cụ thể hơn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 23

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 31: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Giả sử từ một luồng số sau khi biến đổi từ nối tiếp vagraveo song song ta nhận được hai

luồng số liệu độc lập S1 vagrave S2 ở một thời điểm bất kỳ cặp cặp bit của S1 vagrave S2 coacute thể

trigravenh bầy một trong 4 trạng thaacutei (00 01 1110) Vậy khi lấy mẫu S1 amp S2 đồng thời ở

caacutec thời điểm từ t1 đến t4 ta coacute thể trigravenh bầy 4 matilde bằng 4 trạng thaacutei tương ứng với 4 goacutec

pha của soacuteng mang được điều chế như sau

S1 S2

T1 0 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T2 0 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T3 1 0 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

T4 1 1 Coacute thể trigravenh bagravey dịch pha

2252 Bộ tổng hợp tần số

Higravenh 27 Sơ đồ bộ tổng hợp tần số

Nguyecircn lyacute hoạt động của bộ tổng hợp tần số được cho ở higravenh vẽ 27 Bộ tổng hợp

tần số lagravem việc trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Noacute cho pheacutep thay đổi tần số phaacutet với bước

nhảy 100KHz bằng caacutech thiết lập hệ số chia cho bộ chia khả lập trigravenh bởi caacutec chuyển

mạch BCD Trước hết tần số dao động VCO được đưa qua hai bộ chia 4 (thagravenh bộ chia

16) tạo thagravenh mẫu tần số từ 75 - 82MHz Sau đoacute mẫu tần số nagravey đựơc chia một lần nữa

nhờ bộ chia định thang ECL (chia 10 hoặc chia 11) được tần số lagrave 75 - 82 MHz Tiacuten

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 24

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 32: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

hiệu nagravey được đưa đến bộ chia vạn năng khả lập trigravenh Số chia của bộ chia nagravey coacute thể lập

trigravenh được bằng 4 chuyển mạch BCD Tần số nhận được sau khi chia đưa tới bộ so saacutenh

Caacutec sai lệch về tần số vagrave pha được khuếch đại vagrave lọc rồi đưa tới varicap của bộ VCO để

điều chỉnh lại tần số của bộ dao động VCO cho đến khi khocircng cograven sai lệch

226 Khối khuyếch đại cocircng suất

Nguyecircn lyacute lagravem việc của khối được cho ở higravenh 28 Khối khuếch đại cocircng suất bao

gồm 4 tầng khuếch đại tuyến tiacutenh siecircu cao tần dugraveng Transistor lưỡng cực để đảm bảo

khuếch đại cocircng suất từ +8dBm lecircn mức (30 - 37dBm) theo yecircu cầu Hệ số khuếch đại

của hai tầng khuếch đại cuối coacute thể điều khiển được bằng chiết aacutep

Định thiecircn cho 4 tầng khuyếch đại cocircng suất bằng tấm định thiecircn riecircng

Higravenh 28 Sơ đồ khối khuếch đại cocircng suất

Khối cograven thực hiện caacutech li giữa maacutey phaacutet vagrave phiđơ anten bằng một bộ caacutech soacuteng

(Isolator) Nhờ bộ caacutech soacuteng nagravey magrave đảm bảo traacutenh hiện tượng phản xạ soacuteng khi hở tải

Triacutech một phần soacuteng cao tần để tạo tiacuten hiệu ALC điều khiển caacutec tầng khuyếch đại

trong khối kiacutech thiacutech đảm bảo mức tiacuten hiệu vagraveo +8dBm

227 Khối hiển thị

Tấm hiển thị được lắp raacutep ở PANEL phiacutea trước maacutey phaacutet Tấm coacute ba đegraven LED

cảnh baacuteo magraveu đỏ vagrave một bộ hiển thị 20 vạch LED để chỉ thị caacutec mức cocircng suất phaacutet hiện

thời Khối coacute nhiệm vụ nhận tất cả caacutec tiacuten hiệu chỉ thị về trạng thaacutei lagravem việc của hệ thống

truyền dẫn điều khiển caacutec đegraven cảnh baacuteo tương ứng saacuteng Maacutey được thiết kế hiển thị trạng

thaacutei sự cố tiacuten hiệu phần phaacutet vagrave hiển thị mức cocircng suất phaacutet

23 Phần thu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 25

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 33: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật

2311 Sơ đồ khối

Sơ đồ khối mocirc tả nguyecircn lyacute hoạt động của phần thu được cho ở higravenh 29

Higravenh 29 Sơ đồ khối maacutey thu

Maacutey thu vi ba số RMD-904 coacute nhiệm vụ thu soacuteng mang siecircu cao đatilde điều chế phiacutea

phaacutet giải điều chế tiacuten hiệu thu để khocirci phục caacutec tiacuten hiệu luồng số liệu đatilde được điều chế

Tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ kecircnh giaacutem saacutet Maacutey thu coacute 4 Modul chiacutenh được lắp trecircn một

khung maacutey riecircng Maacutey thu RMD-904 gồm coacute caacutec khối chiacutenh

- Modul biến đổi hạ tần - Convertor Modul

- Modul trung tần - IF Modul

- Tấm mạch băng tần cơ sở thu - RxBaseBand

- Tấm mạch hiển thị (Rx Display)

2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật

Chỉ tiecircu kỹ kỹ thuật phần thu của thiết bị vi ba số RMD 904 như sau

bull Giải tần cocircng taacutec vocirc tuyến 820 - 960 MHz

bull Độ ổn định tần số 15 ppm

bull Bước nhảy tần cocircng taacutec 100 KHz

bull Mức thu -100 dBm đến -50 dBm

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 26

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 34: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

bull Ngưỡng thu -90dBm đến -50dBm

bull Gải điều chế COSTAS đối với soacuteng mang chế OQPSK

bull Tần số trung tần 35MHz

bull Trở khaacuteng đầu vagraveo siecircu cao tần 50 Ω đầu nối SMA

bull Trở khaacuteng nối caacutec khối Modul biến đổi hạ tần Modul trung tần khối băng tần

cơ sở thu lagrave 50Ω đầu nối SMB

bull Điện aacutep vagraveo nguồn một chiều từ - 20V đến - 60V (DC)

bull Cocircng suất tiecircu thụ 31W

232 Khối biến đổi hạ tần

Khối nagravey coacute hai phần Một phần biến đổi hạ tần vocirc tuyến vagrave một bộ tổng hợp tần

số Sơ đồ khối của Modul cho ở higravenh 210

Higravenh 210 Sơ đồ khối biến đổi hạ tầng

2321 Bộ biến đổi hạ tần

Tấm biến đổi hạ tần coacute hai tầng khuyếch đại vocirc tuyến vagrave tầng trộn đồng thời loại

trừ tần số ảnh Caacutec bộ khuyếch đại vocirc tuyến coacute coacute mạch điều khiển định thiecircn Tầng đầu

được thiacutech ứng để đảm bảo tập acircm nhỏ (Tầng khuyếch đại tập acircm nhỏ LNA) cograven tầng

thứ hai coacute nhiệm vụ giảm sự thay đổi khuyếch đại trong băng tần Để ổn định hoạt động

caacutec phần tử tiacutech cực được nuocirci bởi nguồn dograveng ổn định

Bộ trộn biến đổi hạ tần tiacuten hiệu thu vagraveo trung tần 35MHz Bộ trộn đảm bảo loại

trừ 20dB tần số ảnh vagrave suy hao biến đổi 8dB Việc loại trừ tần số ảnh đạt được bằng chia

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 27

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 35: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

dao động nội thagravenh hai phần đocircng pha vagrave đưa đến hai bộ trộn cacircn bằng Đồng thời cũng

đưa đến hai bộ trộn nagravey tiacuten hiệu tần số vocirc tuyến được chia đocirci nhưng lệch pha nhờ

caacutec mạch gheacutep (thực hiện bằng mạch in)

2322 Bộ tổng hợp tần số

Nhờ bộ tổng hợp tần số magrave ta coacute thể dễ dagraveng điều chỉnh tần số thu với độ phacircn

giải 100KHz bằng caacutec chuyển mạch xoay BCD Bộ tổng hợp tần số lagravem việc trecircn cơ sở

vograveng khoaacute pha Cũng giống như ở bộ tổng hợp tần số maacutey phaacutet caacutec bộ chuyển mạch

xoay BCD điều khiển bộ chia lập trigravenh để chọn kecircnh Bộ dao động chuẩn lagrave bộ dao động

thạch anh điều khiển được vagrave vograveng chứa bộ chia tốc độ cao kỹ nghệ ECL vagrave bộ chia lập

trigravenh

233 Khối khuyếch đại trung tần

Nguyecircn hoạt động của khối trung tần được cho ở higravenh 211 Modul trung tần nhận

tiacuten hiệu trung tần IF = 35 MHz từ bộ biến đổi hạ tần lọc cũng như tạo ra tiacuten hiệu mức cố

định cho caacutec mạch băng tần cơ sở Modul nagravey xaacutec định độ rộng băng tần của hệ thống

thu noacute chứa caacutec mạch đo mức vocirc tuyến vagrave tạo ra caacutec tiacuten hiệu cảnh baacuteo

Higravenh 211 Sơ đồ khối Modul trung tần

Khối nagravey coacute hai tấm mạch in

- Tấm lọc trung tần thu

- Tấm khuyếch đại trung tần thu

bull Tấm lọc trung tần thu Tấm nagravey nhận tiacuten hiệu ở đầu ra của bộ biến đổi hạ tầnvagrave

đảm bảo độ chọn lọc của maacutey thu Bộ lọc bao gồm hai mạng lọc LC một mạng 4 cực vagrave

một mạng 3 cực Giữa chuacuteng lagrave tầng khuyếch đại đệm Để giảm tạp acircm tiacuten hiệu ở đầu

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 28

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 36: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

vagraveo được khuyếch đại bởi một tầng khuyếch đại bao gồm Transistor lưỡng cực vagrave

Transistor trường J-FET coacute cực cổng nối đất

bull Bộ khuyếch đại trung tần thu Bộ khuyếch đại nhận tiacuten hiệu vagraveo với sự thay đổi

coacute thể khaacute lớn (-105dBm đến -50dBm) ở đầu vagraveo maacutey thu vagrave tạo ra tiacuten hiệu ra coacute

sự thay đổi nhỏ hơn 2dB Bộ khuyếch đại trung tần thu cũng đảm bảo điện aacutep đo đưa ra

với thay đổi tỷ lệ với mức tiacuten hiệu trung tần Điện aacutep đo nagravey nhận được từ mạch xử lyacute

AGC bằng bộ khuyếch đại Logarit

234 Khối băng tần cơ sở

Chức năng của khối băng tần cơ sở thu lagrave nhận tiacuten hiệu trung tần 35MHz để khocirci

phục lại tiacuten hiệu băng tần cơ sở số (khocirci phục caacutec luồng số 2048Kbs được gửi đi từ phiacutea

phaacutet) vagrave caacutec tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ giaacutem saacutet tone gọi ở băng tần cơ sở phụ Caacutec luồng

số ở tiacuten hiệu trung tần được điều chế OQPSK trong khiacute đoacute tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

được điều tần Để khocirci phục lại caacutec thocircng tin noacutei trecircn tấm băng tần cơ sở thu phải thực

hiện caacutec chức năng sau

bull Khocirci phục soacuteng mang

bull Giao tiếp số liệu

bull Khocirci phục đồng hồ

Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

bull Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

bull Phacircn kecircnh số

bull Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

bull Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về sự cố khocirci phục soacuteng mang khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

bull Cấp nguồn

2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh

Nhận tiacuten hiệu trung tần IF 35 MHz giải điều chế OPQSK khocirci phục luồng số liệu

2048Kbs vagrave giải điều chế khocirci phục tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ Để khocirci phục caacutec thocircng

tin nagravey thigrave thực hiện caacutec chức năng sau

+ Khocirci phục soacuteng mang bằng phương phaacutep vograveng COSTAS

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 29

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 37: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

+ Khocirci phục số liệu IampQ

+ Khocirci phục định thời kyacute hiệu STR (Symbol Timing Recovery) bằng vograveng khoaacute

pha

+ Giải matilde hoaacute vi sai vagrave biến đổi số liệu song song thagravenh nối tiếp

+ Khử ngẫu nhiecircn hoaacute

+ Phacircn kecircnh số

+ Biến đổi matilde NRZ vagraveo HDB3

+ Chegraven tiacuten hiệu chỉ thị cảnh baacuteo AIS

+ Tự hội chuẩn Thocircng baacuteo về mất khocirci phục soacuteng mang mất khocirci phục đồng hồ

đưa số liệu AIS vagraveo luồng số

diams Khocirci phục soacuteng mang

Khocirci phục soacuteng mang được thực hiện bằng bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha

COSTAS Vograveng khoaacute pha COSTAS lagrave hệ thống hồi tiếp được sử dụng để tạo ra soacuteng

mang cần thiết cho giải đieegraveu chế Sơ đồ của bộ giải điều chế vograveng khoaacute pha COSTAS

cho ở higravenh 212

Ở maacutey thu tiacuten hiệu trung tần đưa vagraveo bộ giải điều chế được trộn với caacutec pha lệch

nhau 900 của soacuteng mang sau khi được khocirci phục Caacutec tiacuten hiệu ra cacircn bằng được thể hiện

caacutec tiacuten hiệu điều chế ở hai trục vuocircng goacutec (SinWct vagrave CosinWct) Bộ lọc cacircn bằng loại

trừ caacutec thagravenh phần khocircng cần thiết sau khi trộn Đầu ra của hai bộ trộn nagravey lại được gheacutep

với nhau một lần nữa kết quả nhận được trừ với nhau để tạo ra một tiacuten hiệu duy nhất

Thagravenh phần khocircng đổi của tiacuten hiệu nagravey tỷ lệ với sai pha của soacuteng mang được khocirci phục

so với trung tần đầu vagraveo Kết thuacutec vograveng COSTAS lagrave bộ lọc vograveng vagrave VCO 35MHz đồng

thời đầu ra của bộ lọc vograveng lagrave sai pha vagrave tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 30

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 38: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 212 Sơ đồ khối mạch giải điều chế vagrave khocirci phục soacuteng mang

diams Khocirci phục tiacuten hiệu I amp Q

Tiacuten hiệu đatilde được gải điều chế ở caacutec đầu ra của hai bộ lọc được đưa qua bộ so saacutenh

tốc độ cao Đacircy lagrave giao diện giữa phần mạch số vagrave mạch tương tự trong bộ giả điều chế

diams Khocirci phục định thời kyacute hiệu

Tầng đầu tiecircn của phần xử lyacute số liệu lagrave tầng khocirci phục xung đồng hồ từ đầu ra số

liệu chưa được định thời Điều nagravey được thực hiện trecircn cơ sở vograveng khoaacute pha Bang-

Bang Tần số của VCO bị cưỡng bức cho đến khi cực lỗi đảo pha khi nagravey tần số của

VCO lại bắt đầu giảm theo chiều ngược lại

diams Giải matilde vi sai vagrave giải ngẫu nhiecircn hoacutea

Caacutec luồng số được matilde hoaacute vi sai ở IC vagrave được kết hợp thagravenh một luồng số chung

4245Mbs Cũng cần lưu yacute rằng matilde hoaacute vi sai cho pheacutep thocircng tin được truyền đi bởi sự

chuyển đổi giữa caacutec trạng thaacutei pha vigrave thế khocircng cần thiết pha tuyệt đối của soacuteng mang

được khocirci phục Hai luồng dữ liệu sau khi được giải matilde vi sai vagrave được kết hợp lạo thagravenh

một luồng 4245Mbs sau đoacute được giải ngẫu nhiecircn hoaacute ngược lại với quaacute trigravenh ngẫu

nhiecircn hoaacute ở khối băng tần cơ sở phaacutet Tx BaseBand Đầu ra của bộ giải ngẫu nhiecircn hoaacute lagrave

tiacuten hiệu NRZ

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 31

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 39: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

diams Biến đổi NRZ vagraveo HDB3

Luồng số đầu ra của bộ đệm đagraven hồi coacute dạng RNZ noacute được biến đổi vagraveo matilde

HDB3 nhận được qua biến aacutep cacircn bằng đưa tới caacutep đồng trục 75Ω khocircng cacircn bằng

diams Chegraven AIS

Trong trường hợp sự cố phần thu thigrave một bộ dao động 2048KHz điều khiển chegraven

vagraveo mỗi đồng hồ luồng số dữ liệu tiacuten hiệu AIS

2342 Khối băng tần cơ sở phụ

Tiacuten hiệu băng tần cơ sở phụ thu được taacutech ra từ đầu vagraveo điều khiển bộ dao động

VCO của bộ dao động khocirci phục soacuteng mang được đưa qua bộ lọc thocircng thấp 5KHz

trong đoacute gồm tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet tiacuten hiệu tone gọi Qua bộ

lọc thocircng thấp 27KHz để thu nhận được tiacuten hiệu kecircnh giaacutem saacutet Qua bộ lọc thocircng thấp

22KHz khocirci phục tiacuten hiệu kecircnh nghiệp vụ Qua bộ lọc 2KHz tới bộ phaacutet hiện tone kiacutech

hoạt Rơle

Caacutec đầu ra tiacuten hiệu tương tự tần thấp gồm

- Hai đầu ra kecircnh giaacutem saacutet

- Đầu ra kecircnh nghiệp vụ

- Đầu ra tai nghe

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 32

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 40: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S

31 Giới thiệu hệ thống

311 Tổng quaacutet

Hệ thống SDH DRM3000s được thiết kế để truyền dẫn đường dagravei mocircđun chuyển

tải đồng bộ cấp 1 (STM1) Dung lượng truyền dẫn lagrave 15552 Mbs vagrave hệ thống hoạt động

ở caacutec băng tần 4 5 6 7 8 11 vagrave 13 GHz sử dụng phương phaacutep điều chế 64-QAM hoặc

128-QAM

Tại hệ thống của phograveng thực hagravenh Viba số được hoạt động ở nửa cao của băng tần

6GHz vagrave sử dụng phương phaacutep điều chế 64QAM dự phograveng keacutep

312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh

32 Cấu higravenh hệ thống

Hệ thống SDH DMR3000S bao gồm khối thu-phaacutet (TRP) vagrave khối điều chế-

giải điều chế (MDP) Caacutec chức năng khai thaacutec quản lyacute bảo dưỡng cagravei đặt

(OAMampP) vagrave điện thoại nghiệp vụ cũng được đưa vagraveo khối MDP

321 Sơ đồ khối chung trạm đầu cuối vagrave trạm lặp

Cấu higravenh hệ thống

Loại thiết bị Tecircn thiết bị

3000S SDH MICROWAVE

RADIO

BR-[]G-3000 Mạch phacircn nhaacutenh RF

TRP-[]G150MB[]-900[] Maacutey thu-phaacutet

MDP-150MB[]TR-900C Bộ điều chế-giải điều chế

Ghi chuacute phụ thuộc vagraveo băng tần hoặc hệ thống điều chế

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 33

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 41: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

1048766 Sơ đồ mặt trước của thiết bị viba số SDH DRM300

BR-[]G-900[]

BR CKTDUP CKT

TRP-150MB[]

Transmitter-Receiver

EQL BOARD

PIO INTFC

(NFB BOARD)

IDB INTFC

MDP1-1150MB[]-900[]

MDP1-1150MB[]-900[]

(OPTION RACK)

Mạch phacircn nhaacutenh song cocircng

Maacutey thu phaacutet

Bảng mạch cacircn bằng

Giao diện vagraveo ra song song

Bảng cầu dao

Giao diện phacircn phối trung gian

Bộ điều chếgiải điều chế 1

Bộ điều chếgiải điều chế 2

Option rack

Higravenh 31 Sơ đồ mặt trước của thiết bị vi ba số SDH DMR3000s

322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 34

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 42: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 32 Cấu higravenh chi tiết thiết bị hệ thống 3+1

1048766 Sơ đồ khối cấu higravenh hệ thống vagrave phacircn bố trong phograveng thiacute thực hagravenh của học

viện như higravenh 33 bao gồm một maacutey phaacutet (Terminal-1) một maacutey thu (Terminal- 2) vagrave

một trạm lặp (Repeater)

1 Hệ thống cảnh baacuteo

1048766 Norm (Xanh) Đegraven saacuteng khi hệ thống hoạt động binh thường

1048766 PM (Đỏ) Cảnh baacuteo khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố ngay

1048766 DM (Đỏ) Cảnh baacuteo khocircng khẩn yecircu cầu khắc phục sự cố để traacutenh caacutec lỗi

nghiecircm trọng hơn

1048766 MIANT (Vagraveng) Cảnh baacuteo đang coacute hoạt động bảo dưỡng hay xử lyacute nhacircn cocircng

2 Mạch phacircn nhaacutenh vagrave khối song cocircng

Mạch phacircn nhaacutenh với bộ gheacutep song cocircng để sử dụng trong caacutec hệ thống dự phograveng

noacuteng dự phograveng keacutep vagrave dự phograveng N+1 Để hoạt động trong caacutec băng tần 456 hoặc

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 35

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 43: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

7Ghz một bộ lọc giới hạn băng (BEF) được đấu nối với kecircnh RF thiacutech hợp vagrave nối tiếp

với mỗi bộ lọc thocircng băng (BPF) trong maacutey phaacutet (TX) maacutey thu (RX) vagrave caacutec đường phacircn

tập khocircng gian (SD)

SDH DRM3000s sử dụng hệ thống keacutep (Twinpath) giống cấu higravenh một hệ thống

N+1 (với N=1)

3 Khối thu phaacutet TRP

Thự hiện chức năng thu phaacutet Gồm coacute 4 modul 3 modul sử dụng vagrave một cho dự

phograveng Becircn maacutey thu coacute thecircm phần thu phacircn tập (SD) khocircng gian magrave maacutey phaacutet vagrave trạm

lặp khocircng coacute

4 Bảng mạch cacircn băng Thực hiện chức năng cacircn bằng

5 Khối giao diện vagraveo ra vagrave cầu giao nguồn Khối giao diện vagraveo ra (PIO INTFC)

song song vagrave Bảng cầu giao nguồn (cầu chigrave)

6 Giao diện phacircn phối tiacuten hiệu trung gian Đấu nối caacutec modul với nhau

7 Khối điều chế vagrave giải điều chế 1

Gồm coacute 5 Modul (higravenh vẽ 32) 1 Modul IRC thực hiện chức năng điều khiển vocirc

tuyến thocircng minh 3 Modul MDP dugraveng cho điều chế vagrave giải điều chế vagrave 1 Modul cograven lại

dugraveng cho dự phograveng

8 Khối điều chế vagrave giải điều chế 2

Gồm coacute 3 khối con

1048766 Khối con 1 gồm1 Modul IRC gồm 2Card một lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 2 Khối MDP gồm 3modul lagravem việc vagrave một dự phograveng

1048766 Khối con 3 Khối MDP thực hiecircn việc chuyển đổi nguồn

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 36

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 44: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

Higravenh 33 Sơ đồ cấu higravenh hệ thống SDH DMR3000s tại phograveng thực hagravenh

AMD Add Drop Mutiplex MODEM Modulator and Demodulator

ATT Attenuator RX-IF Receiver intermediate Frequency

BR-CKT Braching crcuit RX-RF Receiver Radio Frequency

DIST Distributor SD Space Diversity

FET AMP FET Amplifier STM Synchronous Tranpost Module

HYP Hybrid TR-X Transmitter Receiver

INTFC Interface TX-SW Transmitter Switching

LCT Local Craft Terminal TX-RF Transmitter Radio Frequency

LMS Local Monitoring System

33 Mocirc tả hoạt động

331 Phần phaacutet

Taacutech tiacuten hiệu ra 2 đường qua khối chuyển mạch lưỡng cực 150Mbs

Tiacuten hiệu băng gốc đến từ thiết bị gheacutep kecircnh becircn ngoagravei được dẫn tới modul chuyển

mạch modul chuyển mạch (UNIT SW) chứa một mạch lai gheacutep ở đường truyền dẫn vagrave

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 37

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 45: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

taacutech đocirci tiacuten hiệu vagraveo sau đoacute dẫn tới 2 modul giao diện 150Mbs Một luồng tiacuten hiệu

được đưa tới modul TR DIST luồng cograven lại được đưa tới Modem

Chuyển mạch phaacutet

Chuyển mạch phaacutet của modul TR DIST thực hiện chuyển mạch tiacuten hiệu phaacutet từ

bất cứ kecircnh lagravem việc nagraveo đến kecircnh bảo vệ trong cấu higravenh hệ thống N+1 Chuyển mạch

được điều khiển từ modul SWO PRO hệ thống dự phograveng noacuteng (hot stanby) hoặc dự

phograveng keacutep (Twinpath) chuyển mạch phaacutet được cố định bởi tiacuten hiệu điều khiển từ modul

HSSWO CTRL vagrave tiacuten hiệu của kecircnh bảo vệ từ đầu ra của 150Mbs INTFC được gửi tới

kecircnh bảo vệ ở đầu vagraveo của maacutey phaacutet qua chuyển mạch phaacutet ở mọi thời điểm khocircng thực

hiện chuyển mạch như vậy tiacuten hiệu của kecircnh lagravem việc sẽ khocircng được gửi trecircn kecircnh bảo

vệ

Khi tiacuten hiệu truy cập bảo vệ được cung vấp trong hệ thống chuyển mạch phaacutet lựa

chọn tiacuten hiệu truy cập bảo vệ từ thiết bị kết hợp becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc hoạt

động bigravenh thường

Điều chế

Tiacuten hiệu số liệu từ modul TR DIST vagrave modul giao diện của kecircnh hoạt động vagrave bảo

vệ được đưa tới mạch lựa chọn SEL

Một trong số caacutec tiacuten hiệu được lựa chọn qua mạch lựa chọn vagrave dẫn tới mạch chegraven

RSOH để chegraven caacutec byte RSOH vagraveo đuacuteng vị triacute trong khung SOH ở mốt MST

Sau đoacute tiacuten hiệu được biến đổi tốc độ vagrave chia thagravenh 6 hoặc 7 mức coacute tốc độ phugrave

hợp cho 64QAM caacutec khe thời gian để chegraven caacutec biacutet magraveo đầu bổ sung khung vocirc tuyến

(RFCOH) được tạo ra sau khi tiacuten hiệu được ngẫu nhiecircn hoacutea

Mạch điều chế matilde nhiều mức (MLCM) cung cấp một phương phaacutep sửa lỗi thuận

Matilde R-S cũng được cung cấp tugravey chọn trong mạch để trang bị một matilde chất lượng cao

trong hệ thống 64QAM

Mạch điều chế QAM cung cấp quaacute trigravenh điều chế biecircn độ cầu phương 64 mức

hoặc 128 mức Bộ lọc giới hạn (Roll-off) được cung cấp để giới hạn độ rộng băng tần

của tiacuten hiệu băng gốc Tiacuten hiecircu từ bộ lọc giới hạn được dẫn tới bộ biến đổi DA Conv tại

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 38

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 46: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

đacircy mỗi trạn thaacutei logic của luồng số được kết hợp vagrave biến đổi thagravenh 8 (hoặc 12) mức

điện aacutep khaacutec nhau cho kecircnh đồng pha vagrave kecircnh vuocircng goacutec

Cả tiacuten hiệu đồng pha vagrave pha vuocircng goacutec được dẫn tới hai bộ điều chế QAM vagrave điều

chế tiacuten hiệu soacuteng mang coacute độ lệch pha lagrave π2 Caacutec tiacuten hiệu đầu ra của mạch điều chế

được kết hợp bằng mạch lai gheacutep ở độ lệch pha π2

Biến đổi tần số IF thagravenh RF

Tiacuten hiệu IF từ modem được dẫn tới bộ khuếch đại trung tần qua bộ cacircn băng

trong bộ khuếch đại trung tần tiacuten hiệu trung tần được khuếch đại tới một mức danh định

sau khi được khuếch đại noacute được trộn với tiacuten hiệu cao tần nội để tạo ra tiacuten hiệu cao tần

phaacutet trong kecircnh tần ấn định

Khuếch đại cocircng suất

Tiacuten hiệu RF được khuếch đại bởi modul khuếch đại sử dụng Tranzito hiệu ứng

trường (FET AMP) Mức đầu ra của modul FET AMP được điều chỉnh tự động tới mức

danh định trong dải tử -12dB đến +2dB dể mức RF thu tại maacutey thu đối diện giữ khocircng

đổi theo hệ thống ATPC va ALC

332 Phần thu

Tại phần thu tiacuten hiệu được biến đổi ngược lại so với phần phaacutet Ban đầu tiacuten hiệu ở

tần số vocirc tuyến được bến đổi về tần số trung tần (RF - IF) Becircn thu coacute thecircm phần biến

đổi tần số RF xuống IF ở phần phacircn tập khocircng gian Rx SD Tiếp đoacute tiacuten hiệu được giải

điều chế trong modul MODEM tiacuten hiệu sau khi taacutech soacuteng được cacircn bằng nhờ bộ cacircn

bằng vugraveng thời gian thiacutech ứng sau đoacute tiacuten hiệu được phaacutet hiện vagrave sửa lỗi Modun TR

DIST phacircn phaacutet tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ tới mỗi kecircnh lagravem việc Khi tiacuten hiệu truy nhập

bảo vệ cung cấp trong hệ thống tiacuten hiệu thu từ kecircnh bảo vệ được gửi tới thiết bị kết hợp

becircn ngoagravei khi mọi kecircnh lagravem việc đều hoạt động bigravenh thường

Cuối cugraveng lagrave khocirci phục tiacuten hiệu C-4 vagrave STM-1 rồi đưa qua khối chuyển mạch

150M Mđể lựa chọn tiacuten hiệu lưỡng cực

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 39

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN
Page 47: Báo cáo thực tập tốt nghiệp ptit

Baacuteo caacuteo thực tập tốt nghiệp

KẾT LUẬN

Qua thời gian thực tập thực tế được tigravem hiểu về caacutec thiết bị Viễn thocircng tại phograveng

maacutey của bộ mocircn Vocirc tuyến em đatilde thấy được sự phaacutet triển nhanh choacuteng của nước ta trong

lĩnh vực Bưu chiacutenh Viễn thocircng Đặc biệt lagrave mạng lưới Viễn thocircng Quốc tế lagrave đơn vị luocircn

đi đầu trong lĩnh vực viễn thocircng để coacute thể bắt kịp sự phaacutet triển khocircng ngừng của mạng

lưới viễn thocircng thế giới Mạng lưới Viễn thocircng đatilde vagrave đang mở rộng trecircn khắp cả nước

với nhiều những dịch vụ tiện iacutech vagrave trang thiết bị hiện đại Noacute đatilde đaacutep ứng được những

nhu cầu của khaacutech hagraveng trong việc sử dụng dịch vụ Viễn thocircng Trong tương lai đacircy vẫn

sẽ lagrave ngagravenh mũi nhọn đi đầu trong cả nước

Trong những năm học trong Học viện em đatilde được học nhiều mocircn cơ sở vagrave chuyecircn

ngagravenh vagrave caacutec buổi thực hagravenh Thời gian thực tập vừa qua em đatilde được hướng dẫn tigravem hiểu

caacutec thiết bị hệ thống thực tế được aacutep dụng những kiến thức đatilde được học vagraveo thực tế vagrave

đấy cũng lagrave cơ hội để em tiacutenh lũy nhưng kinh nghiệm về thực tế cho bản thacircn sau nagravey

Mặc dugrave đatilde cố gắng nhưng do kiến thức cograven hạn chế necircn baacuteo caacuteo thực tập khocircng

traacutenh khỏi những thiếu soacutet Em xin chacircn thagravenh cảm ơn thầy cocirc hướng dẫn thực tacircp đatilde tận

tigravenh hướng dẫn giuacutep đỡ em trong thời gian học tập cũng như trong thời gian thực tập vừa

qua

Sinh viecircn thực hiện

Lecirc Trường Nam

SVTH Lecirc Trường Nam_Lớp H10VT1 40

  • MỤC LỤC
  • LỜI NOacuteI ĐẦU
  • THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CAacuteC HIgraveNH VẼ
  • CHƯƠNG I ĐO MS TIEcircU CHUẨN GSM BẰNG MAacuteY ĐO AGILENT 8922M
    • 11 Giới thiệu maacutey đo Aligent 8922M
    • 12 CAacuteC BƯỚC THỰC HIỆN
    • 13 Kết quả đo kiểm vagrave phacircn tiacutech kết quả đo
      • 131 Đo cocircng suất đỉnh soacuteng mang
      • 132 Đo lỗi pha vagrave lỗi tần số
      • 123 Đo vagrave phacircn tiacutech mặt nạ phổ cocircng suất
      • 124 Phacircn tiacutech phổ
          • CHƯƠNG II THIẾT BỊ VI BA SỐ RMD-904
            • 21 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD 904
              • 211 Sơ dồ khối của thiết bị vi ba số RMD-904
              • 212 Chỉ tiecircu kỹ thuật của thiết bị vi ba số RMD-904
                • 22 Phần phaacutet
                  • 221 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                    • 2211 Sơ đồ khối
                    • 2212 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                      • 222 Khối băng tần cơ sở phaacutet
                        • 2221 Khối băng tần cơ sở phaacutet chiacutenh
                        • 22211 Khocirci phục xung đồng hồ từ luồng số HDB3 vagraveo
                        • 22212 Biến đổi matilde HDB3 thagravenh NRZ
                        • 22213 Gheacutep hai luồng 2048Kbs matilde NRZ thagravenh luồng 4245Mbs matilde NRZ
                        • 22214 Ngẫu nhiecircn hoaacute
                        • 22215 Chegraven AIS
                        • 2222 Khối băng tần cơ sở phụ phaacutet
                          • 223 Khối cấp nguồn
                          • 224 Bộ khuyếch đại logarit vagrave caacutec mạch cảnh baacuteo
                          • 225 Khối kiacutech thiacutech
                            • 2251 Khối điều chế OQPSK
                            • 2252 Bộ tổng hợp tần số
                              • 226 Khối khuyếch đại cocircng suất
                              • 227 Khối hiển thị
                                • 23 Phần thu
                                  • 231 Sơ đồ khối vagrave chỉ tiecircu kỹ thuật
                                    • 2311 Sơ đồ khối
                                    • 2312 Chỉ tiecircu kỹ thuật
                                      • 232 Khối biến đổi hạ tần
                                        • 2321 Bộ biến đổi hạ tần
                                        • 2322 Bộ tổng hợp tần số
                                          • 233 Khối khuyếch đại trung tần
                                          • 234 Khối băng tần cơ sở
                                            • 2341 Khối xử lyacute băng tần cơ sở chiacutenh
                                            • 2342 Khối băng tần cơ sở phụ
                                              • CHƯƠNG III HỆ THỐNG SDH DMR3000S
                                                • 31 Giới thiệu hệ thống
                                                  • 311 Tổng quaacutet
                                                  • 312 Một số đặc tiacutenh kĩ thuật cơ bản SDH DMR300s tại phograveng thực hagravenh
                                                    • 32 Cấu higravenh hệ thống
                                                      • 322 Sơ đồ cấu higravenh thiết bị của hệ thống 3+1
                                                        • 33 Mocirc tả hoạt động
                                                          • 331 Phần phaacutet
                                                          • 332 Phần thu
                                                              • KẾT LUẬN