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Prodotti IKER" - In carburo di silicio SiC www.italker.eu Il calore specifico (Kcal/kg °C) dell'impasto IKER è a 100 °C 0.197, a 300 °C 0.213, a 500 °C 0.231, a 700 °C 0.244, a 900 °C 0.258, a 1100 °C 0.288 Il CTE (25-1000°C) è pari a 4.93x10-6/K. La densità media dei campioni 2.69 +- 0.018 g/cc.

Carburo di silicio 1 - Refractories and Technical Ceramics · Prodotti “IKER" - In carburo di silicio – SiC Il carburo di silicio, è una sostanza cristallina seconda per durezza

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Prodotti �IKER" - In carburo di silicio � SiC

www.italker.eu

Il calore specifico (Kcal/kg °C) dell'impasto IKER è a 100 °C 0.197, a 300 °C 0.213, a 500 °C 0.231, a 700 °C 0.244, a 900 °C 0.258, a 1100 °C 0.288

Il CTE (25-1000°C) è pari a 4.93x10-6/K. La densità media dei campioni 2.69 +- 0.018 g/cc.

Prodotti �IKER" - In carburo di silicio � SiC Il carburo di silicio, è una sostanza cristallina seconda per durezza solo al diamante (9 o più nella scala di Mohs), di formula SiC . Carborundum è il nome d'uso dato alla sostanza dal marchio di fabbrica inglese Carborundum, che per primo lo ha commercializzato. Viene preparato industrialmente in forno elettrico, riscaldando a temperature di circa 2000 °C una miscela di sabbia quarzosa e coke granulato, con aggiunta di segatura e di sale, rispettivamente nelle percentuali di 54.2, 34.2, 9.9 e 1.7%. Ulteriormente riscaldato, il SiC comincia a decomporsi in grafite e silicio.

Il SiC industriale si presenta in masse granulose di colore bruno; la sua struttura cristallina è simile a quella del diamante. Questa analogia strutturale ne spiega l'elevata durezza e l'inalterabilità fino a temperature superiori a 2000 °C. Il SiC viene utilizzato come materiale abrasivo e refrattario nel rivestimento di forni e piastre o per affilare coltelli e lame. Poiché ha buona conducibilità termica viene anche impiegato come elemento riscaldante di forni ad alta temperatura.

Cristalli di sic

Attualmente il Carburo di Silicio (SiC) trova ampia applicazione nell'industria dei semiconduttori grazie alle sue caratteristiche elettriche, che lo contraddistinguono dal Silicio per le potenziali applicazioni nei dispositivi ad alta potenza, alta frequenza, e alte temperature. Il limite attuale alla sua diffusione deriva dalla qualità del materiale di partenza, o meglio dei substrati che vengono lavorati per arrivare al dispositivo finale.

IKER Unità Valore

SiC vol% 25 - 60 Componenti:

Altro 40 - 75 Densità geometrica Densità metodo di Archimede

g/cm3

2.31

2,69

Assorbimento acqua peso

% ≥ 0,9

Resistenza alla flessione a 20 °C MPa 240 - 280

Coeff. dilatazione termica 4.98x10-6°C-1

Espansione termica lineare 20 - 1.000°C 106�K-

1 2.3

Conduttività termica a 200°C W�m-

1�K-1 100

Conduttività termica a 1200°C W�m-

1�K-1 3.5

Modulo di Young, statico 20°C GPa 370

Massima temperatura di applicazione °C 1350

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