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特別研究 の基礎・基本
１．細目数
２．分類とそれらの内容 １／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
特別研究 特別研究 自主性・計画性自主的かつ計画的に研究を行うことができ
る Ａ
研究内容 研究内容を理解することができる． Ａ
達成度 研究課題を達成することができる Ｂ
創意工夫 研究における創意工夫を行うことができる Ｂ
問題解決能力 問題解決方法を習得することができる Ａ
報告書の内容 特別研究日誌に研究活動を記録することが
できる Ａ
データ整理 資料・実験データの整理，総括を行うことが
できる Ａ
学会発表 学外学協会での発表方法を修得できる Ａ
特別研究論
文
論文の構成 目的，結果，結論にわたって，整合性のある
論文を作成することができる Ａ
図表・式 図表，式等を正しく作成することができる Ａ
文章力 正しい日本語で技術文章を作成し，論理的記
述を行うことができる Ａ
特別研究発
表会
表現力 分かり易い説明を行うことができる Ａ
発表手法 ＯＨＰ・パワーポイント等を効果的に使用す
ることができる Ａ
質疑応答
質問内容の把握および明確な回答を行うこ
とができる Ｂ
発表時間 規定時間内で発表を行うことができる． Ａ
予稿 指定ページ数で必要十分な記述な記述を行
うことができる Ａ
分 類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年（10単位） 特別研究 ６ ２ ０ ８
特別研究論文 ３ ０ ０ ３
特別研究発表会 ４ １ ０ ５
細 目 数 計 １３ ３ ０ １６
集積回路製造技術 の基礎・基本
１．細目数
分 野 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年(２単位) 半導体プロセスの概要 7 1 0 8
各種半導体素子の構造
と動作機構 13 2 1 16
ULSIデバイスの構造と
製造方法 5 2 2 9
細目数計 25 5 3 33
２．分類とそれらの内容
１／３
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
半導体プロセ
スの概要
集積回路の
発展と集積
化のための
半導体素子
構造の変遷
半導体素子の
発展と集積化
技術
半導体の種類と応用されている素子との
関係、バイポーラ、MOS デバイスの構造、
Si の優位性について理解する。
A
論理素子の変
遷と製造方法
プレーナ構造、バイポーラ、MOS デバイス、
CMOS の構造と製造プロセスの変遷、素子
間分離技術について理解する。
A
製造技術の進
歩と集積度
微細化技術の進歩の概要とムーアの法則
について理解する。 A
半導体プロ
セス技術の
概要
結晶成長 単結晶成長の基礎技術、エピタキシャル
法の概要、ウェハー径の増大の変遷につ
いて理解する。、
A
薄膜形成 酸化膜、多結晶シリコン、金属等それぞ
れの成膜技術（各種 CVP、蒸着、スパッタ）
の概要と基本原理を理解する。
A
不純物導入 熱拡散、イオン打込みについて理解する A
パターン形成 フォトリソグラフィの基本原理と、縮小
投影露光技術について理解する。 A
平坦化技術 平坦化技術の必要性、鍍金技術、ダマシ
ン法の概要を理解する。 B
各種半導体素
子の構造と動
作機構
キャリア統
計
バンド構造と
有効質量
固体中の電子の運動、運動量-エネルギー
のバンド構造、有効質量について理解す
る。 A
有効状態密度 固体中の電子の状態密度と半導体におけ
る有効状態密度の導出ができる。 A
不純物半導体
のキャリア密
度
不純物密度とフェルミレベルの関係、キ
ャリア密度の計算が出来る。 A
pn 接 合 の
理論
小数キャリア
の振る舞い
少数キャリアの再結合、電子・正孔寿命
について理解する。 A
pn 接合を流れ
る電流
拡散電流と再結合が存在する場合の過剰
少数化キャリアが従う拡散方程式から、
pn 接合の I-V 特性が導かれることを理解
する。
A
階段接合の電
荷分布と電位
障壁
階段接合における空乏層内の電荷分布か
ら、電界、電位差を求める事、不純物密
度と内蔵電位差から、空乏層幅が求めら
れる事。
A
２／３ C
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
各種半導体素
子の構造と動
作 機 構 (つ づ
き)
バイポーラ
トランジス
タの構造と
理論
拡散電流によ
る解析
拡散電流による解析モデルを理解し、電
子・正孔寿命、拡散係数、ベース領域幅
などから電流増幅率を導出できる。 A
回路解析用の
モデル
Evers-Moll モデル、Gummel-Poon モデル
の概要を理解する。 C
MOS トラン
ジスタの構
造と理論
MOS トランジ
スタの構造と
種類
MOS トランジスタの構造と動作原理、n,p
チャネル、閾値電圧と動作タイプ（エン
ハンスメント、ディプレッション）につ
いて理解する。
A
MOS 構造のバ
ンドモデル
フラットバンドの MOS 構造のバンドモデ
ルを理解し、反転層が形成される条件を
理解する。
A
反転層形成の
条件
空間電荷 Qs の導出、反転層形成の条件ψ
S=2ψB の導出を理解する。 A
閾値電圧の理
論
ゲート金属の仕事関数、界面電荷密度が
バンドプロファイルへ及ぼす影響を理解
し、閾値電圧の理論値を導出できる。
A
相互コンダク
タンスの理論
反 転 層 電 荷 密 度 Qn か ら 、 linear,
saturation 領域の ID を求めるモデルを理
解し、チャネルコンダクタンスと相互コ
ンダクタンスを導出する。
B
サブスレッシ
ョルド領域と
短チャネル効
果
サブスレッショルド領域の特性がスイッ
チング特性に支配的であることを理解す
る。短チャネルの場合の影響について理
解する。
B
MOS トラン
ジスタの設
計
閾値とゲート
酸化膜厚の決
定
ゲート金属の仕事関数、半導体の不純物
密度、界面電荷密度等のパラメータが与
えられたとき、閾値電圧からゲート酸化
膜厚を決定できる。
A
相互コンダク
タンスから形
状の決定
相互コンダクタンスとゲート長／ゲート
幅の関係から形状を決定できる。 A
ULSI デバイス
の構造と製造
方法
スケールダ
ウン理論と
微細化の問
題点
短チャネル効
果
ソース、ドレイン領域の空乏層の影響、
パンチスルー、サブスレッショルド電流
の増加等の効果が発生することを理解す
る。
A
スケールダウ
ン則
電界一定、電圧一定、順電圧一定、一般
スケーリング則について理解する。 A
ホットエレク
トロン効果
スケールダウンにより発生するホットエ
レクトロンの注入メカニズムと特性へ及
ぼす影響について理解する。
A
微 細 化
MOS, CMOS
の構造
サブミクロン
MOS デバイス
の構造
短チャネル効果対策の方向性と、 LDD,改
良 LDD 構造について理解する。 A
ディープサブ
ミクロンデバ
イス
基板の不純物濃度、寄生抵抗、寄生容量
の影響とサリサイド構造、SOI 構造につい
て理解する。
C
CMOS デバイス CMOS の構造とラッチアップの機構につい
て理解する。 A
３／３
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
ULSI デバイス
の構造と製造
方法(つづき)
サブミクロ
ンプロセス
技術
フォトリソグ
ラフィ技術
紫外線露光、X 線露光、電子線描画、高解
像度フォトレジストなど ULSI におけるフ
ォトリソグラフィ技術の概要を理解す
る。
B
エッチング技
術
ドライエッチングの原理と応用分野につ
いて理解する。 B
最新の集積
回路製造技
術動向
ディープサブ
ミクロンデバ
イス
90nm から 45-30nm プロセスに向かっての
技術動向、hi-k,low-k 材料の必要性、MEMS
などその他の微細化、集積化デバイスの
最新の動向について理解する。
C
1
音響システム工学 の基礎・基本
１．細目数
２．分類とそれらの内容
１／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
信号処理基礎 数学基礎
FFTの基礎 FFTを手計算できる。 Ａ
プログラミング FFTをソフト上で計算できる。 Ａ
出力関数の
作成
スペクトル スペクトルを求める事ができる。 Ａ
A・D変換特
性
サンプリング定
理
サンプリング定理を理解し、パソコンへの
信号入力時点での注意点を把握できる。
Ａ
音響信号処理 残響測定法 アイリングの公
式
アイリングの公式、空間容積、吸音率、残響
時間のパラメータを用いて残響時間を計算
できる。
Ａ
残響時間の
測定
測定機器 残響時間測定に必要な、最低限の機器の取
り扱いができる
Ａ
伝達関数 基礎 伝達関数導出のための基礎を理解できる。 Ａ
部屋の伝達
関数の測定
実測 実際の部屋でデータを収集しの、伝達関数
を導出できる。
Ｂ
分類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年（２単位） 信号処理基礎 ４ ０ ０ ４
音響信号処理 ３ １ ０ ４
細目数計 ７ １ ０ ８
1
回路工学特論 の基礎・基本
１．細目数
２．項目とそれらの内容
１／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
ハードウェア
記述言語の概
要
ハードウェ
ア記述言語
の概要
概要 ハードウェア記述言語（VHDL）の概要を理解で
きる．
A
VHDLによる記
述
基本論理回路のVHDL化を理解し実行できる． A
シミュレーシ
ョン
基本論理回路のシミュレーションを理解し実
行できる．
A
論理合成 基本論理回路合成を理解し実行できる． A
ハードウェア
記述言語によ
る設計
組合せ回路
の設計
選択回路 選択回路のVHDLによる設計を理解し実行でき
る．
A
デコーダ デコーダのVHDLによる設計を理解し実行でき
る．
A
エンコーダー エンコーダーのVHDLによる設計を理解し実行
できる．
A
比較回路 比較回路のVHDLによる設計を理解し実行でき
る．
A
フリップフ
ロップとレ
ジスタ
フリップフロ
ップ
D-FF,RS-FF,JK-FF,T-FFのVHDLによる設計を
理解し実行できる．
B
レジスタ レジスタのVHDLによる設計を理解し実行でき
る．
B
順序回路の
設計
設計 演算回路のVHDLによる設計を理解し実行でき
る．
C
シミュレーシ
ョン
演算回路のシミュレーションを理解し実行で
きる．
C
動作検証 演算回路をデバッグして動作検証ができる． C
分 類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２年生（１単位） ハードウェア記述言語の概
要 ４ ０ ０ ４
ハードウェア記述言語によ
る設計 ４ ２ ３ ９
細 目 数 計 ８ ２ ３ １３
ネットワークアーキテクチャ の基礎・基本
１．細目数
分 類 A B C 細目数計
2学年
（2単位）
通信技術 21 2 1 24
データリンク 15 0 0 15
TCP/IP 10 0 1 11
LAN設計 1 0 0 1
細 目 数 計 47 2 2 51
２．分類とそれらの内容
1 / 2
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
通信技術 ネットワークの
進展
データ通信ネッ
トワーク
回線交換とパケット交換を説明できる。 A
アクセス回線 電話（加入者電話）回線について説明できる。 A
ISDNについて説明できる。 A
ADSLについて説明できる。 A
FTTHについて説明できる。 A
CATVについて説明できる。 A
携帯電話について説明できる。 A
ディジタル伝送
技術の基礎
アナログ信号の
ディジタル化
アナログ信号のディジタル化について説明できる。 A
並列伝送と直列
伝送
並列伝送と直列伝送について説明できる。 A
全二重伝送と半
二十伝送
全二重伝送と半二重伝送について説明できる。 A
ベースバンド伝
送
ベースバンド伝送について説明できる。 A
NRZ方式について説明できる。 A
RZ方式について説明できる。 B
バイポーラ方式について説明できる。 B
マンチェスタ符号方式について説明できる。 A
ブロードバンド
伝送
ブロードバンド伝送について説明できる。 A
振幅変調方式を説明できる。 A
周波数変調方式を説明できる。 A
位相変調方式を説明できる。 A
振幅位相変調方式を説明できる。 C
同期と非同期 同期と非同期について説明できる。 A
伝送媒体 より対線ケーブルについて説明できる。 A
光ファイバケーブルについて説明できる。 A
ネットワークア
ーキテクチャ
OSI参照モデル OSI参照モデルについて説明できる。 A
2 / 2
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
データリンク ローカルエリ
アネットワー
ク
MACアドレス MACアドレスを説明できる。 A
IEEE802.3 CSMA/CDを説明できる。 A
IEEE802.11 各 IEEE802.11無線LAN方式の特徴を説明できる。 A
各 IEEE802.11無線LAN方式の特徴を説明できる。 A
インフラストラクチャモードとアドホックモードの違
いを説明できる。
A
イーサネット
の発展
方式 10BASE-Tの特徴を説明できる。 A
100BASE-TXの特徴を説明できる。 A
100BASE-FXの特徴を説明できる。 A
1000BASE-Tの特徴を説明できる。 A
1000BASE-SXの特徴を説明できる。 A
1000BASE-LXの特徴を説明できる。 A
中継器 リピータハブを説明できる。 A
スイッチングハブを説明できる。 A
インテリジェントスイッチングハブを説明できる。 A
IEEE802.1Q VLANを説明できる。 A
TCP/IP IP ネットワー
ク
IPv4 通信モデ
ル
IPアドレスを説明できる。 A
サブネットマスクを説明できる。 A
CIDRを説明できる。 A
経路制御を説明できる。 A
静的な経路制御表を作成できる。 A
静的な経路制御表を集約できる。 A
IPv6 IPアドレスを説明できる。 A
アドレス体系を説明できる。 A
ドメインネー
ムシステム
DNS DNSを説明できる。 A
nslookupコマンドを用いて FQDNから IPアドレスを
調べることができる。
A
digコマンドを用いてFQDNから IPアドレスを調べる
ことができる。
C
LAN設計 LAN設計演習 LAN設計 外部接続を伴う基本的なLAN設計ができる。 A
マルチメディア工学 の基礎・基本
１．細目数
２．分類とそれらの内容
１／２
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
マルチメディ
アとコンテン
ツ保護
マルチメデ
ィアのコン
テンツ保護
マルチメディ
アのコンテン
ツ保護
コンテンツ保護、電子透かしの概要と原理
について理解できる。
Ａ
静止画像の
電子透かし
静止画像の電
子透かし 濃度・周波数特性(DCT・ウェーブレット変
換)・色情報による電子透かし、２値画像の電
子透かしについて理解できる。
Ａ
プログラム
演習
演習１
（BMP画像）
Visual Basicの基本操作、画像データ読込み
プログラム、画素置換型電子透かしについて
理解できる。
Ａ
演習２
（BMP画像）
バイナリエディタによる透かし入り画像デー
タ解析について理解できる。
Ａ
演習３
（JPEG）
フーリエ変換と逆変換について理解できる。 Ａ
演習４
（JPEG）
EXCEL VBAによる DCT係数算出について理解
できる。
Ａ
演習５
（JPEG）
DCT 係数への埋め込みと検出について理解
できる。 Ａ
演習６
（Wavelet）
ウェーブレット変換とスペクトル拡散を用い
た電子透かしについて理解できる。
Ａ
演習７
（Wavelet）
ウェーブレット画像変換学習ソフトを用いた
電子透かしの実験について理解できる。
Ａ
動画像の電
子透かし 動画像の電子
透かし
圧縮・非圧縮動画像、MPEG、動画の電子透か
しの種類と要件、非圧縮動画ファイルの電子
透かし、圧縮動画ファイルの電子透かしにつ
いて理解できる。
Ｂ
分類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年（２単位） マルチメディアとコンテン
ツ保護
１１ ３ ０ １４
細目数計 １１ ３ ０ １４
２／２
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
マルチメディ
アとコンテン
ツ保護
(つづき)
音の電子透
かし
音の電子透か
し
音ファイルの種類と特徴、音の電子透かし
の種類と原理、MP3の電子透かしについて理
解できる。
Ａ
プログラム
演習
演習８
（音）
WAVファイル、音の電子透かしについて理解
できる。
Ａ
ドキュメン
トの電子透
かし
ドキュメント
の電子透かし
ワープロ文書・プログラム・電子地図・MIDI
の電子透かしについて理解できる。
Ｂ
電子透かし
の評価方法
電子透かしの
評価方法
電子透かしの評価項目、攻撃、耐性、標準
化について理解できる。
Ｂ
1
電気電子工学特別演習 II の基礎・基本
１．細目数
２．分類とそれらの内容
１／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
電磁気学 電気双極子、
電気二重層
と磁気への
応用
電気双極子、電
気二重層
電気双極子、電気二重層による電位と電界を
求められるようにする
Ａ
ループ電流と
等価磁気双極
子
ループ電流と等価磁気双極子、等価板磁石の
効果を計算できるようにする。
Ｂ
電気影像法 電気映像法に
よる解法
静電界は、境界条件で定まることから、元の
境界条件と同じ境界条件となるよう補助の電
荷を仮定して、問題を解く方法を理解する。
導体球と電荷、導体球、誘電体球と等価双極
子について理解できるようにする。
Ａ
エネルギー
と力
エネルギーと
力
コンデンサ、インダクタに働く力、誘電体、
磁性体に働く力について計算できる用にす
る。
Ｃ
Poisson 、
Laplace の
方程式
極座標での
div, grad ラ
プラシアン
極座標系への変換方法及び極座標形式での
div, grad ラプラシアンについて理解できる
ようにする。
Ａ
マクスウェ
ル方程式の
応用
マクスウェル
方程式の応用
ママクスウェル方程式から波動方程式を導出
し、平面波、固有インピーダンスについて理
解できるようにする。
Ｂ
その他各種
問題 その他各種問
題
有限長導線・ソレノイド、ローレンツ力、磁
性体等についての問題を解けるようにする。
Ｃ
電気回路 分布定数回
路、相互イン
ダクタンス
分布定数回路、
相互インダク
タンス
データ
分布定数回路、相互インダクタンスを含む回
路についての問題を解けるようにする。
Ａ
分 類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年
(1単位)
電磁気学 3 2 2 7
電気回路 1 0 0 1
細 目 数 計 4 2 2 8
1
計算機ソフトウェア特別演習 の基礎・基本
１．細目数
２．分類とそれらの内容
１／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
計算機ソフト
ウェア
Cプログラ
ミング応用
ポインタの応
用
ポインタの使い方を応用できる Ａ
文字と文字列
操作
文字と文字列に関するさまざまな操作を行
う方法を理解する
Ａ
F F Tプログ
ラミング
FFT基礎 FFTの動作を手計算で実施できる。 Ａ
FFTアルゴリズ
ム
FFTのアルゴリズムを理解できる。 Ａ
FFT実測 FFTを用いて信号の周波数分析できる。 Ａ
情報数学、
その他
アルゴリズム 過去の大学院試験におけるアルゴリズムに
関する問題を解くことができる。
Ａ
英文読解 IT関連の英文を読むことができ、要約でき
る。
Ａ
技術士一次試
験
技術士一次試験の電気電子情報部門のソフ
トウェアに関する部分の問題を解くことが
できる。
Ａ
分類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
2年生（1単位） 計算機ソフトウェア 8 0 0 8
細目数計 8 0 0 8
電気情報システム工学特別講義Ⅱ の基礎・基本
１．細目数
分 類 Ａ Ｂ Ｃ 細目数計
２学年
（１単位） 電気情報システム工学特別講義 ４ ０ ０ ４
細 目 数 計 ４ ０ ０ ４
２．分類とそれらの内容
１／１
分 類 項 目 細 目 理解すべき内容 区分
電気情報システ
ム工学特別講義
講義内容 特別実習の意義・目的 電気情報システム工学に関するタイムリーなトピッ
クスを含めた最新の知識を理解する。
Ａ
講義内容に対する理解 企業現場の立場から見た最先端の技術動向を理解す
る。
Ａ
講義内容の応用 講義内容と各自の専門とする分野との関連意識を持
つことができる。
Ａ
講義内容を各自の専門分野に応用できる素養を養う。 Ａ
