CMOS リセット IC - RS Components Internationaldocs-asia.electrocomponents.com/webdocs/101d/0900766b...VDS=0.5V VDD=4.8V VDET=0.9-3.9V 1.7 3.4 - mA VDS=0.5V VDD=6.0V VDET=4.0-4.8V

www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. TSZ02201-0R7R0G300060-1-1 TSZ22111･14･001 1/13 2011.11.01 Rev.001

Datasheet

リセット IC シリーズ低電圧スタンダード CMOS リセット IC BU48G シリーズ,BU48F シリーズ,BU48FVE シリーズ, BU49G シリーズ,BU49F シリーズ,BU49FVE シリーズ概要

ロームのスタンダード CMOS リセット IC シリーズは、

高精度・低消費電流の RESET IC シリーズです。アプリケーションに合わせて選択いただけるように、

出力形式は Nch オープンドレインと CMOS 出力の 2種類、検出電圧は、0.9V～4.8V まで、0.1V ステップで

ラインアップいたしました。特長

超低電圧検出超低消費電流高精度検出電圧 Nch オープンドレイン出力(BU48G/F/FVE) CMOS 出力(BU49G/F/FVE) 40~125の動作温度範囲で使用可能小型面実装パッケージ

重要特性検出範囲電圧: 0.9~4.8V (Typ.)

0.1V steps 高精度検出電圧: ±1.0% 超低消費電流: 0.55µA (Typ.) 動作範囲温度: -40°C to +125°C

パッケージ SSOP5 2.90mm x 2.80mm x 1.15mm SOP4 2.00mm x 2.10mm x 0.95mm VSOF 1.60mm x 1.60mm x 0.60mm

用途マイコン・ロジックを使用するすべての電子機器

アプリケーション回路

端子配置図 SSOP5 SOP4 VSOF5

※サブストレートは GND と接続してください。

PIN No. Symbol Function

PIN No Symbol Function PIN No. Symbol Function

1 VOUT リセット出力 1 VOUT リセット出力 1 VOUT リセット出力

2 VDD 電源電圧 2 VDD 電源電圧 2 SUB サブストレート

3 GND GND 3 N.C. 未接続端子 3 N.C. 未接続端子

4 N.C. 未接続端子 4 GND GND 4 VDD 電源電圧

5 N.C. 未接続端子 5 GND GND

VDD1

BU48

VDD2

GND

RST マイコン

CL （ノイズ除去用

コンデンサ）

RL

CIN


コンデンサ）

VDD1

BU49 RST マイコン

CIN

GNDオープンドレイン出力タイプ

BU48 CMOS 出力タイプ

BU49

VDD VOUT GND

N.C. CT TOP VIEW TOP VIEW TOP VIEW

VOUT VDD

N.C.GND

1 2

3 4

VOUT SUB N.C

VDDGND 4

3 2 1

5

標印 Lot. No 標印 Lot. No 標印 Lot. No

Datasheet


BU48G シリーズ,BU48F シリーズ,BU48FVE シリーズ, BU49G シリーズ,BU49F シリーズ,BU49FVE シリーズ

発注情報

B U 4 8 0 9 F － T R

BU48：低電圧スタンダードリセット電圧値 09 : 0.9V (0.1V step) 48 : 4.8V

パッケージ G: SSOP5 F: SOP4 FVE: VSOF5

包装、フォーミング仕様 TR: リール状エンボステーピング

CMOS リセット IC オープンドレインタイプ

BU49：低電圧スタンダード CMOS リセット IC CMOS 出力タイプ

ラインアップ

標印電圧値機種名標印電圧値機種名標印電圧値機種名標印電圧値機種名 JR 4.8V BU4848 HV 2.8V BU4828 LH 4.8V BU4948 KM 2.8V BU4928 JQ 4.7V BU4847 HU 2.7V BU4827 LG 4.7V BU4947 KL 2.7V BU4927 JP 4.6V BU4846 HT 2.6V BU4826 LF 4.6V BU4946 KK 2.6V BU4926 JN 4.5V BU4845 HS 2.5V BU4825 LE 4.5V BU4945 KJ 2.5V BU4925 JM 4.4V BU4844 HR 2.4V BU4824 LD 4.4V BU4944 KH 2.4V BU4924 JL 4.3V BU4843 HQ 2.3V BU4823 LC 4.3V BU4943 KG 2.3V BU4923 JK 4.2V BU4842 HP 2.2V BU4822 LB 4.2V BU4942 KF 2.2V BU4922 JJ 4.1V BU4841 HN 2.1V BU4821 LA 4.1V BU4941 KE 2.1V BU4921 JH 4.0V BU4840 HM 2.0V BU4820 KZ 4.0V BU4940 KD 2.0V BU4920 JG 3.9V BU4839 HL 1.9V BU4819 KY 3.9V BU4939 KC 1.9V BU4919 JF 3.8V BU4838 HK 1.8V BU4818 KX 3.8V BU4938 KB 1.8V BU4918 JE 3.7V BU4837 HJ 1.7V BU4817 KW 3.7V BU4937 KA 1.7V BU4917 JD 3.6V BU4836 HH 1.6V BU4816 KV 3.6V BU4936 JZ 1.6V BU4916 JO 3.5V BU4835 HG 1.5V BU4815 KU 3.5V BU4935 JY 1.5V BU4915 JB 3.4V BU4834 HF 1.4V BU4814 KT 3.4V BU4934 JX 1.4V BU4914 JA 3.3V BU4833 HE 1.3V BU4813 KS 3.3V BU4933 JW 1.3V BU4913 HZ 3.2V BU4832 HD 1.2V BU4812 KR 3.2V BU4932 JV 1.2V BU4912 HY 3.1V BU4831 HC 1.1V BU4811 KQ 3.1V BU4931 JU 1.1V BU4911 HX 3.0V BU4830 HB 1.0V BU4810 KP 3.0V BU4930 JT 1.0V BU4910 HW 2.9V BU4829 HA 0.9V BU4809 KN 2.9V BU4929 JS 0.9V BU4909

(Unit : mm)

SSOP5

2.9±0.2

0.13

4° +6°−4°

1.6

2.8±

0.2

1.1±

0.05

0.05

±0.0

5

+0.2

−0.1

+0.05−0.03

0.42+0.05−0.04

0.95

5 4

1 2 3

1.25

Max

.

0.2M

in.

0.1

(Unit : mm)

SOP4

2.1±

0.2

0.05

1.3

2.0±0.2

1 2

4 31.25

+0.

2–0

.1

4°+6°

0.27

±0.1

5

–4°

0.13+0.05–0.03

0.9±

0.05

0.05

±0.0

5

1.05

Max

.

0.32 +0.05–0.04

0.42+0.05–0.04

S

0.1 S

(Unit : mm)

VSOF5

1.2

±0.0

5

4

3

1.0±0.05

1

0.6M

AX

0.22±0.050.5

5

1.6±0.05

0.13±0.05

0.2M

AX

2

1.6

±0.0

5

(MAX

1.2

8 in

clude

BUR

R)

Datasheet



絶対最大定格 (Ta=25°C) 項目記号定格単位

電源電圧 VDD－GND -0.3 ~ +7 V

出力電圧 Nch オープンドレイン出力

VOUT GND-0.3 ~ +7

V CMOS 出力 GND-0.3 ~ VDD+0.3

許容損失 SSOP5 *1 *4

Pd 540

mW SOP4 *2 *4 400 VSOF5 *3 *4 210

保存周囲温度 Tstg -55 ~ +125 *1 Ta=25以上で使用する場合は、1につき 5.4mW を減じる。 *2Ta =25以上で使用する場合は、1につき 4.0mW を減じる。 *3 Ta=25以上で使用する場合は、1につき 2.1mW を減じる。 *4 ローム標準基板(70mm×70mm×1.6mm, ガラスエポキシ基板）実装時。

推奨動作条件項目記号定格単位

動作電源電圧範囲 VDD +0.9 ~ +6.5 V 動作温度範囲 Topr -40 ~ +125 °C

電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C)

項目記号条件規格値単位

最小標準最大

検出電圧 VDET VDD=H L , Ta=25 RL=470kΩ

BU4848 4.752 4.800 4.848

V

BU4847 4.653 4.700 4.747BU4846 4.554 4.600 4.646BU4845 4.455 4.500 4.545BU4844 4.356 4.400 4.444BU4843 4.257 4.300 4.343BU4842 4.158 4.200 4.242BU4841 4.059 4.100 4.141BU4840 3.960 4.000 4.040BU4839 3.861 3.900 3.939BU4838 3.762 3.800 3.838BU4837 3.663 3.700 3.737BU4836 3.564 3.600 3.636BU4835 3.465 3.500 3.535BU4834 3.366 3.400 3.434BU4833 3.267 3.300 3.333BU4832 3.168 3.200 3.232BU4831 3.069 3.100 3.131BU4830 2.970 3.000 3.030BU4829 2.871 2.900 2.929BU4828 2.772 2.800 2.828BU4827 2.673 2.700 2.727BU4826 2.574 2.600 2.626BU4825 2.475 2.500 2.525BU4824 2.376 2.400 2.424BU4823 2.277 2.300 2.323BU4822 2.178 2.200 2.222BU4821 2.079 2.100 2.121BU4820 1.980 2.000 2.020BU4819 1.881 1.900 1.919BU4818 1.782 1.800 1.818BU4817 1.683 1.700 1.717BU4816 1.584 1.600 1.616BU4815 1.485 1.500 1.515BU4814 1.386 1.400 1.414BU4813 1.287 1.300 1.313BU4812 1.188 1.200 1.212BU4811 1.089 1.100 1.111BU4810 0.990 1.000 1.010BU4809 0.891 0.900 0.909

検出電圧温度係数 VDET/∆T Ta=-40~125 *1 - ±30 - ppm/

ヒステリシス電圧 ∆VDET VDD=L H L Ta=-40~125 RL=470kΩ

VDET≤1.0V VDET ×0.03

VDET ×0.05

VDET×0.08 V

VDET≥1.1V VDET ×0.03

VDET ×0.05

VDET×0.07

*1 設計保証は出荷全数検査を行っていません。

Datasheet



電気的特性 (特に指定のない限り Ta=-25 ~ 125)

項目記号条件規格値単位

最小標準最大

ON 時回路電流 IDD1 VDD=VDET-0.2V

VDET =0.9-1.3V - 0.15 0.88

µA

VDET =1.4-2.1V - 0.20 1.05 VDET =2.2-2.7V - 0.25 1.23 VDET =2.8-3.3V - 0.30 1.40 VDET =3.4-4.2V - 0.35 1.58 VDET =4.3-4.8V - 0.40 1.75

OFF 時回路電流 IDD2 VDD=VDET+2.0V

VDET =0.9-1.3V - 0.30 1.40

µA

VDET =1.4-2.1V - 0.35 1.58 VDET =2.2-2.7V - 0.40 1.75 VDET =2.8-3.3V - 0.45 1.93 VDET =3.4-4.2V - 0.50 2.10 VDET =4.3-4.8V - 0.55 2.28

動作範囲電圧 VOPL

VOL≤0.4V, Ta=25~125 RL=470kΩ 0.70 - -

V VOL≤0.4V, Ta=-40~25 RL=470kΩ 0.90 - -

‘L’出力電流(Nch) IOL VDS=0.05V VDD=0.85V 20 100 - µA VDS=0.5V VDD=1.5V VDET=1.7-4.8V 1.0 3.3 - mA VDS=0.5V VDD=2.4V VDET=2.7-4.8V 3.6 6.5 -

‘H’出力電流(Pch) IOH VDS=0.5V VDD=4.8V VDET=0.9-3.9V 1.7 3.4 - mA VDS=0.5V VDD=6.0V VDET=4.0-4.8V 2.0 4.0 -

出力リーク電流 Ileak

VDD=VDS=7V Ta=-40~85 - 0 0.1

µA VDD=VDS=7V Ta=85~125 - 0 1

Datasheet



ブロック図

Vref

VOUT

VDD

GND

Fig.1 BU48 Series

Vref

VOUT

VDD

GND

Fig.2 BU49 Series

Datasheet



特性データ(特に指定のない限り Ta=25°C)

Fig.3 回路電流

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0 1 2 3 4 5 6 7

VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V]

CIR

CU

IT C

UR

RE

NT

： ID

D[μ

A] 【BU4816F】

0

1

2

3

4

5

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]

"LO

W" O

UTP

UT

CU

RR

EN

T ： IO

L [m

A]

VDD=1.2V

【BU4816F】

Fig.4“L”出力電流

0

5

10

15

20

25

0 1 2 3 4 5 6

DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]

"HIG

H" O

UTP

UT

CU

RR

EN

T ：

IOH[m

A]

【BU4916F】

VDD=6.0V

VDD=4.8V

Fig.5“H”出力電流 Fig.6 I/O 特性

0

1

2

3

4

5

6

7

0 1 2 3 4 5 6 7

VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V]

OU

TPU

T V

OLT

AG

E ：

VOU

T[V

] 【BU4816F】

Datasheet



0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-40 0 40 80 120

TEMPERATURE ： Ta[]

CIR

CU

IT C

UR

RE

NT

WH

EN

ON

： I D

D1[μ

A]

【BU4816F】

Fig.9 ON 時回路電流 Fig.10 OFF 時回路電流

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-40 0 40 80 120


CIR

CU

IT C

UR

REN

T W

HEN

OFF

： I D

D2[μ

A]

【BU4816F】

Fig.8 検出電圧 - 解除電圧

1.0

1.5

2.0

-40 0 40 80 120


DET

ECTI

ON

VO

LTAG

E ： V

DE

T [V]

Low to high(VDET+ΔVDET)

High to low(VDET)

【BU4816F】

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

VDD SUPPLY VOLTAGE ： VDD[V]

OU

TPU

T V

OLT

AG

E ：

VOU

T[V

] 【BU4816F】

Fig.7 動作限界電圧

Datasheet



0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-40 0 40 80 120


MIN

IMU

M O

PE

RA

TIN

G V

OLT

AG

E

： V

OPL

[V]

【BU4816F】

Fig.11 動作限界電圧

Datasheet



アプリケーションヒント動作説明オープンドレインタイプ（Fig.12）と CMOS 出力タイプ(Fig.13）共に、検出電圧及び解除電圧をスレッショルド電圧とし、

VDD Pin に印加された電圧が各々のスレッショルド電圧に達した時、VOUT 端子電圧は “H” → “L” また “L ”→ “H”に

切り換わります。BU48G/F/FVE シリーズでは出力形式がオープンドレイン方式であるため、プルアップ抵抗を VDD

または他の電源との間に接続してください。 (この場合の出力（VOUT）H 電圧は VDD もしくは他の電源電圧になります。）

Fig.12(BU48タイプ内部ブロック図） Fig.13(BU49タイプ内部ブロック図）

参考データ出力立ち上がり(TPLH）、立ち下がり(TPHL）特性例

形名 TPLH[μs] TPHL[μs] BU4845G/F/FVE 23.3 275.9 BU4945G/F/FVE 3.5 354.3

VDD=4.3V→5.1V VDD=5.1V→4.3V ※このデータは参考データです。アプリケーションにより変動しますので実際の動作を十分確認のうえ、ご使用ください。

タイミング波形入力電源電圧 VDD を SWEEP UP 及び SWEEP DOWN させた時の入力電圧 VDD と出力電圧 VOUT の関係は以下のようにな

ります。(回路は Fig.12,13 です。）下図の①～⑤について説明します。 ①電源投入時、VDD が動作限界電圧（VOPL）を超え TPHL 後までの

間出力は不定です。よって TPHL より VDD の立ち上がりスピード

が速い場合 RESET 信号が出ない可能性があります。 ②VDD が VOPL 以上でリセット解除電圧（VDET+ΔVDET）以下では、

VOUT=L です。 ③リセット解除電圧（VDET+ΔVDET）以上になると、遅延時間 TPLH

遅れて VOUT=H になります。 ④電源立ち下がり時や電源瞬断時において VDD が検出電圧（VDET）

以下になると遅延時間 TPHL 遅れて VOUT=L になります。 ⑤検出電圧と解除電圧との電位差をヒステリシス幅（ΔVDET）と

いいます。このヒステリシス幅以内の電源変動では出力がばたつ

かず、ノイズによる誤動作を防止できるよう設計されています。

Q1

Vref

R1

R2

R3

VOUT

VDD

GND

RL

VDD

RESET

Q2

Q1

Vref

R1

R2

R3

VOUT

VDD

GND

RESET

Fig.14

VDD

VDET+ΔVDET

VDET

VOPL0V

TPHL

① ②

VOUT

TPLH

TPHL

TPLH

③ ④

VOL

VOH

⑤

Datasheet



応用回路例 1) 通常の電源検出リセットとしての応用回路例を以下に示します。

BU48G/F/FVE シリーズ(出力段がオープンドレイン）と BU49G/F/FVE シリーズ(出力段が CMOS タイプ）では出力端子の形式が異なります。使用方法の一例を次に示します。

①マイコンの電源 VDD2 とリセット検出用電源 VDD1 が異なる場合： Fig.15 のようにオープンドレイン出力タイプ (BU48G/F/FVE シリーズ）の出力に負荷抵抗 RL

を VDD2 側につけてお使いください。 ②マイコンの電源とリセット電源が同一（VDD1）の場合： CMOS 出力タイプ（BU49G/F/FVE シリーズ）で

Fig.16 のようにお使いください。もしくは、オープンドレイン出力タイプ (BU48G/F/FVE シリーズ）で RL を VDD1 側に接続してもお使いいただけます。

VOUT 端子（マイコンのリセット信号入力端子）にノイズ

除去用及び出力遅延時間設定用のコンデンサ CL を接続す

る場合は、VOUT 端子の立ち上がり時、及び立ち下がり時

に VOUT 端子の波形がなまりますので、問題がないか確認

のうえ使用してください。

Fig.15 オープンドレイン出力タイプ

Fig.16 CMOS 出力タイプ

VDD1

BU48

VDD2

GND

RST マイコン


コンデンサ）

RL

CIN


コンデンサ）

VDD1

BU49 RST マイコン

CIN

GND

Datasheet



使用上の注意点 1 . 絶対最大規格について

本製品におきましては、品質管理には十分注意を払っておりますが、印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を

超えた場合は劣化または破壊に至る可能性があります。いかなる場合においても瞬時たりとも絶対最大定格を超えることがないように設計してください。またショートモードもしくはオープンモード等、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズ等、物理的な安全対策を施して頂けるよう御検討お願いします。

2 . GND 電位について GND ピンの電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を

含め GND 以下の電圧になっている端子がないか御確認ください。 3 . 電気的特性について

本仕様に掲載されている電気的特性は、温度、電源電圧、外付けの回路等の条件によって変化する場合がありますので、

過渡特性を含めて十分な確認をお願い致します。 4 . ノイズ除去用バイパスコンデンサについて

IC の安定動作のため、電源端子と GND 間には 1μF 以上、出力端子と GND 間には 1000pF 程度のコンデンサを

入れることを推奨します。ただし極端に大きなコンデンサを使用しますと、過渡応答速度が遅くなる恐れも考えられ

ますので、十分な確認をお願いします。 5 . ピン間ショートと誤装着について

出力ピン―VDD 間、出力ピン―GND 間、及び VDD―GND 間はショートを行わないようにしてください。また、

プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分に注意してください。誤って取り付けた場合、IC が

破壊する恐れがあります。 6 . 強電磁界中の動作について

強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。 7 . 電源ラインのインピーダンスが高い状態で使用する場合、検出時の貫通電流により発振する場合があります。 8. 電源ラインのインピーダンスが高い場合は、VDD－GND 間(できるだけ端子に近い場所)にコンデンサを接続して

ください。 9 . VDD が低下し動作限界電圧以下になると出力は不定となり、出力がプルアップされている時、出力は VDD になります。

10. RL の値は、 10kΩ以上（VDET=1.5V～4.8V 製品） 100kΩ以上（VDET=0.9V～1.4V 製品）を推奨します。

11. 本 IC は、高インピーダンス設計になっているため、使用条件によっては、基板のよごれ等による予期せぬリーク経路

に影響を受ける可能性があります。よって、外付け定数に十分注意してください。例えば、出力-GND 間でリークが想

定される場合、プルアップ抵抗値を想定されるリーク経路のインピーダンスの 1/10 以下とすることを推奨いたします。 12. 外付け定数について

RL は 10kΩ～1MΩの範囲を推奨しておりますが、基板のレイアウト等により変化しますので、実動作を充分ご確認の

うえ、ご使用ください。 13. 電源起動時のリセット動作について

電源起動時のリセット出力については、立ち上がり時間に応じて変化いたしますので、充分なご確認をお願いします。 14. セット基板での検査について

セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れが

あるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の

際には十分御注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、

電源を OFF にしてから取り外してください。

15. CMOS IC では電源投入時に内部論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、

電源カップリング容量や電源、GND パターン配線の幅、引き回しに注意してください。

この文書の取り扱いに対してこの文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考としてください。なお、相違が生じた場合は、正式な仕様書を優先してください。

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