Componentes electrónicos Diodos, transistores y tiristores 1-0… · geometría del condensador y de la permitividad ( ) ... APROVECHAN PARA MUY DIVERSAS APLICACIONES Y ... Field

UNIVERSIDAD DE OVIEDO Manuel Rico-Secades

SESIÓN 1: Jueves 17 Noviembre: (10:45 hasta 12:45)

2 horas CE = Clase Expositiva

Componentes electrónicos

Diodos, transistores y tiristores


Componentes básicos: pasivos y fuentes

Resistencias

Condensadores

Inductancias o bobinas

Transformadores

Fuentes de alimentación (Tensión y corriente)

COMPONENTES ELECTRICOS Y ELECTRÓNICOS

Breve sumario

V A


ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: RESISTENCIAS


ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: RESISTENCIAS


ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: CONDENSADORES

Un condensador está formado por un aislante (dieléctrico) colocado entre dos

conductores (p.e. condensador de placas planas).

Símbolo

Los condensadores tienen capacidad de almacenar energía en

campo electrostático.

dt

tdVCtdI

)()(

La capacidad C depende de la

geometría del condensador y

de la permitividad () del

aislante.

p.e. para un condensador de

placas planas

El parámetro C indica la capacidad de un elemento de

almacenar energía.

Se define como la carga necesaria para provocar una

variación de una unidad de tensión.

)(

)(

tdV

tdQC

De donde se obtiene la conocida relación

diferencial entre la tensión y la corriente de un

condensador. Los condensadores se oponen a las

variaciones bruscas de tensión.

Placas

Dieléctrico

d

SC


ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: CONDENSADORES

En función del material dieléctrico podemos tener:

•Condensadores de aire (Air dielectric capacitors)

•Condensadores de Mica (Silver mica capacitors)

•Condensadores cerámicos (Ceramic capacitors)

•Condensadores de papel (Paper capacitors)

•Condensadores plásticos (Plastic film capacitors)

•Condensadores electrolíticos (Electrolytic capacitors)

O = 0.0885 x 10-10 F/m

d

SC RO


ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: BOBINAS

dt

tdILtU L

L

)()(


DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS


Semiconductores elementales:

Germanio (Ge) y Silicio (Si)

Compuestos IV:

Si C y Si Ge

Compuestos III-V:

Binarios: Ga As, Ga P, Ga Sb, Al As, Al P, Al Sb, In As, In P y In Sb

Ternarios: Ga As P, Al Ga As

Cuaternarios: In Ga As P

Compuestos II-VI:

Zn S, Zn Se, Zn Te, Cd S, Cd Se y Cd Te


Sb

Ge

Ge

Ge

Ge

-

+

+

-

Cada átomo dopante aporta al cristal un electrón libre.

Cada átomo dopante aporta un ión positivo fijo (no se

puede mover).

Al igual que en un semiconductor intrínseco habrá pares

electrón hueco generados a la forma convencional.

No obstante, el número de huecos disminuirá bastante, al

tener un gran número de electrones libres "pululando" por

el cristal.

SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)

El Sb tiene 5 electrones en la última capa.

El Sb sustituye al Ge en la estructura cristalina.

Le queda un electrón ligeramente unido al átomo del

dopante.

Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

liberarse.

A temperatura ambiente todos los átomos de Sb han

perdido su electrón.

El átomo de Sb está fijo en la estructura cristalina y no

se puede mover (no es un hueco)


SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)

+

+

+

+

+

Tipo N

Muchos electrones libres

Muy pocos Huecos Iones positivos

Fijos en el cristal

No se pueden Mover

COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor N por si solo tiene

poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una determinada resistencia)


In

Ge

Ge

Ge

Ge

- +

+

-

Cada átomo dopante aporta al cristal un hueco.

Cada átomo dopante aporta un ión negativo fijo

(no se puede mover).

Al igual que en un semiconductor intrínseco

habrá pares electrón hueco generados a la forma

convencional.

No obstante, el número de electrones disminuirá

bastante, al tener un gran número de huecos el

cristal.

SEMICONDUCTORES TIPO P: Dopantes grupo III (p.e. In)

El In tiene 3 electrones en la última capa.

El In sustituye al Ge en la estructura cristalina.

Le queda un enlace covalente "huerfano" de

electrón.

Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

"robar" un electrón a un enlace covalente vecino.

A temperatura ambiente todos los átomos de In han

"robado" un electrón.

El átomo de In está fijo en la estructura cristalina y

no se puede mover (no es un electrón/carga libre)


SEMICONDUCTORES TIPO III: Dopantes grupo III (p.e. In)

-

-

-

-

-

Tipo P

Muchos huecos

Muy pocos electrones Iones negativos

Fijos en el cristal

No se pueden Mover

COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor P por si solo

también tiene poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una

determinada resistencia)


LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS SURGEN DE UNIR

TROZOS DE SEMICONDUCTOR P Y N.

LOS FENÓMENOS "ESPECIALES" QUE SURGEN SE

APROVECHAN PARA MUY DIVERSAS APLICACIONES Y

HAN DADO LUGAR AL FRUCTÍFERO MUNDO DE LA

ELECTRÓNICA.

COMUNICACIONES

ORDENADORES

MÚSICA

TELEVISIÓN

ELECTROMEDICINA

SENSORES

ETC


DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (PANORÁMICA)

DIODOS

TRANSISTORES

TIRISTORES

2 uniones PN

varias uniones PN

1 unión PN Diodo Zener, Diodo LED, Diodo

Schottky, diodo Tunel (Gunn),

diodo Varicap

Bipolares,

Fototransistores,

Transistores

multiemisor, JFET y

MOSFET

SCR, TRIAc, DIAC, GTO

ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS

IGBT, optoacoplador, Display, puentes rectificadores, Darlington

CIRCUITOS INTEGRADOS


+

-

V

I

P

N

I

V

DIODO

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o

no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

ANÉCDOTA

Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua

(corriente) en un único sentido.


DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

como una fuente de tensión

(Tensión Zener).

Necesitamos, un límite de corriente

inversa.

Podemos añadir al modelo lineal la

resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeñas fuentes

de tensión y referencias.

I

V

Tensión

Zener

(VZ)

Límite máximo

Normalmente, límite de

potencia máxima


DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de

onda. (p.e. Luz roja)

A K A K


DIODOS ESPECIALES

Fotodiodos (Photodiode)

0

i

V

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan una

corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo

sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

su aplicaciones principales:

Sensores de luz (fotómetros)

Comunicaciones

COMENTARIO

Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de

fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados

como sensores térmicos

i

0

V

T1

T2>T1

El modelo puede ser una fuente de

corriente dependiente de la luz o de la

temperatura según el caso

I = f(T)


DIODOS ESPECIALES

Células solares (Solar Cell)

i

V VCA

iCC

Cuando incide luz en una unión PN, la característica

del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

Paneles de células

solares

Zona

uso


DIODOS ESPECIALES

Diodo Varicap

(Varicap , Varactor or Tuning diode)

P N

- +-

-

-

-

+

+

+

+

+

+

+

+

-

-

-

-

d

Dieléctrico

La unión PN polarizada inversamente puede

asimilarse a un condensador de placas planas

(zona de transición).

Esta capacidad se llama Capacidad de Transición

(CT).

Notar, que al aumentar la tensión inversa aumenta

la zona de transición. Un efecto parecido al de

separar las placas de un condensador (CT

disminuye).

Tenemos pues una capacidad dependiente de la

tensión inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada

esta capacidad.

Uso en equipos de comunicaciones (p.e. Control

automático de frecuencia en sintonizadores)

CT

VI

30 pF

10 V


DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto

schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo 0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho teóricamente en

1938 por Walter H. Schottky


DIODOS ESPECIALES

Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)

ID

VD

Zona de resistencia

negativa.

Efecto Túnel

Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105 veces

mayor).

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto túnel.

(Descubierto por Leo Esaki en 1958).

Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de

Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en

la característica directa del diodo.

Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del

radar. Está presente en todos los radares marinos actuales).

Diodo GUNN


ASOCIACIÓN DE DIODOS

DISPLAY

Diodo de alta tensión

(Diodos en serie)

Puente rectificador

+

-

+

-

Monofásico

Trifásico


APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de espejo

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera


APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos

Detectores de humo

Turbidímetros

Sensor de Color

LED

Fotodetector

LED azul

LED verde

LED rojo Fotodiodo

Objetivo

LED


TRANSISTORES (Panorámica)

BIPOLARES

NPN

PNP

EFECTO DE

CAMPO

UNIÓN

METAL-OXIDO-

SEMICONDUCTOR

CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

TRANSISTORES

* FET : Field Effect Transistor


TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

N P N Colector

(C)

Base

(B) Emisor

(E)

C E

B

SÍMBOLO

Descubiertos por

Shockley, Brattain

y Barden en 1947

(Laboratorios Bell)

COMENTARIO:

Un símil podría ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima

capacidad de agua - corriente- del grifo).

BASE


IC [mA]

VCE

IB [mA] =

0

10

20

C

E

B

30 3000

2000

1000

= 100

CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

ZONA DE SATURACIÓN:

Comportamiento como interruptor

cerrado.

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:

Emisor y colector intercambias papeles.

Podemos tener una INVERSA, que en el

dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE:

Comportamiento como

interruptor abierto.

ZONA ACTIVA:

Comportamiento como

Fuente de Corriente.


TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor)

P N P Colector

(C)

Base

(B) Emisor

(E)

C E

B

SÍMBOLO

IC [mA]

VEC

IB [mA] =

0

10

20

30 3000

2000

1000

= 100

COMENTARIO:

Un símil podría ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima

capacidad de agua - corriente- del grifo).

BASE


FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)

La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base

desempeñan el papel de corriente de base

C

E

El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.


ASOCIACIÓN DE TRANSISTORES

OPTOACOPLADOR

OBJETIVO:

Proporcionar aislamiento galvánico y

protección eléctrica.

Detección de obstáculos.

Conjunto fotodiodo + fototransistor

http://www.omroncomponents.co.uk/pdfs/Sensors/Opto-Switches/Non-Amplified Slotted/Photo-Darlington/SJ3WB.pdf


APLICACIÓN TÍPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:

"Encoder" óptico para medida de velocidad y posicionado


TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

EFECTO DE

CAMPO

UNIÓN

METAL-OXIDO-

SEMICONDUCTOR

CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".

20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.


JFET DE CANAL N (Característica real de salida)

ID

VDS

UGS[V]

≥0

-10

-20

-30

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

ZONA COMPORTAMIENTO

FUENTE DE CORRIENTE D

S

G

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.

PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.


JFET DE CANAL P (Característica real de salida)

ID

VSD

USG[V]

≥0

-10

-20

-30

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

ZONA COMPORTAMIENTO

FUENTE DE CORRIENTE S

D

G

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.

PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.


ID

VDS

UGS[V]

=+15 V

=+10 V

=+5 V

= 0 V

MOSFET DE CANAL N

Diodo parásito

(Substrato - Drenador)

COMENTARIO:

Aunque a veces se dibuje el símbolo con

un diodo, tener en cuenta que NO ES UN

COMPONENTE APARTE.

D

S

G

D

S

G


ID

VSD

USG[V]

=+15 V

=+10 V

=+5 V

= 0 V

MOSFET DE CANAL P

Diodo parásito

(Substrato - Drenador)

COMENTARIO:

Aunque a veces se dibuje el símbolo con

un diodo, tener en cuenta que NO ES UN

COMPONENTE APARTE.

S

D

G

S

D

G


ID

VGS

MOSFET (precauciones con la puerta)

- 30 V + 30 V

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones

bastante pequeñas (valores típicos de

30 V).

No debe dejarse nunca al aire y debe

protegerse adecuadamente.

D

S

G


TIRISTORES

(Thyristor)

En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory.

Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR)

Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrónica de Potencia.

Son sin duda los dispositivos electrónicos que permiten alcanzar potencias mas altas, son

dispositivos realmente robustos.


Definición y tipos

- Dispositivo de 4 capas con estados estables de conducción y bloqueo

- Interruptor de potencia muy alta

- Potencias y tensión muy altas

- Frecuencias de conmutación no superiores a 2kHz

SCR (Silicon Controlled Rectifier).

Interruptor unidireccional

GTO (Gate Turn-off)

Interruptor unidireccional. Apagado por puerta

TRIAC (Triode AC)

Interruptor bidireccional

DIAC. (Diode AC)

Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)


SCR: Un modelo ideal sencillo

Podemos decir que es un interruptor unidireccional que se cierra con un pulso de corriente

de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero

G

A

C

MODELO IDEAL DE UN SCR

A

C G

A

C

G NOTA:

El disparo por tensión directa (VB) se considera indeseable

y, como norma general, debe seleccionarse el SCR para

que esto no ocurra


500 V

24A

1300 V

1800A

500 V

100A

TO 200 AF

B 20

TO 209 AD

B 7

TO 208 Ac

B 2

SCR: Algunos ejemplos


Unos de los 12 SCR para un “pequeño”

rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV

(Inga-Shaba, ZAIRE)

EL SCR es el dispositivo electrónico mas

robusto que existe.

Puede manejar tensiones y corrientes

realmente impresionantes.

Algunos ejemplos son realmente

espectaculares.


TRIAC: Un modelo ideal sencillo

Podemos decir que es un interruptor bidireccional que se cierra con un pulso de corriente

de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero. La puerta es ahora

bidireccional (2 diodos en anti-serie)

G

T2

T1

MODELO IDEAL DE UN TRIAC

T2

T1 G


Dispositivo auxiliar (p.e. disparo de tiristores)

Soporta picos de corrientes elevados

Se debe conocer la Tensión de cebado (p.e. 33V en el DB3)

DB3: Diac comercial muy popular

DIAC: Diode AC

Característica

IT

VT +VB -VB

A1 A2


DIAC: Algunos elementos similares

DESCARGADOR DE GAS

VARISTOR

Gránulos de óxidos

metálicos sinterizadas

(Óxido de cinc, etc)

Recinto de descarga


DIAC: Uso como elemento de protección

Equipo a proteger Ve

I F

TRIAC,

VARISTOR,

DESCARGADOR,...

Sobretensión

NOTA:

Seguramente el VARISTOR es el elemento mas popular para esta aplicación


GTO: (Gate Turn-off)

A C

G

La especial estructura del dispositivo

permite el apagado por puerta (con un

pulso negativo).

Por lo demás es similar al SCR.

Estructura de un GTO simétrico

A

C G

Vista desde abajo


LASCR, Tiristor controlado por luz.

Son Tiristores activados por luz

Utilizados en Alta tensión

Frecuencias de conmutación de hasta 2KHz

Tensiones elevadas 6000V y 1500A

A K

G

NOTA:

Normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados

con fibra óptica. Son interesantes en entornos de corrientes y tensiones

elevadas, permitiendo un elevado aislamiento entre el circuito de

potencia y el de gobierno.


Unos de los 12 SCR para un “pequeño”

rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV

(Inga-Shaba, ZAIRE)

EL MAS PEQUEÑO

UNO GRANDE

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS:

PEQUEÑOS Y GRANDES SEGÚN LA APLICACIÓN


Circuitos Integrados (Integrated Circuits - IC)

En un IC se implementa un circuito electrónico

completo (Resistencias, condensadores,

diodos, transistores, etc) realizado sobre el

mismo circuito semiconductor (Substrato).


1948

Transistor

Lab. Bell

Schokley,

Brattain,

Bardeen

1958

Primer IC

Kilby

1971

Primer P

4004

INTEL

2001

Pentium IV

INTEL

Transistor 2 Transistores 42 millones de transistores

1960

MOSFET

2.300 Transistores

1945

ENIAC

1er Computador

válvulas

La evolución del tamaño de los circuitos integrados ha sido

espectacular.

Teniendo sus máximos de capacidad de integración, en el mundo

de la Electrónica Digital (Microprocesadores)


LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PUEDEN LLEGAR A TENER

MUCHÍSIMOS COMPONENTES REALIZADOS SOBRE EL

MISMO CIRCUITO INTEGRADO

Buscando errores

sobre un esquema de

un Circuito Integrado


EJEMPLO TÍPICO DE CIRCUITO INTEGRADO DE PROPÓSITO GENERAL:

DIP-8


DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

FABRICANTE

AD Analog Devices

A Fairchild

CR RCA

LM National Semiconductor

MC Motorola

NE/SE Signetics

OP Precision Monolithics

RC/RH Raytheon

SG Silicon General

TL Texas Instrument

DESIGNADOR

Nombre/función del dispositivo

741 Amplificador de propósito general

081 Amplificador entrada FET

311 Comparador rápido

RANGO TEMPERATURA

C: Comercial 0ºC hasta 70ºC

I: Industrial -40ºC hasta 85 ºC

M: Militar -55ºC hasta 125 ºC

ENCAPSULADO

D,P: Plástico

J, N: Cerámico

M: Metálico


1

2

3

4

5

6

Encapsulado típico DIL - 6

Orden para numerar los pines

Pin número 1

DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

DIL = Dual In Line SIL = Serial In Line


USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

12 V

36 W 3 A

I

12 V

12 V

36 W 3 A

I

= 100

40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.

La corriente de base debe ser suficiente

para asegurar la zona de saturación.

Ventajas:

No desgaste, sin chispas, rapidez, permite

control desde sistema lógico.

Electrónica de Potencia y Electrónica

digital

IB = 40 mA 4 A

IC

VCE

3 A

PF (OFF) 12 V

PF (ON) ON

OFF


USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador)

12 V

= 100

RB RC

UE

IB

IC

+

-

UC

En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e.

música).

El punto de funcionamiento cambia "al ritmo de la

música".

Notar la presencia de un indeseable nivel de continua.

Necesitamos polarizar el transistor para que siempre se

comporte como una fuente de corriente dependiente: IC =

f(IB)

UBIAS

PF

UE

UC

UBIAS 12

ELECTRÓNICA

ANALÓGICA

Podremos aplicar el principio de

superposición y linealizar el transistor

entorno a su punto de funcionamiento.

Hablaremos de circuito de continua

(polarización) y de circuito de alterna.


PF 12 V

= 100

RB RC

UE

IB

IC

+

-

UC

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturación como amplificador

UBIAS

UE

UC

UBIAS

12

El transistor se sale de la zona de fuente de

corriente. Las tensiones del circuito no pueden

sobrepasar las de alimentación.

Decimos que el amplificador se satura (y

distorsiona).


USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V

12 V

36 W 3 A

I

12 V

12 V

36 W 3 A

I

Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.

¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA

(MUY PEQUEÑA) !!!

UGS= 12 V 4 A

ID

VDS

3 A

PF (OFF) 12 V

PF (ON) ON

OFF

La puerta no puede

quedar al aire

(debe protegerse)

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