6
 P1/6 C B E C E B  si C E B  I  B  β  I  B C E B  I  B V CEsat V BEsat V BEact V  BE  V  B Eo n si  I  B  0  y V CE  V CEsat   I  B  0 β  I  B  I C si  y C E B  I  B β inv  I  B V BCactinv si  I  B  0  y  V E C  V ECsat  C B E C E B  si C E B  I  B β  I  B C E B  I  B V ECsat V EBsat V EBact V EB  V EBon si  I  B  0  y  V EC  V ECsat   I  B  0 β  I  B  I C si  y C E B  I  B β inv  I  B V CBactinv si  I  B  0  y  V CE  V CEsatinv  I C  I C  REGIÓN DE CORTE  REGIÓN ACTIV A  REGIÓN DE SA TURACIÓN  REGIÓN ACTIV A INVERSA  NPN  PNP TABLA RESUMEN DE MODELOS Y CONDICIONES

Dispositivos Electronicos - III - Semiconductores - El Diodo de Union - Ejemplos

Embed Size (px)

Citation preview

  • P1/6

    C

    B

    E

    C

    E

    B si

    C

    EB

    IB IB

    C

    EB

    IBVCEsat

    VBEsat

    VBEact

    VBE VBEon

    si IB 0

    y VCE VCEsat

    IB 0

    IB IC

    si

    y

    C

    E

    BIB invIB

    VBCactinvsi IB 0

    y VEC VECsat

    C

    B

    E

    C

    E

    B si

    C

    E

    BIB

    IB

    C

    E

    BIB

    VECsat

    VEBsat

    VEBact

    VEB VEBon

    si IB 0

    y VEC VECsat

    IB 0

    IB IC

    si

    y

    C

    E

    BIB

    invIB

    VCBactinv

    si IB 0

    y VCE VCEsatinv

    IC

    IC

    REGIN DE CORTE

    REGIN ACTIVA

    REGIN DE SATURACIN

    REGIN ACTIVA INVERSA

    NPN PNP

    TABLA RESUMEN DE MODELOS Y CONDICIONES

  • P2/6

    E

    BC

    VBE

    VCE

    IB

    IC

    +_

    +

    _

    VBEVBEsatVBEactVBEon

    IB VCE = 1V VCE = 0.2V

    VBEVBEsatVBEactVBEon

    IB

    0.6V 0.7V 0.8V

    VBE VBEonCORTE

    VCEVCEsat

    IC (mA)

    0.2V

    IB (mA)

    0.1

    0.0

    0.2

    0.3

    0.440

    30

    20

    10

    IC IB=VCE VCEsat

    IC IB

    CONDICIONES EN LAS REGIONES DE TRABAJO

    IB frente a VBE para distintos valores de VCE

    IC frente a VCE para distintos valores de IB

    ACTIVA

    SATURACIN

  • P3/6

    n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    VBE VBC

    n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    VBE VBC

    n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    VBE VBC

    B

    CEVBCVBE

    E C

    B

    VCE

    VBE

    E

    B

    C

    InvIB ICIE

    IB

    VBC

    invIB

    directamente polarizadadirectamente polarizada

    inversamente polarizadainversamente polarizada

    inversamente polarizada directamente polarizada

    REGIN DE CORTE

    REGIN ACTIVA INVERSA

    REGIN DE SATURACIN

  • n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    VBE > 0 VBC < 0

    E

    IE IC

    IB

    Recombinacin

    IC IE= 1,

    IB eVBE VT

    IE eVBE VT

    EL EMISOR INYECTA PORTADORES QUE RECOGE EL COLECTOR MUCHOS PORTADORES "SOBREVIVEN" A LA RECOMBINACIN

    directamente polarizada inversamente polarizada

    ? NO

    IE IB IC IB

    IC IB= ICIE

    IB

    EL EMISOR EST MUCHO MS DOPADO QUE LA BASE:IE ES MUCHO MS GRANDE QUE IB , ES DECIR ES GRANDE

    REGIN ACTIVA

    IC IB+ IE=

    IC IB=

    IC

    IE

    IBVBE

    P4/6

  • P5/6

    n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    E

    B

    C

    VBE VBC

    VBE

    VBC

    VBE

    VBC

    (VTBE,VTBC)

    SATURACIN

    ACTIVA

    INVERSA

    CORTE

    REGIONES DE OPERACIN

    BE DIRECTA BC DIRECTA

    BE DIRECTA BC INVERSA

    BE INVERSA BC DIRECTA

    BE INVERSA BC INVERSA

  • P6/6

    n p n

    Emisor

    Base

    Colector

    VBE > 0 VBC < 0

    E

    IE IC

    IB

    Recombinacin

    IC IE= 1,

    IB eVBE VT

    IE eVBE VT

    EL EMISOR INYECTA PORTADORES QUE RECOGE EL COLECTOR MUCHOS PORTADORES "SOBREVIVEN" A LA RECOMBINACIN

    directamente polarizada inversamente polarizada

    ? NO

    IE IB IC IB

    IC IB= ICIE

    IB

    EL EMISOR EST MUCHO MS DOPADO QUE LA BASE:IE ES MUCHO MS GRANDE QUE IB , ES DECIR ES GRANDE

    REGIN ACTIVA

    IC IB+ IE=

    IC IB=

    IC

    IE

    IBVBE