Diseño y Simulación Electrónica

0. Tema: Polarización de transistores BJT y FET

En este tema se repasará el análisis en continua de los transistores BJT y FET. Para ello, se realizarán los ejercicios de examen de la asignatura Electrónica Analógica correspondientes a los cursos 2005/2006 y 2006/2007.

0.1. EA (2007-09-10)

Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.

T1 ≡ T4 T2 T3β = 100

VBE,ON = VBE,SAT = 0.7vVCE,SAT = 0.2v

|IDS| = 10mA|VP| = 6v

|K| = 0.15mA/V2|VT| = 10v

SOLUCIÓN

T1 es un BJT de tipo NPN

1

150kΩ

5kΩ

T1

3kΩ

3kΩ

T2

20kΩ

1kΩ

1.33MΩT3

500Ω

T4

5kΩ

3kΩ

20 V

-20 V

Diseño y Simulación Electrónica

T2 es un JFET de canal n

Suponemos T2 en SATURACIÓN

Comprobamos que T2 está en saturación

2

Diseño y Simulación Electrónica

T3 es un MOSFET de enriquecimiento de canal n

Suponemos T3 en SATURACIÓN

T4 es un BJT de tipo NPN

Suponemos T4 en ACTIVA

3

Diseño y Simulación Electrónica

Nueva suposición: T4 está SATURADO

Comprobamos que T4 está en saturación

Volvemos al transistor T3 para calcular su VDS3

Comprobamos que T3 está en saturación

4

Diseño y Simulación Electrónica

0.2. EA (2007-05-29)

Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.

SOLUCIÓN

T1 es un BJT de tipo NPN

5

T1: VCE,sat = 0,2 vVBE,sat = 0,8 vVBE,on = 0,7

T2: | IDS | = 7 mA| VP | = 5 v

T3: | K | = 0.75 mA/V2

| VT | = 7 v

T4: | IDS | = 10 mA | VP | = 6 v

Diseño y Simulación Electrónica

Suponemos que T1 en ACTIVA

T2 es un JFET de canal n

Suponemos T2 en saturación

duezeztatzenosaketaHasierako

MOZTUTAT

vV

dunbaieztatzeosaketaHasierako

ASETUTAT

vV

VV

GS

GS

GSGS

sup

2

7

sup

2

3

08.20101

2

2

22

2

Volvemos al transistor T1 para calcular su VCE1

zuzenaSuposaketaVvvV

V

IIVIV

IVIV

sareaIrteerakoV

SATCECE

CE

CBCECGS

ECECS

CE

,11

1

11112

1112

1

2.064.13

02017.10117.0517.133

02053

02053

?

6

Diseño y Simulación Electrónica

Volvemos al transistor T2 para calcular su VDS2

Comprobamos que T2 está en saturación

T3 es un MOSFET de enriquicimiento de canal n

Suponemos T3 en SATURACIÓN

T4 es un MOSFET de empobrecimiento de canal n y está

saturado en modo acumulación

Volvemos al transistor T3 para calcular su VGS3

7

Diseño y Simulación Electrónica

duezeztatzenosaketaHasierako

MOZTUTAT

vV

dunbaieztatzeosaketaHasierako

ASETUTAT

vV

GS

GS

sup

3

1.2

sup

3

8.11

3

3

Comprobamos que T3 está en saturación

Volvemos al transistor T4 para calcular su VDS4

Comprobamos que T4 está en saturación

0.3. EA (2006-09-04)

Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.

8

Diseño y Simulación Electrónica

SOLUCIÓN

T2 es un BJT de tipo NPN

Suponemos T2 en ACTIVA

9

T1: |K| = 0.25 mA/V2

| VT | = 8 v

T2: = 150 VCE,sat = 0,2 vVBE,sat = 0,8 vVBE,on = 0,7 v

T3: | IDS | = 24 mA| VP | = 4 v

T4: = 300VEB,on = 0,7 v(despreciar IB)

Diseño y Simulación Electrónica

Nueva suposición: T2 en SATURACIÓN

Comprobamos que T2 está en saturación

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Diseño y Simulación Electrónica

T3 es un MOSFET de empobrecimiento de canal p

Suponemos T3 en SATURACIÓN

T4 es un BJT de tipo PNP

Suponemos T4 en ACTIVA

Volvemos al transistor T3 para calcular su VGS3

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Diseño y Simulación Electrónica

Comprobamos que T3 está saturado en modo deplexión

Volvemos al transistor T4 para calcular su VEC4

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