Upload
torres-torres
View
30
Download
0
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Efeito Hall - Seminario
Citation preview
Efeito Hall em Germânio p e n
Franklin Guedes, Humberto Torres, Karen Silva
Universidade Federal de GoiásInstituto de Física
02 de Setembro de 2014
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 2
Sumário
Objetivos;
Introdução: Efeito Hall;
Procedimento Experimental;
Materiais Utilizados;
Descrição Experimental;
Resultados e Discussões;
Germânio p e Germânio n;
Conclusão;
Bibliografia.
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 3
Objetivos
Neste experimento, tivemos por objetivos, analisar o Efeito Hall em uma placa de semicondutor de Germânio do tipo p e outra do tipo n.
A partir da análise dos dados foi possível determinar o tipo, que está relacionado ao tipo de portador de carga, se são buracos ou elétrons, como também a concentração destes portadores, a mobilidade, a condutividade e o coeficiente Hall.
Os valores que obtivemos, aferidos em uma sala à temperatura ambiente, foram comparados com os valores informados pelo fabricante do aparato experimental utilizado.
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 4
Introdução: Efeito Hall
O efeito Hall consiste no aparecimento da tensão , designada por tensão Hall.
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 5
Introdução: Efeito Hall
A ação dum campo B dá origem a uma força de natureza magnética, a força de Lorentz que, para os elétrons, é dada por:
e para os buracos:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 6
Introdução: Efeito Hall
O vetor força magnética tem o sentido e direção definidos pelo produto externo e pelo sinal da carga e um módulo dado por:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 7
Introdução: Efeito Hall
Efeito Hall num semicondutor tipo-n (a) e num semicondutor tipo-p (b).
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 8
Introdução: Efeito Hall
A força de natureza magnética é equilibrada pela força de natureza elétrica associada ao campo .
em que:
Dessa igualdade:
tiramos que .
É de notar que: e .
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 9
Introdução: Efeito Hall
Como:
então,
E portanto,
Que podemos escrever como
em que
se designa por constante de Hall.
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 10
Introdução: Efeito Hall
Para semicondutores extrínsecos tipo-p, a expressão para tensão de Hall é idêntica a equação anterior, mas com a constante de Hall positiva, dada por:
No caso em que ambos os portadores, elétrons e buracos, contribuem para a corrente elétrica, a constante de Hall é dada por:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 11
Procedimento Experimental: Materiais Utilizados
Para o desenvolvimento da dinâmica experimental usamos o seguinte esquema:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 12
Procedimento Experimental: Descrição do Experimento
Fonte de corrente d.c. para conectar ao semicondutor:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 13
Resultados e Discussões – Germânio p e Germânio n
Ge-p Ge-n
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 14
Resultados e Discussões – Germânio p e Germânio n
Ge-p Ge-n
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 15
Resultados e Discussões – Germânio p e Germânio n
Ge-p Ge-n
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 16
Resultados e Discussões – Germânio p e Germânio n
Ge-p Ge-n
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 17
Conclusão
Germânio tipo p:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 18
Conclusão
Germânio tipo n:
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF 19
Bibliografia
CARVALHO Jesiel Freitas, SANTANA Ricardo Costa, Apostila de Laboratório de Física Moderna - Roteiro dos experimentos, 2014.
R. Eisberg, R. Resnick, Física Quântica, Ed. Campus, Rio de Janeiro, 1979.
Laurence Hall Van Vlack, Princípios da ciência e tecnologia de materiais Elsevier, 29ª Reimpressão, Rio de Janeiro, 1984.
D. Halliday, R. Resnick, J. Walker, Fundamentos da Física, Volume 4, LTC, 8ª ED., Rio de Janeiro, 2008.
Callister, Jr., William D., Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais: Uma Abordagem Integrada, LTC, 2ª ED., Rio de Janeiro, 2006.