17
߅ଂτϥϯδελ 1 ߦ : 2003 12 SJH00010BJD UNR221x γϦʔζ γϦʔζ γϦʔζ γϦʔζ γϦʔζ (UN221x γϦʔζ) γϦίϯNPNΤϐλΩγϟϧϓϨʔφ ܗσδλϧճ࿏༻ ಛɹ ثػͷখܗԽ, ෦ͷʹݮΑΓίετμϯՄ ϛχܕύοέʔδͷΊɺςʔϐϯάɺϚΨδϯแʹΑΔ ಈૠೖՄ छผ߅ ܗ ߸ه(R 1 ) (R 2 ) UNR2210 (UN2210) 8L 47 k UNR2211 (UN2211) 8A 10 k10 kUNR2212 (UN2212) 8B 22 k22 kUNR2213 (UN2213) 8C 47 k47 kUNR2214 (UN2214) 8D 10 k47 kUNR2215 (UN2215) 8E 10 k UNR2216 (UN2216) 8F 4.7 k UNR2217 (UN2217) 8H 22 k UNR2218 (UN2218) 8I 0.51 k5.1 kUNR2219 (UN2219) 8K 1 k10 kUNR221D (UN221D) 8M 47 k10 kUNR221E (UN221E) 8N 47 k22 kUNR221F (UN221F) 8O 4.7 k10 kUNR221K (UN221K) 8P 10 k4.7 kUNR221L (UN221L) 8Q 4.7 k4.7 kUNR221M (UN221M) EL 2.2 k47 kUNR221N (UN221N) EX 4.7 k47 kUNR221T (UN221T) EZ 22 k47 kUNR221V (UN221V) FD 2.2 k2.2 kUNR221Z (UN221Z) FF 4.7 k22 kઈରେఆ T a = 25°C ) ܗͷ( ), དྷ൪Ͱ ෦ଓਤ Unit : mm 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector EIAJ : SC-59 Mini3-G1 Package ߸ه୯Ґ ίϨΫλɾϕʔεѹ(E ։) V CBO 50 V ίϨΫλɾΤϛολѹ(B ։) V CEO 50 V ίϨΫλ I C 100 mA ڐ༰ଛ P T 200 mW ߹Թ T j 150 °C อଘԹ T stg 55 +150 °C 0.40 +0.10 –0.05 (0.65) 1.50 +0.25 –0.05 2.8 +0.2 –0.3 2 1 3 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 2.90 +0.20 –0.05 0.16 +0.10 –0.06 0.4±0.2 10˚ 0 to 0.1 1.1 +0.2 –0.1 1.1 +0.3 –0.1 B R 1 R 2 C E 保守廃止 保守予定品種、保守品種、廃品種を 一括して保守廃止と表記しています。

抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

  • Upload
    others

  • View
    2

  • Download
    0

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

抵抗内蔵トランジスタ

1発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD

UNR221xシリーズシリーズシリーズシリーズシリーズ (UN221xシリーズ)シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

デジタル回路用

特 長•機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能•ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による自動挿入が可能

品種別抵抗値形名表示記号 (R1) (R2)

• UNR2210 (UN2210) 8L 47 kΩ • UNR2211 (UN2211) 8A 10 kΩ 10 kΩ• UNR2212 (UN2212) 8B 22 kΩ 22 kΩ• UNR2213 (UN2213) 8C 47 kΩ 47 kΩ• UNR2214 (UN2214) 8D 10 kΩ 47 kΩ• UNR2215 (UN2215) 8E 10 kΩ • UNR2216 (UN2216) 8F 4.7 kΩ • UNR2217 (UN2217) 8H 22 kΩ • UNR2218 (UN2218) 8I 0.51 kΩ 5.1 kΩ• UNR2219 (UN2219) 8K 1 kΩ 10 kΩ• UNR221D (UN221D) 8M 47 kΩ 10 kΩ• UNR221E (UN221E) 8N 47 kΩ 22 kΩ• UNR221F (UN221F) 8O 4.7 kΩ 10 kΩ• UNR221K (UN221K) 8P 10 kΩ 4.7 kΩ• UNR221L (UN221L) 8Q 4.7 kΩ 4.7 kΩ• UNR221M (UN221M) EL 2.2 kΩ 47 kΩ• UNR221N (UN221N) EX 4.7 kΩ 47 kΩ• UNR221T (UN221T) EZ 22 kΩ 47 kΩ• UNR221V (UN221V) FD 2.2 kΩ 2.2 kΩ• UNR221Z (UN221Z) FF 4.7 kΩ 22 kΩ

絶対最大定格 Ta = 25°C

注) 形名の( )内は , 従来品番です

内部接続図

Unit : mm

1 : Base2 : Emitter3 : Collector

EIAJ : SC-59Mini3-G1 Package

項目 記号 定格 単位

コレクタ・ベース間電圧(E開放時) VCBO 50 V

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO 50 V

コレクタ電流 IC 100 mA

全許容損失 PT 200 mW

接合温度 Tj 150 °C

保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C

0.40+0.10–0.05

(0.6

5)1.

50+

0.25

–0.0

5

2.8+

0.2

–0.3

21

3

(0.95) (0.95)

1.9±0.1

2.90+0.20–0.05

0.16+0.10–0.06

0.4±

0.2

10˚

0 to

0.1

1.1+0

.2–0

.1

1.1

+0.

3–0

.1

BR1

R2

C

E

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 2: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

2

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

ランク Q R S ノンランク品

hFE 160 ∼ 260 210 ∼ 340 290 ∼ 460 160 ∼ 460

電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C

項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

コレクタ・ベース間電圧(E開放時) VCBO IC = 10 µA, IE = 0 50 V

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO IC = 2 mA, IB = 0 50 V

コレクタ・ベース間遮断電流(E開放時) ICBO VCB = 50 V, IE = 0 0.1 µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時) ICEO VCE = 50 V, IB = 0 0.5 µA

エミッタ UNR2210/2215/2216/2217 IEBO VEB = 6 V, IC = 0 0.01 mA

・ベース間 UNR2213 0.1

遮断電流 UNR2212/2214/221D/ 0.2

(C開放時) 221E/221M/221N/221T

UNR221Z 0.4

UNR2211 0.5

UNR221F/221K 1.0

UNR2219 1.5

UNR2218/221L/221V 2.0

直流電流 UNR221V hFE VCE = 10 V, IC = 5 mA 6 20

増幅率 UNR2218/221K/221L 20

UNR2219/221D/221F 30

UNR2211 35

UNR2212/221E 60

UNR221Z 60 200

UNR2213/2214/221M 80

UNR221N/221T 80 400

UNR2210 */2215 */2216 */2217 * 160 460

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA 0.25 V

UNR221V IC = 10 mA, IB = 1.5 mA

出力電圧ハイレベル VOH VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ 4.9 V

出力電圧ローレベル VOL VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ 0.2 V

UNR2213/221K VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 1 kΩ

UNR221D VCC = 5 V, VB = 10 V, RL = 1 kΩ

UNR221E VCC = 5 V, VB = 6 V, RL = 1 kΩ

トランジション周波数 fT VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz 150 MHz

入力抵抗 UNR2218 R1 −30% 0.51 +30% kΩ

UNR2219 1.0

UNR221M/221V 2.2

UNR2216/221F/221L/ 4.7221N/221Z

UNR2211/2214/2215/221K 10

UNR2212/2217/221T 22

UNR2210/2213/221D/221E 47

注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. * : ランク分類

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 3: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

3

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR2210特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

0 122 104 860

60

50

40

30

20

10

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°CIB = 1.0 mA

0.1 mA

0.3 mA

0.4 mA0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

抵抗比率 UNR221M R1/R2 0.047

UNR221N 0.1

UNR2218/2219 0.08 0.10 0.12

UNR221Z 0.21

UNR2214 0.17 0.21 0.25

UNR221T 0.47

UNR221F 0.37 0.47 0.57

UNR221V 1.0

UNR2211/2212/2213/221L 0.8 1.0 1.2

UNR221K 1.70 2.13 2.60

UNR221E 1.70 2.14 2.60

UNR221D 3.7 4.7 5.7

電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C

共通特性図

PT Ta

0

50

100

150

200

250

0 40 80 120 160

周囲温度 Ta (°C)

全許容損失

PT (

mW

)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

注 ) 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 4: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

4

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR2211特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°CIB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA0.6 mA

0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25˚C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

100

200

300

400

10 100 1 000

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C保

守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 5: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

5

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR2212特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR2213特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA0.6 mA

0.7 mA0.9 mA0.8 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°CIB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 6: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

6

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR2214特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

Cob VCB IO VIN VIN IO

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C保

守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 7: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

7

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR2215特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

UNR2216特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA0.6 mA

0.7 mA0.8 mA

0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

00 122 104 86

40

120

80

160

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

IB = 1.0 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 8: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

8

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR2217特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

Cob VCB IO VIN VIN IO

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

0 122 104 86

0

120

100

80

60

40

20

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°CIB =1 .0 mA

0.1 mA

0.2 mA0.3 mA0.4 mA

0.5 mA0.6 mA

0.7 mA0.8 mA

0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

100

200

300

400

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

VO = 5 VTa = 25°C

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C保

守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 9: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

9

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR2218特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

UNR2219特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

0 122 104 860

240

200

160

120

80

40

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA0.5 mA0.6 mA

0.7 mA0.8 mA

0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C0

1

40

80

120

160

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

0 122 104 860

240

200

160

120

80

40

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

40

80

120

160

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C−25°C

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 10: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

10

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR221D特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

Cob VCB IO VIN VIN IO

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

0 122 104 860

30

25

20

15

10

5

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA

0.3 mA0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

01

40

80

120

160

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V Ta = 75°C

25°C−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

11.5

10

102

103

104

4.03.53.02.52.0

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C保

守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 11: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

11

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR221E特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

UNR221F特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

0 122 104 860

60

50

40

30

20

10

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°CIB = 1.0 mA

0.1 mA

0.2 mA0.3 mA0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

40

80

120

160

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1MHz

IE = 0Ta = 25°C

11.5

10

102

103

104

4.03.53.02.52.0

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

0 122 104 860

240

200

160

120

80

40

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.1 mA0.2 mA

0.3 mA

0.4 mA

0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

40

80

120

160

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C−25°C

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 12: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

12

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

UNR221K特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

Cob VCB VIN IO

00.1

6

5

4

3

2

1

1 10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

VO = 5 VTa = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

0 122 104 860

240

200

160

120

80

40

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.2 mA

0.2 mA

0.4 mA

0.6 mA

0.8 mA

1.0 mA

0.011

0.1

1

10

100

10 100 1 000

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

240

200

160

120

80

40

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

6

5

4

3

2

1

10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C保

守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 13: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

13

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB VIN IO

UNR221L特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

UNR221M特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

0 122 104 860

240

200

160

120

80

40

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.2 mA

0.4 mA

0.6 mA

0.8 mA

0.011

0.1

1

10

100

10 100 1 000

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

240

200

160

120

80

40

10 100 1 000

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

01

6

5

4

3

2

1

10 100

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF) f = 1 MHz

IE = 0Ta = 25°C

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

VO = 0.2 VTa = 25°C

00 122 104 86

240

200

160

120

80

40

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.2 mA

0.1 mA

0.3 mA0.4 mA0.5 mA

0.6 mA0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.0011

0.01

0.1

1

10

10 100 1 000

IC / IB = 10

Ta = 75°C25°C

−25˚C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

100

200

300

500

400

10 100 1 000

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 14: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

14

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR221N特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

VO = 0.2 VTa = 25°C

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

00.1

5

4

3

2

1

1 10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

VO = 5 VTa = 25°C

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0 122 104 860

40

120

80

160

IB = 1.0 mA

0.2 mA

0.4 mA

0.8 mA0.7 mA0.6 mA

Ta = 25°C

0.9 mA

0.5 mA

0.3 mA

0.1 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.01

0.1

1

10

1 10 100 1 000

IC / IB = 10

25°C

−25°C

Ta = 75°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

0

480

400

320

240

160

80

1 10 100 1 000

VCE = 10 V

25°C

−25°C

Ta = 75°C直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

1 10 1000

6

5

4

3

2

1

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

1.21.00.4 0.6 0.8 1.4

VO = 5 VTa = 25°C

1

10

102

103

104

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0.01

0.1

1

10

100

0.1 1 10 100

VO = 0.2 VTa = 25°C

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 15: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

15

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR221T特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

UNR221V特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

00 122 104 86

40

120

80

160

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.7 mA0.8 mA0.9 mA

0.6 mA0.5 mA

0.4 mA

0.3 mA

0.2 mA

0.1 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.011

0.1

1

10

10 100 1 000

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

480

400

320

240

160

80

10 100 1 000

VCE = 10 V

Ta = 75°C

−25°C

25°C

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

01

6

5

4

3

2

1

10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

VO = 5 VTa = 25°C

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

VO = 0.2 VTa = 25°C

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

00 122 104 86

40

120

80

160

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.7 mA

0.8 mA0.9 mA

0.6 mA

0.5 mA

0.4 mA

0.3 mA0.2 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.011

0.1

1

10

10 100 1 000

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

240

200

160

120

80

40

10 100 1 000

VCE = 10 V

Ta = 75°C

−25°C

25°C

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 16: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

16

UNR221xシリーズ

SJH00010BJD

Cob VCB IO VIN VIN IO

UNR211Z特性図

IC VCE VCE(sat) IC hFE IC

Cob VCB IO VIN VIN IO

01

6

5

4

3

2

1

10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

VO = 5 VTa = 25°C

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

VO = 0.2 VTa = 25°C

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

00 122 104 86

40

120

80

160

Ta = 25°C

IB = 1.0 mA

0.7 mA0.8 mA0.9 mA

0.6 mA0.5 mA

0.4 mA

0.3 mA

0.2 mA

0.1 mA

コレクタ電流

IC (

mA

)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

0.011

0.1

1

10

10 100 1 000

IC / IB = 10

Ta = 75°C

25°C

−25°C

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

VC

E(s

at)

(V)

コレクタ電流 IC (mA)

01

480

400

320

240

160

80

10 100 1 000

VCE = 10 V

Ta = 75°C

25°C

−25°C

直流電流増幅率

hFE

コレクタ電流 IC (mA)

01

6

5

4

3

2

1

10 100

f = 1 MHzIE = 0Ta = 25°C

コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)

コレクタ出力容量

(入力開放時

) C

ob (

pF)

10.4

10

102

103

104

1.41.21.00.80.6

VO = 5 VTa = 25°C

出力電流

IO

(µA

)

入力電圧 VIN (V)

0.010.1

0.1

1

10

100

1 10 100

VO = 0.2 VTa = 25°C

入力電圧

VIN

(V

)

出力電流 IO (mA)

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

Page 17: 抵抗内蔵トランジスタ UNR221xシリーズ シリーズ …...抵抗内蔵トランジスタ 発行年月 : 2003年12月 SJH00010BJD 1 UNR221xシリーズシリーズシリーズ

本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項

(1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出

管理に関する法令を遵守してください。

(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権

もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三

者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。

(3) 本書に記載の製品は、標準用途 - 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること

を意図しております。

特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途

- 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊

社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。

(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した

がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認

ください。

(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願

いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、

超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器

の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。

また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊

社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、

誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による

故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。

また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた

条件を守ってご使用ください。

(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

090506

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。