三菱パワーデバイスSiCパワーモジュール

HG-801D　岡-1604〈IP〉 ©2016 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2016年4月 作成

三菱SiCパワーモジュール

（営業お問い合わせ窓口）代理店

菱洋エレクトロ株式会社 福岡営業所 （092）474-4311菱電商事株式会社 九州支社 （092）736-5759

株式会社カナデン 九州支店 （093）561-6483株式会社たけびし 九州支店 （092）473-7580

菱洋エレクトロ株式会社 大阪支店 （06）6455-5121　京都営業所 （075）371-5751株式会社立花エレテック （06）6539-2707　神戸支店 （078）332-7812協栄産業株式会社 大阪営業所 （06）6343-9663菱電商事株式会社 関西支社 （06）4797-3956　京都支店 （075）231-4396　姫路営業所 （079）287-2000

加賀デバイス株式会社 関西支店 （06）6105-0449株式会社カナデン 関西支社 （06）6763-6809株式会社たけびし （075）325-2211　大阪支店 （06）6341-5081萬世電機株式会社 （06）6454-8233東海エレクトロニクス株式会社 大阪支店 （06）6310-6115

菱洋エレクトロ株式会社 名古屋支店 （052）203-0277株式会社立花エレテック 名古屋支社 （052）935-1619協栄産業株式会社 名古屋支店 （052）332-3861菱電商事株式会社 名古屋支社 （052）211-1217　静岡支社 （054）286-2215　浜松支店 （053）469-0576岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 （052）204-8302　刈谷支店 （0566）21-3222

東海エレクトロニクス株式会社本社 （052）261-3215　津支店 （059）226-0515　小牧支店 （0568）75-4701中部三菱電機機器販売株式会社本社 （052）889-0032エレックヒシキ株式会社本社 （052）704-2121株式会社菱和 浜松支店 （053）450-3162

菱洋エレクトロ株式会社 （03）5565-1511　大宮支店 （048）614-8841　八王子支店 （042）645-8531　横浜支店 （045）474-1011　松本支店 （0263）36-8011株式会社立花エレテック 東京支社 （03）6400-3619協栄産業株式会社 （03）3481-2044　栃木営業所 （028）683-3011　日立営業所 （029）272-3911　群馬営業所 （027）327-4345

菱電商事株式会社 （03）5396-6224　東京支社 神奈川支店 （045）264-7125　北関東支社 （027）280-5515加賀デバイス株式会社 （03）5657-0144株式会社カナデン （03）3433-1227株式会社たけびし 東京支店 （045）474-3259萬世電機株式会社 東京支店 （03）3219-1800株式会社コシダテック （03）5789-1615東海エレクトロニクス株式会社 東京支店 （03）3704-2587

菱洋エレクトロ株式会社 仙台支店 （022）266-3800協栄産業株式会社 東北支店 （022）232-7711

菱電商事株式会社 東北支社 （022）217-5722株式会社カナデン 東北支店 （022）266-3118

協栄産業株式会社 新潟営業所 （025）281-1171

協栄産業株式会社 北海道支店 （011）642-6101

菱電商事株式会社 広島支社 （082）227-5411 山陽三菱電機販売株式会社 （082）243-9300

立花エレテック 北陸支店 （076）233-3505 菱電商事株式会社 北陸支店 （076）224-4102

菱電商事株式会社 四国支社 （087）885-3913

関西支社 大阪府大阪市北区大深町4番20号（グランフロント大阪タワーA） 半導体・デバイス部 　第一営業課 （06）6486-4500 　第二営業課 （06）6486-4508 　第三営業課 （06）6486-4509 　第四営業課 （06）6486-4519

九州支社 福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号（天神ビル） 本社 パワーデバイス営業部 　第三営業課 九州支社駐在 （092）721-2146

中部支社 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号（大名古屋ビルヂング） 半導体・デバイス部 　第一営業課 （052）565-3339 　第二営業課 （052）565-3268 　第三営業課 （052）565-3269 　第四営業課 （052）565-3278

本　　社 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル） パワーデバイス営業部 　第一営業課 （03）3218-3239 　第二営業課 （03）3218-3239 液晶営業部 　第二営業課 （03）3218-3736 高周波光デバイス営業第二部 　国内営業課 （03）3218-4880

本社地区

中部支社地区

関西支社地区

九州支社地区

（2016年3月1日現在）三菱電機本社・支社・支店

半導体・デバイス事業本部　〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）

http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 〈三菱半導体ホームページ〉

（技術・資料お問い合わせ）

お問い合わせ先

21

＊SiC:Silicon Carbide（炭化ケイ素）　シリコンと炭素を1:1で結合した化合物

各機器へのSiCパワーモジュール搭載

メリット

ビル設備電力損失の低減機器の小型化によるレイアウトの自由度増

自動車電力損失の低減冷却システムの小型化回生電力の有効活用

家電さらなる省エネ化冷却システムの小型化機器の小型・薄型化

鉄道車両用インバーターの小型・軽量化回生電力の増加騒音の低減

産業高トルク化・高速化・小型化冷却システムの小型化工作機械の生産性向上

エネルギーエネルギー変換効率の向上受動部品の小型化高速動作による騒音の低減

優れた特性を持つSiC

鉄道車両、産業機器、ビル設備、電気自動車、再生可能エネルギー、家電…

これらパワーエレクトロニクス機器の省エネ化のキーデバイスとしてパワーデバイスが欠かせません。

そこで注目されているのが、新材料のSiC＊。

SiCは材料の特性により電力損失を飛躍的に低減させ、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化が可能です。

三菱電機は、1990年代初めにSiCの要素技術開発をスタートし、SiC搭載品の実用化で省エネ効果をすでに実証しています。

革新的なSiCパワーモジュールで、低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。

Innovative Power Devicesfor a Sustainable Future

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の１に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。

電力損失の低減従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約３倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

高温度動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD（Schottky Barrier Diode）を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

高速スイッチング動作SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約３倍となるため、放熱性が向上します。

高い放熱効果

Si SiC

熱伝導率がSiの約3倍

伝導帯

バンドギャップ 約3倍

価電子帯

SiC 高温

ハイブリッドSiCモジュール

SiCSi

Ic：500A/div

ターンオンスイッチング波形

Vce：250V/div

t：1μs/div

高速スイッチング動作を実現

抵抗値が大幅に低減

Si

ドレイン電極Si基板

n-n+

ソース ソースゲート

n+p p

Si-MOSFETの構造

SiC

ドレイン電極

SiC-MOSFETの構造

電流の流れ

n-n+ソース ソース

ゲート

n+p pSiC基板

101

■技術用語 SiCIPMDIPIPM

DIPPFC

SBDMOSFETIGBTTr

Silicon Carbide（炭化ケイ素）Intelligent Power ModuleDual-In-Line Package Intelligent Power Module

Dual-In-Line Package Power Factor Correction

Schottky Barrier DiodeMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorInsulated Gate Bipolar TransistorTransistor

FWD-SWFWD-DCTr-SWTr-DCIGBT-SWIGBT-DCPV

CSTBT

ダイオードのスイッチング損失ダイオードのDC損失トランジスターのスイッチング損失トランジスターのDC損失IGBTのスイッチング損失IGBTのDC損失Photovoltaics太陽光発電

キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT

力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール

保護機能付き制御素子を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール

用途別に適した各種SiCパワーモジュール

PMH200CS1D060PMH75CL1A120PMF75CL1A120PMF75B4L1A060FMF400BX-24AFMF800DX-24ACMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFHCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFHCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFHPSH50YA2A6CMH1200DC-34SPSF15S92F6PSH20L91A6-APSF20L91A6-A

フルSiC-IPMハイブリッドSiC-IPM

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュール

PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

ハイブリッドSiCパワーモジュール超小型フルSiC DIPIPMTM

超小型ハイブリッドSiC DIPPFCTM

超小型フルSiC DIPPFCTM

200電流[A]

定格

P3

P4

P5

P6

P7

掲載ページ製品名 形名用途

産業

鉄道

家電

回路構成 ステイタス電圧[V]

フルSiCパワーモジュールPV用フルSiC-IPM

75

75400800

600

1200

1200

60012001200

6001700600600

6 in 1

2 in 1

6 in 1

4 in 14 in 12 in 1

4 in 12 in 16 in 1

インターリーブ

10015020030040060050

120015

20Arms

発売中サンプル提供中サンプル提供中サンプル提供中

発売中発売中

発売中

発売中発売中発売中発売中発売中

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＊SiC:Silicon Carbide（炭化ケイ素）　シリコンと炭素を1:1で結合した化合物

各機器へのSiCパワーモジュール搭載

メリット

ビル設備電力損失の低減機器の小型化によるレイアウトの自由度増

自動車電力損失の低減冷却システムの小型化回生電力の有効活用

家電さらなる省エネ化冷却システムの小型化機器の小型・薄型化

鉄道車両用インバーターの小型・軽量化回生電力の増加騒音の低減

産業高トルク化・高速化・小型化冷却システムの小型化工作機械の生産性向上

エネルギーエネルギー変換効率の向上受動部品の小型化高速動作による騒音の低減

優れた特性を持つSiC

鉄道車両、産業機器、ビル設備、電気自動車、再生可能エネルギー、家電…

これらパワーエレクトロニクス機器の省エネ化のキーデバイスとしてパワーデバイスが欠かせません。

そこで注目されているのが、新材料のSiC＊。

SiCは材料の特性により電力損失を飛躍的に低減させ、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化が可能です。

三菱電機は、1990年代初めにSiCの要素技術開発をスタートし、SiC搭載品の実用化で省エネ効果をすでに実証しています。

革新的なSiCパワーモジュールで、低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。

Innovative Power Devicesfor a Sustainable Future

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の１に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。

電力損失の低減従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約３倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

高温度動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD（Schottky Barrier Diode）を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

高速スイッチング動作SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約３倍となるため、放熱性が向上します。

高い放熱効果

Si SiC

熱伝導率がSiの約3倍

伝導帯

バンドギャップ 約3倍

価電子帯

SiC 高温

ハイブリッドSiCモジュール

SiCSi

Ic：500A/div

ターンオンスイッチング波形

Vce：250V/div

t：1μs/div

高速スイッチング動作を実現

抵抗値が大幅に低減

Si

ドレイン電極Si基板

n-n+

ソース ソースゲート

n+p p

Si-MOSFETの構造

SiC

ドレイン電極

SiC-MOSFETの構造

電流の流れ

n-n+ソース ソース

ゲート

n+p pSiC基板

101

■技術用語 SiCIPMDIPIPM

DIPPFC

SBDMOSFETIGBTTr

Silicon Carbide（炭化ケイ素）Intelligent Power ModuleDual-In-Line Package Intelligent Power Module

Dual-In-Line Package Power Factor Correction

Schottky Barrier DiodeMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorInsulated Gate Bipolar TransistorTransistor

FWD-SWFWD-DCTr-SWTr-DCIGBT-SWIGBT-DCPV

CSTBT

ダイオードのスイッチング損失ダイオードのDC損失トランジスターのスイッチング損失トランジスターのDC損失IGBTのスイッチング損失IGBTのDC損失Photovoltaics太陽光発電

キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT

力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール

保護機能付き制御素子を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール

用途別に適した各種SiCパワーモジュール

PMH200CS1D060PMH75CL1A120PMF75CL1A120PMF75B4L1A060FMF400BX-24AFMF800DX-24ACMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFHCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFHCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFHPSH50YA2A6CMH1200DC-34SPSF15S92F6PSH20L91A6-APSF20L91A6-A

フルSiC-IPMハイブリッドSiC-IPM

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュール

PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

ハイブリッドSiCパワーモジュール超小型フルSiC DIPIPMTM

超小型ハイブリッドSiC DIPPFCTM

超小型フルSiC DIPPFCTM

200電流[A]

定格

P3

P4

P5

P6

P7

掲載ページ製品名 形名用途

産業

鉄道

家電

回路構成 ステイタス電圧[V]

フルSiCパワーモジュールPV用フルSiC-IPM

75

75400800

600

1200

1200

60012001200

6001700600600

6 in 1

2 in 1

6 in 1

4 in 14 in 12 in 1

4 in 12 in 16 in 1

インターリーブ

10015020030040060050

120015

20Arms

発売中サンプル提供中サンプル提供中サンプル提供中

発売中発売中

発売中

発売中発売中発売中発売中発売中

3 4

■特長

■内部ブロック図

産業用 600V/200A ハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060

・IPM用の電流センス、温度センス機能付IGBTとSiC-SBDのハイブリッドで 高機能化と低損失化を実現し、モーターの高トルク化・高速化が可能・従来品※と比較しリカバリー損失（Err）を95%削減・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能※ 当社製S1シリーズ　PM200CS1D060

駆動回路・保護機能を内蔵したIPMにSiC-SBDを搭載電力損失約20%低減で産業機器の性能向上に貢献

■特長

■内部ブロック図

産業用 1200V/75A ハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120

・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ、電力損失を大幅に低減・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IPM L1シリーズ　PM75CL1A120

駆動回路・保護機能を内蔵し、高機能化を実現■主な仕様

1200V/75A 6in1定　格

搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護・過熱保護

P

N

U V W

：SiC-SBD搭載箇所

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

ドレイン

センス ソース

ゲート

電流センス機能付きSiC-MOSFET

N

P

U V W

フル SiC-IPM

発売中

サンプル提供中

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition:Vcc=300V, Io=85Arms, fc=15kHz, VD=15V,P.F=1, Modulation=1 , 三相変調, Tj=125℃

Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM

約20％低減

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

Condition:Vcc=600V, Io=31Arms（インバーター15kW想定）, fc=15kHz, P.F=0.9, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃

Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM フルSiC-IPM

約25％低減

約70％低減

■特長

■内部ブロック図

PV用 600V/75A フルSiC-IPMPMF75B4L1A060

・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ電力損失を約50%低減・電力変換効率の向上や高周波動作により リアクトルの小型化が可能・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能　※ 当社製IPM　PM75B4LA060

太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上や高周波化による周辺部品の小型化に貢献

■従来品との　パッケージ比較

■特長・従来品※に比べ電力損失を約70%低減・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンスパッケージを採用・従来品※に比べ大幅にパッケージが小型となり、設置面積が約60% 削減することで、インバーター機器の小型化・軽量化に貢献※ 当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1) を2個使用した場合

設置面積約60％の削減を実現産業用インバーターの小型化・軽量化に貢献

■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール

産業用 1200V/400A・1200V/800A フルSiCパワーモジュールFMF400BX-24A/FMF800DX-24A

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

電力

損失［

W］

Condition:Vcc=600V, Io=222Arms（110kWインバーター想定）, fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃

IGBTモジュール（Si） フルSiCモジュール

約70％低減

■製品ラインアップ

産業機器 92.3 × 121.7mm1200V

外形サイズ（D）×（W）回路構成定格電流定格電圧用途400A800A

4 in 12 in 1

1200V/400A品（4in1） 1個または1200V/800A品（2in1） 1個

フルSiCパワーモジュール

1200V/400A品（2in1） 2個Siパワーモジュール

設置面積約60％

削減

発売中

サンプル提供中

■主な仕様600V/75A 4in1定　格

搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

ドレイン

センス ソース

ゲート

電流センス機能付きSiC-MOSFET

N

P

U V

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

Condition : Vcc=300V,fc=20kHz,Io=27.5Arms,P.F=1,Modulation=1,Tj=125℃Si-IPM フルSiC-IPM

約50％低減

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■特長

■内部ブロック図

産業用 600V/200A ハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060

・IPM用の電流センス、温度センス機能付IGBTとSiC-SBDのハイブリッドで 高機能化と低損失化を実現し、モーターの高トルク化・高速化が可能・従来品※と比較しリカバリー損失（Err）を95%削減・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能※ 当社製S1シリーズ　PM200CS1D060

駆動回路・保護機能を内蔵したIPMにSiC-SBDを搭載電力損失約20%低減で産業機器の性能向上に貢献

■特長

■内部ブロック図

産業用 1200V/75A ハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120

・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ、電力損失を大幅に低減・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IPM L1シリーズ　PM75CL1A120

駆動回路・保護機能を内蔵し、高機能化を実現■主な仕様

1200V/75A 6in1定　格

搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護・過熱保護

P

N

U V W

：SiC-SBD搭載箇所

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

ドレイン

センス ソース

ゲート

電流センス機能付きSiC-MOSFET

N

P

U V W

フル SiC-IPM

発売中

サンプル提供中

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition:Vcc=300V, Io=85Arms, fc=15kHz, VD=15V,P.F=1, Modulation=1 , 三相変調, Tj=125℃

Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM

約20％低減

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

Condition:Vcc=600V, Io=31Arms（インバーター15kW想定）, fc=15kHz, P.F=0.9, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃

Si-IPM ハイブリッドSiC-IPM フルSiC-IPM

約25％低減

約70％低減

■特長

■内部ブロック図

PV用 600V/75A フルSiC-IPMPMF75B4L1A060

・駆動回路・保護機能を内蔵し高機能化を実現・従来品※に比べ電力損失を約50%低減・電力変換効率の向上や高周波動作により リアクトルの小型化が可能・従来品※と互換パッケージにより置き換えが可能　※ 当社製IPM　PM75B4LA060

太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上や高周波化による周辺部品の小型化に貢献

■従来品との　パッケージ比較

■特長・従来品※に比べ電力損失を約70%低減・SiCの性能をフルに発揮する低インダクタンスパッケージを採用・従来品※に比べ大幅にパッケージが小型となり、設置面積が約60% 削減することで、インバーター機器の小型化・軽量化に貢献※ 当社製IGBTモジュール CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1) を2個使用した場合

設置面積約60％の削減を実現産業用インバーターの小型化・軽量化に貢献

■電力損失比較 1200V/800AフルSiCパワーモジュール

産業用 1200V/400A・1200V/800A フルSiCパワーモジュールFMF400BX-24A/FMF800DX-24A

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

電力

損失［

W］

Condition:Vcc=600V, Io=222Arms（110kWインバーター想定）, fc=15kHz, P.F=0.8, Modulation=1 ,三相変調, Tj=125℃

IGBTモジュール（Si） フルSiCモジュール

約70％低減

■製品ラインアップ

産業機器 92.3 × 121.7mm1200V

外形サイズ（D）×（W）回路構成定格電流定格電圧用途400A800A

4 in 12 in 1

1200V/400A品（4in1） 1個または1200V/800A品（2in1） 1個

フルSiCパワーモジュール

1200V/400A品（2in1） 2個Siパワーモジュール

設置面積約60％

削減

発売中

サンプル提供中

■主な仕様600V/75A 4in1定　格

搭載機能・駆動回路内蔵・制御電源電圧低下保護・短絡保護

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

ドレイン

センス ソース

ゲート

電流センス機能付きSiC-MOSFET

N

P

U V

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWTr_DC

Condition : Vcc=300V,fc=20kHz,Io=27.5Arms,P.F=1,Modulation=1,Tj=125℃Si-IPM フルSiC-IPM

約50％低減

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■特長

■リカバリー波形（FWD）

高周波用 ハイブリッドSiCパワーモジュール

・電力損失の約40％低減により 機器の高効率・小型・軽量化に貢献・低インダクタンスパッケージでサージ 電圧を抑制･従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IGBTモジュール NFHシリーズ

高周波スイッチングを行うパワーエレクトロニクス機器に最適

発売中

4 2

3 1

（E1） （C2）

Si-IGBTSi-IGBT

C2

G2G1

E1

C1 E2

（C1） （E2）

鉄道車両インバーター用に適した大容量・低損失・高信頼性設計モジュール■特長

■内部ブロック図

鉄道車両インバーター用 ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S

・従来品※に比べ電力損失を30%低減・鉄道用途に適した高信頼性設計・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製パワーモジュールCM1200DC-34N

■主な仕様150℃

4000Vrms2.3V

140mJ390mJ2.3V

9.0μC

最大動作温度絶縁耐電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

モジュール特性

IGBT部特性＠150℃

ダイオード部特性＠150℃

エミッタ・コレクタ間電圧容量性電荷

ターンオンターンオフ

スイッチング損失850V、1200A

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition：Vcc=850V、Io=600Arms、fc=1kHz、P.F=1、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃

CM1200DC-34N CMH1200DC-34S

約30％低減

：SiC-SBD搭載箇所

発売中

エアコンなど家電製品の通年エネルギー消費効率改善や産業機器の使いやすさ向上に貢献■特長

■内部ブロック図

家電用 600V/15A超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6

■電力損失比較

Condition：Vcc=600V、Io=600Ap、fc=15kHz、P.F=0.8、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃

200ns/div

IE：100A/div

CMH600DU-24NFH（ハイブリッドSiC）

CM600DU-24NFH（Si-IGBT）

■製品ラインアップ外形サイズ（D）×（W）回路構成定格電流定格電圧型名用途

産業機器

CMH100DY-24NFH

CMH150DY-24NFH

CMH200DU-24NFH

CMH300DU-24NFH

CMH400DU-24NFH

CMH600DU-24NFH

100A

150A

200A

300A

400A

600A

1200V 2 in 1

48 × 94mm

48 × 94mm

62 × 108mm

62 × 108mm

80 × 110mm

80 × 110mm

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上に貢献■特長

PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

PSH50YA2A6

・ダイオード部にSiC-SBD、トランジスタ部にCSTBTTM構造の 第7世代IGBTを搭載・従来品※に比べ、電力損失を約25%低減・短絡保護方式の変更により、インバーターシステムの小型化を実現※ 当社製 大型DIPIPMTM PS61A99

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition：Vcc=300V, Io=25Arms, P.F=0.8, fc=10kHz, Tj=125℃

Si DIPIPMTM Hybrid SiC DIPIPMTM

約25％低減

■電力損失比較

電力

損失［

W］

Di_SWDi_DC

Tr_SWTr_DC

Vcc=300V, VD=15V(Si),18V(SiC), fc=15kHz, P.F=0.95, Modulation=0.8, Io=1.5Arms, Tj=125℃

Si DIPIPMTM フルSiC DIPIPMTM

約70％低減

■内部ブロック図 ：SiC-SBD搭載箇所

VVP1

VVPC

VN1VNWNFOVNC

CFO VSC

N

VW

PVWP1

VWPCWP

WNVCIN

LVIC

LVIC

VP

LVIC

電力

損失［

W］

CM600DU-24NFH（Si-IGBT）

CMH600DU-24NFH（ハイブリッドSiC）

約40％低減

発売中 NEW

・SiC-MOSFET搭載によりオン抵抗の低減化を実現し、従来品※に比べ電力損失を約70%低減・リカバリー電流の低減で低ノイズなシステムが可能・Ｐ側電源用ブートストラップダイオード、温度情報出力など豊富な機能を搭載・当社独自技術の高Vth SiC-MOSFET搭載により、ゲート駆動用の負バイアス回路が不要・従来品※とパッケージおよびピン配置の互換性を確保し、本製品に切り替えるだけで性能が向上　

※ 超小型DIPIPMTM シリーズ

NW NV NU W

LVIC HVIC

V U P

5 6

■特長

■リカバリー波形（FWD）

高周波用 ハイブリッドSiCパワーモジュール

・電力損失の約40％低減により 機器の高効率・小型・軽量化に貢献・低インダクタンスパッケージでサージ 電圧を抑制･従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製IGBTモジュール NFHシリーズ

高周波スイッチングを行うパワーエレクトロニクス機器に最適

発売中

4 2

3 1

（E1） （C2）

Si-IGBTSi-IGBT

C2

G2G1

E1

C1 E2

（C1） （E2）

鉄道車両インバーター用に適した大容量・低損失・高信頼性設計モジュール■特長

■内部ブロック図

鉄道車両インバーター用 ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S

・従来品※に比べ電力損失を30%低減・鉄道用途に適した高信頼性設計・従来品※と互換パッケージにより 置き換えが可能※ 当社製パワーモジュールCM1200DC-34N

■主な仕様150℃

4000Vrms2.3V

140mJ390mJ2.3V

9.0μC

最大動作温度絶縁耐電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

モジュール特性

IGBT部特性＠150℃

ダイオード部特性＠150℃

エミッタ・コレクタ間電圧容量性電荷

ターンオンターンオフ

スイッチング損失850V、1200A

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition：Vcc=850V、Io=600Arms、fc=1kHz、P.F=1、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃

CM1200DC-34N CMH1200DC-34S

約30％低減

：SiC-SBD搭載箇所

発売中

エアコンなど家電製品の通年エネルギー消費効率改善や産業機器の使いやすさ向上に貢献■特長

■内部ブロック図

家電用 600V/15A超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6

■電力損失比較

Condition：Vcc=600V、Io=600Ap、fc=15kHz、P.F=0.8、Modulation=1、 三相変調、Tj=125℃

200ns/div

IE：100A/div

CMH600DU-24NFH（ハイブリッドSiC）

CM600DU-24NFH（Si-IGBT）

■製品ラインアップ外形サイズ（D）×（W）回路構成定格電流定格電圧型名用途

産業機器

CMH100DY-24NFH

CMH150DY-24NFH

CMH200DU-24NFH

CMH300DU-24NFH

CMH400DU-24NFH

CMH600DU-24NFH

100A

150A

200A

300A

400A

600A

1200V 2 in 1

48 × 94mm

48 × 94mm

62 × 108mm

62 × 108mm

80 × 110mm

80 × 110mm

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

太陽光発電システム用パワーコンディショナーの電力変換効率の向上に貢献■特長

PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

PSH50YA2A6

・ダイオード部にSiC-SBD、トランジスタ部にCSTBTTM構造の 第7世代IGBTを搭載・従来品※に比べ、電力損失を約25%低減・短絡保護方式の変更により、インバーターシステムの小型化を実現※ 当社製 大型DIPIPMTM PS61A99

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

IGBT_SWIGBT_DC

Condition：Vcc=300V, Io=25Arms, P.F=0.8, fc=10kHz, Tj=125℃

Si DIPIPMTM Hybrid SiC DIPIPMTM

約25％低減

■電力損失比較

電力

損失［

W］

Di_SWDi_DC

Tr_SWTr_DC

Vcc=300V, VD=15V(Si),18V(SiC), fc=15kHz, P.F=0.95, Modulation=0.8, Io=1.5Arms, Tj=125℃

Si DIPIPMTM フルSiC DIPIPMTM

約70％低減

■内部ブロック図 ：SiC-SBD搭載箇所

VVP1

VVPC

VN1VNWNFOVNC

CFO VSC

N

VW

PVWP1

VWPCWP

WNVCIN

LVIC

LVIC

VP

LVIC

電力

損失［

W］

CM600DU-24NFH（Si-IGBT）

CMH600DU-24NFH（ハイブリッドSiC）

約40％低減

発売中 NEW

・SiC-MOSFET搭載によりオン抵抗の低減化を実現し、従来品※に比べ電力損失を約70%低減・リカバリー電流の低減で低ノイズなシステムが可能・Ｐ側電源用ブートストラップダイオード、温度情報出力など豊富な機能を搭載・当社独自技術の高Vth SiC-MOSFET搭載により、ゲート駆動用の負バイアス回路が不要・従来品※とパッケージおよびピン配置の互換性を確保し、本製品に切り替えるだけで性能が向上　

※ 超小型DIPIPMTM シリーズ

NW NV NU W

LVIC HVIC

V U P

SiCパワーモジュールラインアップ

7 8

TAB#110,t=0.5

80±0.25

94

48 13

47.5

21.2

184

121212

2323 1717

2-φ6.5MOUNTING HOLES

3-M5 NUTS

7716 16 16

LABEL29+1

.0–0

.5

TAB#110,t=0.5

29+1 –0

.58.8

58.2

5

4

4-φ6.5 MOUNTING HOLES3-M6 NUTS

108

62

18 187 7 18

8.522

2.84

7.56

156

717

.5

14 14 14

25 2.521.525

Tc measured point7.57.5

LABEL

25.7

18

48±

0.25

93±0.25

3-M6 NUTS

4-φ6.5 MOUTINGHOLES

(8.5)

(22.

2)

9.25(

10)

(8.5)

(9)

(9)

93±0.25

62±

0.25

110

17.5

18.2

5

80

615

6

2514 14 14

25 21.5

LABEL29+1

.0–0

.5

21.2

8.5

18 18 187 7 TAB#110. t=0.5

106

19.753.25

7

16 15.25 2-φ5.5

6-M5NUTS

MOUNTINGHOLES

6-23-23-23-2

10.75

712

(SCR

EWIN

G DE

PTH)

19-□0.5

32.75 23 23 23

1331

5511.

7532

13.5

17.5

17.5

19.75

1214

.5

1616

12011

1 5 9 13 19

12

5-M4 NUTネジ深さ7.5

23.79 2-2.

54

2-2.

54

2-2.

54

5-2.5410.16 10.16

15

3

197

19 19 19

10.16

106 ±0.3

28 6.5

211

.61.

1

10

16.5

30

7

120

1 4

967.4

5.5750 398.

52.

525

1.65 7 10 15

31.2 42

.7

LABEL

2-φ5.5MOUNTINGHOLES

2-R7

15-□0.64

13.64

（3）

（20

.5）

13

4.06 18.8 57.15

3.81

3.81

3.81

3.81

3.81

19.05 3.5

177

121.7

94.539

13.64

41.352244

7.75110±0.5

50±

0.5

57.5

6292.3

4-φ5.5 MOUNTING HOLES

3.75

6.5（

21.14

）

6-M6 NUTS

612222221.14

3918.4923.72

6.7239

11.85±0.2

20±

0.1

4 2

3 1

130±0.557±0.25 57±0.25

140±

0.5

124±

0.25

30±

0.2

55.2±0.3

6-φ7 MOUNTING HOLES

4-M8 NUTS

6-M4 NUTS

53±0.2 57±0.240±0.2 44±0.2

5±0.

2

SCREWING DEPTHMIN. 16.5

SCREWING DEPTHMIN. 7.7

38+1 -0

18±0.216±0.2

38±0.520x1.778(-35.56)

35±0.3

14-0.5

18

18

25

1

0.28

14x2.54(-35.56)

12(2

.2)

2-R1.6 24

±0.

5(1

)

1.778±0.2

4-C1.2

HEAT SINK SIDE

1

8-0.6

0.450.45

0.45 0.450.2

0.25

0.282.54±0.2

14±

0.5

5.5±

0.5

Lot No.Type name

3MIN

SiC搭載で高周波スイッチングに対応可能となり周辺部品の小型化に貢献■特長

■内部ブロック図（フルSiC DIPPFC™）

家電用 超小型ハイブリッド/ フルSiC DIPPFCTM

PSH20L91A6-A / PSF20L91A6-A

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWoffTr_SWon

Tr_DC

Si DIPPFC™ フルSiC DIPPFC™

Condition:Vin=240Vrms, Vout=370V, Ic=20Arms, fc=40kHz, Tj=125℃

■インターリーブPFC回路構成（ハイブリッドSiC DIPPFC™の場合）

■SiC DIPPFCTMとDIPIPMTMの併用によるメリット

MCU 駆動IC

Si-IGBT

VD

Vin1

Vin2

Fo

CFo

GND

P1P2L1

L2

N2

N1

AC input

インバーター部

ハイブリッドSiC DIPPFC™高周波動作により

リアクトルの小型化可能

PFC回路および駆動IC内蔵により実装面積の減少、配線パターンの簡略化などの小型化が可能

ヒートシンク取り付け時の高さあわせのスペーサが不要 メリット②メリット①

インターリーブPFC回路がディスクリート素子構成の場合 DIPIPMTM・DIPPFCTM構成の場合

高さ合わせスペーサ

PFC駆動、保護回路部品Di Tr Di Tr DIPIPMTM SiC DIPPFCTM DIPIPMTM

+

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

PFC回路および駆動IC内蔵により実装面積の減少、配置パターンの簡略化などの小型化が可能

約45％低減

：SiC-SBD搭載箇所

・SiCチップ搭載により高周波スイッチング(40kHzまで)に対応可能となり、リアクトルやヒートシンクなどの周辺部品の小型化が可能

・超小型DIPIPMTM と同一パッケージのため、インバーター部とヒートシンクを共用する際に高さ合わせのスペーサーが不要となり実装が容易

駆動IC

VDP1P2

L1L2

N2

N1

Vin1Vin2

FoCFo

GNDCin1Cin2

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM PSF15S92F6-A超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM

PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A長尺

鉄道車両インバーター用1700V/1200AハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S

PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

PSH50YA2A6

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFH

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFH

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFH

産業用1200V/400A，1200V/800AフルSiCパワーモジュールFMF400BX-24AFMF800DX-24A

産業用1200V/75Aハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120PV用600V/75AフルSiC IPM PMF75B4L1A060

産業用600V/200AハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060

Unit :mm

＊暫定形名

(2.54×10)

1.8

8.6

0.8 22.7

168

10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3

70 ±0.379 ±0.5

2.54±0.3

31±0

.5

A = 2.54±0.3B = 5.08±0.3

B B B

12 53 4 6 87 9 1110 15 1716 20

303132

333440

294241

18 191412 13

B

B

B

A A A AA A

A 2.8

12.7

Type name , Lot No. 2-ø4.5±0.2

発売中

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6短尺

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6-C制御側千鳥

4-C1.218 25

17 1

Type nameLot No.

16-0.5

0.5 0.5 0.5

35±0.3

8-0.6

20X1.778(=35.56)38±0.5

12

24±0

.5(1

)9.

5±0.

5

5.5±

0.5

0.28

14X2.54(=35.56)2.54±0.2

0.281.778±0.2

3 MIN2-R

1.6

HEAT SINK SIDE

4-C1.218 25

17 1

16-0.5

0.50.5

0.50.5

8-0.6

35±0.320X1.778(=35.56)

38±0.5

24±0

.5(1

)

14X2.54(=35.56)

0.282.54±0.2

0.281.778±0.2

12 2-R1.6

5.5±

0.5

9.5±

0.5

HEAT SINK SIDE

3 MIN

Type nameLot No.

SiCパワーモジュールラインアップ

7 8

TAB#110,t=0.5

80±0.25

94

48 13

47.5

21.2

184

121212

2323 1717

2-φ6.5MOUNTING HOLES

3-M5 NUTS

7716 16 16

LABEL29+1

.0–0

.5

TAB#110,t=0.5

29+1 –0

.58.8

58.2

5

4

4-φ6.5 MOUNTING HOLES3-M6 NUTS

108

62

18 187 7 18

8.522

2.84

7.56

156

717

.5

14 14 14

25 2.521.525

Tc measured point7.57.5

LABEL

25.7

18

48±

0.25

93±0.25

3-M6 NUTS

4-φ6.5 MOUTINGHOLES

(8.5)

(22.

2)

9.25(

10)

(8.5)

(9)

(9)

93±0.25

62±

0.25

110

17.5

18.2

5

80

615

6

2514 14 14

25 21.5

LABEL29+1

.0–0

.5

21.2

8.5

18 18 187 7 TAB#110. t=0.5

106

19.753.25

7

16 15.25 2-φ5.5

6-M5NUTS

MOUNTINGHOLES

6-23-23-23-2

10.75

712

(SCR

EWIN

G DE

PTH)

19-□0.5

32.75 23 23 23

1331

5511.

7532

13.5

17.5

17.5

19.75

1214

.5

1616

12011

1 5 9 13 19

12

5-M4 NUTネジ深さ7.5

23.79 2-2.

54

2-2.

54

2-2.

545-2.5410.16 10.16

15

3

197

19 19 19

10.16

106 ±0.3

28 6.5

211

.61.

1

10

16.5

30

7

120

1 4

967.4

5.5750 398.

52.

525

1.65 7 10 15

31.2 42

.7

LABEL

2-φ5.5MOUNTINGHOLES

2-R7

15-□0.64

13.64

（3）

（20

.5）

13

4.06 18.8 57.15

3.81

3.81

3.81

3.81

3.81

19.05 3.5

177

121.7

94.539

13.64

41.352244

7.75110±0.5

50±

0.5

57.5

6292.3

4-φ5.5 MOUNTING HOLES

3.75

6.5（

21.14

）

6-M6 NUTS

612222221.14

3918.4923.72

6.7239

11.85±0.2

20±

0.1

4 2

3 1

130±0.557±0.25 57±0.25

140±

0.5

124±

0.25

30±

0.2

55.2±0.3

6-φ7 MOUNTING HOLES

4-M8 NUTS

6-M4 NUTS

53±0.2 57±0.240±0.2 44±0.2

5±0.

2

SCREWING DEPTHMIN. 16.5

SCREWING DEPTHMIN. 7.7

38+1 -0

18±0.216±0.2

38±0.520x1.778(-35.56)

35±0.3

14-0.5

18

18

25

1

0.28

14x2.54(-35.56)

12(2

.2)

2-R1.6 24

±0.

5(1

)

1.778±0.2

4-C1.2

HEAT SINK SIDE

1

8-0.6

0.450.45

0.45 0.450.2

0.25

0.282.54±0.2

14±

0.5

5.5±

0.5

Lot No.Type name

3MIN

SiC搭載で高周波スイッチングに対応可能となり周辺部品の小型化に貢献■特長

■内部ブロック図（フルSiC DIPPFC™）

家電用 超小型ハイブリッド/ フルSiC DIPPFCTM

PSH20L91A6-A / PSF20L91A6-A

■電力損失比較

電力

損失［

W］

FWD_SWFWD_DC

Tr_SWoffTr_SWon

Tr_DC

Si DIPPFC™ フルSiC DIPPFC™

Condition:Vin=240Vrms, Vout=370V, Ic=20Arms, fc=40kHz, Tj=125℃

■インターリーブPFC回路構成（ハイブリッドSiC DIPPFC™の場合）

■SiC DIPPFCTMとDIPIPMTMの併用によるメリット

MCU 駆動IC

Si-IGBT

VD

Vin1

Vin2

Fo

CFo

GND

P1P2L1

L2

N2

N1

AC input

インバーター部

ハイブリッドSiC DIPPFC™高周波動作により

リアクトルの小型化可能

PFC回路および駆動IC内蔵により実装面積の減少、配線パターンの簡略化などの小型化が可能

ヒートシンク取り付け時の高さあわせのスペーサが不要 メリット②メリット①

インターリーブPFC回路がディスクリート素子構成の場合 DIPIPMTM・DIPPFCTM構成の場合

高さ合わせスペーサ

PFC駆動、保護回路部品Di Tr Di Tr DIPIPMTM SiC DIPPFCTM DIPIPMTM

+

：SiC-SBD搭載箇所：SiC-MOSFET搭載箇所

PFC回路および駆動IC内蔵により実装面積の減少、配置パターンの簡略化などの小型化が可能

約45％低減

：SiC-SBD搭載箇所

・SiCチップ搭載により高周波スイッチング(40kHzまで)に対応可能となり、リアクトルやヒートシンクなどの周辺部品の小型化が可能

・超小型DIPIPMTM と同一パッケージのため、インバーター部とヒートシンクを共用する際に高さ合わせのスペーサーが不要となり実装が容易

駆動IC

VDP1P2

L1L2

N2

N1

Vin1Vin2

FoCFo

GNDCin1Cin2

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM PSF15S92F6-A超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCTM

PSH20L91A6-A/PSF20L91A6-A長尺

鉄道車両インバーター用1700V/1200AハイブリッドSiCパワーモジュールCMH1200DC-34S

PV用 600V/50A大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM

PSH50YA2A6

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH400DU-24NFHCMH600DU-24NFH

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH200DU-24NFHCMH300DU-24NFH

高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールCMH100DY-24NFHCMH150DY-24NFH

産業用1200V/400A，1200V/800AフルSiCパワーモジュールFMF400BX-24AFMF800DX-24A

産業用1200V/75Aハイブリッド/フルSiC-IPMPMH75CL1A120/PMF75CL1A120PV用600V/75AフルSiC IPM PMF75B4L1A060

産業用600V/200AハイブリッドSiC-IPMPMH200CS1D060

Unit :mm

＊暫定形名

(2.54×10)

1.8

8.6

0.8 22.7

168

10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3 10±0.3

70 ±0.379 ±0.5

2.54±0.3

31±0

.5

A = 2.54±0.3B = 5.08±0.3

B B B

12 53 4 6 87 9 1110 15 1716 20

303132

333440

294241

18 191412 13

B

B

B

A A A AA A

A 2.8

12.7

Type name , Lot No. 2-ø4.5±0.2

発売中

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6短尺

家電用超小型フルSiC DIPIPMTM

PSF15S92F6-C制御側千鳥

4-C1.218 25

17 1

Type nameLot No.

16-0.5

0.5 0.5 0.5

35±0.3

8-0.6

20X1.778(=35.56)38±0.5

12

24±0

.5(1

)9.

5±0.

5

5.5±

0.5

0.28

14X2.54(=35.56)2.54±0.2

0.281.778±0.2

3 MIN2-R

1.6

HEAT SINK SIDE

4-C1.218 25

17 1

16-0.5

0.50.5

0.50.5

8-0.6

35±0.320X1.778(=35.56)

38±0.5

24±0

.5(1

)

14X2.54(=35.56)

0.282.54±0.2

0.281.778±0.2

12 2-R1.6

5.5±

0.5

9.5±

0.5

HEAT SINK SIDE

3 MIN

Type nameLot No.

109

低炭素社会の実現と豊かな生活の両立へ

三菱電機のSiCパワーデバイスの開発と搭載製品三菱電機は、1990年代初めに新材料であるSiCにいち早く着目し、特性を追求したさまざまな要素技術開発を行なってきました。そして2010年にはSiCパワーモジュールを搭載したエアコンを世界で初めて製品化し、さらには鉄道やFA機器などでSiC搭載による省エネ効果を実証しています。今後も、先行した開発と実績で競争力のあるSiCパワーモジュールを提供していきます。

SiCパワーモジュールおよび搭載製品につきましては、経済産業省および独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託研究の成果の一部が活用されています。

※1 広報発表時点において。当社調べ。 ※2 2016年4月現在、開発中。＊表記の年月は広報発表時点、または製品発売月を記載しています。

2014年2014年2月電気自動車（EV）用モータードライブシステムを開発※2

2014年5月高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールのサンプル提供開始

2013年

2013年3月鉄道車両用補助電源装置を営業車両に納入

2013年2月SiC適用エレベーター制御装置を開発※2

2013年2月SiCパワーモジュールの大容量化技術を開発※2

2013年12月フルSiCパワーモジュール適用鉄道車両用インバーター装置を製品化

2013年5月SiCパワーモジュール発売

2012年

2012年12月数値制御装置(ＣＮＣ)ドライブユニット発売

2012年3月SiCインバーター内蔵モーターシステムを開発※2

2012年9月鉄道車両用主回路システム搭載車両で実証

2012年7月SiCパワーモジュールサンプル提供開始

2011年10月SiC適用鉄道車両用インバーターの製品化

2011年2011年1月太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内業界最高電力変換効率※1を実証

2010年1月SiCダイオード搭載の大容量パワーモジュールを開発

2010年

2010年10月インバーターエアコン｢霧ヶ峰｣を発売

2009年11月20ｋW SiCインバーターで世界最高値※1となる電力損失90%低減実証

2009年2009年2月11kW SiCインバーターで世界最高値※1の電力損失約70％低減を実証

2006年1月SiCインバーターで3.7kＷ定格モーターの駆動に成功

2006年

さまざまな要素開発2000年代

新材料「SiC(炭化ケイ素)」パワー半導体の開発を他社に先駆けて着手

1990年代

2014年11月PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM発売

2015年2015年1月フルSiC-IPM搭載国内住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナ発売

2015年6月東海道新幹線車両向けフルSiCパワーモジュール適用主回路システムを開発

2016年5月（予定）フルSiC DIPIPMTM搭載パッケージエアコン

「スリムエアコン」発売

2016年2016年4月超小型フルSiCDIPIPM™発売

109

低炭素社会の実現と豊かな生活の両立へ

三菱電機のSiCパワーデバイスの開発と搭載製品三菱電機は、1990年代初めに新材料であるSiCにいち早く着目し、特性を追求したさまざまな要素技術開発を行なってきました。そして2010年にはSiCパワーモジュールを搭載したエアコンを世界で初めて製品化し、さらには鉄道やFA機器などでSiC搭載による省エネ効果を実証しています。今後も、先行した開発と実績で競争力のあるSiCパワーモジュールを提供していきます。

SiCパワーモジュールおよび搭載製品につきましては、経済産業省および独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託研究の成果の一部が活用されています。

※1 広報発表時点において。当社調べ。 ※2 2016年4月現在、開発中。＊表記の年月は広報発表時点、または製品発売月を記載しています。

2014年2014年2月電気自動車（EV）用モータードライブシステムを開発※2

2014年5月高周波用ハイブリッドSiCパワーモジュールのサンプル提供開始

2013年

2013年3月鉄道車両用補助電源装置を営業車両に納入

2013年2月SiC適用エレベーター制御装置を開発※2

2013年2月SiCパワーモジュールの大容量化技術を開発※2

2013年12月フルSiCパワーモジュール適用鉄道車両用インバーター装置を製品化

2013年5月SiCパワーモジュール発売

2012年

2012年12月数値制御装置(ＣＮＣ)ドライブユニット発売

2012年3月SiCインバーター内蔵モーターシステムを開発※2

2012年9月鉄道車両用主回路システム搭載車両で実証

2012年7月SiCパワーモジュールサンプル提供開始

2011年10月SiC適用鉄道車両用インバーターの製品化

2011年2011年1月太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内業界最高電力変換効率※1を実証

2010年1月SiCダイオード搭載の大容量パワーモジュールを開発

2010年

2010年10月インバーターエアコン｢霧ヶ峰｣を発売

2009年11月20ｋW SiCインバーターで世界最高値※1となる電力損失90%低減実証

2009年2009年2月11kW SiCインバーターで世界最高値※1の電力損失約70％低減を実証

2006年1月SiCインバーターで3.7kＷ定格モーターの駆動に成功

2006年

さまざまな要素開発2000年代

新材料「SiC(炭化ケイ素)」パワー半導体の開発を他社に先駆けて着手

1990年代

2014年11月PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPMTM発売

2015年2015年1月フルSiC-IPM搭載国内住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナ発売

2015年6月東海道新幹線車両向けフルSiCパワーモジュール適用主回路システムを開発

2016年5月（予定）フルSiC DIPIPMTM搭載パッケージエアコン

「スリムエアコン」発売

2016年2016年4月超小型フルSiCDIPIPM™発売

三菱パワーデバイスSiCパワーモジュール

HG-801D　岡-1604〈IP〉 ©2016 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2016年4月 作成

三菱SiCパワーモジュール

（営業お問い合わせ窓口）代理店

菱洋エレクトロ株式会社 福岡営業所 （092）474-4311菱電商事株式会社 九州支社 （092）736-5759

株式会社カナデン 九州支店 （093）561-6483株式会社たけびし 九州支店 （092）473-7580

菱洋エレクトロ株式会社 大阪支店 （06）6455-5121　京都営業所 （075）371-5751株式会社立花エレテック （06）6539-2707　神戸支店 （078）332-7812協栄産業株式会社 大阪営業所 （06）6343-9663菱電商事株式会社 関西支社 （06）4797-3956　京都支店 （075）231-4396　姫路営業所 （079）287-2000

加賀デバイス株式会社 関西支店 （06）6105-0449株式会社カナデン 関西支社 （06）6763-6809株式会社たけびし （075）325-2211　大阪支店 （06）6341-5081萬世電機株式会社 （06）6454-8233東海エレクトロニクス株式会社 大阪支店 （06）6310-6115

菱洋エレクトロ株式会社 名古屋支店 （052）203-0277株式会社立花エレテック 名古屋支社 （052）935-1619協栄産業株式会社 名古屋支店 （052）332-3861菱電商事株式会社 名古屋支社 （052）211-1217　静岡支社 （054）286-2215　浜松支店 （053）469-0576岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 （052）204-8302　刈谷支店 （0566）21-3222

東海エレクトロニクス株式会社本社 （052）261-3215　津支店 （059）226-0515　小牧支店 （0568）75-4701中部三菱電機機器販売株式会社本社 （052）889-0032エレックヒシキ株式会社本社 （052）704-2121株式会社菱和 浜松支店 （053）450-3162

菱洋エレクトロ株式会社 （03）5565-1511　大宮支店 （048）614-8841　八王子支店 （042）645-8531　横浜支店 （045）474-1011　松本支店 （0263）36-8011株式会社立花エレテック 東京支社 （03）6400-3619協栄産業株式会社 （03）3481-2044　栃木営業所 （028）683-3011　日立営業所 （029）272-3911　群馬営業所 （027）327-4345

菱電商事株式会社 （03）5396-6224　東京支社 神奈川支店 （045）264-7125　北関東支社 （027）280-5515加賀デバイス株式会社 （03）5657-0144株式会社カナデン （03）3433-1227株式会社たけびし 東京支店 （045）474-3259萬世電機株式会社 東京支店 （03）3219-1800株式会社コシダテック （03）5789-1615東海エレクトロニクス株式会社 東京支店 （03）3704-2587

菱洋エレクトロ株式会社 仙台支店 （022）266-3800協栄産業株式会社 東北支店 （022）232-7711

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協栄産業株式会社 北海道支店 （011）642-6101

菱電商事株式会社 広島支社 （082）227-5411 山陽三菱電機販売株式会社 （082）243-9300

立花エレテック 北陸支店 （076）233-3505 菱電商事株式会社 北陸支店 （076）224-4102

菱電商事株式会社 四国支社 （087）885-3913

関西支社 大阪府大阪市北区大深町4番20号（グランフロント大阪タワーA） 半導体・デバイス部 　第一営業課 （06）6486-4500 　第二営業課 （06）6486-4508 　第三営業課 （06）6486-4509 　第四営業課 （06）6486-4519

九州支社 福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号（天神ビル） 本社 パワーデバイス営業部 　第三営業課 九州支社駐在 （092）721-2146

中部支社 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号（大名古屋ビルヂング） 半導体・デバイス部 　第一営業課 （052）565-3339 　第二営業課 （052）565-3268 　第三営業課 （052）565-3269 　第四営業課 （052）565-3278

本　　社 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル） パワーデバイス営業部 　第一営業課 （03）3218-3239 　第二営業課 （03）3218-3239 液晶営業部 　第二営業課 （03）3218-3736 高周波光デバイス営業第二部 　国内営業課 （03）3218-4880

本社地区

中部支社地区

関西支社地区

九州支社地区

（2016年3月1日現在）三菱電機本社・支社・支店

半導体・デバイス事業本部　〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）

http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 〈三菱半導体ホームページ〉

（技術・資料お問い合わせ）

お問い合わせ先