Upload
others
View
3
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
用 途
AC100V~200V系、モータ制御インバータ装置
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
PS21997-4
内蔵機能¡P側IGBT用:駆動回路、高圧レベルシフト回路、制御電源電圧低下(UV)保護回路(Fo出力なし)
単電源駆動用ブートストラップ方式¡N側IGBT用:駆動回路、制御電源電圧低下(UV)保護回路、短絡電流保護(外付けシャント抵抗による)¡Fo出力 :N側IGBT用短絡電流(SC)保護回路動作時とUV保護回路動作時Fo出力¡入力インタフェース:3V, 5V系対応(ハイアクティブ)¡UL認定済 :Yellow Card No.E80276
図1. 外形図(PS21997-4) 単位:mm
主回路構成及び定格¡DC入力、三相AC出力インバータ¡600V、30A(フルゲ-トCSTBT内蔵)
2.54 ±0.2
8-0.6
2.5 MIN
0.50.5
0.5
14×2.54(=35.56)
HEAT SINK SIDE
18
3 MIN
12 2-R1.6
0.28
254-C1.2
Type nameLot No.
QRCode
24±0
.5
9.5±
0.5
5.5±
0.5
(1)
TERMINAL CODE
1. (VNC)2. VUFB
3. VVFB
4. VWFB
5. UP
6. VP
7. WP
8. VP1
9. VNC *10. UN
11. VN
12. WN
13. VN1
14. FO
15. CIN16. VNC *17. NC18. N19. N20. N21. W22. V23. U24. P25. NC
29.2
±0.5
14.4
±0.5
14.4
±0.5
(3.5
)
(3.3
)
HEAT SINK SIDE
0.4
0.4
1.5 ±0.05
3.5
B
0.8
(2.656)
(2.756)
(0~
5°)
(1.2)
(1.2
)
DETAIL A DETAIL B
0.28
1.778 ±0.2
35 ±0.3
20×1.778(=35.56)38 ±0.5
17 1
A
16-0.5
0.51.5 MIN
*)9, 16ピンのVNC(制御電源GND端子)は、内部で接続されていますのでどちらか一方のみ使用して、他方はオープン状態でご使用ください。
2008年 9月
注)CSTBTは、三菱電機株式会社の登録商標です。
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2
2008年 9月
図3. 制御側千鳥端子仕様外形図(PS21997-4C) 単位:mm
図2. 長尺端子仕様外形図(PS21997-4A) 単位:mm
2.54 ±0.28-0.6
2.5 MIN14×2.54(=35.56)
HEAT SINK SIDE
18
3 MIN
12 2-R1.6
0.2825
4-C1.2
Type nameLot No.
QRCode
24±0
.5
14±0
.5
5.5±
0.5
(1)
TERMINAL CODE
1. (VNC)2. VUFB
3. VVFB
4. VWFB
5. UP
6. VP
7. WP
8. VP1
9. VNC *10. UN
11. VN
12. WN
13. VN1
14. FO
15. CIN16. VNC *17. NC18. N19. N20. N21. W22. V23. U24. P25. NC
29.4
±0.5
14.4
±0.5
14.4
±0.5
(3.5
)
(3.3
)
HEAT SINK SIDE
0.4
0.4
1.5 ±0.05
3.5
B
0.8
(2.656)
(2.756)
(0~
5°)
(1.2)(1
.2)
DETAIL A DETAIL B
0.28
1.778 ±0.2
35 ±0.3
20×1.778(=35.56)38 ±0.5
17 1
A
16-0.5
1.5 MIN
0.50.50.50.5
2.54 ±0.2
8-0.6
14×2.54(=35.56)
HEAT SINK SIDE
18
3 MIN
12 2-R1.6
0.28
254-C1.2
Type nameLot No.
QRCode
24±0
.5
9.5±
0.5
5.5±
0.5
(1)
TERMINAL CODE
1. (VNC)2. VUFB
3. VVFB
4. VWFB
5. UP
6. VP
7. WP
8. VP1
9. VNC *10. UN
11. VN
12. WN
13. VN1
14. FO
15. CIN16. VNC *17. NC18. N19. N20. N21. W22. V23. U24. P25. NC
29.2
±0.5
33.7
±0.5 14
.4±0
.5
18.9
±0.5
14.4
±0.5
(3.5
)
HEAT SINK SIDE
0.4
0.4
1.5 ±0.05
3.5B
0.8
DETAIL B
0.281.778 ±0.2
35 ±0.3
20×1.778(=35.56)38 ±0.5
17 1
A
0.4
0.51.5 MIN
(0~
5°)
(0~
5°)
16-0.5
0.5
0.5 (2.656)
(2.756)
(1.2)
(1.2
)
DETAIL A
*)9, 16ピンのVNC(制御電源GND端子)は、内部で接続されていますのでどちらか一方のみ使用して、他方はオープン状態でご使用ください。
*)9, 16ピンのVNC(制御電源GND端子)は、内部で接続されていますのでどちらか一方のみ使用して、他方はオープン状態でご使用ください。
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2008年 9月
3
図4. 両側千鳥端子仕様外形図(PS21997-4W) 単位:mm
2.54 ±0.25
7-0.6
2.5 MIN14×2.54(=35.56)
HEAT SINK SIDE
18
3 MIN
12(1
.8)
2-R1.6
0.28
254-C1.2
Type nameLot No.
QRCode
24±0
.5
11±0
.5
5.5±
0.5
(1)
TERMINAL CODE
1. (VNC)2. VUFB
3. VVFB
4. VWFB
5. UP
6. VP
7. WP
8. VP1
9. VNC *10. UN
11. VN
12. WN
13. VN1
14. FO
15. CIN16. VNC *17. NC18. N19. (N)20. N21. W22. V23. U24. P25. NC
35.2
±0.6
29.2
±0.5
14.4
±0.5
14.4
±0.5
17.4
±0.5
17.4
±0.5
(3.5
)
HEAT SINK SIDE
0.4
1.5 ±0.05
3.5
B
0.8
0.4
0.4
(2.656)
(2.756)(0
~5°
)
(1.2)(1
.2)
DETAIL A DETAIL B
0.28
1.778 ±0.25
35 ±0.3
20×1.778(=35.56)38 ±0.5
17 1
A
16-0.5
0.4
1.5 MIN
(0~
5°)
0.50.5
0.5
*)9, 16ピンのVNC(制御電源GND端子)は、内部で接続されていますのでどちらか一方のみ使用して、他方はオープン状態でご使用ください。
QRコードは株式会社デンソーウェーブの登録商標です。
図5. DIPIPM応用ブロック図
C1:温度、周波数特性に優れた電解コンデンサ注)この値は応用システムに使われるPWM制御入力方式によって変わります。
C2:0.22~2μF ノイズ除去用の温度、周波数、DCバイアス特性に優れたセラミックコンデンサ(B, R特性など。)
D1:ブートストラップダイオ-ド(VRRM = 600V以上、trr = 100ns以下)D2:ツェナダイオ-ド(24V/1W)
Z:サージアブゾーバC:AC filter (セラミックコンデンサ 2.2~6.5nF)
(コモンモードノイズ対策)
駆動回路
AC 入力
入力回路
レベルシフト
駆動回路
入力回路
レベルシフト
駆動回路
入力回路
レベルシフト
駆動回路
UV回路
入力回路 FO ロジック SC保護回路 UV回路
FOFO出力
N側入力 (PWM)
M
DIPIPM
AC出力
突入防止回路等
(15V)VDVNC
P-side IGBTS
N-side IGBTS
P側入力(PWM)
WVU
C2C1D2D1
P
VNC
N1 N
CIN
Z
Z:ZNR(サージアブゾーバ)C:AC filter(セラミックコンデンサ 2.2~6.5nF) (コモンモードノイズ対策)
C
C1C2D2
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
4
2008年 9月
最大定格(指定のない場合は、Tj = 25)インバータ部
制御(保護)部
記 号 項 目 条 件 定 格 値 単位
注1. DIPIPM内蔵パワーチップ自身の最大瞬時接合温度は150(@TC≦100)ですが、安全動作させるための平均動作接合温度はTj≦125(@TC≦100)と規定します。
VCC
VCC(surge)
VCES
±IC±ICP
PC
Tj
電源電圧電源電圧(サージ)コレクタ・エミッタ間電圧コレクタ電流コレクタ電流(ピーク)コレクタ損失接合温度
P-N 端子間P-N 端子間
TC = 25°CTC = 25°C, 1ms以下TC = 25°C, 1素子当り
(注1)
VVVAAW°C
4505006003060
47.6–20 ~ +125
VVVV
mAV
記 号 項 目 条 件 定 格 値 単位VD
VDB
VIN
VFO
IFO
VSC
制御電源電圧制御電源電圧入力電圧エラー出力印加電圧エラー出力電流電流検出入力電圧
VP1-VNC, VN1-VNC 端子間VUFB-U, VVFB-V, VWFB-W端子間UP, VP, WP, UN, VN, WN-VNC端子間FO-VNC端子間FO端子のシンク電流値CIN-VNC端子間
2020
–0.5 ~VD +0.5–0.5 ~VD +0.5
1–0.5 ~VD +0.5
図6. DIPIPM保護回路外部部品例
注1. 上記で推奨する保護回路外部部品定数において、RCフィルタの時定数を1.5~2.0μsの範囲で選定してください。
注2. 配線インダクタンスの影響による保護回路の誤動作を防止するために、A、B、Cの配線をできるだけ短くしてください。
短絡保護機能N側IGBTのライン電流を検知し、RCフィルタを介し保護動作とします。SC基準電圧を超えた電流が発生した場合、N側3相IGBTゲート全てを遮断するとともにエラー出力します。短絡電流保護は非繰り返しですので、エラー出力しましたら、即動作を停止させてください。
駆動回路
駆動回路
短絡保護回路
WVU
B
C
VNC
CIN
A
P
N1 N
C R
シャント抵抗
保護回路外部部品
(注1)
(注2)
DIPIPM
N-side IGBTS
P-side IGBTS 短絡保護レベル
IC (A)
tw (μs)20
コレクタ電流波形
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2008年 9月
5
熱抵抗
電気的特性(指定のない場合は、Tj = 25)インバータ部
2.502.602.201.90—
0.602.651.00
110
V
Vµsµsµsµsµs
mA
VD = VDB = 15VVIN = 5VTj = 25°C, –IC = 30A, VIN = 0V
VCC = 300V, VD = VDB = 15VIC = 30A, Tj = 125°C, VIN = 0 ↔ 5V誘導負荷(上ー下アーム)
VCE = VCES
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
FWDi順電圧降下
スイッチング時間
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE(sat)
VEC
ton
trrtc(on)
toff
tc(off)
ICESTj = 25°CTj = 125°C
———
0.70——————
項 目記 号 測 定 条 件最 大最 小 標 準 単位
規 格 値
1.902.001.701.300.300.401.700.40—
IC = 30A, Tj = 25°CIC = 30A, Tj = 125°C
2.1
3.0
°C/W
°C/W
最 小 標 準 最 大
接合・ケース間熱抵抗(注3)
単位項 目記 号 条 件規 格 値
——
——
インバータIGBT(1/6 モジュール)インバータFWDi(1/6 モジュール)
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
注3. DIPIPMと外付けヒートシンクとの接触面には、熱伝導のよいグリースを100~200µm程度、均一になるように塗布の上、規定の締付けトルクにて締め付けることを規定します。(またグリースは使用動作温度範囲内で変質せず、経年変化のないものとします。)ただし、製品放熱面-ヒ-トシンク間の熱抵抗は、締め付けた状態におけるグリースの厚さ、グリースの熱伝導率等により異なります。目安として、グリース厚20µm、グリースの熱伝導率1.0W/m•Kの場合の製品放熱面-ヒ-トシンク間熱抵抗値(1/6モジュール)は0.3/Wとなります。
—
全システム
注2. TCの測定点
DIPIPM
IGBT チップ
パワー端子
FWDiチップ
制御端子
Tc点
放熱面
11.6mm 3mm
記 号 項 目 条 件 定 格 値
VCC(PROT)
TC
Tstg
Viso
電源電圧自己保護範囲(短絡)動作モジュール温度保存温度
絶縁耐圧
VD = 13.5~16.5V,インバータ部Tj = 125°Cスタート, 2µs以内非繰り返し
(注2)
正弦波 60Hz, 1分間全端子共通-外付けヒートシンク間
400
–20 ~ +100–40 ~ +125
1500
V
°C°C
Vrms
単位
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
6
2008年 9月
機械的定格及び特性
注7. 放熱面平面度測定位置
+ -
+ -
測定 位置
ヒ-トシンク側
ヒ-トシンク側
4.6mm
17.5mm
—
—
—
——
最 小 標 準 最 大締付けトルク強度
端子引張り強度
端子曲げ強度
質 量放熱面平面度
単位項 目記 号 測 定 条 件
0.59
10
2
—–50
N • m
s
回
gµm
0.78
—
—
—100
—
—
—
10—
取付けネジ M3(注6)荷重 制御端子;4.9N パワー端子;9.8N荷重 制御端子;2.45N パワー端子;4.9N上記荷重にて90度曲げ
規 格 値
推奨 0.69N •m
(注7)
準拠規格
—
EIAJ-ED-4701
EIAJ-ED-4701
注6. 取付けネジには平座金(推奨;JIS B1256)を使用してください。
——
制御(保護)部
注4. 短絡保護は下アームのみ動作します。また、SCは定格の1.7倍以下になるように外部抵抗を選定してください。 5. エラー出力は、短絡保護・VD制御電源電圧保護のとき下アームのみ出力します。
2.800.552.800.55—
0.950.531.5012.012.512.513.0—2.6—
—
VP1-VNC, VN1-VNC の総和VD = VDB = 15VVD = VDB = 15VVIN = 5V VUFB-U, VVFB-V, VWFB-W
VP1-VNC, VN1-VNC の総和VD = VDB = 15VVD = VDB = 15VVIN = 0V VUFB-U, VVFB-V, VWFB-WVSC = 0V, FO = 10kΩ 5V プルアップVSC = 1V, IFO = 1mAVD = 15V (注4)VIN = 5V
(注5)
UP, VP, WP, UN, VN, WN-VNC 端子間
回路電流
エラー出力電圧
短絡保護トリップレベル入力電流
制御電源電圧低下保護
エラー出力パルス幅入力オンしきい電圧入力オフしきい電圧入力しきい値ヒステリシス電圧
mAmAmAmAVVV
mAVVVVµsVV
V
ID
VFOH
VFOL
VSC(ref)
IINUVDBt
UVDBr
UVDt
UVDr
tFO
Vth(on)
Vth(off)
Vth(hys)
————4.9—
0.430.7010.010.510.310.840—0.8
0.35
項 目記 号最 大最 小 標 準 単位
規 格 値
——————
0.481.00—————2.11.3
0.65
Tj < 125°C
トリップレベルリセットレベルトリップレベルリセットレベル
測 定 条 件
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2008年 9月
7
図7. 許容最小入力パルス幅PWIN(off)以下の信号を印可した場合の出力動作(P側のみ)
P-N端子間VP1-VNC, VN1-VNC端子間VUFB-U, VVFB-V, VWFB-W端子間
各アーム段入力に対応, TC < 100°C
VCC = 300V, VD = VDB = 15V,P.F = 0.8,正弦波出力,TC < 100°C, Tj < 125°C (注8)
(注9)200 < VCC < 350V,13.5 < VD < 16.5V,13.0 < VDB < 18.5V,–20°C < TC < 100°C,Nライン配線インダクタンス10nH以下(注10)VNC-N端子間の電位差, サージ電圧含む
推奨使用条件
40016.518.5
1—
15.0
—
—
—
5.0
VVV
V/µsµs
Arms
µs
V
電源電圧制御電源電圧制御電源電圧制御電源電圧変動率上下アーム休止時間
許容実効電流
許容最小入力パルス幅
VNC端子変動
VCC
VD
VDB
tdead
IO
PWIN(on)
PWIN(off)
VNC
013.513.0
–12.0
—
—
0.5
1.5
3.0
–5.0
項 目記 号 測 定 条 件最 大最 小 標 準 単位
規 格 値
30015.015.0——
—
—
—
—
—
—
∆VD, ∆VDB
注8. 許容実効電流に関しては、使用条件によって変わります。 9. PWIN(on)以下のパルス幅の入力オン信号には出力が応答しないことがあります。 10. PWIN(off)以下のパルス幅の入力オフ信号には出力が応答しない、またはP側のみターンオン時間が大きくなる(4μs程度以下)場合があります。ただし、こ
の場合においても入力オンの状態にて出力オフの状態を維持し続けることはありません。詳細は図7のタイミング図を参照ください。また、Nライン配線インダクタンスについては図11の外付けシャント抵抗周辺配線応用例を参照ください。
fPWM = 5kHz
fPWM = 15kHz
TC < 100°C, Tj < 125°C 20 kHzPWM制御入力信号fPWM — —
定格電流以下
定格電流~定格電流の1.7倍
実線…オフパルス幅>PWIN(off)の場合 破線…オフパルス幅<PWIN(off)の場合 (t1=通常のターンオン時間)
P側制御入力
出力電流 Ic
内部IGBTゲート
t1t2
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
8
2008年 9月
図8. 内部回路図
UOUT
VOUT
UOUT
VVS
WOUT
VWS
VOUT
WOUT
VNO
GND
Fo
WN
VN
UN
VCC
HVIC
LVIC
CIN
CIN
N
W
V
U
P
COM
VUB
VUS
VCC
VVB
VP
VWB
WP
Fo
WN
VN
UN
WP
VP
UP UP
VNC
VN1
VP1
VVFB
VWFB
VNC
VUFB
IGBT1
IGBT2
IGBT3
IGBT4
IGBT5
IGBT6
Di1
Di2
Di3
Di4
Di5
Di6
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2008年 9月
9
図9. 保護動作シーケンス
B. 制御電源電圧低下保護動作シーケンス(N側、UVD)
b1. 制御電源電圧VDがリセット電圧(UVDr)まで上昇‥‥次の入力より通常動作開始b2. 正常動作=IGBTオン=出力電流有りb3. 制御電源電圧VDがトリップ電圧(UVDt)まで低下b4. 全N側IGBTオフ‥‥制御入力の状態に関らずオフb5. Fo出力(40μs(min)以上 制御電源電圧が復帰するまでの間出力)b6. 制御電源電圧VDがリセット電圧(UVDr)まで復帰b7. Fo出力完了後の次のオン信号(L→H)の入力からIGBTはオン
A. SC動作シーケンス(N側のみ)‥‥外付けシャント抵抗、RC時定数回路による保護
a1. 正常動作=IGBTオン=出力電流有りa2. 過電流検出(SCトリガ)‥‥RC時定数回路で最適遮断時間を設定(1.5~2.0μs)a3. 全N側IGBTゲートをハード遮断a4. 全N側IGBTをオフa5. Fo出力(40μs(min))a6. 入力 “L”IGBT:オフa7. 入力 “H”しかし、Fo出力中は、IGBTはオフ状態を継続a8. Fo出力完了後の次のオン信号(L→H)の入力からIGBTはオン
SC基準電圧
RC時定数回路によるDELAY
保護回路状態
N側制御入力
a5
a8a4
a3
a1
a2SC
RESETSET
a7a6
エラー出力 Fo
シャント抵抗間 センス電圧
出力電流 Ic
内部IGBTゲート
エラー出力 Fo
出力電流 Ic
制御電源電圧 VD
保護回路状態
制御入力
b1
b2
b3
b4
b5
RESETRESET
UVDt
UVDr
SET
b6
b7
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
10
2008年 9月
C. 制御電源電圧低下保護動作シーケンス(P側、UVDB)
c1. 制御電源電圧VDBがリセット電圧(UVDBr)まで上昇‥‥次の入力より通常動作開始c2. 正常動作=IGBTオン=出力電流有りc3. 制御電源電圧VDBがトリップ電圧(UVDBt)まで低下c4. IGBTオフ‥‥制御入力に関らずオフ、Fo出力はなしc5. 制御電源電圧VDBがリセット電圧(UVDBr)まで復帰c6. Fo出力完了後の次のオン信号(L→H)の入力からIGBTはオン
注. 入力のRCカップリングは、応用システムに使われるPWM制御入力方式、入力配線パターンにより変わります。DIPIPM入力信号部はIC内部で3.3kΩ(min)の抵抗プルダウンを行っています。入力信号ラインに抵抗を挿入される場合は、DIPIPMの入力しきい値を満足する設定としてください。
図10. 制御端子応用例
MCU
10kΩ
3.3kΩ(min)
UP,VP,WP,UN,VN,WN
VNC(Logic)
Fo
DIPIPM
5V系
エラー出力 Fo
出力電流 Ic
制御電源電圧 VDB
保護回路状態
制御入力
c6
c1
c2 c4
c5c3
RESET
UVDBt
UVDBr
SETRESET
ハイレベル出力(Fo出力なし)
図11. 外付けシャント抵抗周辺配線応用例
N
VNC
DIPIPM
シャント抵抗
幅 3mm、厚み 100µmの銅パターンで 長さ17mmを目安としてください
配線インダクタンス10nH以下としてください
VNCからのGND配線はシャント 抵抗直近に接続ください
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PS21997-4/-4A/-4C/-4Wトランスファーモールド形
絶縁形
2008年 9月
11
図12. 外部応用回路例
この配線はU,V,W端子部にて、すぐにモータ主配線と分岐して配線してください
WOUT
VOUT
C3
C2 C2C2 C1 C1 C1
UOUT
WP
VWB
VP
VVB
15V系
5V系
UP
COM
UOUT
VOUT
WOUT
GND
Fo
WN
VN
VCC
C
B
A
R1
N1
C4 シャント抵抗
CIN
N
W
V
U
P
VWS
VVS
VUS
VUBVCC
Fo
WN
VN
UNUN
WP
VP
UP
VNC
VNC
VN1
VP1
VUFB VVFB VWFB
C3
MC
U
GND配線の引き回しは入力信号に ノイズを発生させ、IGBTの誤動作の 原因になります
この配線が長いとSCレベルの変動が 大きくなりSCが誤動作します
HVIC
LVIC
M
この配線が長いとアーム短絡 を起こす可能性があります
注1. 入力信号はハイアクティブです。IC内部で3.3kΩ(min)の抵抗でプルダウンしています。誤動作防止のため、入力信号配線はできるだけ短く配線してください。誤動作防止のためRCフィルタを挿入する場合は、入力のしきい値電圧を満足するように設定してください。
2. 専用HVICを採用しているため、絶縁素子は不要であり、MCUに直接接続することができます。 3. FO端子はオープンドレインです。10kΩ程度の抵抗で5V電源のプラス側へプルアップしてご使用ください。 4. A, B, Cの配線はIGBTの動作に大きな悪影響をもたらすため、配線はできるだけ短く配線してください。 5. 外部保護回路部のR1C4による時定数は、IGBTが2μs以下で遮断するように設定してください。また、遮断時間は、配線パターンによって変わります。
R1, C4は温度補償用などバラツキの小さいものを推奨します。 6. 各コンデンサはDIPIPMの端子近傍に設置してください。C1は、温度特性、周波数特性の優れた電解コンデンサ、C2, C3(0.22~2μF)はノイズ除去用の
温度、周波数、DCバイアス特性に優れたセラミックコンデンサを推奨します。(B, R特性など) 7. サージ電圧による耐圧破壊を防止するために、平滑コンデンサとP, N1端子間の配線はできるだけ短くしてください。また、P-N1端子間に0.1~0.22μF程
度のスナバコンデンサを挿入してください。 8. VNC端子は、9ピン、16ピンの2ヶ所有りますが、内部で接続されていますので、外部ではどちらか一方のみ接続し、他方はオープン状態で使用してくだ
さい。 9. 制御電源へのサージ電圧吸収用にツェナダイオード(ツェナ電圧24V、許容損失1W程度)を制御電源端子間近傍に接続することをお奨めします。 10. 制御側電源GNDとパワー側GNDの配線を共通のベタ配線で配線すると大電流が流れるパワーGNDの変動の影響を受け誤動作の可能性がありますので、制
御側電源GNDとパワー側GNDの配線は、N1点にて一点接続としてください。 11. ブートストラップダイオードには耐圧600V以上の高速リカバリー(trr = 100ns以下)品を使用してください。
安全設計に関するお願い
・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
・本資料は、お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。
・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。
・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり、三菱電機は、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります。三菱半導体製品のご購入に当たりましては、事前に三菱電機または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、三菱電機半導体情報ホームページ(www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。
・本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。
・本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。三菱電機は、適用可否に対する責任は負いません。
・本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、三菱電機または特約店へご照会ください。
・本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。
・本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたら三菱電機または特約店までご照会ください。