El Transistor.El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

Tipos de transistorTransistor de contacto puntual: Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.Transistor de unin bipolar: El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto campo: El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

Configuracin para el amplificador.Emisor comn: La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor acta como un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos de amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.Para estudiar las propiedades de este tipo de configuracin vamos a basarnos en un transistor tipo P-N-P. Tenemos la unin base-emisor, JE, polarizada directamente y la unin emisor-colector, JC, inversamente polarizada.Aplicamos una tensin a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB conectada a la base y RC conectada al colector.El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como hemos visto con la formula IC = b . IB; IC es mucho ms grande que IB y ese aumento viene dado por b , que es un parmetro caracterstico del transistor.

Base Comun: La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganacia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: v= .La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn: Otro tipo de configuracin bsica de un transistor es la de colector comn. A esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos no vamos a conseguir una amplificacin de tensin, pero son muy buenos amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el colector como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la entrada y la salida es el colector, como su nombre indica. Si la unin base emisor est polarizada directamente, el transistor va a conducir, mientras que si est inversamente polarizada no lo har.

Transistores Bipolares. PNP y NPN Los transistores son semiconductores que constan de 3 terminales: emisor, colector y base. Hay diferentes tipos de transistores, pero en este curso slo estudiaremos los bipolares. Dentro de ellos, segn como sea la conexin de sus componentes, hay dos tipos, los NPN y los PNP. El de la izquierda es un transistor NPN y el de la derecha un transistor PNP. En el NPN la flecha que indica el sentido de la corriente sale hacia fuera (la corriente ir de colector a emisor) mientras que en el PNP la flecha entra (la corriente ir de emisor a colector)

Experimento en el laboratorio:

circuito :

RvariableRB=RBi+RvarIB1Ic1B1=ic/iBVcE1

1k5k2150uA12.4mA5.760.08v

2k6k1800uA12.5mA6.940.09v

4k8k1365uA12.5mA9.150.11v

6k10k1100uA12.4mA11.270.14v

8k12k910uA12.5mA13.70.15v

10k14k800uA12.5mA15.60.15v

15k19k600uA12.5mA20.80.17v

18k22k500uA12.5mA250.18v

22k26k450uA12.5mA27.70.18v

27k31k350uA12.5mA35.70.19v

Datasheet del transistor

conclusiones: en esta clase hemos aprendido el funcionamiento del transistor. nos dimos cuenta que el transistor es en realidad 2 diodos conectados en sentidos opuestos. Vimos que para que se d una amplificacin necesitamos una fuente de voltaje continuo.Bibliografa: http://category.alldatasheet.com/index.jsp?sSearchword=CAPACITOR. Robert L. Boylestad , electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos . http://www.nichese.com/rectificador.html. http://www.forosdeelectronica.com/proyectos/fuente-variable.htm