FIEK

Ushtrime laboratorike

Student

ELEKTRONIKË

UNIVERSITETI I PRISHTINËS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS

Ushtrimi Nr.1

Karakteristikat e diodës së Si dhe Ge gjatë polarizimit të

drejtë dhe të kundërt Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota

www.e-Libraria.com

Detyra:

a) Të realizohet qarku sipas figurës 1.1 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e drejtë.

Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar.

b) Të realizohet qarku sipas figurës 1.2 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e reverzë.

Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar. Mjetet:

1. Maketi. 2. Dioda D (AA 134 – Ge) dhe (BA 170 , Si). 3. Rezistori R=220 !. 4. Miliampermetëri për rrymë të vazhdushme (mA). 5. Mikroampermetëri për rrymë të vazhdushme("A). 6. Voltmetri për tension të vazhdueshëm E=15 V. 7. Potenciometri P= 1k!.

www.e-Libraria.com

Skema e lidhjeve: Polarizimi direktë Fig 1.1

Fig 1.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH

R

E

P

50% D

1 2

XMM1 XMM2

3

4

0

www.e-Libraria.com

Polarizimi reverz Fig 1.2

Fig 1.2 Multisim 8 Electronics WORKBENCH

R

E

P

50% D

XMM3 XMM4

7

65

0

8

www.e-Libraria.com

Rezultatet tabelare: Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge) - (AA 134)

Për diodën e Silicit (Si): - (BB 170)

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0.3 0.5 1.0 1.7 2.5

0.65 0.7 0.75 0.8 3.5 4.1 5.0 5.6

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0.1 0.6

0.65 0.7 0.75 0.8 0.7 1.4 5.8 12

www.e-Libraria.com

Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):

Për diodën e Silicit (Si):

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0 0

0.65 0.7 0.75 0.8 0 0 0 0

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0 0

0.65 0.7 0.75 0.8 0 0 0 0

www.e-Libraria.com

Koment:

Dioda është komponenti më i thjeshtë gjysmëpërçues, por luan rol shumë vital në sistemet elektronike. Karakteristikat e diodës mund të krahasohen me ato të një ndërprerësi (ventili) të thjeshtë. Dioda ideale është komponentë me dy terminale karakteristikat dhe simboli i së cilës janë paraqitur në Fig.

Për qarqet që do të analizohen, gjatë paraqitjes së karakteristikave tension-rrymë, ordinata do të jetë boshti i rrymës, ndërsa abshisa boshti i tensionit. Pra, dioda do të përçoj nëse tensioni në skajet e saja (anodë A dhe katodë K) është pozitiv, UAK > 0, dhe në këtë rast rryma është e pakufizuar. Në të kundërtën, pra për tensione negative, UAK < 0, dioda nuk përçon dhe rryma që kalon nëpër te është zero.

Karakteristikat statike të diodës gjysmëpërçuese

www.e-Libraria.com

Diagramet : Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge)

Për diodën e Silicit (SI)

www.e-Libraria.com

Diagrami: Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):

Për diodën e Silicit (SI):

www.e-Libraria.com

UNIVERSITETI I PRISHTINËS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi :KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS

Ushtrimi Nr.2

Stabilizimi i tensionit me diodën - ZENER

Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit 25.11.2010 Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit 07.11.2010 Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota

www.e-Libraria.com

Detyra: 1. Të incizohet karakteristika statike e diodës së Zenerit

2. Të vizatohet karakteristika statike e Zener Diodës dhe të

llogaritet rezistenca dinamike e kësaj diode në pjesën punuese të karakteristikës. 3. Me potenciometër P të rregullohe tensoni i daljes dhe në këto

vlera të matet tensioni i hyrjes, nëse : dhe . Mjetet:

1. Burimi i tensionit të vazhdueshëm E= 25 V. 2. Dioda-Zener (Dz). 3. Rezistori R=220 !. 4. Ngarkesa Rng= 500 !. 5. Miliampermetër për rrymë të vazhdushme (mA). 6. Voltmetri për tension të vazhdueshëm (V). 7. Potenciometri P= 1k!.

Skema e lidhjeve: Fig 2.1

www.e-Libraria.com

E

P

50%

XMM1 XMM2

1

DzR3

2

Rg

4

0

Fig 2.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH Rezultatet tabelare: Për diodën e Zenerit:

Idz[mA] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 Udz[V] 0 2.2 4.6 6.5 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 U[V] 0 3.1 6.5 9.5 10.5 11.5 12.6 14 15 16 17.3 18.2 19.4 20.5 21.5 22.4

Diagramet:

www.e-Libraria.com

Koment:

Diodat e fabrikuara special për punë në regjionin e thyerjes quhen dioda të Zener-it. Dioda e Zener-it është e projektuar asisoj, që të mundësohet shfrytëzimi i plotë i këtij regjioni. Në Fig.2.1a është paraqitur karakteristika e diodës së Zener-it dhe simboli i saj, ndërsa në Fig.4.1b është paraqitur karakteristika shfrytëzuese e kësaj diode. Fig.2.1a Fig.2.1b Lokacioni i regjionit të Zener-it mund të kontrollohet me anë të niveleve të ndryshme të dopingut. Rritja e dopingut, me rritjen e numrit të papastërtive të shtuara, do ta zvogëloj potencialin e Zener-it. Qarku i plotë ekuivalent i diodës së Zener-it përbëhet nga një rezistencë e vogël dinamike dhe një bateri njëkahore të barabartë me potencialin e Zener-it, siç është paraqitur në Fig.2.2a. Për të gjitha zbatimet e kësaj diode në qarqe të ndryshme, ne do ta shfrytëzojmë modelin e përafruar të paraqitur në Fig.2.2b, për arsye se të gjitha rezistencat e jashtme të qarqeve janë shumë më të mëdha se rezistenca ekuivalente e kësaj diode.

Fig.2.2a Fig.2.2a

www.e-Libraria.com

UNIVERSITETI I PRISHTINËS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS

Ushtrimi Nr.3

Inçizimi i karakteristikave statike hyr!se dhe transmetuese t!

tranzistorit bipolar Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit 30.11.2010 Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit 07.12.2010 Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota

www.e-Libraria.com

Detyra 1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika

hyr!se e tranzistorit.

p!r

2. N! baz! t! qarkut t! dh!n! t! b!het inçizimi i karakteristik!s transmetuese t! tranzistorit

3. Sipas qarkut n! fig. t! b!het inçizohet karakteristika statike dal!se e tranzistorit.

p!r

Mjetet:

1. Maketi, 2. Potenciometri 3. Potenciometri 4. Rezistori 5. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) 6. Mikroampermet!r i rrym!s s! vazhduar("A) 7. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) 8. Tensioni i vazhduesh!m 9. Tranzistori

www.e-Libraria.com

Skema e lidhjeve: Rezultatet tabelare:

a) p!r

b)

6 0 10 20 30 40 0,05 0,19 0,20 0,21 0,22

6 0 10 20 30 40 0 0,4 0,9 1,5 2,25

www.e-Libraria.com

c) p!r

Diagramet: a)

0 1 2 3 4 0 0,3 0,3 0,3 0,35

0 1 2 3 4 0 0,78 0,8 0,81 0,85

0 1 2 3 4 0 1,3 1,4 1,45 1,48

www.e-Libraria.com

b)

c)

www.e-Libraria.com

Koment:

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.

Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.

www.e-Libraria.com

UNIVERSITETI I PRISHTINËS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS

Ushtrimi Nr.4

Inçizimi i karakteristikave statike FET tranzistorit

Studenti Mensur Ssofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota

www.e-Libraria.com

Detyra: 1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika

dalwse e FET.

p!r

2. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika dalwse e FET.

p!r

Mjetet:

1. Maketi, 2. Potenciometri 3. Potenciometri 4. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) 5. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) 6. Burimi I tensionit tw vazhduesh!m 7. Tranzistori FET

www.e-Libraria.com

Skema e lidhjeve: Rezultatet tabelare:

a) p!r

0 2 4 6 0 0.8 1.7 2

0 2 4 6 0 13 19 20

www.e-Libraria.com

0 2 4 6 0 4.5 20 22

0 2 4 6 14 19 23 23

b) p!r 0 -0,25 -0,5 -0,75 -1 19 19.5 20 20.5 21

Diagramet: a) b)

www.e-Libraria.com

Koment:

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.

Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.

www.e-Libraria.com

UNIVERSITETI I PRISHTINËS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS

Ushtrimi Nr.5

RIDREJTUESI

Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota

www.e-Libraria.com

Mjetet:

1. Ridrejtusi 2. Ndërprersat 3. Voltmetri 4. Miliampermetri

Detyra:

a) Të kyqet nderprersi N1 dhe N5 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne pikat A dhe B.

b) Të kyqet nderprersi N2 dhe te vizatohet forma valore ne dalje (B). c) Të kyqet nderprersi N3 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne daljen ne

fundin e rezistences së shpenzusit Rsh. Të maten vlerat e rrymes dhe të tensionit sipas tabelës.

d) Në bazë të rezultatëve të fituara të vizatohet karekteristika e ridrejtusit Ud=f(Id)

Skema e lidhjeve:

www.e-Libraria.com

Rezultatet: Tensioni n! hyrje :

Tensioni n! dalje :

www.e-Libraria.com

Rasti me nj! diod!

Rasti me dy dioda :

www.e-Libraria.com

Rasti me dy dioda dhe nj! kondenzator :

Rasti me dy dioda dhe dy kondenzator

Rasti me dy dioda dhe tre kondenzator

www.e-Libraria.com