t:

N ==-N =C" -7,3/2c \' 'I

2

Si:

Ge:

GaAs:

( ' =7 1~' 1() 1". 31'312I " ,J C/II I\.C 1 =L67 ' I 0 I" e/ll .3 f...'3 ; 2

C'I =L54,IOJ"em,.1f...,3/2

gustocadriftne struje: Jji. =Q'17"dn

driftna brzina: Vd =p' F

specificnavodljivostpoJuvodica:(}'==Q0Ln .ja/-lp' p)

J jjJ = q 0p -" dp

rg!ClV,]

,dO!:: .. k - 6/7gustoca ILUZIJSe struJe: Jdn =q-Dn'-

f1x

difuzijskakonstanta:

P-N spoj

kontaktnjpotencijal:

. sirinaosiromasenogpodmcja:

BoltzmalUlOverelacije:

6pJ=-qoDp o~dp il.'(

D =)L.[;1' (Einsteinova re!acija) ro ,y-s]

'f 17 0 Pl K =U1' -In~ Dp.,n~1

( .. ,/.

J

. /L.

:>,:

~

,.'-

BipoIarni tranzistor

normalnoaktivnopodmcje:

npn

IE =-I"E-lpE

1c = l"c +1CBO

1B =1pE+IR -ICBO .

1R =1"E~/nc

InEy=-

-IEjJ*=lnc

1nE

qR

i I c =-0: . J E + J CHI)i---.--

1CBO> 0

N((AJ

Ebers-Mollovejednadzbe:

npntranzistor:

jli

1EBO =J ES . (I - 0: .0: / )

zapnptranzistor:

faktorstmjnogpojacanja

ulaznidinamickiotpor

3

VC{>=-'D~ .(L C;,ctd. .tcCL(f"!.' :{:C h.'C C#'~l

L

pnjJ

J = J pE + J nE

Ie = -1 pC +1010 ICRII" 0

J B= J "i +J f

..,

-"J. ~,

4

gornjagranicnafrekvencija (U" =-= 2'/)/II :;--Ii Irl(

~(U"

(UII = 1+ jJ

Ilelgm=UT

Tranzistori s efektompolja (FET):

granicatriodnogpodrucjai podrucjazasicenja:UDS= U GS- UC;SO

JFET - spojniFET: (. '\

Ovs D )

n-kanalniJFET: UK> 0 p-kana!niJFET: (II.'< 0

vod1jivostpotpunootvorenogkana!a (' - J) . If.10-(f.-L

l

-

(U . -u,

)

1/2

1/1/ /,J/c/fif!;1/0 fC!]), /

I - G 1- }; (,S .\J ;1 C-D - 0 0,:>U);, - U GSO J

. T/ -TI r T/ fI f .' _'I .{! \32 ('! _'I \3'"1)I =G '-' K ' . (ISO) 3 ,-. DS - 211 .';; l.. us T :. osj

-l

,. ;; u cs

jJ.

l // ril!( cXJ)/i/O t?riJ).-w::JD 0 ~ ), , [ , II

{; {! I . {!

r

JI .

j l ci K - .JGSO j /.: - ! GSO U J..: - : GSO .

I D =Go UK -U GSO[

1-3, UK ::"-UGS +2,

([:K -[;GS

J

3/"

]// -d751C: 0V'~

3 U};, - U C;So [; K - r/ Gsn J

dinamickiparametri:

. t:-.iD,stnnma: gm =- II DS =kOl7sr.

t:-.UGS

[

if> I:'

]=G..

(UK -UOS +UDS

)- -

({f};.-(/CiS

J

-gm IJ rJ [ I' {. {:};'- ! OSli J f.: -. CiS"

7( 01l/J () ,

I!"

]

{! f.: - U CiS

J - (; . I-.. .'"' - ,,[ [{,, - [, ",J ?('

1::c4C.

,. I d. .0 k dI.. 'j t:-.i/)

IlZ azna mamlC a vo JIVOSt: g" =- =- lies =kOr!SI.I'd 6u OS

, I!" l

[ (U);, - U os +U DS 1 i

gd =G(I' I - U);, - UGSo ) J

: k k . o' 61/osI

'

la tor naponsogpOJacanJa: }I =-- I [) =kOl7sl.6Uos

}I =g",. I'd (Barkhausenovarelacija)

...

. , .....- ..c. -. :).'

MOSFET

n-kanalniMOSFET: K> 0 p-kanaJniMOSFET: K