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CIRCUITOS DIGITALES - EEPROM - EQUIPO 6: ANDRES ELIZONDO SANTOS IVÁN ALEJANDRO GONZÁLEZ SOTO RAMIRO ALEJANDRO ROCHA VILLARREAL DIANA KAREN CANALES JIMÉNEZ LUIS CARLOS SÁNCHEZ URQUIZA

Equipo - 6 Clase Circuitos Digitales v2

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Clase de circuitos digitales

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  • CIRCUITOS DIGITALES -EEPROM- EQUIPO 6:

    ANDRES ELIZONDO SANTOS

    IVN ALEJANDRO GONZLEZ SOTO

    RAMIRO ALEJANDRO ROCHA VILLARREAL

    DIANA KAREN CANALES JIMNEZ

    LUIS CARLOS SNCHEZ URQUIZA

  • NDICE

    Introduccin- ASIC, Estructura Bsica de un PLD, PROM y EPROM

    Memoria EEPROM- Smbolo EEPROM, Operacin de Escritura y AT24C02 EEPROM

    Glosario Conclusin Referencias y Bibliografas

  • INTRODUCCIN

    La lgica programada, es una familia de componentes que contienen conjuntos de elementos lgicos (AND, OR, NOT, LATCH, FLIP-FLOP) que pueden configurarse en cualquier funcin

    lgica que el usuario desee y que el componente soporte. Hay varias clases de dispositivos

    lgicos programables: ASICs, PROMs, PALs, GALs, y PLDs complejos.

  • ASIC

    Circuitos Integrados de Aplicacin Especfica y son dispositivos definibles por el usuario. Los ASICs, al contrario que otros dispositivos, pueden contener funciones analgicas, digitales, y

    combinaciones de ambas. En general, son programables mediante mscara y no

    programables por el usuario.

  • ESTRUCTURA BSICA DE UN PLD

    Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura general pre-definida en la que el usuario puede programar el diseo final del dispositivo empleando

    un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero

    normalmente consisten en una o ms matrices de puertas AND y OR para implementar

    funciones lgicas.

  • MEMORIA PROM

    Las memorias PROM (Memoria Programable de Slo Lectura), consisten en chips que comprimen miles de fusibles (o diodos) capaces de quemarse mediante un dispositivo

    denominado "programador ROM", aplicando un alto voltaje (12V) a las cajas de memoria a

    marcar. Los fusibles quemados corresponden a 0 y los dems a 1.

  • MEMORIA EPROM

    Las memorias EPROM (Memoria Programable y Borrable de Slo Lectura), son memorias PROM que se pueden eliminar. Estos chips disponen de un panel de vidrio que deja entrar los

    rayos ultra-violeta. Cuando el chip es sometido a rayos ultra-violeta de una determinada

    longitud de onda, se reconstituyen los fusibles, lo que implica que todos los bits de memoria

    vuelven a 1.

  • MEMORIA EEPROM

    EEPROM (Memoria Programable de Slo Lectura Borrable Elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a

    diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos

    ultravioletas. Son memorias no voltiles.

  • MEMORIA EEPROM

    Este dispositivo mantiene la misma estructura de la compuerta flotante como la EPROM, pero tiene adicionalmente una capa muy delgada de una regin de xido sobre el drenaje de la

    celda de memoria MOSFET. Esta modificacin produce las mejores caractersticas de la

    EEPROM (la habilidad para borrar elctricamente).

  • MEMORIA EEPROM

    Al aplicarle un alto voltaje (21 V) entre la compuerta y el drenaje, una carga puede ser inducida sobre la compuerta flotante, donde permanece siempre y cuando la alimentacin

    sea retirada; al aplicarle de nuevo el mismo voltaje causa que se remueva la carga

    atrapada en la compuerta flotante y borre la celda.

    Como este mecanismo de transporte de carga requiere muy bajas corrientes, el borrado y la programacin de una EEPROM puede hacerse en el mismo circuito (esto es por que no se

    requiere una fuente de luz UV y un programador de PROM especial).

  • MEMORIA EEPROM

    Otra ventaja de la EEPROM sobre la EPROM es la habilidad para borrar elctricamente y reescribir bytes individuales (palabras de 8 bits) en el arreglo de la memoria. Durante una

    operacin de escritura, el circuito interno automticamente borra todo de las celdas en una

    localidad, previa a una escritura de los datos nuevos.

    La facilidad de borrar bytes hace mucho ms fcil hacer cambios en los datos almacenados en este tipo de memoria. Adicionalmente, puede ser programada ms rpidamente que

    cualquier EPROM; tpicamente esto toma 5 ms para escribir en una localidad, comparado con

    50ms para la EPROM, las nuevas EPROM soportan hasta100ms.

  • MEMORIA EEPROM

    La facilidad de borrado por byte de la EEPROM y su alto nivel de integracin conlleva dos fallas: densidad y costo. La complejidad de la celda de memoria y el circuito de soporte

    sobre el mismo chip pone a la EEPROM por detrs de la EPROM en capacidad de bit por

    milmetro cuadrado de silicio.

    Para 1 Mbit la EEPROM requiere el doble de silicio que 1 Mbit de EPROM. As, a pesar de la superioridad operacional, la falta de densidad en la EEPROM y costos efectivos tiene que

    conservar el reemplazar la EPROM en lugares donde la densidad y costo son factores

    importantes.

  • SMBOLO EEPROM

  • OPERACIN DE ESCRITURA

  • AT24C02 EEPROM

    AT24C02 es una ROM elctricamente borrable y programable. Tiene 2Kbits de tamao de memoria dispuestas en 32 pginas de 8 bytes cada uno. Los datos son transferidos y

    recibidos en serie a travs de datos serie (SDA) pin.

    Se hace uso de un registro interno de la EEPROM cuyos 4 bits MSB son 1010, los tres siguientes son los bits de direccin EEPROM y el LSB significa si los datos se va a leer o

    escribir. Este ltimo es 1 para escritura y 0 para la operacin de lectura.

  • # de Pin Funcionalidad Nombre

    1 Direccin pin de entrada AD0

    2 Direccin pin de entrada AD1

    3 Direccin pin de entrada AD2

    4 Tierra (0V) Tierra

    5 Pin bidireccional para la transferencia de datos en serie Serial Data

    6 Proporciona seales del reloj Reloj Serial

    7 Permite las funciones de lectura / escritura Escritura

    8 Voltaje de alimentacin de 5V (hasta 5.5V) Voltaje

    AT24C02 EEPROM

  • GLOSARIO

    LATCH: Es un circuito electrnico usado para almacenar informacin en sistemas lgicos asncronos. Un LATCH puede almacenar un bit de informacin. Los LATCH se pueden agrupar,

    ejemplo, LATCH quad (que puede almacenar cuatro bits) y el LATCH octal' (ocho bits).

    PLD: Dispositivo lgico programable, es un tipo de diseo implementado en chips que permite la reconfiguracin de los circuitos con el simple cambio del software que incorpora, es lo

    contrario de la lgica cableada.

  • GLOSARIO

    MSB: El bit ms significativo, es el bit, que de acuerdo a su posicin, tiene el mayor valor. En ocasiones, se hace referencia al MSB como el bit del extremo izquierdo.

    LSB: El bit menos significativo, es la posicin de bit en un nmero binario que tiene el menor valor. En ocasiones, se hace referencia al LSB como el bit del extremo derecho.

    Bus: Es un sistema digital que transfiere datos entre los componentes de una computadora o entre varias computadoras.

  • GLOSARIO

    MOSFET: El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor, es un transistorutilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la

    industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales. La mayora de los

    microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

    Ms: Un milisegundo es el perodo que corresponde a la milsima fraccin de un segundo(0,001s), 1 ms = 0,001 segundo = 1 milisegundo.

  • CONCLUSIN

  • REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFAS

    Sistemas Digitales: Principios y Aplicaciones

    Round J. Tocci, Neal S. Widmer 2003

    Tcnicas Digitales con Circuitos Integrados

    Mario Carlos Ginzburg - 2002