Fabricacin de Circuitos Integrados

Fabricacin de Circuitos IntegradosProfa.:Integrantes:Ing. Melagifred MontesBr. Jesus Urrieta C.I.: 22.921.900Br. Josmel Hernndez C.I.: 17.242.655

Instituto Universitario Politcnico Santiago MarioExtensin MaturnDepartamento de Ingeniera ElectrnicaIntroduccin a la Ingeniera Electrnica

Fabricacin de Circuitos Integrados(Proceso Planar)La tecnologa planar para la fabricacin de CI bipolares y MOS, comprende varios procesos a saber:Crecimiento del Cristal del Sustrato.Crecimiento Epitaxial.Oxidacin.Fotolitografia y Grabado Qumico.Difusin.Implantacin de Iones.MentalizacinCrecimiento del Cristal del Sustrato Produccin de la Oblea

cristal de silicio se sujeta a una varilla y se introduce en un crisol con silicio fundido al que se han aadido impurezas aceptadoras lingote de cristal tipo p de unos 10 cm de dimetro y 50 cm de longitudproceso CZOCHRALSKI o simplemente CZCrecimiento Epitaxial

Se lleva a cabo en un horno especial llamado reactor donde se introducen las obleas de silicio calentndolas hasta 900 a 1.000C. OxidacinPuede eliminarse con cido fluorhdrico HF al que la capa de silicio es resistente.Las impurezas empleadas para el dopado del silicio no penetran en el dixido SiO2. As cuando se emplean tcnicas de enmascaramiento se puede lograr un dopado selectivo de zonas especficas del chip.Fotolitografa

(a)El negativo ya reducido a la dimensin adecuada se coloca a manera de mascara sobre la emulsin como se ve en la figura. Se retira dicha mascara y se revela la oblea mediante un producto qumico como el tricloroetileno dejando la superficie como en la figura (b). Las porciones de SiO2 protegidas por la pelcula no quedan afectadas por el cido en figura (c)Difusin

Implantacin de IonesLa implantacin de iones es un segundo procedimiento para introducir impurezas. Un haz de iones de Boro para el tipo p y Fsforo para el tipo n, se aceleran con energa entre los 30 y 200 KSe emplea frecuentemente donde se requieran capas finas de silicio dopado como es en la regin de emisor de un BJT, el canal en un MOSFET y la regin de puerta de un JFET Mentalizacinse emplea para formar las interconexiones entre los componentes de un chipSe coloca una fina capa de aluminio sobre toda la superficie del chipSe disipa en un recipiente sellado al vaco, hasta que este se vaporice y de extienda sobre toda la oblea.Circuitos integrados por tcnica de pelcula delgadaEl material de partida es una oblea de Silicio Oxidado.

Remocin de Oxido y Difusin del colector.

Remocin de Oxido y Difusin de la base.

Remocin de Oxido y Difusin del emisor.

Evaporacin y Fotograbado de un resistor de PD.

Remocin de Oxido para los contactos del transistor.

Evaporacin de material para terminales de interconexin, dielctrico del capacitor y placa superior. SiO2 bombardeado.

Fotograbado de Capacitores y circuitos integrados.

El circuito monoltico PD combina dispositivos activos difundidos con dispositivos pasivos sobre la pelcula aislante de xido de silicio. El circuito monoltico tiene alta densidad de componentes, gran confiabilidad en los circuitos y buen apareamiento entre las caractersticas de componentes individuales. Gracias Por Su Atencin