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REPÙBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUEL MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFEN UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÈCNICA DE L FUERZAS ARMADAS MARACAIBO-EDO ZULIA FUENTES OPTICAS ELABORADO POR: ANTONIETTA PIRELA GAMER ECHETO JESSICA CHERRE 07-ITE-D01 COMUNICACIONES OPTICA

Fuentes Opticas

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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSAUNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA DE LAS FUERZAS ARMADASMARACAIBO-EDO ZULIA FUENTES OPTICASELABORADO POR:ANTONIETTA PIRELAGAMER ECHETOJESSICA CHERRE07-ITE-D01COMUNICACIONES OPTICA

FUENTES OPTICASTpicos de fsica de semiconductores:Banda de energa

Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden con los niveles de energa de los electrones para tomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los niveles de energa no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los tomos de sus alrededores.

FUENTES OPTICASMateriales intrnsecos: Materiales extrnsecos:

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructuratetradricasimilar a la delcarbonomediante enlaces covalentesentre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad.

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje deimpurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que estdopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material

FUENTES OPTICASUnin p-nSe denominaunin PNa la estructura fundamental de loscomponentes electrnicos comnmente denominadossemiconductores, principalmentediodosytransistores. Est formada por la unin metalrgica de doscristales, generalmente desilicio(Si), aunque tambin se fabrican degermanio(Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmicoFUENTES OPTICASDiodos emisores de luz (LEDs):EstructuraUn diodo LED comn se compone de las siguientes partes:1.- Extremo superior abovedado de la cpsula de resina epoxi, que hace tambin funcin de lente convexa. La existencia de esta lente permite concentrar el haz de luz que emite el chip y proyectarlo en una sola direccin.2.- Cpsula de resina epoxi protectora del chip.3.- Chip o diodo semiconductor emisor de luz.4.- Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.5.- Base redonda de la cpsula de resina epoxi. Esta base posee una marca plana situada junto a uno de los dos alambres de conexin del LED al circuito externo, que sirve para identificar el terminal negativo () correspondiente al ctodo del chip.6.- Alambre terminal negativo () de conexin a uncircuito elctricoo electrnico externo. En un LED nuevo este terminal se identifica a simple vista, porque siempre es ms corto que el terminal positivo.7.- Alambre terminal positivo (+) correspondiente al nodo del chip del diodo, que se utiliza para conectarlo al circuito externo.8.- Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal positivo (+) y con el nodo del chip.

FUENTES OPTICASFuentes de luzComo hemos dicho antes, la luz es una forma de energa. Para crear luz, otra forma de energa debe proporcionarse. Existen dos tipos bsicos de fuentes de luz:IncandescenciayLuminiscencia. La incandescencia involucra la vibracin de tomos enteros, y la luminiscencia involucra slo a los electrones.

Luz incandescente La incandescencia es luz obtenida de la energa de calor. Si calentamos algo a una temperatura lo suficientemente alta, esto empezar a brillar. La luz incandescente se produce cuando los tomos se calientan y empiezan a liberar alguna de su vibracin termal como radiacin electromagntica

Luz luminiscente La luminiscencia es"luz fra", es luz de otras fuentes de energa que puede tener lugar en temperaturas normales o ms bajas. La luz luminiscente ocurre a temperaturas ms bajas que la luz incandescente.

FUENTES OPTICASEficiencia cunticaEs la relacin entre el nmero de fotonesgeneradosy el nmero de portadores (electrones y huecos) que cruzan la unin PN y se recombinan. Este parmetro debe hacerse tan grande como sea posible. Su valor depende de las probabilidades relativas de los procesos de combinacin radiante y combinacin no radiante, que a su vez dependen de la estructura de la unin el tipo de impurezas, y sobre todo, del material semiconductor.

Potencia Lapotencia del diodo ledest determinada por la cada de tensin en los bornes y la corriente del dispositivo

FUENTES OPTICASModulacin Puesto que la salida de luz de unLEDtiene una regin en la que eslinealmente proporcional a la corriente directa a travs del diodo, es til para producir un nivel de luz que sea proporcional a una cierta seal. Esa seal se puede enviar luego a travs de un cable de fibra ptica y detectarse en el otro extremo. La necesidad bsica de modulacin es entonces un dispositivo que produzca una corriente proporcional a la tensin de entrada de la seal aplicada. Esto puede hacerse con unconvertidor de voltaje a corriente.

FUENTES OPTICASdiodos laser:Es un lser semiconductor que emite luz monocromtica y coherente por el proceso de emisin estimulada. Hay muchas aplicaciones de estos dispositivos que afectan nuestra vida diaria, como en los sistemas telefnicos, mayor fidelidad en los reproductores de msica, en sistemas de visin, sensores, etctera.

FUENTES OPTICASModos de diodos laserLos dos espejos del lser forman una cavidad resonante, de modo que entre ellos se forman patrones de ondas estacionarias de manera exactamente anloga a las ondas estacionarias en una cuerda o en un tubo de un rgano u otro instrumento musical de viento. La condicin para la formacin de ondas estacionarias de cualquier tipo es que la longitud de la cavidad en la que se forman sea un nmero entero de semis longitudes de onda:

. Los modos axiales condicionan el contenido espectral de la luz emitida, pero todos contribuyen a un solo punto de luz en un corte transversal del haz (una distribucin de luz homognea en el plano perpendicular al eje del haz). Por el contrario, los modos transversales que vamos a discutir en este apartado dan lugar a un patrn de puntos de luz en la salida del lser.Los modos axiales estn formados por frentes de onda planos que viajan a lo largo del eje de la cavidad lser siguiendo la lnea que une los centros de los espejos. Tcitamente hemos asumido espejos plano-paralelos y un haz perfectamente colimado. Sin embargo esto no deja de ser una idealizacin. Debido a efectos de difraccin, tal haz no puede existir entre espejos de tamao finito. La teora de la difraccin establece que una parte de la radiacin se extender ms all de los bordes de los espejosFUENTES OPTICASEficiencia cuntica externanmero de fotones emitidos dividido por el nmero de electrones inyectados (ambos por unidad de tiempo). Eph es la energa de los fotones emitidos, que ser aproximadamente igual al gap del semiconductor en la zona del diodo donde se producen las recombinaciones radiativas.Po/EphFUENTES OPTICASMUDULACION DE LOS DIODOS LASERModulacin directa de un diodo lserLa capacidad de modulacin directa de los diodos lser a travs de la corriente aplicada es una de las principales ventajas de este dispositivo. En los siguientes apartados se analizan los formatos bsicos de modulacin directa del diodo lser.Modulacin OOK (On-Off Keying)Este tipo de modulacin consiste en suministrar al diodo lser una corriente, ION, superior a la corriente umbral del diodo lser para que tenga lugar la radiacin, cuando se desea emitir el bit "1". En caso de transmitir el bit "0" la potencia ptica emitida por el lser debe ser nula, por lo que la corriente aplicada, IOFF, debe ser menor que el umbral. Emplear una corriente IOFFprxima a cero tiene como ventaja que la potencia residual asociada a los bits "0" debida a las emisiones espontneas es mnima, incrementando el cociente de extincin y por tanto reduciendo la probabilidad de error.FUENTES OPTICASModulacin de pequea sealEste esquema de modulacin se emplea en sistemas analgicos. Consiste en aplicar al lser pequeas variaciones de corriente alrededor de un valor de polarizacin de forma que se produzca la emisin de una potencia ptica que varia de la misma forma que la corriente aplicada, como muestra la siguiente figura.Modulacin externaLa modulacin externa consiste en un diodo lser emitiendo una potencia ptica continua seguido por un dispositivo externo que realiza la modulacin deseada. Esto permite evitar los efectos que provoca elchirp de frecuencia generado al modular la amplitud de la potencia ptica generada por el lser, cuyo origen se encuentra en la dependencia existente entre el ndice de refraccin del material semiconductor y la densidad de electrones.

FUENTES OPTICASLa estructura bsica de los diodos lser consiste de la unin entre capas de semiconductores con diferentes propiedades de conduccin elctrica

FUENTES OPTICASLinealidad de la fuente de luzSi bien la luz se conoce fundamentalmente por su naturaleza energtica, y por su carcter imprescindible para que dicha comunicacin se pueda producir, tambin es cierto que la luz participa directamente en el proceso comunicativo porque, desde este punto de vista, la luz contiene denotaciones y connotaciones que se integran en el mensaje

FUENTES OPTICAS Especificaciones estndar de fuentes de fibra ptica

FUENTES OPTICASLinealidad de la fuente de luzSi bien la luz se conoce fundamentalmente por su naturaleza energtica, y por su carcter imprescindible para que dicha comunicacin se pueda producir, tambin es cierto que la luz participa directamente en el proceso comunicativo porque, desde este punto de vista, la luz contiene denotaciones y connotaciones que se integran en el mensaje

GRACIAS..