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1
H010
2
H010
3
H010
4
H010
5
H010
6
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H010
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H010
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H011
1
H011
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3
H011
4
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6
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7
H011
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H011
9
H012
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H012
1
H012
2
H012
3
H012
4
H012
5
H012
6
H 012
7
H012
8
H012
9
H013
0
図Ⅱ-2-12(1)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-1)
Distance(m)
Ele
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n(m
)
- 171 -
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H020
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H020
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H020
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H020
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H020
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H020
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H021
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H021
1
H021
2
H021
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H021
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H021
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0
H022
1
H022
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H022
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H022
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H022
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H022
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H022
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H023
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H020
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H020
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H020
9
H021
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H021
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H021
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H021
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H021
7
H021
8
H021
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H022
0
H022
1
H022
2
H022
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H022
4
H022
5
H022
6
H022
7
H022
8
H022
9
H023
0
図Ⅱ-2-12(2)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-2)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 173 -
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2
H030
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H030
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H030
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H031
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H031
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H031
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H032
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H032
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H033
0
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H032
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H032
6
H032
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H032
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H032
9
H033
0
H-3 Chargeability structure
図Ⅱ-2-12(3)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-3)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 175 -
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H042
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H-4 Chargeability structure
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0
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H042
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H042
7
H042
8
H042
9
H043
0
図Ⅱ-2-12(4)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-4)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 177 -
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H052
8
H052
9
H053
0
H-5 Resistivity structure
0 500 1000 1500 2000 2500 3000500
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H050
0
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H051
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H052
0
H052
1
H052
2
H052
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H052
4
H052
5
H052
6
H052
7
H052
8
H052
9
H053
0
H-5 Chargeability structure
図Ⅱ-2-12(5)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-5)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 179 -
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H060
2
H060
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H061
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H061
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H061
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H061
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H062
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H062
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H062
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H062
9
H063
0
H-6 Resistivity structure
0 500 1000 1500 2000 2500 3000500
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H062
6
H062
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H062
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H062
9
H063
0
H-6 Chargeability structure
図Ⅱ-2-12(6)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-6)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 181 -
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H073
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H-7 Resistivity structure
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H072
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H073
0
H-7 Chargeability structure
図Ⅱ-2-12(7)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-7)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 183 -
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H082
9
H083
0
H-8 Resistivity structure
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0
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9
H083
0
H-8 Chargeability structure
図Ⅱ-2-12(8)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-8)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 185 -
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9
H093
0
H-9 Chargeability structure
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H090
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H092
6
H092
7
H092
8
H092
9
H093
0
H-9 Resistivity structure
図Ⅱ-2-12(9)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-9)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 187 -
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0
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1
H100
2
H100
3 H100
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5
H100
6
H100
7
H100
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9
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0
H101
1
H101
2
H101
3
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5
H101
6
H101
7
H101
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H101
9
H102
0
H102
1
H102
2
H102
3
H102
4
H102
5
H102
6
H102
7
H102
8
H102
9
H103
0
H-10 Chargeability structure
0 500 1000 1500 2000 2500 3000500
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1500
H100
0
H100
1
H100
2
H100
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6
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7
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9
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0
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1
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2
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3
H101
4
H101
5
H101
6
H101
7
H101
8
H101
9
H102
0
H102
1
H102
2
H102
3
H102
4
H102
5
H102
6
H102
7
H102
8
H102
9
H103
0
H-10 Resistivity structure
図Ⅱ-2-12(10)ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率・比抵抗インバージョン結果及び地質断面図(H-10)
Distance(m)
Ele
vatio
n(m
)
- 189 -
Low resistivity and High chargeability
High resistivity and Low chargeability
N1
N2
N3
N4
図 II-2-13 ホンリン・ウラスコ鉱徴地充電率異常・推定比抵抗構造図
-4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
- 191 -
- 193 -