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LABORATORIO 2 I. OBJETIVO: Analizar y estudiar el comportamiento de los diodos semiconductores como limitadores y enclavadores. II. MATERIALES Y EQUIPOS Osciloscopio Multímetro digital Generador AC Fuente DC Transformador Resistencias: 470 Ω, 1 Ω, 10 Potenciómetro 10K Ω (fija de 2.2 k Ω) Capacitor 0.47 µF Diodos (2) 1N4148 (2) 1N4004 Cable y conectores coaxiales III. PROCEDIMIENTO 1. Verificar los componentes con el Multimetro Digital Resisto res R1 R2 R3 Capacit ores C1 R4 Teórico 470 Ω 1 KΩ 10 KΩ Teórico 0.47 µF 2.2K Medido 468 Ω 983 Ω 9.91 kΩ Medido 0.46 µF 2.18k 1N4004 1N4148 Diodo D1 D2 D3 D4 Directa 848 850 887 889 Inversa ≥ 40 M Ω ≥ 40 M Ω ≥ 40 M Ω ≥ 40 M Ω 2. Implementar el circuito de la figura 1

Informe 2 de Circuitos Electronicos

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Analisis y estudio del comportamiento de los diodos semiconductores como limitadores y enclavadores

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LABORATORIO 2I. OBJETIVO: Analizar y estudiar el comportamiento de los diodos semiconductores como limitadores y enclavadores.II. MATERIALES Y EQUIPOS

Osciloscopio Multmetro digital Generador AC Fuente DC Transformador Resistencias: 470 , 1 , 10 Potencimetro 10K (fija de 2.2 k ) Capacitor 0.47 F Diodos (2) 1N4148(2) 1N4004 Cable y conectores coaxiales

III. PROCEDIMIENTO

1. Verificar los componentes con el Multimetro DigitalResistoresR1R2R3CapacitoresC1R4

Terico470 1 K10 KTerico0.47 F2.2K

Medido468 983 9.91 kMedido0.46 F2.18k

1N40041N4148

DiodoD1 D2D3D4

Directa848850887889

Inversa 40 M 40 M 40 M 40 M

2. Implementar el circuito de la figura 1

a) Aplicar una seal senoidal con 16 Vpp y observar la seal de salida para las frecuencias de 100 Hz ,1k Hz y 100kHz.

Para f=100HzValor teorico: Vrms=5.04 v Medido: Vrms=4.98

Para f=1kHz Valor teorico: Vrms=5.03 vMedido: Vrms=4.95

Para f=100kHzValor teorico: Vrms=5.02Medido: Vrms=4.91

b) Invertir la polaridad de la fuente Vr, y el diodo (D1).proceder como en a).

Para f=100HzValor teorico: Vrms=5.03 v Medido: Vrms=5.01

Para f=1kHz Valor teorico: Vrms=5.03 vMedido: Vrms=4.99

Para f=100kHzValor teorico: Vrms=5.04Medido: Vrms=4.98

c) Colocar un diodo en paralelo con R1 de 10k al circuito de la figura 1.

Para f=100Hz Valor teorico: Vrms=3.27 v Medido: Vrms=3.34

Para f=1kHz Valor teorico: Vrms=3.30v Medido: Vrms=3.33

Para f=100kHz Valor teorico: Vrms=3.29Medido: Vrms=3.35

3. Implementar el circuito de la figura 2

a) Aplicar las seales del paso anterior. Observar las ondas de salida variando la fuente.

Para f=100Hz Valor teorico: Vrms=5.42 v Medido: Vrms=5.31

Para f=1kHz Valor teorico: Vrms=5.43 vMedido: Vrms=5.38

Para f=100kHzValor teorico: Vrms=5.37 Medido: Vrms=5.34

b) Invertir la polaridad de la fuente Vr y el diodo, luego proceda como en a).

Para f=100Hz Valor teorico: Vrms=5.45 vMedido: Vrms=5.39v

Para f=1kHz Valor teorico: Vrms=5. 44v Medido: Vrms=5.4v

Para f=100kHz Valor teorico: Vrms=5.43vMedido: Vrms=5.29v

4. Implementar el circuito de la Figura 3

a) Aplicar una seal cuadrada de 8v pico, observar las seales de entrada y salida para frecuencias de 100 Hz, 1KHz y 10kHz.

b) Variar la fuente.

c) Invertir el diodo manteniendo Vr constante, observe y dibuje las ondas de salida.