81
INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy of Sciences Bratislava Správa o činnosti Elektrotechnického ústavu SAV za rok 1998 ElO

INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy of Sciences

Bratislava

Správa o činnosti Elektrotechnického ústavu SAV za rok 1998

ElO

Page 2: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Elektrotechnický ústav SAV, 842 39 Bratislava

Správa o činnosti Elektrotechnického ústavu SAV za rok 1998

Bratislavajanuar 1999

Page 3: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

i.Kontaktné údaje Názov pracoviska:

Riaditeľ: tel: 54775806

Zástupca riaditeľa: tel: 54775806

Vedecký tajomník: tel: 54775806

Predseda vedeckej rady: tel: 54775826-2711

Elektrotechnický ústav SAV

Ing. Jozef Novák, CSc fax: 54775816

Ing. Ivo Vávra, CSc. fax: 54775816

Ing. Karol Fröhlich, CSc. fax: 54775816

RNDr. Martin Moško, CSc. fax: 54775816

e-mail: [email protected]

e-mail: [email protected]

e-mail: [email protected]

e-mail: [email protected]

Adresa sídla: Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava tel: 54775806 fax: 54775816 e-mail: [email protected]

Názov a adresa detašovaného pracoviska: E1U SAV, Oddelenie technológie a diagnostiky polovodičov, pracovisko Piešťany, Vrbovská cesta 2617/102, 921 01 Piešťany

tel: 0838 24 075 fax: 0838 23 714 e-mail: [email protected]

Vedúci detašovaného pracoviska: Ing. František Dubecký, CSc , vedúci oddelenia tel: 54775826-2755 fax: 54775816 e-mail: [email protected]

Typ organizácie (rozpočtová/príspevková od r.): príspevková od r. 1993

2. Počet a štruktúra pracovníkov

ŠTRUKTÚRA PRACOVNÍKOV K F P R

Celkový počet pracovníkov 132 126 95 190000

Vedeckí pracovníci 46 45 36 72 000

Odborní pracovníci VŠ 23 23 18 36 000

Odborní pracovníci ÚS 39 35 25 50 000

Ostatní pracovníci 19 19 12 24 000

Doktorandi v dennej forme doktorandského štúdia

5 4 4 8 000

Vysvetlivky:

K - kmeňový stav pracovníkov v pracovnom pomere k 31.12.1998 (uvádzať pracovníkov s hlavným pracovným úväzkom, vrátane pracovníčok na riadnej materskej dovolenke, pracovníkov pôsobiacich v zahraničí, v štátnych funkciách, v zastupiteľských zboroch a na základnej vojenskej službe)

F - fyzický stav pracovníkov k 31.12.1998 P - celoročný priemerný prepočítaný počet pracovníkov R - prepočítaná riešiteľská kapacita v hod/rok

Page 4: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Priemerný vek všetkých kmeňových pracovníkov k 31.12.1998: 42,6

Priemerný vek kmeňových vedeckých pracovníkov k 31.12.1998: 48,2

3. Štruktúra vedeckých pracovníkov (kmeňový stav k 31.12.1998)

Pracovníci s hodnosťou Vedeckí pracovníci

stupňoch

v Vedeckí asistenti

DrSc. CSc ,

PhD.

prof. doc. I. Oa. n b . (bez doktorandov)

5 45 _ 2 7 19 19 0

4.lné dôležité informácie k základným údajom o pracovisku a zmeny za posledné obdobie (v zameraní pracoviska, v organizačnej štruktúre a pod.)

V priebehu roka 1998 nenastali žiadne podstané zmeny v organizačnej štruktúre ani v zameraní pracoviska

II. Vedecká činnosť /. Projekty riešené na pracovisku:

ŠTRUKÚRA PROJEKTOV Počet Riešiteľská kapacita na pracovisku (hod/rok)

Pridelené financie na r. 1998

1. Vedecké projekty (evidované VEGA), na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

2 23 800 273 000

2. Záväzné úlohy SAV, na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

13 96 200 1 040 000

3. Vedeckotechnické projekty, na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

2 12 800 220 000

4. Projekty riešené ako štátna objednávka

1 zahrnutá vyššie 2 000 000

5. Projekty financované zo zahraničia

9 zahrnutá vyššie 4 407 000

6. Projekty riešené v spolupráci so zahraničím bez finančnej podpory

13 zahrnutá vyššie -

7. Iné projekty (ústavné a riešené v spolupráci s domácimi inštitúciami)

1 zahrnutá vyššie -

Page 5: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Bližšie vysvetlenie je v Prílohe č. 2

Sumy v tabulke sú uvedené bez 3.4% viazania rozpočtu

2. Najvýznamnejšie výsledky vedeckej práce: a) charakter základného vedeckého poznania:

Použitím Poissonovej rovnice a rovníc spojitosti sme simulovali I-V a C-V charakteristiky nehomogénnych Schottkyho diód. Ukázali sme, že charakteristiky a aj extrahované zdanlivé parametre charakteristík závisia veľmi slabo, ak vôbec, od laterálnej korelácie medzi jednotlivými lokálnymi bariérami z rozdelenia v prípade veľkého rozmeru jednotlivých bariér. Veľmi malé rozdiely sme zistili aj medzi prúdmi tečúcimi cez diódy s veľkým rozmerom nehomogenít a diódami s rozmerom uehomogenít 20 nm. Takisto sme nepozorovali významný vplyv efektu zaškrtenia (pinch-off) na prúd diódou. Zanedbateľné rozdiely medzi tzv. interagujúcimi a neinteragujúcimi diódami spochybňujú opodstatnenosť tohto zaužívaného delenia.

The Poisson equation together with the drift - diffusion equations were used to simulate I-V and C-V characteristics of inhomogeneous Schottky diodes. It was shown that the curves and extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single barrier patches in the structure for larger dimension of patches . Very small differences were found between the currents through the diodes with large and nanosize inhomogeneities. There is also almost no dependence of the current on a pinch-off effect of electric potential. Very small and not unambiguous differences were found between so called interacting and non-interacting diodes and that is why this division is questionable.

b) riešenie závažných problémov pre spoločenskú prax:

V rámci štátnej objednávky bol navrhnutý, skonštruovaný a vyrobený primárny etalón elektrického odporu na báze kvantového Hallovho javu. Komplexné zariadenie pozostáva zo supravodivého 12 T magnetu, palcového kry ostatú umožňujúceho dosiahnuť pracovnú teplotu T=1.5 K. závesu a vzorky kvantového Hallovho odporu. Zariadenie bolo po komplexných skúškach inštalované na Slovenskom metrologickom ústave.

Primary etalon of electrical resistance based on quantum Hall effect was developed. Etalon system consisted of 12 Tesla superconducting magnet, insert cryostat with working temperature of 1.5K, sample holder and sample of quantum Hall resistor. This system was fully tested and it is installed in Slovak Institute of Metrology in Bratislava.

c) výsledky medzinárodných vedeckých projektov Bola vyvinutá nová deformačná technika valcovania kompozitu (kov-keramika) tzv. „excentrické valcovanie" (ER) vhodná na texturovanie a zhutňovanie Bi-2223/Ag supravodivých pások vyrábaných technológiou „prášok v trubke*'. Týmto postupom sa podarilo zdvojnásobiť prúdové hustoty v jedno- aj mnoho-žilových vzorkách. Výhodou tejto metódy je potlačenie vzniku priečnych prasklín v Bi-2223 vláknach, ktoré sú výrazným limitujúcim faktorom transportného prúdu.

A new deforming process of composite (metal-ceramics) rolling so called „eccentric rolling'' (ER) have been developed for texturing and making dense of Bi(2223)/Ag tapes made by "powder-in tube" technology. Two-times higher transport current densities have been achieved for single- and

4

Page 6: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

multi-core conductors deformed by this way. The advantage of this method is in depression of transversal cracks generation in Bi-2223 filaments which are the remarkable limiting factor of transport current.

Texty k bodom a); b); c) uvádzať v rozsahu do 7 riadkov, výstižne, konkrétne, zrozumiteľne, po odbornej a jazykovej stránke bez vysoko odborných cudzích tenriínov, vzorcov, značiek, skratiek a podobne. K výsledku uviesť číslo projektu (evidenčné číslo projektu, ktoré pridelila VEGA, Úrad pre stratégiu rozvoja spoločnosti, vedy a techniky SR, resp. iná inštitúcia, ktorá udelila grant) a autorov. Výber najdôležitejšieho výsledku urobiť v súčinnosti s Vedeckou radou ústavu. Ak sa uvádza viac výsledkov, treba vyznačiť poradie dôležitosti. Najvýznamnejšie výsledky (a; b; c) uviesť aj v anglickom jazyku, nakoľko Správa o činnosti SAV za rok 1998 sa spracováva aj v anglickej mutácii.

3. Ostatné významné výsledky Vákuovými depozičnými metódami (rf naprašovanie, naparovanie elektrónovým zväzkom) boh pripravené tenké vrstvy CeC>2 (25-50 nm hrubé) na r-zafire so štandardnou šírkou rocking krivky Aco«0.2° ale tiež veľmi malou Aco«0.06-0.08°, ktorá je porovnateľná so špičkovými poslednými výsledkami vo svete. Na tomto substráte, ideálnom pre vysokofrekvenčné aplikácie, boh dc magnetrónovým naprašovaním deponované YBCO vrstvy (~100nm hrubé) s Aco«0.4° a T c «86-88K. Tvarovanie týchto vrstiev elektrónovou litografiou a iónovým leptaním do mikropásikov submikrometrovej šírky (0.4<W<lum), s kritickou teplotou T C «85K a kritickou prúdovou hustotou jc(0)>10 7A/cm 2 ukazuje na možnosť využitia týchto štruktúr v detektoroch a v zmiešavačoch pre pásmo THz frekvencií, ako aj v mnohých ďalších kryoelektronických aplikáciách.

V rámci dvojlúčovej dynamickej teórie sme vypracovali rovnice pre presný smer rtg lúčov pri viacnásobnej difrakcii a postup umožňujúci nahradiť súbor následných difraktorov jedným difraktorom. Vypracovali sme metodiku vyhodnocovania difrakčných kriviek spolu s chybovou analýzou pre difraktometer s viacnásobnou rtg difrakciou, ktorá v porovnám so štandardným postupom dáva viac informácií. V súčasnosti sú výsledky testované.

Výpočet dielektrickej funkcie jednorozmerného elektrónového plynu za hranicami lineárnej RPA aproximácie. Výsledok lineárnej RPA aproximácie je známa Lindhardova dielektrická funkcia. Vyvinuli sme (pre vonkajšiu poruchu v tvare príťažlivého resp. odpudivého Coulombovho potenciálu) tzv. nelineárnu RPA metódu výpočtu dielektrickej funkcie, ktorá je presná pre ľubovolne silnú poruchu. Metóda dáva pre jednorozmerný systém výsledok podstatne rozdielny od Lindhardovej dielektrickej funkcie a mení kvantitatívne predpovede o takých transportných vlastnostiach jednorozmerného systému ako sú elektrónová pohyblivosť, Mottov a Peierlsov prechod, Kohnove anomálie, atď.

Experimentálne sme vyšetrili straty 1 m dlhej Bi-2223 pásky x 19 filamentami, navinutej vo forme podobnej tej, ako sa používa v kábloch pre prenos elektrickej energie. Zistili sme veľmi výrazný vplyv miesta pripojenia potenciálnych kontaktov a spôsobu vedenia prívodov na hodnotu meraných strát. Zistené straty merané s použitím rôznej konfigurácie prívodov sa líšia až o dva rády. Dôležitým výsledkok je i poznatok, že z hľadiska strát monofilamentárne pásky by boh výhodnejšie ako multifilamentárne.

Zvládnutie technológie prípravy magnetických supermriežok Fe/FeSi s magnetickou výmennou interakciou medzi Fe subvrstvami a nájdenie korelácie medzi štruktúrnymi, elektrickými a magnetickými vlastnosťami Fe/FeSi supermriežok.

5

Page 7: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

4. Vedecký výstup (najdôležitejšie bibliografické údaje sú v Prílohe č.3)

PUBLIKAČNÁ, PREDNÁŠKOVÁ A EDIČNÁ ČINNOSŤ Počet v r . 1998/ doplnky z r. 1997

Vedecké monografie publikované doma -

Vedecké monografie publikované v zahraničí -Odborné monografie publikované doma a v zahraničí -

Kapitoly vo vedeckých monografiách publikovaných doma

Kapitoly vo vedeckých monografiách publikovaných v zahraničí 2

Kapitoly v odborných monografiách publikovaných doma a v zahraničí

-

Pôvodné vedecké práce (štúdie) v plnom rozsahu publikované v periodikách evidovaných v Current Contents a iných databázach ISI

66

Pôvodné vedecké práce (štúdie) v plnom rozsahu publikované doma a v zahraničí v periodikách neevidovaných v Current Contents

2

Publikácie typu short communication a letter to editor uverejnené v periodikách evidovaných v Current Contents

-

Publikácie v plnom rozsahu (štúdie) uverejnené v zborníkoch publikovaných v zahraničí (nie abstrakty)

39

Publikácie v plnom rozsahu (štúdie) uverejnené v zborníkoch publikovaných doma (nie abstrakty)

6

Prednášky a vývesky na vedeckých podujatiach len s domácou účasťou *

4

Prednášky a vývesky na vedeckých podujatiach s min. 30% zahraničnou účasťou *

67

Vyžiadané prednášky na vedeckých podujatiach s min. 30% zahraničnou účasťou

8

Tituly vydávaných periodík evidovaných v Current Contents _

Tituly vydávaných periodík neevidovaných v Current Contents 1

Vydané zborníky z vedeckých podujatí s domácou účasťou _

Počet abstraktov zahr./dom. v periodikách a v zborníkoch * 5

Vydané zborníky z domácich vedeckých podujatí s medzinárodnou účasťou

1

Vysokoškolské učebné texty _

Vyžiadané recenzie rukopisov monografií a vedeckých prác v zahraničných časopisoch, príspevkov na konferencie s medzinárodnou účasťou, oponovanie zahraničných projektov

69

Vyžiadané prednášky doma a v zahraničí mimo vedeckých podujatí (napr. na seminároch na ústavoch, vys. školách a pod.)

13

Page 8: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

* prednášky, vývesky a abstrakty nie je potrebné dokumentovať v Prílohe č.3

2: CITÁCIE Počet v r. 199Ç^ ŕ

a doplnok za r. 199^ ^

Citácie v periodikách evidovaných v citačných databázach ISI

195

Iné citácie (citácie neevidované v citačných databázach ISI, citácie v monografiách, v zborníkoch a iné)

12

Citácie evidované v iných medzinárodných databázach (napr. Electrical abstracts,...)

-

Pozn.: Pri všetkých položkách je potrebné uviesť len tie práce, ktorých aspoň jeden autor bol kmeňovým zamestnancom ústavu do konca roku 1998. Neuvádzať autocitácie. Citácie spracovať za ústav ako celok, nie iba sumarizovať podľa jednotlivých pracovníkov.

5. Vynálezy a licencie

e) Vynálezy prihlásené v roku 1998

• na Slovensku -

• v zahraničí

Ferrari, C , Korytár D.: Monocromatore per diffrattometria X ad alta risoluzione. Prihláška patentu v Taliansku č. MI/98/A 001091.

b) Vynálezy, na ktoré bol udelený patent v roku 1998: Dubecký F.. Darmo J., Pelfer P., Kordoš P., Forster A.: Rivelatore di radiazzione ionizzante e metodo per la sua fabbricazzione. Patent udelený v Taliansku N. 01285788.

c)predané licencie: žiadne

6.Komentáre k vedeckému výstupu a iné dôležité informácie k vedeckým aktivitám pracoviska

III. Vedecká výchova a pedagogická činnosť

1. Prehľad údajov o výchove podľa jednotlivých foriem

Forma vedeckej výchovy

Počet k 31.12.1998 Počet ukončených ašpirantúr a

doktorantúr v r. 1998 Forma vedeckej výchovy Doktorandi

Počet ukončených ašpirantúr a

doktorantúr v r. 1998 Forma vedeckej výchovy

Celkový počet z toho novoprijatí

Obhajobou

ašp. dokt.

predčasné ukončenie

ved. prí­pravy

Denné doktorandské štúdium 5 1 _

Externe doktorandské štúdium _ _ _ 1 _

7

Page 9: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

2. Prehľad údajov o pedagogickej činnosti

PEDAGOGICKÁ

ČINNOSŤ

Semestrálne prednášky Semestrálne cvičenia * PEDAGOGICKÁ

ČINNOSŤ doma v zahraničí doma v zahraničí

Počet prednášateľov alebo vedúcich cvičení**

2 - 1 -

Celkový počet hodín v r. 1998

68 - 6 -

* - vrátane semestrálnych seminárov, terénnych cvičení a preddiplomovej praxe

- len kmeňoví pracovníci (neuvádzať pracovníkov, ktorí sú na dlhodobých stážach na univerzitách)

Prehľad prednášateľov semestrálnych predmetov a vedúcich semestrálnych cvičení, s uvedením názvu predmetu, týždenného úväzku katedry a vysokej školy, je uvedený v Prílohe č. 4

• Počet pracovníkov, ktorí pôsobili ako vedúci diplomových prác: 7 • Počet vedených diplomových prác: 7 • Počet pracovníkov, ktorí pôsobili ako školitelia vedeckých ašpirantov (CSc) a

doktorandov (PhD.): 6 • Počet oponovaných dizertačných a habilitačných prác: 3 • Počet pracovníkov, ktorí oponovali dizertačné a habilitačné práce: 3 • Počet pracovníkov, ktorí pôsobili ako členovia komisií pre obhajoby kandidátskych

dizertačných prác: 11 Počet pracovníkov, ktorí pôsobili ako členovia komisií pre obhajoby doktorských dizertačných prác: 2 • Menný prehľad pracovníkov, ktorí boh menovaní do spoločných odborových komisií pre

doktorandské štúdium:

11-22-9 Fyzika kondenzovaných látok a akustika Doc. RNDr. Silvester Takács, DrSc.

26-02-9 Teoretická elektrotechnika Ing. Milan Polák, DrSc. RNDr. Milan Majoroš, CSc. Ing. Ľudovít Krempaský, CSc. Ing. Ľubomír Janšák, CSc.

26-13-9 Elektronika Ing. Jozef Novák, CSc. Ing. Ivo Vávra, CSc. Ing. Tibor Lalinský, CSc. Ing. F. Dubecký, CSc.

26-35-9 Elektrotechnológia a materiály Ing. Milan Jergel, DrSc. Ing. Karol Frôhlich, CSc. Ing. Daniel Machajdík, CSc. Ing. Štefan Chromik, CSc.

• Menný prehľad pracovníkov, ktorí pôsobili ako členovia vedeckých rád fakúlt a univerzít:

8

Page 10: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Ing. Jozef Novák, CSc., Doc. RNDr. Silvester Takács, DrSc,

VR FEI STU V R M M F U K

• Menný prehľad pracovníkov, ktorí získali vyššiu vedeckú, pedagogickú hodnosť alebo vyšší kvalifikačný stupeň (s uvedením hodnosti/stupňa):

Mgr. K. Kálna PhD prom. fyz. V. Štrbík, CSc. samostatný vedecký pracovník Ha

4. Zoznam spoločných pracovísk SAV s vysokými školami s uvedením stručného popisu výsledkov spolupráce

Katedra jadrovej fyziky a techniky FEI STU, Bratislava. S uvedeným pracoviskom (kontaktná osoba doc. Ing. V. Nečas, CSc.) sme v r. 1998 rozvinuli veľmi intenzívnu spoluprácu v oblasti výskumu detektorov ionizujúceho žiarenia. Vybudované meracie pracovisko je k dispozícii i niekoľko dní v týždni na testovanie vyrobených detektorov. Uvedená spolupráca bola dôvodom významného urýchlenia výskumu v danej oblasti behom uplynulého roku.

5. Iné dôležité informácie k vedeckej výchove a pedagogickej činnosti (konkrétne skúsenosti s doktorandským štúdiom)

Registrujeme nižší záujem o doktorandské štúdium medzi absolventami vysokých škôl. Príčinou popri pomerne nízkom štipendiu (ktoré môžu poskytnúť aj vysoké školy) je obmedzená možnosť ubytovania mimobratislavských uchádzačov. Zlepšením ubytovacích možností pre doktorandov by sa určite zvýšil počet uchádzačov o doktorandské štúdium.

IV. Medzinárodná vedecká spolupráca

Prehľad údajov o medzinárodnej vedeckej spolupráci je uvedený v Prílohe č.5

L Aktívne medziústavné dohody o spolupráci, s uvedením partnerského pracoviska v zahraničí, náplne, dosiahnutých výsledkov, dĺžky platnosti (od - do) a publikácií, ktoré z týchto spoluprác vyplynuli

Spolupráca s Ústavom fyziky kovov NAVU v Kyjeve a Donecku, Ukrajina. Téma: Štúdium tunelových efektov vo vysokoteplotných supravodičoch. Dľžka platnosti: 1997-1999. Rozpracovaná spoločná publikácia: M. Belogolovskij, M. Grajcar, P. Kúš, A. Plecenik, Š. Beňačka, and P. Seidel: zaslané do Phys. Rev. B.

Spolupráca s Univerzitou Nice, Francúzsko. Téma: Štúdium efektov fotodopingu a elektrického poľa na josephsonové spoje v YBCO (Study of Photodoping Effects and Electric Field on YBCO Josephson Junctions). DÍžka platnosti: 1998-1999. Rozpracovaná spoločná publikácia: A. Gilabert, A. Plecenik, M.G. Medici, M. Grajcar, K. Karlovský, and R. Dittman: Influence of iUumination on the properties of BSCCO bicrystal grain boundary junction, zaslaná do Phys. Rev. Lett.

Spolupráca s Univerzitou Birmingham, Veľká Británia. Téma: Tunelové štruktúry vysokoteplotných supravodičov využívajúce nové bariérové materiály. (High Température Tunnel Structures Using Novel Barrier Materials). Dĺžka platnosti: 1998-2000. Rozpracované sú technologické postupy pre prípravu rôznych bariér pre tunelové štruktúry.

9

Page 11: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Tampere University of Technology, Fínsko Téma : Štúdium profilov magnetických polí BSCCO pások vytvorených magnetizačnými a transportnými prúdmi. Doba platnosti : 1993 - 1999

Publikácie:

J.Paasi, P. Kottman, M. Majoroš, V.Plecháček . : Intergranular and intragranular currents in (BiPb)2Sr2Ca2Cu 3Oio+x superconductors: temperature dependence in low magnetic fields, Physica C 305 (1998) 21-25.

J.Paasi, T. Kalliohaka, A.Korpele, L.Soderlund, F.Hermann, J.Kvitkovič, M.Majoroš: Homogeneity studies of multifilamantary BSCCO tapes by three-axis Hall sensor magnetometrry, 1998 Apphed Superconductivity Conference, Sept. 13-18, 1998, Palm Desert, USA

Technische _Universität Wien , Institut fur Experimentalphysik, Rakúsko Téma : Electromagnetic properties of HTS and low Tc superconductors. Doba platnosti : 1997 - 1999 Publikácie :

M. Polák, M. Majoroš, A. Kasztler, H. Kirchmayr .: Filament bridging and criticaal current density variation in the cross-section of multifilamentary Bi-2223/Ag tapes, IEEE Transaction on Applied Superconductivity, accepted for publication.

M.Polák, M.Majoroš, A.Kasztler, H.Kirchmayr: Filament bridging and critical currents density vaariation in the cross-section of multifilamentary Bi-2223/Ag tapes, 1998 Applied Superconductivity Conference, Sept. 13-18, 1998, Palm Desert, USA.

A.Kasztler, M.Foitl, H.Kirchmayr, M.Polák, M.Majoroš: Critical current variation and current transfer length in multifilamentary Bi-2223/Ag , 1998 Apphed Superconductivity Conference, Sept. 13-18, 1998, Palm Desert, USA.

M.FoitL AKasztler, H. Kirchmayr, L.Krempaský, J.Kvitkovič, M.Polák: Magnetization and loss measurements of short samples of Nb 3Sn round wire using Hall probes and standard magnetization technique, Proceedings of SOFT '98 (Symposium on Fusion Technology), Marseille, Sept. 1998.

Interdisciplinary Research Centre in Superconductivity, University of Cambridge, UK Téma : Definition of percolative effects in polycrystalline high Tc (BiPb) SrCaCuO -2223/Ag superconductors through study of magnetic field generated by transport and induced currents. Doba platnosti: 1.1.1998 - 31.12.1999 Publikácie :

M. Majoroš, L. Janšák, S.Zannella, F.Curcio, P.La Cascia, V.Ottoboni, C.M.Friend, L.Le Lay, B.A.Glowacki, A.M.Campbell.: Temperature dependence of transport ac losses

in Bi-2223/Ag multifilamentary tapes, accepted for publication in Physica C.

E.C.L. Chesneau, B.A. Glowacki, J. Kvitkovič, M. Majoroš, K.van Beck, M.Konczykowski: Comparison of magnetic field profiles of Ag/BSCCO-2223 tapes carying AC and DC currents, 1998 Apphed Superconductivity Conference, Sept. 13-18, 1998, Palm Desert, USA.

10

Page 12: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

CERN , LHC Division, Švajčiarsko Téma: Meranie magnetizácie supravodivých káblov pre Large Hadron Collider, K407/LHC Doba platnosti: 12.12.1996 - 12.12.1998 Publikácie : Measurement Report, Nov. 1997 Získanie špeciálneho vodiča pre zhotovenie nízkohysterézneho magnetu na E1U SAV, nové poznatky o proximity jave.

Characterization of semi-insulating AIII-BV semiconductors for radiation detectors, dvojstranná dohoda o spolupráci s University of Florence, Dept. of Physics od r. 1993, bez stanovenia termínu ukončenia dohody. Predmetom spolupráce je výskum III-V polovodičov pre detektory ionizujúceho žiarenia, optimalizácia technológie prípravy detekčných štruktúr, ich elektrická charakterizácia a testovanie detekčných vlastností. Výskum sa sústreďuje na objemové semiizolačné materiály GaAs a InP. V r. 1998 sa v oblasti SI GaAs pokračovalo v charakterizácii chemickej čistoty rôznych materiálov metódou GDMS a ďalšími fyzikálnymi metódami. Dospelo sa k závažnému poznatku o možnosti aplikácií objemového LEC SI GaAs na výrobu detektorov žiarenia s dostatočnou kvalitou a výťažnosťou. V r. 98 sa ukázalo, že nami rozpracovaná C-V analýza SI materiálov predstavuje jednoduchú a citlivú metódu na indikáciu nehomogenít oblastí priestorového náboja v SI polovodičoch. Dosiahol sa pokrok v oblasti zlepšenia detekčných parametrov SI GaAs štruktúr využitím novej technológie zadného kontaktu. Ďalej sa pokračovalo v skúmaní SI InP:Fe detektorov. Doposiaľ získané výsledky predstavujú špičkovú svetovú úroveň. Prvýkrát sa podarilo detektorom na báze SI InP detekovať fotóny v rtg oblasti 60 a 122 keV pri teplotách v oblasti -50 až -30 °C.

Aktívne bilaterálne medzinárodné projekty nadväzujúce na MAD s uvedením názvu krajiny a spolupracujúcej inštitúcie, názvu projektu, dĺžky platnosti (od - do), dosiahnutých výsledkov a publikácií, ktoré zo spolupráce vyplynuli

Spolupráca s SUJV Dubna, Rusko. Téma: Rozpracovanie a vytvorenie elementov komplexa LHC (Working out and Realization of Elements for LHC System), Dĺžka platnosti: 1998 -2000 Dosiahnuté výsledky: Supravodivé rezonátory pre urýchľovače elementárnych častíc, zvýšenie dolného kritického magnetického poľa BCi vo viacvrstvových štruktúrach NbN/Nb/NbN. Spoločný príspevok na 17 t h Int. Conf. On High Energy Accelerators, Sept. 1998, Dubna. (Superconducting Cavities for Accelerators of Particles, Enhancement of Lower Critical Field B C] in Multilayer Structures NbN/Nb/NbN).

NIPPON Steel co., Japonsko Téma : Výskum vlastností odporových obmedzovačov prúdu na báze QMG HTS. Doba platnosti : 1998 - 2003 Publikácie: spolupráca uzatvorená na jeseň 1998

Forschungszentrum Karlsruhe, Institut fur Technische Physik Téma: Striedavé straty vo vysokoteplotných supravodičoch. Téma č. SLA-006-97 Doba trvania: 1.1.1998 -31.12.2000 Publikácie :

L.Krempaský, C.Schmidt.: Time constant measurement in technical superconductors, Cryogenics 37 (1998), in print.

Page 13: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

L.Krempaský, C. Schmidt.: Influence of supercurents on the stability of superconducting magnets, Physica C 356 (1998), in print

L. Krempaský, R. Bussjäger, C. Schmidt: Experimental verification of "supercurrents" induced in superconducting cables expposed to AC-fields, Proc. of Fifteenth Int.Conf. on Magnet Technology , Ed.: Lin Liangzhen, Shen Guoliao, Zan Lunguang, Science Press, Beiing, 1998, p. 1283-1286.

Dvojstranný projekt s ISI Júlich, Germany Téma:, Kvantové štruktúry pre senzory magnetického poľa a optoelektroniku (Quantum structures for magnetic field sensors and optoelectronic). Projekt č. SLA - 003-97 Doba trvania: 1.8.97 -31.12.2000

Publikácie:

1. Cambel, V., Gregušová, D., Eliáš, P., Haseuôhrl, S., Olejníková, B., Novák, J., Shapers, T., Neurohr, K., and Fox, A.: Characterization of InGaAs/InP microscopic Hall probe arrays with 2DEG active layer, Materials Sci Engineering B51 (1998) 188.

2. Novák, J., Betko, J., Morvic, M., Kordoš, P. and Fôrster, A.,: Galvanomagnetic characterisation of LT-GaAs layers separated from their substrates, Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds, Erlangen 5.-7. Oct. 1998 (invited)

Preparation and characterization of substrates and heterostructures for microelectronics and optoelectronics, 1998 - 2000, dvojstranný projekt s ústavom MASPEC CNR, Panna, Taliansko v rámci medziakademickej dohody SAV - CNR. Náplň projektu sa týka 3 hlavných oblastí a to epitaxného rastu heteroštruktúr na báze III-V polovodičov, rtg topografie a difrakcie v metodickej a diagnostickej oblasti a detektorov ionizujúceho žiarenia na báze SI InP. V r. 1998 sa v rámci spolupráce testoval rtg monochromátor Si s elastickým dostavovaním Braggových uhlov pomocou du Mondových diagramov. Získané výsledky viedli k podaniu patentovej prihlášky (Tal.). Rtg metódami boh charakterizované rôzne objemové SI GaAs materiály. Výsledky po doplnení o LST (laser scattering tomography) realizované na pracovisku ITME Warsaw boh spracované do konferenčného príspevku na SIMC-X. Následne je možná ich korelácia s elektrickými a detekčnými vlastnosťami detektorov získaných na identických materiáloch a prezentovaných na SIMC-X v ďalších 2 príspevkoch. Pokračovalo sa i vo výskume SI InP detektorov. Špičkové výsledky boh prezentované behom r. 1998 na viacerých významných podujatiach a publikované v zborníkoch a časopise (CC). Výsledky spolupráce vyústili do spoločné podaného návrhu NATO projektu (program Science for Peace).

Study of GaAs Radiation Detectors, 1996-98 (predĺženie riešenia projektu navrhuje slovenská strana z dôvodu nefinancovania spolupráce zo strany SRv r. 96, 97), dvojstranný projekt s University of Athens, Dept. of Solid State Physics v rámci medzištátnej dohody o vedeckotechnickej spolupráci medzi SR a Gréckom. Náplňou projektu je charakterizácia fyzikálnych vlastností SI GaAs, skúmanie elektrického transportu nosičov náboja v detekčných štruktúrach a radiačnej odolnosti materiálov a štruktúr voči pôsobeniu ionizujúceho žiarenia (neutrónov, fotónov a nabitých častíc). Vr . 1998 sa spolupráca utlmila následkom niekoľkoročného deficitu finančných prostriedkov zo strany SR. To znemožnilo cestovanie a potrebné odborné kontakty.

Účasť na bilaterálnom projekte s partnerským pracoviskom : Inštitút fiir Festkôrperelektronik, Technische Universität Wien. Názov projektu: „Thermal characterization of GaAs power sensor microsystem"

12

Page 14: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Doba riešenia: 07/97 - 07/98 Projekt rieši problémy tepelnej charakterizácie a simulácie mikromechanického senzora výkonu na báze GaAs. V rámci projektu bola rozpracovaná nová metodika tepelnej charakterizácie senzora založená na optických interferometrických meraniach. Experimentálne výsledky tepelnej charakterizácie senzora boh úspešne overené dvojrozmernou tepelnou simuláciou.

A new method of thermal characterization of a GaAs micromachined power sensor based on a laser interferometric technique was developed. The sensor thermal characteristics were found to be in good agreement with the simulation.

Publikácie: 1. Buiian, E., Pogany, D., Lalinský, T., Seliger, N., and Gornik, E.:Thermal simulation

and characterization of GaAs micromachined power sensor microsystems, Sensors and Actuators A 68/1-3 (1998) p.372.

2. Pogany, D., Seliger, N., Gornik, E., Stoisiek, M., and Lalinský, T.: Analysis of the temperature evolution from the time resolved thermo-optical interferometric measurements with few Fabry-Perot peaks, Journal of Apphed Physics 84, (1998) 4495

3. Pogany, D., Lalinský, T., Kuzmĺk, J., and Mozolová, Z.: Study of thermall effects in GaAs micromachined power sensor microsystem by an optical interferometer technique, Microelectronics Journal 29 (1998) 191.

4. Burian, E., Pogany, D., and Lalinský, T., Haščík, S., and Mozolová, Z.: Simulation and characterisation of thermal properties of GaAs rmcromachined power sensor microsystem. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J.Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ. 1998, p. 281.

Spolupráca s University of Bath, UK, podporené The Royal Society Téma: Vývoj vektorových hallových sond moderného typu pre rastrovaciu magnetickú mikroskopiu (Development of advanced vector Hall probes for scanning magnetic microscopy) Dosiahnuté výsledky: Odskúšané boh niektoré technologické kroky nevyhnutné na prípravu neplanárnych súéiastok, menovite nanášanie rezistov a litografia elektrónovým zväzkom na rovinách (211). Bol pripravený NATO SfP projekt s rovnakou tematikou, ktorý bol v novembri 1998 v Bruseli úspešne obhájený.

3. Účasť pracoviska na riešení projektov v rámci dohôd o vedeckotechnickej spolupráci s uvedením názvu krajiny a spolupracujúcej inštitúcie, názvu projektu, dĺžky platnosti, dosiahnutých výsledkov a publikácií, ktoré zo spolupráce vyplynuli. Spôsob financovania projektov

žiadne

4. Účasť pracoviska na riešení projektov v rámci vedeckých programov EU (COST, PECO, INCO COPERNICUS, EUREKA, ESPIRIT, PHARE a iné), Vedeckého výboru NATO, CERN a iné, s uvedením názvu projektu, čísla projektu, názvov spolupracujúcich inštitúcií v zahraničí, dosiahnutých výsledkov a publikácií, ktoré z tejto spolupráce vyplynuli (informáciu o výsledkoch v bodoch 1-4 uviesť aj v anglickom jazyku). Uviesť konkrétne údaje o finančnom zabezpečení projektu (zo zahraničia a zo štátneho rozpočtu).

13

Page 15: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

INCO-Copernicus IC15-CT96-0806 Heterodynný prijímač pre enviromentálne monitorovanie na báze vysokoteplotných supravodičov pracujúci v oblasti subrnilimetrových vín. (ISI Jülich, Chalmers Univ. Göteborg, IRE Moskva, EIU SAV). Heterodynný prijímač subrnilimetrových vln pre enviromentálny monitoring. Spoločné práce na realizácii a analýze častí prijímača (zmiešavač, lokálny oscilátor) na báze vysokoteplotných supravodičov. Dosiaľ nepublikované. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 579 285 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 161 000 Sk

INCO-Copernicus IC15-CT96-0806 High-Tc Superconductors Sub-mm Wave Heterodyne Receiver for Enviromental Monitoring. (ISI Juhch, Chalmers Univ. Göteborg, IRE Moskva, IEE SAS). Common works on realization and analysis of mixer and local oscillator based on HTS (bicrystal junctions, stack junctions). It was realised integrated thin film mixer with array (25 step edge junctions ) as local oscillator and step edge junction as mixer, connected with local oscillator by strip line. Mixing to 0.5 THz was demonstrated this year.

Copernicus CEPA CT94 0185 Výroba a charakterizácia vysokoteplotných supravodičov na báze Bi pre technické aplikácie. Doba trvania : 1.2.1995 - 31.1.1998 Dosiahnuté výsledky: získali sme poznatky o možnosti zvýšenia Jc vytváraním centier pimúngu, vyšetrili sme vplyv nehomogenít na VA charakteristiky MF BSCCO. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 0 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 0 Sk

Copernicus CEPA CT94 0185 Processing and characterization of Bi based high temperature superconductors for technical applications (BISCO). Duration: 1.2.1995 - 31.1.1998 We have obtained konwledges on possibilities of increasing Jc by creating of pinning centers. We have studied the effect og inhomogeneities on current-voltage characteristics of multifilamentary BSSCO material.

Publikácie :

S. Zannella, M. Majoroš, V. Ottoboni.: Measurements of critical temperature in oxide superconductors by SQUID magnetometer, bude publikované v Cryogenics

Copernicus CIPA CT94 0197 Trojterminálové termoelektrické senzory elektrického výkonu a ich metrologické a priemyselné využitie. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.2.1995 -31.1.1998 V záverečnej fáze riešenia projektu sa rozpracovala technológia a simulácia mikro-mechanického senzora výkonu na báze GaAs nosníkov s hrúbkou 2 um. Ohyb GaAs nosníkov spôsobený bimetalovým efektom bol študovaný laserovou optickou interferometriou. Zistená extrémne dobrá linearita v mechanickej odozve nosníkov v závislosti na stratovom výkone v senzorovom žiariči (GaAs MESFET) mohla by byť taktiež využitá na snímanie elektrického výkonu. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 756 803 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 0 Sk Copernicus CEPA CT94 0197 Three-tenninal thermoconverter based power sensor and their metrological and industrial applications. Duration of the project: 1.2.1995 - 31.1.1998. A bimetallic effect in a 2-um-thick GaAs cantilever beam of the micromachined power sensor was studied using both the microscopic laser optical interferometry and laser optical reflectance measurement. An excellent linearity in the key transfer characteristic based on the bimetallic effect was found. The cantilever bimetallic effect was considered to be used for the electrical power sensing for the first time.

14

Page 16: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Publikácie: 1. Haščík, Š., Lalinský, T., Mozolová, Ž., and Kuzmik, J.: Patterning of cantilever for

power sensor microsystem, Vacuum 51 (1998) 307. 2. Lalinský, T., Haščík, Š., Mozolová, Ž., Držík, M., and Hatzopoulos, Z.:

Micromachined power sensor microsystem. In: Proc. Micromechanic EUROPE Conf. Ulwik (Norway) 1998, p. 139.

3. Lalinský, T., Haščík, Š., Mozolová, Ž., Držík, M., and Hatzopoulos, Z.: The improved performance of a GaAs micromachined power sensor microsystem. In: EUROSENSORS XII Conf Southampton (England) 1998, p. 739.

4. Lalinský, T., Držík, M., Haščík, Š., Mozolová, Ž., Kuzmik, J., and Hatzopoulos, Z.: Study of bimetallic effect in GaAs cantilever beam of power sensor microsystem. In: ASDAM '98. Proc. 2 n d Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, EEEE 1998, p. 331.

V rámci projektu INCO Copernicus IC15CT960735 " Functional thin oxide films obtained by new MOCVD techniques" (LMGP Grenoble, ICMB Barcelona, University Nice, University Vilnius, Moscow State University, Moscow) sme pripravili tenké epitaxné vrstvy Ce02 s extrémne vysokou orientáciou kryštalografických rovín rovnobežných s rovinami podložky. Pripravili sme taktiež vysoko kvalitné vrstvy LaMn03 s magnetorezistenciou až 30 % v magnetickom poli 0.3 T. Žíhaním vrstiev v kyslíkovej atmosfére sme pripravili vrstvy s vysokou magnetorezistenciou v blízkosti izbovej teploty. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 545 635 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 93 000 Sk

In the frame of the INCO Copernicus project No. IC15CT960735 " Functional thin oxide films obtained by new MOCVD techniques" (LMGP Grenoble, ICMB Barcelona, University Nice, University Vilnius, Moscow State University, Moscow) we have prepared thin epitaxial Ce02 films with extremely high orientation of crystallographic planes parallel to the planes of the substrate. We have also prepared LaMn03 high quality films with magnetoresistance up to 30 % in a magnetic field of 0.3 T. Annealing of the films in an oxygen atmosphere results in high magnetoresistivity of the films at temperatures close to room temperature.

Publikácie: 1. Pignard, S., Vincent, H., Senateur, P., Frôhhch, K., and Souc, J.: Effect of crystallinity

on the magnetoresistive properties of LaQ g Mn0 3 _j thin films grown by chemical vapor deposition, Applied Phys. Letters 73 (1998) 999.

2. Frôhhch, K., Souc, J., Machajdík, D., Jergel, M., Snauwaert, J., and Hellemans, L.: Surface quality of epitaxial CeO, thin films grown on sapphire by aerosol metal organic chemical vapour deposition, Chem. Vapor Depos. 4 (1998)

3. Frôhhch, K., Souc, J., Rosina, M., and Bydžovský, J.:Magnetoresistivity in thin L a l V M n 0 3 films prepared by metal organic chemical vapour deposition, Acta Physica Slovaca48(1998) 727.

V rámci projektu Copernicus CĽPACT940115 bol technikou W&R skonštruovaný supravodivý magnet z Bi(2223) pásky vyrobenej na E1U SAV, s čiastočnou kompenzáciou radiálnej zložky magnetického poľa generujúcej pole 0,282 T. Tým bol uvedený projekt ukončený a záverečná správa bola hodnotená v EU komisii kladne. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 291 760 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 0 Sk

15

Page 17: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

In the frame of the Copernicus CĽPACT940115 project we have constructed using a technique wind and react a superconducting magnet from Bi(2223) tape prepared at the FEE SAS, with a partial compensation of the radial component of magnetic field. The magnet gives a magnetic field of 0,282 T. The project was finished and the final report was evaluated in the EC positively.

INCO-Copernicus No. IC 15-CT96-0751 "Senzory magnetického poľa založené na efekte obrovskej magnetorezistencie". Za účelom prípravy GMR senzorov (z Fe/Cr supermriežok a tiež z LaMn03 vrstiev) sme vyvinuli technológiu tvarovania pomocou počítačom riadeného elektrónového zväzku rastrovacieho mikroskopu. Vyvinuté tvarovanie sme použili aj na tvarovanie magnetických mikromostíkov a systému periodicky rozložených magnetických bodov. Najmenší tvarovaný rozmer bol 1 |.im. Magnetickými a štruktúrnymi meraniami sa potvrdilo, že umelá superperiodicita multivrstiev sa počas tvarovacích technológií nanarušila. Technikou depozície supermriežky Fe/FeSi s klinovitým FeSi spacerom a následnými magnetickými meraniami sme určili interval hrúbiek FeSi spacera, v ktorom sa pozoruje magnetická výmenná interakcia. Pozorovali sme silnú závislosť tvaru hysteréznej slučky na hrúbke spacera. Pri hrúbke FeSi 1,5 nm hysterézna slučka má charakteristický perminvarový tvar. To poukazuje na koreláciu pohybu doménových stien v susedných Fe subvrstvách. Pozorovaná korelovaná mikroštruktúra Fe subvrstiev podporuje túto hypotézu. Našli sme koreláciu medzi mikroštruktúrou LaMn0 3 tenkých vrstiev a ich magnetorezistívnymi characteristikami. V epitaxných LaMn03 vrstvách nanesených na SrTi03 pri rovnakých technologických podmienkach ako LaMnC»3 polykryštalické vrstvy rozmer mozaikových blokov bol 20 nm. Pritom stredná veľkosť zŕn poly kry štalických vrstiev bola tiež 20 nm. Pretože GMR časť magnetoreziztĺvnej závislosti u monokryštalických vrstiev nie je prítomná, usúdili sme, že za GMR časť magnetorezistívnej závislosti je spôsobená veľkouhlovými hranicami zŕn. GMR sensory pripravené z Fe/Cr supermriežok boh testované pri mK -ových teplotách. O využitie GMR magnetických senzorov prejavila záujem firma Cryophysics. Finančné zabezpečenie zo zahraničia: 1 016 822 Sk Finančné zabezpečenie zo štátneho rozpočtu: 161 000 Sk

Publikácie:

Vávra L, Bydžovský J., Švec P., Harvanka M., Dérer J., Frait Z., Kamberský V., Lopušník R., Višňovský S., Kubèna J., and Holý V.: Structural, electrical and magnetic properties of Fe/Si and Fe/FeSi multilayers, Acta Physica Slovaca (1998) 743.

Vávra L, Bydžovský J., Dérer J., Frait Z., Kamberský V. and Kubèna J.: Structural and magnetic properties of magnetron deposited Fe-FeSi multilayers, MML'98, Vancouver (Canada) 1998.

Xia H., Kaboš P., Patton C.E., Vávra I. and Bydžovský J.: Mechanical and magnetic properties of Fe/FeSi multilayers determined by Brillouin light scattering, MML'98, Vancouver (Canada) 1998.

INCO-Copernicus No. IC 15-CT96-0751 between the European Community and Institute of Electrical Engineering, SAS "Magnetic Field Sensors Based on Giant Magnetoresistance Effect"

16

Page 18: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

The lithography by computer-controlled e-beam in scanning electron microscope was applied for t i e patterning of GMR sensors (based on Fe/Cr superlattice and also on LaMnCb thin films), Fe/Cr microbridges and the arrays of magnetic spots. The minimal patterned dimension was 1 [am. It was confirmed by magnetic and structural measurements that the multilayer structure is retained in all patterned structures. By the wedge technique the range of spacer layer thickness of Fe/FeSi multilayers with exchange coupling was determined. The strong dependence of interlayer exchange coupling on thickness of FeSi spacer layer was observed. The variety of hysteresis loops form was observed in Fe/FeSi multilayers with wedge shape FeSi spacer. At spacer layer thicness 1.5 nm the perminvar-type of hysteresis loop was observed. This indicates the domain wall correlated interaction of adjacent magnetic layers. The observed correlated microstructure of Fe/FeSi supports this idea. The correlation between the microstructure of LaMn03 thin films and their magnetoresistive characteristics was found. In epitaxial LaMn03 films deposited on SrTi0 3 at the same technological conditions the mosaic blocks with characteristic size of 20 nm were observed by TEM. The GMR part of magnetoresistive characteristics is absent. We conclude that for the GMR part of characteristics the high angle grain boundaries are responsible. GMR sensor prepared on the basis of Fe/Cr superlattice was tested in mK temperature range. Cryophysics, ltd. expressed interest in the possibility of distribution of the produced GMR sensor for special apphcations and in the possibility of preparation of the GMR sensor with desirable properties upon request.

NATO SfP projekt

NATO SfP Projekt č.: SfP-972399: Vývoj vektorových hallových sond nového typu pre magnetickú mikroskopiu (Development of advanced 'vector' Hall probes for magnetic microscopy). Partner: University of Bath, UK Cieľom tohoto projektu je vyvinúť hallov senzor nového typu na báze neplanárnej polovodičovej heteroštruktúry. Senzor bude pripravený definíciou hallových sond na naklonených stranách pyramidálnych mesa štruktúr, čo umožní meranie lokálneho vektora magnetického poľa. Podpora projektu pre rok 1998 zo strany SAV: 60 000.- Sk The goal of this project is to develop a novel Hall sensor based on non-planar semiconductor heterostructure. The sensor will be realised by patterning Hall probes on tilted faces of pyramidal-shaped mesa structures and will be capable of resolving the entire local magnetic field vector.

NATO Expert Visit Grant

NATO Expert Visit Grant: 'Nedeštruktívne vyhodnocovanie vlastností supravodivých materiálov s využitím mikroskopických hallových riadkových snímačov ('Non-destructive Evaluation of Superconducting Materials Using Micro Hall Sensor Arrays') Partner: Argonne National Laboratory, Illinois, USA Cieľom tohoto projektu bolo zaviesť rýchlu a presnú metódu merania profilu rozdelenia magnetického poľa na povrchu supravodivých materiálov. Metóda vyhovuje z hľadiska citlivosti, veľkého rozsahu magnetických polí (+ 9 T) a teplôt (4.2 - 100 K). The goal of this project is to establish a quick and precize method of profiling the magnetic field distribution on the surface of superconducting material. The method will be robust in terms of sensitivity, wide range of external magnetic fields and temperatures.

17

Page 19: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Najdôležitejšie prínosy z vyslaní do zahraničia a z prijatí zahraničných pracovníkov a/ v rámci centrálnych dohôd

British Council, Ing. J.Kvitkovič,vyslanie, metóda merania profilov magn. polí pomocou lock-in techniky.

Úzka spolupráca s pracoviskami AV ČR v Prahe (FÚ, URE) vyústila do spoločného návrhu projektov podaných v rámci SfP programu NATO. Návrhy bilaterálnych projektov sú v štádiu prípravy.

V Clarendon Laboratory, University of Oxford, boh urobené spoločné experimenty v oblasti vplyvu mechanického namáhania na kritické prúdy pások Bi(2223)/Ag, ako aj výpočty modelových vinutí z anizotrópnych supravodičov. Uvedené výsledky boh publikované v spoločnom článku a niektoré naše prínosy sú citované v práci prezentovanej na konferencii MT-15.

V rámci vyslania na Katholieke Universteit Leuven, Belgicko sme získali prístup k unikátnemu prístroju "atomic force microscope", - AFM. Pomocou tohto prístroje bolo možné sledovať mikroštruktúru povrchov tenkých vrstiev pripravených na E1Ú SAV na úrovni nanometrov. Výsledky získané počas pobytu budú využité vo vedeckej publikácii. Prístup k obdobnému zariadeniu bol našimpracovníkom umožnený aj v rámci prác na spoločnom projekte s ISI Júlich.

b/ v rámci medziústavných dohôd

Forschungzentrum Karlsruhe, ing. L. Krempaský, CSc , vyslanie, vyšetrovanie fxekv. závislostí AC strát mf pasiek z VTS.

Zvládnutie technológie detektora ionizujúceho žiarenia na báze objemového SI InP, jeho elektrická charakterizácia a testovanie detekčných vlastností. Detektor vykazuje špičkové parametre pri detekcii a-žiarenia, ktoré prekonávajú všetky doposiaľ publikované výsledky. Detektor pri chladení pod -30 °C detektuje fotóny z rtg oblasti. Výsledok sa dosiahol v rámci spolupráce s ústavom MASPEC CNR, Panna (SAV - CNR). Spolupráca vyústila do návrhu medzinárodného projektu v rámci programu NATO Science for Peace.

c/ ostatné

Zo zahraničných projektov boh financované cesty do Julichu a Neapolu pre uskutočnenie spoločných experimentov a získanie informácií o Európskej sieti supravodivosti (SCENET).

USA, prof. Hellstrom , prijatie, Univ. Madison, spoločný príspevok na ASC98 s ing. P. Kováčom CSc , z E1Ú.

Ing. F. Dubecký, CSc , sa zúčastnil významnej medzinárodnej konferencie SIMC-X v Berkeley, USA (jún 1998). Prezentoval 4 príspevky prijaté na publikovanie do zborníka. Slovensko reprezentoval aj ako člen medzinárodného riadiaceho výboru.

18

Page 20: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

6. Členstvo a funkcie v medzinárodných vedeckých spoločnostiach a úniách

• Ing. Ľudovít Krempaský, CSc , člen Finančného výboru CERN-u, Ženeva, Švajčiarsko • Ing. Jozef Novák, CSc , člen Materiál Research Society, Boston, USA • Ing. M. Polák, DrSc , člen Materiál Research Society, Boston, USA • Ing. Jozef Fabian, CSc , člen IEEE, Piscataway, USA • Ing. T. Lalinský, CSc , člen IEEE, Piscataway, USA • RNDr. Štefan Beňačka, CSc , člen Európskej fyzikálnej spoločnosti • RNDr. Andrej Plecenik, CSc , člen Európskej fyzikálnej spoločnosti • Ing. F. Jäger, CSc , člen komisie A3 Int. Inštitúte of Refrigeration • Ing. F. Chovanec, CSc , člen komisie Al/2"Cryophysics", Int. Inštitúte of Refrigeration • Ing. I. Vávra, CSc , člen výboru Československej elektronomikroskopickej spoločnosti

člen American Vacuum Society, New york, USA • Oddelenie inikroelektronických Štruktúr je členom NEXUSEAST-European network of

excellence in multifunctional microsystems • Oddelenie optoelektroniky je členom v sieti Phantoms

7. Členstvo a funkcie v národných komitétoch • Ing. Ľ. Krempaský, CSc , člen Slovenského výboru s IIR ( Medzinárodný inštitút

chladiarenskej techniky, Paríž) • Ing. Ľ. Krempaský, CSc , člen Slovenského výboru pre spoluprácu s CERN-om • Ing. F. Jäger, CSc , Ing. F. Chovanec, CSc , členovia Slovenského výboru s HR

(Medzinárodný inštitút chladiarenskej techniky, Paríž) • RNDr. Š. Beňačka, CSc , člen Národného komitétu IUPAP • Ing. D. Machajdík, CSc , člen Výboru pre spoluprácu s SUJV Dubna

8. Zastúpenie v edičných radách časopisov v zahraničí • Ing. Milan Jergel, DrSc - člen redakčnej rady Condensed Matter and Materiál

Communications • Ing.Karol Frôhlich, CSc. - člen edičnej rady Superconductor Science and Technology

9. Medzinárodné vedecké podujatia, ktoré ústav organizoval alebo sa na ich organizácii podieľal a/ s uvedením krátkeho zhodnotenia vedeckého a spoločenského prínosu b/ s uvedením pripomienok k organizačnému zabezpečeniu podujatia, ak sa konalo v zariadení SAV

ASDAM'98, Smolenice, Ing. F. Dubecký, CSc , a In. T. Lalinský, CSc , boh členmi programového výboru. Jednalo sa o 2. medzinárodnú konferenciu so zameraním na progresívne mikroelektronické materiály, prvky a mikromechanické technológie. Prvú z nich organizoval E1U SAV v r. 1996 so spluorganizátorom KMLE FEI STU, Bratislava. V prípade 2. konferencie bol E1U SAV spoluorganizátorom. Konferencia sa uskutočnila v zariadení SAV. Ukazuje sa značný vedecký i spoločenský prínos uvedených podujatí. Podujatie prebehlo bez organizačných problémov

Podiel na organizácii medzinárodnej výstavy v rámci medzinárodnej konferencie on Information Society Technologies, Viedeň, December 1998.

19

Page 21: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

10. Počet pracovníkov v programových a organizačných výboroch medzinárodných konferencií

4

11. Zoznam plánovaných medzinárodných vedeckých podujatí, ktoré bude organizovať pracovisko v roku 1999

Weak Superconductivity Symposium, september 1999.

4 t h Autumn School on X-ray Scattering fŕom Surfaces and Thin Layers, organizovaná spolu s Postdam University a Masarykovou univerzitou v Brne.

International Workshop EPMS 99 - Smolenice

12. Medzinárodné ocenenia a iné dôležité informácie k medzinárodnej vedeckej spolupráci Za významné medzinárodné uznanie a ocenenie dlhoročnej práce v oblasti skúmania semiizolačných polovodičov pokladáme skutočnosť, že Ing. F. Dubecký CSc. bol menovaný za člena riadiaceho medzinárodného výboru najvýznamnejšieho vedeckého podujatia v danej oblasti, Semiconducting and Insulating Materials Conference. V poradí X. séria tejto konferencie sa v r. 1998 konala v Berkeley (California, USA).

Oddelenie mikroelektronických štruktúr bolo v roku 1998 prijaté do Európskej siete NEXUS v oblasti mikrosys-témových technológií.

Ing. T. Lalinský CSc , prijal pozvanie pracovať v pracovnej skupine na Európskom Workshope - "Industrial Standardization in Microsystem Technology", Itzehoe, 14-18.7. (1998).

V. Spolupráca s vysokými školami, inými domácimi výskumnými inštitúciami a s hospodárskou sférou pri riešení výskumných úloh 1. Prehľad vysokých škôl (fakúlt) a výsledkov spolupráce

2. Prehľad inštitúcií a výsledkov spolupráce vrátane prípadného finančného efektu

mtermikra, s.r.o., Košice, pracovisko hybridnej elektroniky. V r. 98 v rámci spolupráce rozpracovali návrh a výrobu keramického nosníka pre lineárny rtg detekčný element s počtom 32 resp 64 prvkov. Jedná sa o spoluriešiteľa návrhu projektu FPVT podaného MH SR. Predbežná informácia je, že tento návrh bol zo strany MH SR schválený na financovanie v r. 1999.

T&N System, s.r.o., Banská Bystrica._Koordinátor navrhnutého FPVT projektu a kľúčový end-user výsledkov NATO projektov (rtg zobrazovací skener).

3. Ďalšie informácie k spolupráci s hospodárskou sférou (napr. pripravované spoločné projekty, členstvo v dozorných radách, prenos technológií do praxe a pod.)

Oddelenie mikroelektronických štruktúr v spolupráci s firmou Applied Precision s. r. o. so sídlom v Bratislave a firmou HTT-Tesla Pardubice s.r.o. so sídlom v Pardubiciach, vypracovalo návrh spoločného NATO-projektu: Microwave Monolithic Integrated Transmitted Power Sensors and Their Industrial and Metrological Applications .

VI. Aktivity pre vládu, parlament a iné organizácie

1. Prehľad aktuálnych spoločenských problémov, ktoré riešilo pracovisko v spolupráci s vládnymi a parlamentnými orgánmi alebo pre ich potrebu

20

Page 22: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

VI. Aktivity pre vládu, parlament a iné organizácie

1. Prehľad aktuálnych spoločenských problémov, ktoré riešilo pracovisko v spolupráci s vládnymi a parlamentnými orgánmi alebo pre ich potrebu 2. Členstvo v poradných zboroch vlády, parlamentu, prezidentskej kancelárie a pod. 3. Expertízna činnosť a iné služby pre štátnu správu a miestne samosprávne orgány

VIL Aktivity v orgánoch SAV

1. Členstvo v komisiách Predsedníctva SAV

RNDr. A Plecenik, CSc , doc. RNDr. S. Takács, DrSc. Ing. J. Novák, CSc , Ing. P. Lobotka, CSc , RNDr. V. Cambel, CSc , Ing. J. Fabian, CSc , RNDr. A. Plecenik, CSc , RNDr. A. Plecenik, CSc ,

vedecký tajomník 1. odd. SAV predseda Kolégia SAV pre fyziku podpredseda VK pre elektrotechniku a kybernetiku člen VK pre elektrotechniku a kybernetiku člen Komisie pre veľkú výpočtovú techniku člen Ekonomickej komisie člen Edičnej rady SAV člen Dislokačnej komisie

2. Členstvo vo Výbore Rady vedcov SAV, VEGA a pod

Komisie VEGA: doc. RNDr. S. Takács, DrSc,

Ing. J. Novák, CSc ,

Ing. K. Frôhlich, CSc , Ing. I. Vávra, CSc ,

člen Predsedníctva VEGA podpredseda Komisie pre fyzikálne vedy člen Komisie pre elektrotechniku a informatiku člen Predsedníctva VEGA člen Komisie pre elektrotechniku a informatiku člen Komisie pre strojárstvo, hutníctvo a materálové inžinierstvo

VIII. Vedecko-organizačné a popularizačné aktivity a ceny a vyznamenania

1. Vedecko-popularizačná činnosť (počet monografií, prednášok, príspevkov v tlači, rozhlase, televízii a pod.) Zoznam uviesť v prílohe č. 6

2. Usporiadanie domácich vedeckých podujatí (vrátane kurzov a škôl), s uvedením názvu podujatia, dátumu a miesta konania a počtu domácich a zahraničných účastníkov

3. Členstvo v organizačných výboroch domácich vedeckých podujatí, s uvedením názvu podujatia, dátumu a miesta konania

4. Domáce vedecké vyznamenania a ceny a iné dôležité informácie k vedecko-organizačným a popularizačným aktivitám (uviesť konkrétne)

21

Page 23: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

5. Členstvo v redakčných radách domácich časopisov RNDr. M. Moško, CSc , člen redakčnej rady Acta Physica Slovaca, Ing. J. Novák, CSc , člen redakčnej rady Elektrotechnického časopisu,

6. Činnosť v domácich vedeckých spoločnostiach RNDr. Š. Beňačka, CSc , člen výboru Slovenskej fyzikálnej spoločnosti

IX. Činnosť knižnično-informačného pracoviska

1. Uviesť, či ide o knižnicu alebo základné informačné stredisko, s akým počtom pracovníkov prepočítaných na plný úväzok

Základné informačné stredisko Počet pracovníkov prepočítaných na plný úväzok: 1

2. Prehľad poskytovaných knižnično-informačných služieb (rešerše, výpožičky, reprografie a podobne)

Výpožičky prezenčné 968 absenčné 28 z iných knižníc 96 medzinárodné 14 pre potreby iných knižníc 52

Iné služby

rešerše cez (UK SAV) 5 reprografické služby (počet kópií) 96670

3. Najdôležitejšie samostatné vydania knižnice (bibliografie, príručky, prehľady, bulletiny a podobne)

žiadne

4. Stav knižničných fondov (počet titulov dochádzajúcich periodík, počet dizertácií, fotodokumentov a podobne)

Počet titulov dochádzajúcich periodík

slovenské 12 zahraničné 18

22

Page 24: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

X. Hospodárenie organizácie

Rozpočtové a príspevkové organizácie:

1. Prostriedky z rozpočtu SAV

FINANČNÉ PROSTRIEDKY Rozpočet na r. 1998 Čerpanie k 31.12.1998

RO PO RO PO

Kapitálové 0 0

Mzdové 13 473 14 473

Odvody do poisťovní 5 318 5 318

Vedecká výchova 395 395

Bežné výdavky na projekty (VEGA, VTP, ŠO, medzinárodné projekty)

1 940 1 940

Účelové prostriedky na vydávanie periodickej tlače

123 126

Ostatné bežné výdavky 2 834 2 834

Spolu 24 086 24 086

2. Prostriedky z iných zdrojov vrátane zahraničných pre rozpočtové organizácie

FINANČNÉ PROSTRIEDKY

Rozpočet na r. 1998 Čerpanie k 31.12.1998

Príjmy z nájomného a služieb

Ostatné príjmy

Ostatné granty

Spolu

3. Prostriedky z iných zdrojov vrátane zahraničných pre prípevkové organizácie

FINANČNÉ PROSTRIEDKY

Rozpočet na r. 1998 Čerpanie k 31.12.1998

Tržby z nájomného a služieb 0 0

Ostatné tržby 3 760 4 608

Ostatné granty 6 400 5 376

Spolu 10 160 9 984

4. Podiel: celkové pridelené prostriedky z rozpočtu SAV 24 086 000 prepočítaný počet pracovníkov organizácie 95

23

Page 25: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

5. Podiel: celkové pridelené prostriedky z rozpočtu SAV 24 086 000 prepočítaný počet vedeckých pracovníkov organizácie 36

6. Iné dôležité informácie k hospodáreniu organizácie: Hospodárenie v roku 1998 bolo silne poznamenané viazaním príspevku, ktoré bolo počas celého roka veľmi vysoké a nebola jasná jeho definitívna výška. Tento fakt spolu so stále vzrastajúcim podielom miezd, odvodov, povinného príspevku na stravu na celkovej výške príspevku veľmi vážne obmedzili výšku voľných prostriedkov použiteľných na financovanie výskumu. Dostali sme sa ešte hlbšie do oblasti v ktorej je nutné bežnú prevádzku financovať z príjmov za riešenie vedeckých projektov a hospodárskych zmlúv. Na druhej strane, sme dosiahli vyrovnané hospodárenie, čo je z hľadiska ekonomiky pozitívne, ovšem za cenu podstatne nižšej inovácie základných prostriedkov ako v minulom roku(porovnaj výšku odpisov s výškov prostriedkov FRHM použitých na zaobstaranie nových investičných zariadení).

Len príspevkové organizácie: Okrem analogických bodov 1 - 5 uviesť bod 7

7. Analýza hospodárskej činnosti v roku 1998

• uviesť charakter výskumnej práce vykonávanej za úplatu v rámci hospodárskych zmlúv a výšku príjmu a použitie fondu na investície. Uviesť hospodársky výsledok za rok 1998

1. Rozbor príjmov ukazuje, že výroba špeciálnych súčiastok a zariadení, výroba a distribúcia kryogénnych médií priniesla 2 412 tis. Sk, čo je približne 25% príjmov ústavu. Podstatná časť príjmov bola totiž zabezpečovaná príjmami za vedecko-výskumnú činnosť najmä formou domácich alebo zahraničných projektov. V tejto súvislosti je však nutné podotknúť, že až na veľmi malé výnimky všetky projekty tohoto typu boh orientované aplikačne. Zatiaľ sa nám nepodarilo nájsť partnera, ktorý by bol ochotný financovať základný výskum bez akejkoľvek orientácie na výstup.

2. FRHM bol použitý najmä na nákup vedeckých prístrojov, veľmi malá časť bola použitá na opravy budovy. V porovnaní s predchádzajúcim rokom sa jedná o menej ako polovičnú sumu (2,169 mil Sk oproti 5,630 mil Sk v roku 1997) a je to dôsledok krátenia príspevku zo štátneho rozpočtu v rokoch 1997 a 1998 (spolu cca 1,6 mil Sk). Táto situácia sa už stáva neúnosnou, pretože výpadok prísunu finančných prostriedkov zo štátneho rozpočtu presahuje naše schopnosti a možnosti nahrádzať ho inými, najmä zahraničnými príjmami.

3. Hospodársky výsledok je síce vyrovnaný, ale len za cenu ďalšieho zostarnutia prístrojového vybavenia, čo je veľmi chmúrna vyhliadka pre možnosť zapojenia sa ústavu do medzinárodnej integrácie či už v rámci 5. rámcového programu EU alebo iných programov.

XI. Nadácie pri pracovisku (s uvedením názvu, zamerania, hospodárenie v roku 1998)

Pri Elektrotechnickom ústave nie je založená žiadna nadácia.

XII. Iné významné činnosti pracoviska

Ustav prevádzkuje skvapaľnovaciu stanicu na skvapalňovanie hélia, ktorá svojou kapacitou umožňuje pokryť požiadavky aj ďalších pracovísk SAV, Slovenského metrologického

24

Page 26: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

ústavu a vysokých škôl. V súčasnosti je to jediný spôsob, ako udržať pri živote výskum materiálov a štruktúr pri nízkych teplotách, pretože nákup kvapalného hélia bez možnosti recirkulácie je pre tieto pracoviská pri dnešných rozpočtových pomeroch finančne neúnosný. Ustav tak prispieva k zachovaniu celej jednej oblasti vedeckého výskumu.

XIII, Závažné problémy pracoviska a podnety pre činnosť SAV

Rok 1998 bol v porovnaní s predchádzajúcimi rokmi výrazne horší najmä z hľadiska finančného zabezpečenia vedeckej práce a prevádzky ústavu. Štruktúra príspevku sa ešte výraznejšie posunula smerom k mzdám a k povinným odvodom a dávkam. V porovnaní s rokom 1997 sa podstatne znížila položka VNV za súčasného nárastu predpismi stanovených odvodov a príspevkov, napr. na stravu zamestnancov. Najmä posledne menovaná položka narástla v roku 1998 do výšky 668 tis Sk už je porovnateľná s výškou sumy vynakladanej na nákup vedeckej literatúry. Dostávame sa tak do situácie, keď nám zákonom určený náklad ohrozuje životne dôležitú položkou, akou bezpochyby vedecká literatúra je.

Ak urobíme rozbor nákladov ústavu na jednotlivé najdôležitejšie kapitoly, tak dôjdeme k záveru, že príspevok zo štátneho rozpočtu pokrýva mzdy a povinné odvody resp. dávky. Všetky ostatné náklady na výskum a prevádzku ústavu sú hradené z ústavných príjmov, najmä z prostriedkov na riešenie projektov (príjmy z inej hospodárskej činnosti sú v porovnaní s príjmami za riešenie vedeckých, vedeckotechnických a iných projektov veľmi nízke). Táto skutočnosť je z hľadiska perspektívy vedeckého výskumu na SAV veľmi varovná, pretože nedáva veľkú nádej na zlepšenie postavenia ústavov ako celkov ani pre vedeckých pracovníkov ako jednotlivcov na ktorých závisí úspech alebo neúspech SAV ako celku.

V priebehu roka 1998 sa v reálnych podmienkach odskúšal nový model vedeckej výchovy formou doktorandského štúdia. V podstate sa dá konštatovať, že nenastali žiadne formálne prekážky alebo komplikácie vyplývajúce z nie celkom rovnoprávneho postavenia ústavu ako externej vzdelávacej inštitúcie v porovnaní s postavením fakúlt. Otázne je, čo v tejto oblasti prinesie blízka budúcnosť, pretože ústav sa o niekoľko rokov bude musieť reakreditovať ako EVI. Čoraz vážnejšie vyžadovanie akademických titulov (prof. a doc.) pre tieto účely (viď. rekonštrukcia Akreditačnej komisie vlády SR, ktorá bude školiace pracoviská akreditovať) vzbudzuje určité chmúrne predstavy.

Prílevu mladých pracovníkov a to najmä zo zahraničia by veľmi výrazne napomohlo, keby sa podarilo zaviesť pozíciu zodpovedajúcu pozícií "postdoc" v trvaní jeden až tri roky, ktorá je vo svete bežná a často využívaná. U nás ide najmä o prekonanie problémov so získaním pracovného povolenia a povolenia k trvalému pobytu, pretože príslušné orgány MV SR poznajú len pojem ašpirantúry, resp. doktorandského štúdia. Zavedenie tejto pozície ako študijného štipendia by podstatne zjednodušilo formality, ktoré sú v súčasnej dobe skoro neprekonateľné.

Postupne sa mení situácia v oblasti medzinárodnej vedeckej spolupráce. V podstate končia všetky pomocné programy určené pre postkomunistické krajiny a Piaty rámcový program EU by mal umožniť naše zapojenie do medzinárodnej spolupráce ako rovnocenných partnerov. To však pri súčasnej úrovni financovania výskumu u nás (najmä v oblasti kapitálových výdavkov) nebude jednoducho možné, pretože s takto zastaralým prístrojovým vybavením nebudeme ako partneri akceptovateľní. Napriek tomu, že náš ústav ako príspevková organizácia nedostal už niekoľko rokov žiadne prostriedky na kapitálové výdavky, investovali sme v minulých rokoch mnohomihonové čiastky do obnovy zastarávajúceho prístrojového vybavenia. Ako vidieť z rozboru hospodárenia za rok 1998, nárast sociálnych výdavkov nepokrytých príspevkom od zriadovateľa spolu s nárastom

25

Page 27: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

nákladov na bežnú prevádzku presahuje naše možnosti vykryť ich z príjmov, čo následne vedie k poklesu investovania do prístrojov a tým do vlastnej budúcnosti. To je ďalší chmúrny záver z činnosti v roku 1998.

Správu o činnosti SAV spracoval(i): uviesť meno a telefón

Ing. Karol Fröhlich, CSc , vedecký tajomník E1Ú SAV, tel.: 54775806

26

Page 28: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

PrQoha č.l

Menný zoznam pracovníkov k 31.12.1998 Uviesť podľa kategórií:

Vedúci vedecký pracovník DrSc. Vedúci vedecký pracovník CSc. Samostatný vedecký pracovník CSc. Ostatní vedeckí pracovníci Odborní pracovníci VŠ Odborní pracovníci US Interní ašpiranti Doktorandi Ostatní Pozn.: Pri každom mene uviesť tituly, úväzok v % a riešiteľskú kapacitu v hod/rok. Označiť

hviezdičkouf*) špičkového pracovníka.

Vedúci vedecký pracovník, DrSc

1. Ing. Betko Július, DrSc. * HPP 100 % 2. doc. RNDr. Takács Silvester, DrSc * " 100 % 3. Ing. Polák Milan, DrSc. * " 100% 4. doc. Ing. Kordoš Peter,DrSc. t.č. v zahr. 5. Ing. Jergel Milan, DrSc. * " 100%

Vedúci vedecký pracovník CSc.

1. RNDr. Beňačka Štefan,CSc. * HPP 100% 2. Ing. Chovanec František,CSc. " 100 % 3. Ing. Dubecký, František, CSc * " 100% 4. Ing. Krempaský Ľudovít, CSc. " 100 % 5. RNDr. Plecenik Andrej, CSc. * " 100% 6. Ing. Cesnak Ladislav, CSc. " 20 % 7. Ing. Gômory Fedor,CSc. * " 100%

Samostatný vedecký pracovník CSc.

1. Ing. Novák Jozef, CSc. * HPP 100% 2. Ing. Morvic Marián, CSc. " 100 % 3. Ing. Lalinský Tibor, CSc. * " 100 % 4. Ing. Chromik Štefan, CSc. * " 100 % 5. Ing. Janšák Lubomil, CSc. " 100 % 6. Ing. Vávra Ivo, CSc. * " 100 % 7. Ing. Machajdík Daniel, CSc. " 100 % 8. Ing. Jäger František, CSc. " 100% 9. RNDr. Majoroš Milan, CSc. * t. č. v zahr. 10. Ing. Frôhhch Karol, CSc. * " 100% 11. Ing. Osvald Jozef, CSc. " 100% 12. RNDr. Cambel Vladimír, CSc. * " 100% 13. RNDr. Moško Martin, CSc. * " 100 % 14. Ing. Kúdela Róbert, CSc. " 100 % 15. Ing. Kováč Pavol, CSc. * " 100% 16. Ing. Pitel Jozef, CSc. " 100 %

27

Page 29: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

17. RNDr. Korytár Dušan, CSc. " 75 % 18. Ing. Lobotka Peter, CSc. t.č. v zahr

Ostatní vedeckí pracovníci 1. RNDr. Boháček Pavol, CSc. " 100% 2. Ing. Huran Jozef,CSc. " 100% 3. pr.f. Štrbík Vladimír, CSc. " 100% 4. RNDr. Ušák Pavol, CSc. " 100% 5. RNDr. Pevala Anton,CSc. " 100% 6. Ing. Fabian Jozef, CSc. * " 100% 7. Ing. Šouc Ján,CSc. " 100 % 8. Ing. Darmo Juraj,CSc. " 100 % 9. RNDr. Mošková Antónia, CSc. " 100% 10. Ing. Kuzmĺk Ján, CSc. " 100 % 11. RNDr. Gregušová Dagmar,CSc. " 8 0 % 12. RNDr. Dobročka Edmind,CSc. VPP 20 % 13. Ing. Švec Peter,CSc. VPP 2 0 % 14. doc. Ing. Bydžovský Ján CSc. VPP 20 % 15. Ing. Darula Marian,CSc. t.č. vzahr. 16. Ing. Rosová Alica, CSc. NV

Odborní pracovníci VŠ

1. RNDr. Kálna Karol HPP 100% 2. Ing. Hasenóhrl Stanislav * " 100 % 3. RNDr. Kučera Michal " 100 % 4. Ing. Eliáš Peter " 100 % 5. Ing. Mozolová Želmíra " 100% 6. RNDr. Haščík Štefan " 100% 7. Mgr. Sekáčová Mária " 100 % 8. Ing., Krempaský Marián " 100 % 9. prom.fyz. Gaži Štefan * " 100% 10. Ing. Melišek Tibor " 100 % 11. Hušek Imrich " 100% 12. Ing. Kvitkovič Jozef " 100 % 13. Ing. Frolek Ľubomír " 100% 14. RNDr. Šmatko Vasilij " 100% 15. Ing. Kováčova Eva " 100% 16. Mgr. Spánková Marianna " 100% 17. PhJDr. Gomoryová Anna " 100% 18. Mgr. Vágner Pavol HPP 100% 19. Ing. Burian Eduard " 100% 20. RNDr. Valková Mária VPP 50 % 21. PiiDr. Ing. Pogány Dionýz " 2 0 %

Odborní pracovníci ÚS

1. Sabolvan * HPP 100% 2. Mužík Pavol * " 100% 3. Martiš Peter " 100% 4. Šišolák Jozef " 100% 5. Ruček Miloslav " 100%

28

Page 30: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

6. Štefanec Viktor " 100% 7. SekaninaOto " 100% 8. Drlička Peter " 100% 9. Hanečka Branislav " 100% 10. Kopera Ľubomír * " 100% 11. Seifertová Alena " 100% 12. Schxeinerová Silvia " 100 % 13. Talapa Jozef " 100 % 14. Erbeuová Dagmar " 100% 15. Sevský Daniel " 100% 16. Rác Pavol " 100% 17. Krišš Juraj " 100 % 18. Považanova Edita " 100% 19. Grófova Iveta " 1 0 0 % 20. Filipková Marta " 100 % 21. Baronová Jaroslava " 100% 22. Kardian Peter " 88 % 23. Dérer Ján * " 8 0 % 24. Tegelhoff Tomáš " 80 % 25. Ryzá Jana " 75 % 26. Kovačič Ignác " 50 % 27. Kollárova Eleonóra VPP 50 % 28. Kráľ Miloslav " 40 % 29. Durec Mário 20% 30. Kalinčiak Branislav 20% 31. Pripko Mojmír 20% 32. Grus Ľuboš 20% 33. Krajcer Andrej 20% 34. Bottlík Vladimír 20% 35. Knoška Gabriel 20% 36. Kováč Peter 20% 37. Schmidt Juraj 20% 38. Bajdich Michal 20% 39. Ondík Marek 20% 40. Strýček František 20%

Doktorandi 1. Ing. Kičín Slavomír " 100% 2. Mgr. Zaťko Bohumír " 100 % 3. Mgr. Bukva Peter " 100% 4. Mgr. Rosina Milan " 100% 5. Ing. Mozola Pavol t.č. ZVS

Ostatní pracovníci 1. MatlovičJán HPP 100% 2. Škrovanová Mária " 100 % 3. Paškevič Peter " 100% 4. Grujbárová Mária " 100% 5. Grujbár Martin " 100% 6. Krak Milan " 100% 7. Kovanie Viham " 8 0 %

29

Page 31: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

8. Chmela Jaroslav " 8 0 % 9. Krakova Anna " 7 0 % 10. Hoďovská Viera " 70 % 11. Bubničová Vilma " 7 0 % 12. Hogye Walter " 60 % 13. Bobek Jozef " 6 0 % 14. Karovič František " 60 % 15. Partlová Anna " 50 % 16. Prvoničová Rozália " 5 0 % 17. Pechová Mária " 50 % 18. Bačkorová Františka " 2 0 % 19. Šimuničová Jana 20%

30

Page 32: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Príloha č.2

Projekty riešené na pracovisku

1. Vedecké projekty (evidované VEGA), na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

Názov projektu: Výskum mechanizmov vedenia prúdu v supravodičoch s vysokými kritickými teplotami a prúdovými hustotami (Study of current carrying mechanisms in superconductors with high critical temperatures and current densities)

Meno vedúceho projektu: Ing. Pavol Kováč, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.9.1995-31.8.1998 Evidenčné číslo projektu : 95/5305/108

Názov projektu: Epitaxné tenké vrstvy a tenkovrstvové štruktúry pre supravodičovú elektroniku (Thin epitaxial films and structures for superconducting electronics)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Stefan Chrornik, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.9.1995-31.8.1998 Evidenčné číslo projektu: 95/5305/107

2. Záväzné úlohy SAV, na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

Názov projektu: Nízkodimenzionálne polovodičové heteroštruktúry pripravené technológii MOCVD (Low-dimensional heterostructures prepared by MOCVD technology)

Meno vedúceho projektu: Ing. Jozef Novák, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.97-31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4059/97

Názov projektu: Nanoelektronické poľom riadené kvantové štruktúry (Nanoelectronic field effect quantum structures)

Meno vedúceho projektu: Ing. Tibor Lalinský, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.97 - 31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4060/97

31

Page 33: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Elektrodynamika nízkoteplotných mnohovláknitých supravodičov a káblov ako aj perspektívnych vysokoteplotných supravodičov (Electrodynamics of low temperature multifilamentary superconductors and cables and perspective high temperature superconductors)

Meno vedúceho projektu: Ing. Milan Polák, DrSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.97 - 31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4052/97

Názov projektu: Vnikanie magnetického toku do supravodičov a súvisiace javy (Magnetic flux penetration into superconductors and connected phenomena)

Meno vedúceho projektu: Doc. RNDr.Silvester Takács, DrSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.97-31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4053/97

Názov projektu: Striedavý Josephsonov jav v multispojoch slaboviazaných vysokoteplotných supravodičov ako zdroj vf žiarenia pre zmiešavače sub-mm pásma vln (AC Josephson Effect in Weak Link Arrays of High Temperature Superconductors as a Source of if Radiation for Sub-mm Wave Band Mixers)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Stefan Beňačka,CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.97-31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4051/97

Názov projektu: Teoretické a experimentálne skúmanie optických a transportných vlastností nízkorozmerných systémov na báze AmBv polovodičov. (Optical and transport properties of low-dimensional III-V semiconductor systems: Theoretical and experimental investigation.)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Martin Moško, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.97 - 31.12.99 Evidenčné číslo projektu: 2/4057/97

Názov projektu: Tunelové spoje na báze vysokoteplotných supravodičov pre supravodičovú elektroniku (High Temperature Superconducting Tunnel Junctions for Superconductor Electronics)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Andrej Plecenik, C S c , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997-31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 2/4055/97

Názov projektu: Supravodivé kompozitné materiály (Superconducting composite materials)

Meno vedúceho projektu: Ing. Ivo Vávra, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 - 31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 2/4054/97

Page 34: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Analýza elektrických vlastností polovodičových štruktúr a prvkov pomocou numerických metód (Analysis of electrical properties of semiconductor structures and devices by numerical methods)

Meno vedúceho projektu; Ing. Jozef Osvald, CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 -31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 2/4058/97

Názov projektu: Moderné plazmatické technológie v mikroelektronike a mikromechanike (Modern plasmatic technologies in microelectronics and micromechanics)

Meno vedúceho projektu: Ing. Ivan Hotový, Csc , MS SR Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 -31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 1 /4229/97

Názov projektu: Úloha dislokácií a bodových defektov pri elektronickom transporte v GaAs a InP štruktúrach a ich interakcii s ionizujúcim žiarením (Role of dislocations and point defects in electronic transport in GaAs and InP structures and their interaction with ionizing radiation)

Meno vedúceho projektu: Ing. F. Dubecký, CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 -31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 2/5166/98

Názov projektu: Vybrané problémy z rtg difrakčnej optiky a charakterizácie materiálov a štruktúr (Selected topics from X-ray diffraction optics and characterization of materials and structures)

Meno vedúceho projektu: RNDr. D. Korytár, CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 - 31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 2/5072/98

Názov projektu: Jadrová magnetická rezonancia v tečúcej kvapaline (Nuclear magnetic resonance using flowing liquid)

Meno vedúceho projektu: mg.Lubomil Janšák CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 - 3 1.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 2/5004/98

Page 35: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

3. Vedeckotechnické projekty, na ktoré bol v r. 1998 udelený grant

Názov projektu: Vývoj a výroba polovodičových mikrosystémov pre novú generáciu presných meracích zariadení elektrického výkonu (Development and fabrication of semiconductor microsystems for new

generation of precise equipments for electrical power measurement) Meno vedúceho projektu: Ing. Tibor Lalinský, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.10.95-30.9.98 Evidenčné číslo projektu: 95/5305/104

Názov projektu: Polovodičový detektor ionizujúceho žiarenia novej generácie (New generation semiconductor detector of ionizing radiation)

Meno vedúceho projektu: Ing. J. Darmo, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.10.95 - 31.12.98 Evidenčné číslo projektu: 95/5305/509

4. Projekty riešené ako štátna objednávka

Názov projektu: Mikrosúčiastková základňa milimetrového pásma (94 GHz) (Millimetre wawes devices (94 GHz))

Meno vedúceho projektu: Ing. Tibor Lalinský, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 - 31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 95017/78 Prideľovatel'finančných prostriedkov: Ministerstvo obrany SR

5. Projekty financované zo zahraničia

Názov projektu: Výrobné techniky pre elektromagnet dávajúci 0.5 T pri 77 K pripravený z \ysokoteplotného supravodiča na báze Bi (Manufacturing techniques for electromagnet giving 0,5 T at 77 K made from Bi-based high T c superconductors)

Meno vedúceho projektu: Ing. Pavol Kováč, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.2.1995 - 31.1.1998 Evidenčné číslo projektu: CEPA CT94 0115 Prideľovatel finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

34

Page 36: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Trojterminálové termoelektrické senzory elektrického výkonu a ich metrologické a priemyselné využitie. (TTrree-terrrúnal thermoconverter based power sensor and their metrological and industrial applications)

Meno vedúceho projektu: Ing. Tibor Lalinský,CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.2.1995 -31.1.1998 Evidenčné číslo projektu: CEPA CT94 0197 Prideľovatel finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

Názov projektu: Príprava a využitie tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov v obvodoch s vysokou účinnosťou. (Fabrication and Applications of high - T c Superconducting thin films for high Performance circuits)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Stefan Beňačka,CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.2.1995 -31.1.1998 Evidenčné číslo projektu: CEPA CT94 0193 Prideľovatel'finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

Názov projektu: Výroba a charakterizácia vysokoteplotných supravodičov na báze Bi pre technické aplikácia (BISCO) (Processing and characterization of Bi based high temperature superconductors for technical applications (BISCO))

Meno vedúceho projektu: Ing. Milan Polák, DrSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.2.1995 - 31.1.1998 Evidenčné číslo projektu: CEPA CT94 0185 Prideľovatel'finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

Názov projektu: Heterodýnny prijímač pre enviromentálne monitorovanie na báze vysokoteplotných supravodičov pracujúci v oblasti submilimetrových vín (High T c Superconductor Sub-mm Wave Heterodyne Receiver for Environmental Monitoring)

Meno vedúceho projektu: RNDr. Stefan Beňačka, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997-31.12.1998 Evidenčné číslo projektu: IC15-CT96-0806 Prideľovatel finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

Page 37: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Senzory magnetického poľa založené na efekte obrovskej magnetorezistivity (Magnetic field sensors based on the giant magnetoresistance effect)

Meno vedúceho projektu: Lug. Peter Lobotka, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 - 30.6.1999 Evidenčné číslo projektu : IC15-CT96-0751 Príde ľovate ľ finančných prostriedkov: European Commission, DG XII, rue Montoyer 75,

B-1040 Brussels, Belgium Viacstranný projekt

Názov projektu: Tenké vrstvy oxidov pripravené novými MO CVD technikami (Functional thin oxide films obtained by new MO CVD techniques)

Meno vedúceho projektu: Dátum začiatku/ukončenia projektu: Evidenčné číslo projektu : Pride ľovate ľ finančných prostriedkov:

Viacstranný projekt

Ing. Karol Fröhlich, CSc, 1. 2. 1997 - 3 1 . 1. 2000 IC15-CT96-0735. European Commission, DG XII, rue Montoyer 75, B-1040 Brussels, Belgium

Názov projektu: Vývoj vektorových Hallových sond (Development of advanced Vector Hall Probes)

Meno vedúceho projektu: RNDr. V. Cambel, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.11.98 -31.10.2001 Evidenčné číslo projektu : SfP 972 399 Prideľovateľfinančných prostriedkov: NATO Science Committee Dvojstranný projekt

Názov projektu: Rozpracovanie a vytvorenie elementov komplexa LHC (Working out and Realization of Elements for LHC System)

Meno vedúceho projektu: RNDr. S. Beňačka, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998-31.12.1998 Evidenčné číslo projektu: Prideľovateľfinančných prostriedkov: SUJV Dubna Dvojstranný projekt

6) Projekty riešené v spolupráci so zahraničím bez finančnej podpory

Názov projektu: Quantum structures for magnetic field sensors and optoelectronic (Kvantové štruktúry pre senzory magnetického poľa a optoelektroniku)

Meno vedúceho projektu: Ing. J. Novák,CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu. : 1.8.97-31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: SLA - 003-97 Dvojstranný projekt

36

Page 38: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Preparation and characterization of quantum structures based on IH-V semiconductor heterostructures (Príprava a charakterizácia kvantových štruktúr založených na III-V polovodičoch)

Meno vedúceho projektu: Ing. J. Novák,CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.98 -31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 11b Dvojstranný projekt s MFKI Budapest zahrnutý do programu spolupráce MTA-SAV

Názov projektu: Štúdium štruktúry a fyzikálnych vlastností tenkých vrstiev (Study of structure and physical properties of thin films)

Meno vedúceho projektu: Lug. Daniel Machajdík, CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1996 - 1998 Evidenčné číslo projektu: 2979-4-96-98 Dvojstranný projekt

Názov projektu: Supravodiče Bi/2223/Ag s vysokou kritickou prúdovou hustotou a s nízkou citlivosťou na mechanické napätie (High critical current density Bi(2223)superconductors with low sensitivity to mechanical strain)

Meno vedúceho projektu: Ing. P. Kováč, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1994 -31.12.98 Evidenčné číslo projektu: Dvojstranný projekt

Názov projektu: Tenké vrstvy oxidov a heteroštruktúry pripravované MOCVD s kvapalným zdrojom (Thin oxide films and heterostructures prepared by MOCVD with liquid source)

Meno vedúceho projektu: Ing. K. Frôhlich, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1997 - 31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 5218 Dvojstranný projekt

Názov projektu: Charakterizácia elektromagnetických vlastností vysokoteplotných supravodičov (Characterization of electromagnetic properties of high-T c superconductors)

Meno vedúceho projektu: Ing. Milan Polák, DrSc Dátum začiatku/ukončenia projektu: od r. 1993 Evidenčné číslo projektu: Dvojstranný projekt

37

Page 39: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Tepelná charakterizácia senzora výkonu na báze GaAs mikrosystému (Thermal characterization of GaAs power sensor microsystem)

Meno vedúceho projektu: Ing. Tibor Lalinský CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.7.97 - 30.6.98 Evidenčné číslo projektu: c. 18s20, Riadiace grémium programu Akcia

Rakúsko-Slovensko Dvojstranný projekt

Názov projektu: Príprava a charakterizácia podložiek a heterostruktur pre elektroniku a optoelektroniku (Preparation and characterization of substrates and heterostructures for electronics and optoelectronics)

Meno vedúceho projektu: Ing. F. Dubecký, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.98 - 31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 02/2 Dvojstranný projekt

Názov projektu: Detektor žiarenia na báze GaAs (GaAs detector of irradiation)

Meno vedúceho projektu: Ing. F. Dubecký, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.96 - 31.7.98 Evidenčné číslo projektu: Dvojstranný projekt

Názov projektu: Roentgenovské zväčšovacie zariadenia (X-ray magnifiers)

Meno vedúceho projektu: RNDr. D. Korytár, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 - 31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 11-97-47 Dvojstranný projekt na experimenty na Synchrotrone.

Názov projektu: Nedeštruktívne testovanie supravodivých materiálov použitím mikroskopických Hallových riadkov (Non-destructive evaluation of superconducting materials using micro Hall sensor arrays)

Meno vedúceho projektu: RNDr. V. Cambel, CSc, Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.98 -31.12.1998 Evidenčné číslo projektu: SA. 12-3-02 (HTECH.EV 972785)

Dvojstranný projekt s Argonne National Laboratory, USA, zahrnutý do programu spolupráce NATO High Technology

38

Page 40: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Názov projektu: Tunelové štruktúry vysokoteplotných supravodičov využívajúce nové bariér o vé materiály (High Température Tunnel Structures Using Novel Barrier Materials)

Meno vedúceho projektu: Ing. S. Chromik, C S c , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1998 -2000 Evidenčné číslo projektu: Dvojstranný projekt

Názov projektu: Štúdium efektov fotodopingu a elektrického poľa na josephsonové spoje v YBCO (Study of Photodoping Effects and Electric Field on YBCO Josephson Junctions)

Meno vedúceho projektu: RNDr. A. Plecenik, CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 - 31.12.1999 Evidenčné číslo projektu: 5221 Dvojstranný projekt

Názov projektu: Diagnostics of AJLTBV semiconductor materials and structures for particle detectors (Diagnostika AJJEBV polovodičových materiálov a štruktúr pre detektory častíc

Meno vedúceho projektu: Ing. F. Dubecký, CSc. Dátum začiatku/ukončenia projektu : 1.1.98 -31.12.2000 Evidenčné číslo projektu: 1 lb Dvojstranný projekt s MFKI Budapest zahrnutý do programu spolupráce MTA-SAV

Iné projekty (ústavné a riešené v spolupráci s domácimi inštitúciami)

Názov projektu: Vývoj Nb 3Sn vinutí (Development of Nb 3Sn windings)

Meno vedúceho projektu: Ing. F.Chovanec CSc , Dátum začiatku/ukončenia projektu: 1.1.1998 - 12.12.1998 Evidenčné číslo projektu: Prideľovateľfinančných prostriedkov: E1U SAV Ústavný projekt

39

Page 41: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

PrDoha č. 3

Kapitoly v monografiách publikovaných v zahraničí

1. Hlásnik L, Majoroš M., Janšák L.: AC losses in superconducting wires and cables. In:

Handbook of Applied Superconductivity. Vol. 1. Ed. B.Seeber. Bristol, Inst, of Phys.

Publ., 1998,p.344-396.

2. Takács S.: Current Distribution in Superconductors. In: Handbook of Superconductivity.

Vol. 1. Ed. B.Seeber. Bristol, Inst, of Phys., 1998, p. 79-98.

Pôvodné vedecké práce (štúdie) v plnom rozsahu publikované v periodikách

evidovaných v Current Contents a iných databázach ISI

1. Beňačka S., Strbík V., Chromik S., Adam R., Darula M.. Gaži S.: Mechanisms of critical

current limitation in YBCO thin film structures. Fizika Nizkikh Temperatur, 24, 1998, 621-

623,1.F.: 0,379

2. Beňačka Š., Štrbík V., Darula M., Chromik Š., Gaži Š., Kostič L, Adam R_: High critical

temperature grain boundary Josephson junctions. Acta Physica Slovaca 48, 1998, 785-788,

I.F.: -

3. Burian E., Pogany P . , Lalinský T.. Seliger N., Gomik E.:Thermal simulation and

characterization of GaAs micromachined power sensor microsystems. Sensors and Actuators

A 68, 1998, 372-377, I.F.: 0,683

4. Cambel V.. Olejníková B.. Eliáš P., Kúdela R.. Novák J., Kučera M.: Microscopic 2DEG

linear Hall probe arrays. Superlattices and Microstructures 24, 1998, 181-187, I.F.: 0.928

5. Cambel V., Eliáš P.. Kúdela R., Novák J.. Olejníková B.. Mozolová Ž.. Majoroš M..

Kvitkovič J.. Hudek P.: Preparation, characterization and application of microscopic Hall

probe arrays. Solid State Electronics 42, 1998, 247-251, IF . : 0.785

6. Cambel V.. Gregušová P . , Eliáš P.. Hasenóhrl S.. Olejníková B., Novák J.. Shapers T.,

Neurohr K., Fox A.: Characterization of InGaAs/InP microscopic Hall probe arrays with

2PEG active layer. Materials Science Engineering B 51, 1998, 188-191,1.F.: 0.549

7. Cesnak L., Kováč P.: AG-sheath magnetoresistence anisotropy in Bi(2223)/Ag tapes at

4.2K. Superconductor Science and Technology 11, 1998, 659-667,1.F.: 1.447

8. Parmo J.. Pubecky F.. Hardtdegen H., Holifelder M., Schmidt R.: Deep-level states in

40

Page 42: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

MOVPE AlGaAs: The influence of carrier gas. Journal of Crystal Growth 186, 1998, 13-

20,1.F.: 1.424

9. Darmo J.. Dubecký F., Kordoš P., Fôrster A.: Annealing effect on concentration of EL-

61ike deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Apphed

Physics Letters 72, 1998, 590-594, I F . : 3.092

10. Munzar L., Dobročka E.. Vávra I. , Kúdela R., Harvanka M., Christensen E.E.:

Antiphasing mechanism of ordered InGaP layers grown on GaAs. Physical Review B 57,

1998, 4642-4648,1.F.: 2.975

11. Mudroň J., Múllerová J., Dubecký F.: Optical properties of semi-insulating GaAs irradiated

by neutrons. Solid State Electronics 42, 1998, 243-246,1.F.: 0.785

12. Dubecký F., Fornari R., Darmo J., Pikna M., Gombia E., Krempaský M., Sekáčová M.,

Hudek P., Ruček M.: Electrical and detection properties of the particle detectors based on

LEC semi-insulating InP. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 408,

1998, 491-495,1.F.: 1.038

13. Pignard S., Vincent H., Senateur P., Frohhch K.. Šouc J.: Effect of crystallinity on the

magnetoresistive properties of La 0 8 MnO 3 _ä thin films grown by chemical vapor deposition.

Applied Physics Letters 73, 1998, 999-1001,1.F.: 3.092

14. Frohhch K., Šouc J.. Machajdík P . . Jergel M., Snauwaert J., Hellemans L.: Surface quality

of epitaxial CeO, thin films grown on sapphire by aerosol metal organic chemical vapour

deposition. Chemical Vapor Peposition 4, 1998, 216-220,1.F.: 2.333

15. Frohhch K.. Šouc J., Rosina M., Bydžovský J.: Magnetoresistivity in thin L a r ^ M n 0 3 films

prepared by metal organic chemical vapour deposition. Acta Physica Slovaca 48, 1998,

727-730, I.F.: -

16. Gaži Š.. Spánková M., Vávra L, Juhás P., Chromik Š., Štrbík V., Beňačka Š.: Structural

and electrical properties of Y B a : C u 3 0 7 - x films prepared on (110) SrTi0 3 single crystal or

buffered layers. Vacuum 51, 1998, 145-150,1.F.: 0.518

17. Rabbers J.J., ten Haken B., Gómóry F., ten Kate H.H.: Self-field loss of BSCCO/Ag tape in

external AC magnetic field. Physica C 300, 1998, 1-5, IF . : 1.723

18. Gómóry F., Bettineili P., Gherardi L., Crotti G : Magnetic measurement of transport AC

losses in Bi-2223/Ag tapes. Physica C 310, 1998, 48-51,1.F.: 1.723

41

Page 43: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

19. Gomóry F., Bettinelli D., Gherardi L., Crotti G , Morin D.: Constantless measurement of

hysteretic transport AC losses in multifilamentary in Bi-2223/Ag tapes. Physica C 308,

1998, 203-214, I.F.: 1.723

20. Gomóry F., Gherardi L., Crotti G., Bettinelli D., Martini L., Bigoni L., Zannella S.:

Comparison of transport and magnetic AC losses in Bi-2223/Ag tapes - the role of

superconducting core geometry. Physica C 310, 1998, 168-172,1.F.: 1.723

21. Gherardi L., Bettinelli D., Spreafico S., Gomóry F.: Estimation of Jc(B) dependence from

self-field AC losses measured on Bi-2223/Ag tapes. Physica C 310, 1998, 52-56, IF . : 1.723

22. Gomóry F., Tebano R.: Low frequency impedance of a round superconducting wire.

Physica C 310, 1998, 116-121, IF . : 1.723

23. Hasenóhrl S.. Kučera M.. Novák J.. Bujdák M., Eliáš P.. Kúdela R.: MOCVD growth of

InxGai-xAs/GaAs multiple quantum well and superlattice structures for optical modulators.

Solid State Electronics 42, 1998, 263-267, IF . : 0.785

24. Búc D., Hotový I , Haščík S., Červeň I : Reactive unbalanced magnetron sputtering of AJN

thin films. Vacuum 50, 1998, 121-123, IF . : 0.518

25. Hotový I , Búc D., Haščík S.. Nennewitz O.: Characterization of NiO thin films deposited

by reactive sputtering. Vacuum 50, 1998, 41-44, IF . : 0.518

26. Haščík S.. Lalinský T., Mozolová Ž.. Kuzmĺk I : Patterning of cantilever for power sensor

microsystem. Vacuum 51, 1998, 307-309, IF . : 0.518

27. Huran J., Šafránková J.. Kobzev A.P.: Preparation of hydrogenated amorphous silicon

carbide thin films by plasma enhanced chemical vapour deposition. Vacuum 50, 1998, 103-

105, IF . : 0.518

28. Hotový I , Huran I , Búc D., Srnánek R.: Thermal stability of NbN films deposited on

GaAs substrates. Vacuum 50, 1998, 45-48, IF . : 0.518

29. Hotový I , Huran I . Haščík Š.. Lalinský T.: Reactively sputtered NbN Schottky contacts on

GaAs and their thermal stability. Vacuum 50, 1998, 403-406, IF . : 0.518

30. Hotový I , Huran J.. Janík I , Kobzev A. P.: Deposition and properties of nickel oxide films

produced by DC reactive magnetron sputtering. Vacuum 50, 1998, 157-160, IF . : 0.518

31. Hartmanová M., Thurzo I , Jergel M., Bartoš I , Kadlec K., Železný V., Tunega D.,

Kundracik F., Chromik S.. Brunei M.: Characterization of yttria-stabilized zirconia thin

films deposited by electron beam evaporation on silicon substrates. Journal of Materials

42

Page 44: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Science 33, 1998, 969-975,1.F.: 0.749

32. Plesch G., Chrornik Š., Štrbík V., Mair M., Gritzner G , Beňačka Š.. Sargánková L,

Bučkuliaková A.: Thin (Hg,Pb)Ba,CaCu 2O v films prepared on the base of thermally

evaporated precursors by post annealing in Hg-atmosphere. Physica C 307, 1998, 74-78,

I.F.: 1.723

33. Jergel M., Chrornik Š.. Štrbík V., Hanic F., Beňačka Š., Falcony C , Conde-Gallardo A.,

Andrade E., Cheang-Wong J .C: Tl-based superconducting films prepared by spray

pyrolysis and vacuum evaporation. Journal of Superconductivity 11, 1998, 63-64, IF . :

0.983

34. Cheang-Wong J.C., Jergel ML Andrade E., Falcony C , Morales A., Conde-Gallardo A.:

Correlation between the Tl concentration depth profiles and the mallination time in Tl-Ba-

Ca-Cu-0 superconducting films. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

136-138, 1998, 1300-1305,1.F.: 1.140

35. Garcia M., Jergel M.. Conde-Gallardo A., Falcony C , Plesch G.: Optical properties of Co

and Co-Fe-Cr thin films deposited from an aerosol on glass substrates. Materials Chemistry

and Physics 56, 1998, 21-26,1.F.: 0.583

36. Kopera L.. Kováč P.. Hušek I.: New rolling technique for texturing of Bi(2223)/Ag tapes.

Superconductor Science and Technology 11, 1998, 433-436,1.F.: 1.447

37. Korytár P. . Ferrari C , Bochníček Z.: X-ray multiple-beam analysis in high-resolution

diffractometry of III-V heterostructures. Journal of Applied Crystallography 31, 1998, 570-

574, IF . : 2.471

38. Fabbricatore P., Priano C , Testa M.P., Musenich R., Kováč P., Matrone A., Pertülo E.,

Ariante M.: Field distribution effect on the performance of coil wound with Ag/Bi2223

tape. Superconductor Science and Technology 11, 1998, 304-310,1.F.: 1.447

39. Krempasky L.. Schmidt C : Time constant measurement in technical superconductors.

Cryogenics 38, 1998, 1017-1030,1.F.: 0.486

40. Krempasky L. Schmidt C : Influence of supercurrents on the stability of superconducting

magnets. Physica C 310, 1998, 327-334,1.F.: 1.723

41. Constantinidis G , Kuzmic J., Michelakis K., Tsagaraki K.: Schottky contacts on CF 4/H,

reactive ion etched -SiC. Solid State Electronics 42, 1998, 253-256,1.F.: 0.785

42. Lalinský T.. Breza J., Vogrinčič P., Osvald J., Mozolová Ž., Šišolák J.: Lridium-based

43

Page 45: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

multilayer contacts to n-GaAs. Solid State Electronics 42, 1998, 205-210,1.F.: 0.785

43. Paasi J., Kottman P., Majoros M„ Plechacek V.: Intergranular and intragranular currents in

(Bi, Pb):Sr2Cu20i(Hx superconductors: temperature dependence in low magnetic fields.

44. Majoroš M.. Janšák L.. Zannella S., Curcio F., La Cascia P., Ottoboni V., Friend CM. ,

LeLay L., Glowacki B.A., Campbell A.M.: Temperature dependence of transport ac losses

in Bi-2223/Ag multifilamentary tapes. Physica C 310, 1998, 6-11,1.F.: 1.723

45. Majoroš M., Glowacki B.A., Campbell A.M., Han Z., Vase P.: AC losses in

BiPbSrCaCuO-2223/Ag multifilamentary tapes in conditions similar to those in

superconducting transmission lines. Physica C 310, 1998, 95-100,1.F.: 1.723

46. Morvic M.. Betko J.. Novák J.. Kordoš P., Fôrster A.: On the hopping and band

conductivity in molecular beam epitaxial low-temperature grown GaAs. Physica Status

Sohdi(b) 205, 1998, 125-128,1.F.: 0.862

47. Mareš J.J., Krištofík J., Hubik P., Hulicius E., Melichar K., Pangrác J., Novák J..

Hasenóhrl S.: Out-of-plane weak localization in two-dimensional electron structures.

Physical Review Letters 80, 1998, 4020-4023,1.F.: 6.477

48. Novák J.. Hasenóhrl S.. Kúdela R Kučera M.: Resistivity anisotrópy in ordered InGaP

grown at 640 OC. Applied Physics Letters 73, 1998, 369-371,1.F.: 3.092

49. Novák J.. Hasenóhrl S.. Kučera M., Hjelt K., Tuomi T.: Sulphur doping of GaSb grown by

atmospheric pressure MOVPE. Journal of Crystal Growth 183, 1998, 69-74,1.F.: 1.424

50. Osvald J.. Burian E.: C-V dependence of inhomogeneous Schottky diodes. Solid State

Electronics 42, 1998, 191-195, I.F.: 0.785

51. PjteLJ., Jones H.: Computer analysis of 10 Tesla superconducting magnet system of the

Claredon Lab for the purposes of an open-gradient magnetic separation. Journal of Applied

Physics 83, 1998, 4522-4525, I.F.: 1.812

52. Pitel J.. Kováč P.: Influence of an axial current density stepping on the critical currents and

magnetic field of cylindrical magnets wound with Bi(2223)/Ag anisotropic tapes. Physica C

305, 1998, 26-34,1.F.: 1.723

53. Pitel J., Jones H.: New design concept of the magnet system generating the high pulsed

field in combination with the bias field of the superconducting magnet. Applied

Superconductivity 6, 1998, 247-257, I.F.: 0.922

44

Page 46: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

54. Plecerák A.. Grajcar M., Seidel P., Takács S.. Matthes A , Zuczak M., Beňačka Š.:

Influence of bias voltage history on conductance properties of YBaCuO/normal metal

junction. Physica C 301, 1998, 234-242,1.F.: L7 |3

55. Seidel P., Grajcar M., Plecenik A.: Tunneling and point contact spectroscopy of high-Tc

superconducting thin films. Acta Physica Polonica A 93, 1998, 355-363,1.F.: 0.345

56. Poganv P . . Sehger N., Lalinsky T., Kuzmĺk J., Habaš P., Hrkút P., Gornik E.: Study of

thermal effects in GaAs micromachined power sensor microsystem by an optical

interferometer technique. Microelectronics Journal 29, 1998, 191-198,1.F.: 0.22J9

57. Pogany P. , Sehger N., Gornik E., Stoisiek M., Lalinský T.: Analysis of the temperature

evolution from the time resolved thermo-optical interferometric measurements with few

Fabry-Perot peaks. Journal of Apphed Physics 84, 1998, 4495-4501,1.F.: 1.812

58. Šafránková J., Huran J., Hotový L, Kobzev A.P., Korenev S.A.: Characterization of

nitrogen-doped amorphous silicon carbide thin films. Vacuum 51, 1998, 165-167, I.F.:

0.518

59. Smatko V., Hanic F., Souc J., Kováčova E.. Strbík V.: Selective deposition of epitaxial

ybco films on AL,0 3 / C e 0 2 substrate and titanium oxide mask applicable for patterning of

stable microbridges. Superconductor Science and Technology 11, 1998, 458-461, IF . :

1.447

60. Strbík V., Chromik S.. Jergel M.. Machajdik P. , Beňačka Š., Kobzev A.P.: Flux-creep

mechanism of critical current limitation in Tl-based thin film microstrips. Journal of

Superconductivity 11, 1998, 65-66, I.F.: 0.983

61. Takács S.: Current distribution in superconducting cables due to field changes at the end

portions of magnetic systems. Superconductor Science and Technology 11, 1998, 1209-

1216,1.F.: 1.447

62. Sumption M.P., Takács S.. Collings E.W.: Modelling of M-H loop anomalies in

synergistically pinned, heterogeneous, composite superconductors. Physica C 306, 1998,

300-308,1.F.: 1.723

63. Takács S.: The similarities in loss creation in LTS and HTS cables. Physica C 310, 1998,

218-224, I F . : 1.723

64. Vávra I., Lobotka P., Pérer J.. Wallenberg L.R.: Structural and electrical properties of

superconducting Nb/Si multilayers. Vacuum 50, 1998, 31-33,1.F.: 0.518

45

Page 47: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

65. Vávra L. Bvdžovskv J.. Š vec P.. Harvanka M.. Dérer J.. Frait Z., Kamberský V., Lopušník

R., Višnovský Š., Kubéna J., Holý V.: Structural, electrical and magnetic properties of

Fe/Si and Fe/FeSi multilayers. Acta Physica Slovaca 48, 1998, 743-747,1.F.: -

66. Holý V., Darhuber A.A., Stangl J., Zerlautb S., Schäfler F., Bauer G., Darowski N., Lubert

D., Pietsch U., Vávra L: Coplanar and grazing incidence x-ray-diffraction investigation of

self-organized SiGe quantum dot multilayers. Physical Review B 58, 1998, 7934-7943,

I.F.: 2.975

Pôvodné vedecké práce (štúdie) v plnom rozsahu publikované doma a v zahraničí

v periodikách neevidovaných v Current Contents

1. Matsumoto K., Chen Y., Kuzmik J.. Nishino S.: 6H-SÍC Schottky diode edge terminated

using amorphous SiC by sputterning method. Materials Science Forum 264-268, 1998,

925-928.

2. Lalinský T., Haščík S.. Mozolová Z., Kuzmik J., Hatzopoulos Z.: GaAs power sensor

microsystem technology and characterization. Sensors and Materials 10, 1998, 241-250.

Publikácie v plnom rozsahu (štúdie) uverejnené v zborníkoch publikovaných v zahraničí

(nie abstrakty)

1. Burian E., Pogany D.. Lalinský T.. Haščík Š.. Mozolová Ž.: Simulation and

characterisation of thermal properties of GaAs rmcromachined power sensor microsystem.

In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO

ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p. 281-284.

2. Burian E.. Lalinský T.. Pogany P . . Haščík Š.. Mozolová Ž.: Using semi-analytical solution

to heat flow eguation in gaseous environment to obtain ambient-dependent thermal

characteristics of a PSM cantilever beam. In: Proceedings of the 5 t h NEXUSPAN

Workshop. Ed. V.Szekely. Budapest, 1998, p.55-58.

3. Cambel V., Kúdela R..Gregušová P . , Hasenóhrl S.. Eliáš P., Novák J .: Characterization of

2PEG Hall probes in high magnetic field at 4,2K. In: ASPAM '98. Proceedings of the 2 n d

International Conference on Advanced Semiconductor Pevices and Microsystems. Ed.:

46

Page 48: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

J.Breza. Piscataway, IEEE, 1998, p.31-38.

4. Cesnak L., Kováč P.: Comparison of some electrical properties of Bi(2223)/Ag tapes at

4,2K and 77K. In: Proceedings of the 5 t h Cryogenics 98 International Conference. Prague,

1998, p.46-49.

5. Dobročka E., Vávra L. Harvanka M.: The stability of the misfit dislocation array at the

substrate-epitaxial layer interface. In: Heterostructure Epitaxy and Devices- HEAD'97.

Eds. P. Kordoš and J. Novák, NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ.,

1998, p. 63-66.

6. Pelfer P.G., Dubeckv F.. Fornari R., Darmo J., Pikna M., Krempasky M., Gombia E.,

Sekáčová M.. Ruček M.: On the electrical and detection performance of particle detectors

based on bulk semi-insulating InP. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International

Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza.

Piscataway, IEEE, 1998, p.335-338.

7. Dubeckv F., Darmo J.. Krempasky M.. Nečas V., Pelfer P.G., Boháček P.. Sekáčová M.:

Role of physical parameters of bulk semi-insulating GaAs in detection performance of

particle detectors. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International Conference on

Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, IEEE,

1998, p. 339-342.

8. Mudroň J., Múllerová J., Dubeckv F., Huran J.: Optical properties of InP:Fe irradiated by

fast neutrons. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International Conference on

Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, IEEE,

1998, p.235-238.

9. Dubeckv F.. Krempasky M.. Boháček P.. Sekáčová M.. Fornari R., Gombia E., Pikna M.,

Pelfer P. G : Electrical and detection characteristics of improved particle detectors based on

semi-insulating InP. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš

and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p. 269-

272.

47

Page 49: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

10. Ďurica M.. Cambel V., Gregušová D.. Eliáš P., Hasenöhrl S.. Kúdela R.: Testing

superconducting tapes by a 2DEG Hall probe array. In: Heterostructure Epitaxy and

Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht,

Kluwer Academic Publ., 1998, p.277-281.

11. Eliáš P.. Gregušová P . . Cambel V.. Hasenöhrl S.. Kúdela R.. Hudek P., Novák J.:

Preparation of microscopic Hall probes and arrays. In: Heterostructure Epitaxy and Devices

- HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer

Academic Publ., 1998, p.273-276.

12. Harvanka M , Dobročka E., Vávra I.: Antiphase boundaries in the ordered InGaP epitaxial

layers prepared by MO CVD . In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.

Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998,

p. 115-118.

13. Hotový L, Huran J., Srnánek R.: Nickel oxide thin films for gas sensor applications. In:

EUROSENSORS XII. Proceedings of the 12 t h European Conference on Solid-State

Transducers and the 9 t h UK Conference on Sensors and their Apphcations. Ed. N.M.White.

Vol. 1. Bristol, IOP Publ, 1998, p.237-240.

14. Hotový I., Huran J., Breternitz V., Spiess L., Teichert G., Schawohl J.: Effect of oxygen

concentration in the sputtering mixture on the properties of dc magnetron sputtered NiO

films. In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. Ilmenau, Technische

Universität, 1998, p.509-515.

15. Huran J.. Hotový L, Kobzev A.P.: PE CVD SiC thin films modified by pulsed electron and

ion beams. In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. Ilmenau, Technische

Universität, 1998, p.665-668.

16. Huran J.. Safránková J.. Hotový I., Kobzev A.P., Balalykin I.I.: Structural and electrical

properties of amorphous nitrogen doped SiC thin films annealed by pulsed electron beam.

In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International Conference on Advanced

Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, IEEE, 1998, p. 179-

182.

17. Hotový L, Janík J., Huran J.. Spiess L.: Preparation and structural characterisation of nickel

oxide films for gas sensor devices. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International

Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza.

Piscataway, IEEE, 1998, p. 175-178.

48

Page 50: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

18. Chovanec F.. Polák M.. Mozola P.: Quenching of BSCCO coils cooled by Gifford

McMahon refrigerator. In: Proceedings of the 5 t h International Conference Cryogenics 98.

Prague, 1998, p.86-89.

19. Kičin S.. Novák J.. Kučera M., Hasenóhrl S.. Eháš P.. Hudek P.: Preparation of stair-step

grooves by wet etching of AlAs/GaAs heterostructures and MOCVD growth of QWR. In:

Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI

Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p.203-206.

20. Krempasky L.. Bussjager R., Schmidt C : Experimental verification of „supercurrents"

induced in superconducting cables expposed to AC-fields. In: Proceedings of the 15 t h

International Conference on Magnet Technology. Ed.Lin Liangzhen. Beiing, Sci Press,

1998, p.1283-1286.

21. Kúdela R., Oleiníková B.. Kučera M.. Hasenóhrl S.: MOVPE growth of InGaP/GaAs

interfaces. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J.

Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ, 1998, p. 123-126.

22. Kúdela R.. Eháš P.. Kučera M.. Bonsch P., Wullner D., Fehly D., Wehmann H.-H.,

Schlachetzki A.: UV detectors based on InGaP. In: Heterostructure Epitaxy and Devices -

HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer

Academic Publ., 1998, p. 231-234.

23. Wehmann H.-H., Fehly D., Wullner D., Bonsch P., Schlachetzki A , Kúdela. R.: GaAs and

InP on Si with InGaP buffer layers. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97.

Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ,

1998, p.127-130.

24. Latinský T.. Držík M., Šišolák J.. Haščik Š.. Mozolová Ž., Burian E., Hatzopoulos Z.:

Study of thermal effects in a GaAs power sensor microsystems. In: Proceedings of the 5 t h

NEXUSPAN Workshop. Ed.V.Szekely. Budapest, 1998, p. 170-175.

25. Lalinský T., Haščik Š.. Mozolová Ž.. Držík M., Hatzopoulos Z.: Micromachined power

sensor microsystem. In: Proceedings of the 9 t h Micromechanics Europe Workshop - MME

98. Ulwik, 1998, p. 139-142.

26. Bujdák M., Lalinský T.. Harman R., Kostič L, Hudek P., Németh Š.: Preparation and

properties of edge QW delta doped InGaAs/GaAs FET. In: Heterostructure Epitaxy and

Devices - HEAD'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht,

Kluwer Academic Publ., 1998, p.255-258.

Page 51: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

27. Lalinsky T.. Hascik S.. Mozolovà Z.. Przik M., Hatzopoulos Z.: The improved

performance of a GaAs micromachined power sensor microsystem. In: EUROSENSORS

XII. Proceedings of the 12 t h European Conference on Sohd-State Transducers and the 9 t h

UK Conference on Sensors and their Applications. Ed. N.M.White. Bristol, Inst, of Phys.,

1998, p.739-742.

28. Lalinsky T.. Držík M., Haščík Š.. Mozolová Ž.. Kuzmĺk J.. Hatzopoulos Z.: Study of

bimetallic effect in GaAs cantilever beam of power sensor microsystem. In: ASDAM '98.

Proceedings of the 2 n d International Conference on Advanced Semiconductor Devices and

Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, IEEE, 1998, p.331-334.

29. Lalinský T.. Hrkút P., Matay L., Kostič L, Haščík Š.. Hudek P.: Nanometer T-gates based

on polysihcon/polyimide supported layers. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d

International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.:

J.Breza. Piscataway, IEEE. 1998, p.183-186.

30. Lalinský T.. Hotový L, Haščík Š.. Mozolová Z.. Kuzmĺk J., Pogany P. : Thin films

resistance temperature sensor on GaAs. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d

International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.:

J.Breza. Piscataway, IEEE, 1998, p.243-246.

31. Belyaev A.A., Konakova R.V., Milenin V.V., Breza J., Lalinský T.: Radiation effects in

surface-barrier Ir-Al/a-GaAs structures. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d

International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.:

J.Breza. Piscataway, IEEE, 1998, p.231-233.

32. Morvic M.. Betko J., Hasenóhrl S.. Gregušová P . . Cambel V.. Eliáš P.. Novák J.: On

quantum Hall resistance and Shubnikov de Haas effect measurements on InP/InGaAs

structures. In: Heterostructure Epitaxy and Pevices - HEAP 97. Eds. P.Kordoš and

J.Novák. Pordrecht, Kluwer Acad Pub, 1998, p.285-288.

33. Mošková A.. Moško M.: Phase-shift analysis of two-dimensional carrier-carrier scattering.

In: Heterostructure Epitaxy and Pevices - HEAP'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO

ASI Series 4/45. Pordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p.87-90.

34. Novák J.: In^Gai-xP in quantum wire structures grown by MOVPE technique. In:

Heterostructure Epitaxy and Pevices - HEAP'97. Eds. P.Kordoš and J. Novák. NATO ASI

Series 4/45. Pordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p. 161-168.

Page 52: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

35. Novak J., Hasenohrl S.. Cambel V.. Kudela R.. Kucera M.: Resistivity anisotropy in

ordered InGaP grown at 640°C. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International

Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza.

Piscataway, IEEE, 1998, p.23-26.

36. Osvald J.: The influence of the pinch-off effect on I-V curves of inhomogeneus Schottky

diodes. In: ASDAM '98. Proceedings of the 2 n d International Conference on Advanced

Semiconductor Devices and Microsystems. Ed.: J.Breza. Piscataway, EEEE, 1998, p. 141-

144.

37. Osvald J.. Burian E.: Self-consistent analysis of electronic structure of coupled a-doped

layers in GaAs. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97, Eds. P.Kordos and J.

Novak. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ, 1998, p.79-82.

38. Usak P., Jansak L.. Chovanec F.: Local nature of transport properties of Ag-sheathed

BSCCO (Bi-2223) superconducting tapes. In: Proceedings of the 5 t h International

Conference Cryogenics 98. Prague, 1998, p. 108-111.

39. Vagner P., Mosko M.: Carrier-impurity collisions in a narrow quantum wire: Born

approximation versus exact solution. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97,

Eds. P.Kordos and J. Novak. NATO ASI Series 4/45. Dordrecht, Kluwer Academic Publ ,

1998, p.91-94

Publikácie v plnom rozsahu (štúdie) uverejnené v zborníkoch publikovaných doma (nie

abstrakty)

1. Darmo J., Dubeckv F.: On some aspects of semiconductor based detectors of ionising

radiation. In: Proceedings of the 4 t h International Workshop on Effect of Non-standard

External Factors on Physical Properties of Solids. Liptovský Mikuláš, Military Academy,

1998, p.29-32.

2. Dubeckv F.. Fornari R., Krempaský M.. Darmo J., Gombia, E., Pikna, M., Nečas, V.,

Sekáčová M.. Macko P., Ruček M:: Recent results on detection performance of particle

detectors based on bulk semi-insulating InP. In: Proceedings of the 4 t h International

Workshop on Effects of Non-standard External Factors on Physical Properties of Sohds.

Liptovský Mikuláš, Military Academy, 1998, p. 13-16.

51

Page 53: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

3. Múdrou J., Mullerová J., Dubecký F.. Huran J.: Optical parameters of InP:Fe irradiated by

fast neutrons. In: Proceedings of the 4 l h International Workshop on Effects of Non-standard

External Factors on Physical Properties of Solids. Liptovský Mikuláš. Military Academy,

1998, p. 65-72.

4. Hotový I., Ŕeháček V., Janik J., Srnánek R., Huran J.. Haščík Š., Kubenka J., Spiess L.:

Nickel oxide films for gas sensor apphcations. In: NEXUSPAN Session micro-S/Mtech on

micro-Structuring and rriicro-machined Technologie. Eds. RTvanič and V.Tvarožek.

Bratislava, STU, 1998, p.87-91.

5. Kičin S.. Novák J.. Eliáš P., Hudek P.: Fabrication of quantum wires structures . In:

Proceedings of the 1 s t Conference on Electrecal Engineering and Information Technology

for PhD students - ELITECH 98. Bratislava, TU, 1998, p. 153-156.

6. Zaťko B., Dubecký F.: New generation of semiconductor materials for particle detector. In:

Proceedings of the 1 s t Conference on Electrical Engineering and Information Technology

for PhD students - ELITECH 98. Bratislava, TU, 1998, p.222-225.

Vyžiadané prednášky na domácich vedeckých podujatiach s medzinárodnou účasťou a v

zahraničí

1. Beňačka Š., Chromik Š.. Štrbík V.. Gaži Š., Darula M.. Plecenik A.. Spánková M..

Karlovský K.. Jergel M.: High temperature thin films and weak link structures. In: 3 r d Japan-

Central Europe Joint Workshop. Bratislava (Slovakia) 1998.

2. Dubecký F.. Darmo J.. Krempaský M.. Pikna M., Hlaváč S., Benovič M., Hudek P., Šatka

A.. Fornari R., Gombia E.. Pelfer P.G.: Investigation of detection performances of particle

detectors based on semi-insulating GaAs and InP. In: Wire Chamber Conference. Vienna

(Austria) 1998.

3. Pelfer P .G, Dubecký F.. Fornari R., Darmo J., Pikna M., Krempaský M., Gombia E.,

Sekáčová M.. Ruček M.: On the electrical and detection performance of particle detectors

based on bulk semi-insulating InP. In: 2 n d Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices

and Microsystems - ASDAM 98. Smolenice (Slovakia) 1998.

4. Novák J.. Betko J.. Morvic M . Kordoš P., Fórster A ' Galvanomagnetic characterisation of LT-GaAs

layers separated from their substrates In Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds.

Erlangen (Germany) 1998.

Page 54: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

5. Plecenik A.. Grajcar M.: Differential conductivity of YBCO/ metal junctions with native

tunneling barrier. In: 3 r d Japan-Central Europe Joint Workshop. Bratislava (Slovakia) 1998.

6. Pogany P. . Seliger N., Gornik E., Lalinsky T., Stoisiek M.:Thermal investigation of thin

film semiconductor devices by optical interferometry. In: International Workshop on

Piagnostics of Solid State Surfaces and Interfaces. Bratislava (Slovakia) 1998.

7. Larbalestier P.C., Anderson J.W., Babcock S.E., Cai X.Y., Porrie S.E., Feldman M., Jiang

J., Li Q., Parrell J.A., Parrella P., Polak M.. Polyanskii A.A., Riley G.N., Rupick M., Wu

Y.: New experiments elucidating the current limiting mechanism of Ag-sheathed (Bi,

Pb):Sr2Ca20 3O x tapes. In: 11 t h International Symposium on Superconductivity. Fukuoka

(Japan) 1998.

8. Takäcs S.: The similarities in loss creation in LTS and HTS cables. In: ICMC'98, Topical

Conf. on AC Loss & Stability. Twente (Holland) 1998.

9. V Cambel: Contactless Evaluation of Superconducting Joints Using Micro Hall Sensor Arrays, Argonne National Lab., Material Science Pivision, Illinois, USA (1998)

10. V Cambel: Preparation, Characterisation and Application of Microscopic 2PEG Hall Probes and Arrays, ISIKFA Jülich, Nemecko (1998)

Tituly vydávaných periodík neevidovaných v Current Contents

Journal of Electrical Engineering, Elektrotechnický časopis, časopis vydávaný spoločne s FEI

STU, Bratislava. 6 dvojčísiel.

Vydané zborníky z domácich vedeckých podujatí s medzinárodnou účasťou a

v zahraničí

Kordoš P., Novák J.: Heterostructure Epitaxy and Pevices - HEAP 97. Pordrecht, Kluwer

Academic Press, 1998,

53

Page 55: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Zoznam citácií za rok 1997

BENACKA-S. SVISTUNOV-V M, PLECENĽK-A CHROMĽK-S. GAZI-S, LEVARSKY-J, STRBĽK-S. TAKACS-S

1989-LEEE TRANS MAGN-V25-P2583

Citácie v databázach ISI: 1

1. SRINIVASU-V V-1997-APPLIED SUPERCOND-V4-P195

MAHEL-M, BENACKA-S

1990-PHYSIC A-C-V169-P429

Citácie v databázach ISI: 1

1. SRINTVASU-VV-1997-APPLEED SUPERCOND-V4-P195

MAHEL-M, BENACKA-S

1993-PHYSICA-C-V213-P287

Citácie v databázach ISI: 1

1. BULUGGIU-E-1997-J LOW TEMP PHYS-V106-P492

BETKO-J. KORDOS-P, KUKLOVSKY-S, FORSTER-A, GREGUSOVA-D. LUTH-H,

1994-MATERIALS SCI ENGN B-V28-P147

Iné citácie: 1

1. ARJJIN-P-1997-PROC 1996 CONF ON OPTOEL. & MICROELECTR. MAT. & DEV-IEEE-P349

CESNAK-L

1970-ELEKT-OBZOR-V59-P338

Citácie v databázach ISI: 2

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P847

2. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

CESNAK-L

1977-CRYOGENICS-V17-P107

Citácie v databázach ISI: 1

1. TAKACS-S-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P733

54

Page 56: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

CESNAK-L

1992-CZECH-J-PHYS-V42-P1025

Citácie v databázach ISI: 1

1. GOMORY-F-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P523

CESNAK-L

1996-COMMUNICATION

Citácie v databázach ISI: 1 1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P7

DARMO-J. DUBECKY-F. KORDOS-P, FORSTER-A, LUTH-H

1994-MAT-SCI-ENG-B-SOLED-V28-P393

Citácie v databázach ISI: 1

1. LAGADAS-M-1997-MATER SCI & ENGN B-V44-P355

MAHEL-M, ADAM-R, DARULA-M. CHROMDC-S. BENACKA-S

1992-PHYSIC A-C-V202-P243

Citácie v databázach ISI: 2

1. BULUGGIU-E-1997-J LOW TEMP PHYS-V106-P469

2. BULUGGIU-E-1997-J LOW TEMP PHYS-V106-P487

DARULA-M. SEIDEL-P. VON ZAMECK GLYSCINSKI-J, DARULOVA-A, BUSSE-F, BENACKA-S

1993-APPLIED-SUPERCONDUCT-P1245

Citácie v databázach ISI: 2

1. KRECH-W-1997-J APPLIED PFIYS-V81-P7409

2. WIESENFELD-K-1997-PHYS LETT A-V233-P373

DARULA-M. SEIDEL-P, BUSSE-F, BENACKA-S

1993-J-APPL-PHYS-V74-P2674

Citácie v databázach ISI: 3

1. BASLER-M-1997-ĽEEE TRANS APPLIED SUPERCOND-V17-P3130

2. BASLER-M-1997-PHYS REV B-V55-P1114

3. B ASLER-M-1997-ZEITSCHREFT FUR PHYSIK B-V104-P199

DARULA-M. SEĽDEL-P, MISANIK-B, BUSSE-F, HEINZ-E, DARULOVA-A, BENACKA-S

55

Page 57: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

1994-PHYSIC A-B-V194-P1749

Citácie v databázach ISI: 1

1. HARRIS-EB-1997-PHYSREB-V55-P3832

DARULA-M, SEIDEL-P, BUSSE-F, BENACKA-S

1994-SUPERCOND-SCI-TECH-V7-P317

Citácie v databázach ISI: 1

1. FRANK-D-1997-PirYSICA STATUS SOLIDI B-V200-P181

DARULA-M, BEUVEN-S, SĽEGEL-M, DARULOVA-A SEIDEL-P

1995-APPL-PHYS-LETT-V67-P1618

Citácie v databázach ISI: 2

1. KECK-M-1997-APPLIED PIIYS LETT-71-P270

2. PREIS-C-1997-J APPLIED PHYS-V81-P315

DARULA-M

1996-EUROPHYS-LETT-V33-P41

Citácie v databázach ISI: 1

1. WATANABE-S-1997-J NONLINEAR SCI-V7-P503

BEUVEN-S, DARULA-M, SCHUBERT-J, ZANDER-W, SIEGEL-M

1995-IEEE-T-APPL-SUPERCON-V5-P3289

Citácie v databázach ISI: 1

1. VAUPEL-M-1997-EEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V17-P3454

BUSSE-F, SEIDEL-P, DARULA-M

1994-WEAK-SUPERCONDUCTrVI-P 146

Citácie v databázach ISI: 1

1. LACHENMANN-SG-1997-PHYS REV B-V56-P5564

SEIDEL-P, ZAKOSARENKO-V, SCHMIDL-F, DODERER-L, SCHr^IDEVVTND-H, LINZEN-S, ILICHEV-EV, DARULA-M

1995-IEEE-T-APPL-SUPERCON-V5-P2931

Citácie v databázach ISI: 3

1. ZHANG-Y-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P2866

2. ADAM-R-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P2997

56

Page 58: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

3. HUH-Y-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P3228

DOBROCKA-E, OSVALD-J

1994-APPL-PHYS-LETT-V65-P575

Citácie v databázach ISI: 2

1. CHAND-S-1997-J APPLIED PHYS-V82-P5005

2. CHAND-S-1997-SEMICOND SCI & TECHN-V12-P899

Iné citácie: 1

1. HORVATH-ZS-1997-SPIE 97-V3359-P65

DUBECKY-F. DARMO-J. BETKO-J. MOZOLOVA-Z, PELFER-PG

1994-SEMICOND-SCI-TECH-V9-P1654

Citácie v databázach ISI: 2

1. FÍU-YF-1997-J APPLIED PHYSICS-V82-P3891

2. CASTALDINI-A-1997-NUCLEARINSTR & METHODS A-V388-P417

DUBECKY-F. DARMO-J. BESSE-I, PELFER-PG

1994-SEMUNSULATING-3-5 -M-P183

Citácie v databázach ISI: 1

1. MARES-JJ-1997-J APPLIED PHYSICS-V82-P3358

HEINTZ-JM, MAGRO-C, FROHLICH-K. DORDOR-P

1990-EUR-J-SOL-STATE-INOR-V27-P703

Citácie v databázach ISI: 1

1. CAZY-E-1997-J MATERIALS RESEARCH-V12-P1451

FROHLICH-K, SOUC-J, CHROMIK-S, MACHAJDIK-D

1992-PHYSICA-C-V202-P121

Citácie v databázach ISI: 1

1. WATSON-IM-1997-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION-V3-P9

FROHLICH-K. SOUC-J. MACHAJDIK-D. POCHABA-I, GOMORY-F. KLIMENT-V

1993-APPL-SUPERCOND-V1-P395

Citácie v databázach ISI: 1

1. SCHULTE-B-1997-J ALLOYS & COMPOUNDS-V251-P360

57

Page 59: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

WEISS-F, FROHLICH-K. HAASE-R, LABEAU-M, SELBMANN-D, SENATEUR-JP, THOMAS-0

1993-J-PHYS-IV-V3-P321

Citácie v databázach ISI: 6

1. GORBENKO-IM-1997-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION-V3-P193

2. KLIPPE-L-1997-J ALLOYS & COMPOUNDS-V251-P249

3. DAFTMEN-KH-1997-J ALLOYS & COMPOUNDS-V251-P270

4. GORBENKO-OY-1997-J MATERIALS CHEMISTRY-V7-P747

5. GREVIN-B-1997-PHYSICAC-V275-P238

6. WATSON-IM-1997-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION-V3-P9

Iné citácie: 2

1. PIGNARD-S-1997-PhD THESIS-INPG-GRENOBLE

2. SCHMATZ-U-1997- PhD THESIS-INPG-GRENOBLE

FROHLICH-K. WEISS-F, BOURSLER-D, SENATEUR-JP

1994-PHYSICA C-V235-240-P659

Citácie v databázach ISI: 1

1. WATSON-ĽM-1997-CHEMIC AL VAPOR DEPOSITION-V3-P9

FROHLICH-K. MACHAJDIK-D. WEISS-F, BOCHU-B

1994-MATER-LETT-V21-P3 77

Citácie v databázach ISI: 1

1. TIAN-CY-1997-J VACUUM SCI & TECHN A-V15-P85

FROHLICH-K. SOUC-J. MACHAJDIK-D. KOBZEV-AP, WEISS-F, SENATEUR-JP, DAHMEN-KH

1995-J DE PHYS IV C-V5-P533

Iné citácie: 2

1. CASTEL-X-1997-PhD THESIS-UNIV DE RENNES I

2. NICHIPORUK-RV-1997-ELECTROCHEM SOC PROC-V25-P872

GOMORY-F, CESNAL-L

1985-CRYOGENICS-V25-P375

Citácie v databázach ISI: 1

1. DENOUDEN-A-1997-ĽEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P733

58

Page 60: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

GOMORY-F, LOBOTKA-P

1988-SOLED-STATE-COMMUN-V66-P645

Citácie v databázach ISI: 4

1. GHOSH-AK-1997- SOLID STATE COMMUNICATIONS-V104-P695

2. MEHDAOUI-A-1997-J MATERIALS RESEARCH-V12-P2226

3. JI-ZM-1997-PHYSICAC-V279-P233

4. HAN-GC-1997-APPLEED PHYSICS LETT-V71-P1860

GOMORY-F. TAKACS-S. LOBOTKA-P. FROHLICH-K. PLECHACEK-V

1989-PHYSIC A-C-V160-P1

Citácie v databázach ISI: 2

1. MARTINEZ-E-1997-PHYSICA C-V289-P1

2. RAMSBOTTOM-HD-1997-J PHYSICS C-V9-P4437

GOMORY-F

1991-MAGNETIC-SUSCEPTB3IL-P289

Citácie v databázach ISI: 1

1. KIM-GC-1997-PHYSICAC-V279-P122

GOMORY-F

1991 -REV-SCI-INSTRUM-V62-P2019

Citácie v databázach ISI: 1

1. KUMAR-NH-1997-EEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P3812

GOMORY-F. TAKACS-S

1993-PHYSIC A-C-V217-P297

Citácie v databázach ISI: 2

1. NEDKOV-I-1997-J LOW TEMPERATURE PHYSICS-V107-P497

2. QIN-MJ-1997-PHYSICAC-V272-P142

GOMORY-F. GHERARDI-L, MELE-L, MORIN-D, CROTTI-G

1997-PHYSICA-C-V279-P39

Citácie v databázach ISI: 1

1. IIJIMA-Y-1997-APPLIED PHYSICS LETT-V71-P2695

HUSEK-I. KOVAC-P. PACHLA-W 59

Page 61: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

1995-SUPERCOND-SCI-TECH-V8-P617

Citácie v databázach ISI: 4

1. FISHER-SJ-1997-CRYOGENICS-V37-593

2. ZENG-R-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P342

3. HAN-2-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P371

4. MARTINI-L-1997-APPLIED SUPERCOND 1997-IOP CONF SER-V158-P1335

HUSEK-I, KOVAC-P, KOPERA-L

1996-SUPERCOND-SCI-TECH-V9-P1066

Citácie v databázach ISI: 2

1. ZENG-R-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P342

2. HAN-Z-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P371

Iné citácie: 1

1. RICHENS-PE-1997-PROC 15™ MAGNET TECHN-P785

CHOVANEC-F. JANSAK-L. KOTTMAN-P. MAJOROS-M. USAK-P. SUCHON-D, JERGEL-M

1995-I-PHYSICS-C-SERIES-V148-P475

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

CHROMIK-S. SITH-J, STRBDK-V, SCHILDER-J, SMATKO-V. BENACKA-S

1988-J-APPL-PHYS-V66-P1477

Citácie v databázach ISI: 1

1. AFONSO-S-1997-J MATER RES-V12-P2947

ZANNELLA-S, JANSAK-L. MAJOROS-M. SELVAMANICKAM-V, SALAMA-K

1993-PHYSICA-C-V205-P14

Citácie v databázach ISI: 1

1. YANG-Y-1997-CRYOGENICS-V37-P627

ZANNELLA-S, JANSAK-L. SALAMA-K, SELVAMANICKAM-V

1993-CRYOGENICS-V33-P31

Citácie v databázach ISI: 1

1. PORCAR-L-1997-PHYSICA C-V275-P293

60

Page 62: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

FRANGI-F, JANSAK-L, MAJOROS-M. ZANNELLA-S

1994-PHYSICA-C-V224-P20

Citácie v databázach ISI: 1

1. LI-A-1997-PHYSICAC-V281-P260

JANSAK-L. MAJOROS-M, FRANGI-F, ZANNELLA-S

1995-PHYSICA-C-V247-P231

Citácie v databázach ISI: 3

1. MEEROVICH-V-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P3783

2. MOULE-DJ-1997- ĽEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1028

3. MEEROVICH-V-1997-PHYSICA C-V275-P119

JERGEL-M. TAKACS-S. CABELKA-V, CERNUSKO-V, KRUZLIAK-J

1973-CZECH-J-PHYS-B-V23-P644

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

JERGEL-M. TAKACS-S. CERNUSKO-V

1976-PHYS-STATUS-SOLIDI-A-V33-P85

Citácie v databázach ISI: l

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

HLASNIK-I, JERGEL-M. KABAT-D

1977-CRYOGENICS-V17-P25

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

JERGEL-M. HANIC-F, STRBIK-V. LEDAY-J, PLESCH-G, MELISEK-T. KUBRANOVA-M

1992-SUPERCOND-SCI-TECH-V5-P663

Citácie v databázach ISI: 1

1. STAMBOLOVA-I-1997-MATERIALS LETTERS-V30-P333

JERGEL-M. CONDE-GALLARDO-A, FALCONY-C, GUAJARDO-J, STRBJK-V

1996-SUPERCOND-SCI-TECH-V9-P427

Citácie v databázach ISI: 3

61

Page 63: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

1. CISZEK-M-1997-CRYOGENICS-V37-P637

2. CISZEK-M-1997-ffiEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P314

3. ALFORD-NM-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P169

KORDOS-P. PEARSON-G

1980-SOLID-STATE-ELECT-V25-P399

Citácie v databázach ISI: 1

1. DELVALLE-CA-1997-ĽEEE TRANS ON ELECTRON DEVICES-V44-P1499

KORDOS-P

1981 -P-INT-C-GAAS-REL-COM-P131

Citácie v databázach ISI: 1

1. PAL-R-1997-MATERIALS RESEARCH BULL-V32-P589

KORDOS-P. MARSO-M, MEYER-R, LUTH-H

1992-EEEE-T-ELECTRON-DE V-V3 9-P1970

Citácie v databázach ISI: 1

1. WANG-HT-1997-APPLIED PHYSICS LETT-V70-P2571

KORDOS-P. MARSO-M, MEYER-R, LUTH-H

1992-J-APPL-PHYS-V72-P2347

Citácie v databázach ISI: 2

1. SATO-T-1997-JAPANESE J APPLIED PHYS PART 1-V36-P1811

2. KUSTERS-AM-1997-SOLĽD-STATE ELECTRONICS-V41 -P 1159

KORÝT AR-D

1993-J-CRYST-GROWTH- V126-P3 0

Citácie v databázach ISI: 1

1. CHEN-NF-1997-J CRYSTAL GROWTH-V173-P325

KORÝT AR-D. HRTVNAK-M

1993-JAP-J-APPL-PHYS-V32-P693

Iné citácie: 1

1. RTESZ-F-1997-SPIE-V3573-P292

62

Page 64: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

KOVAC-P, HUSEK-I, CESNAK-L

1994-SUPERCOND-SCI-TECH-V7-P583

Citácie v databázach ISI: 2

1. POLAK-M-1997-APPLIED PHYSICS LETT-V70-P1034

2. KOBLISHKA-MR-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P693

PACHLA-W, MARCINIAK-H, KOVAC-P. HUSEK-I

1994-SUPERCOND-SCI-TECH-V7-P820

Citácie v databázach ISI: 4

1. NOUDEM-JG-1997-PHYSICA C-V281-P339

2. MA-YW-1997- SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P778

3. HORVAT-J-1997-PHYSICA C-V277-P183

4. DOU-SX-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-PA52

KOVAC-P. HUSEK-I. PACHLA-W, MELISEK-T, KLIMENT-V

1995-SUPERCOND-SCI-TECH-V8-P341

Citácie v databázach ISI: 2

1. PARRELL-JA-1997-J MATERIALS RESEARCH-V12-P2997

2. HAN-Z-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P371

KOVAC-P. HUSEK-I. PACHLA-W, MARCINIAK-H, MELISEK-T.

1996-PHYSIC A-C-V261 -P 131

Citácie v databázach ISI: 3

1. ZENG-R-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P342

2. HAN-Z-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P371

3. SCHMIDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

KOVAC-P, KOPERA-L, HUSEK-I, CESNAK-L

1996-SUPERCOND-SCI-TECH-V9-P792

Citácie v databázach ISI: 3

1. ALMOSAWI-MK-1997-PHYSICA C-V289-P63

2. KOBLISHKA-MR-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P693

3. HAN-Z-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P371

KOVAC-P, CESNAK-L, MELISEK-T, HUSEK-I, FROHLICH-K

1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V 10-P605

63

Page 65: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Citácie v databázach ISI: 1

1. RAMSBOTTOM-H D-1997-APPLEED SUPERCOND-V5-P162

DUCHATEAU-JL, TURCK-B, KREMPASKY-L. POLAK-M

1976-CRYOGENICS-FEB-P97

Citácie v databázach ISI: 1

1. DAUMLING-M-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1335

KREMPASKY-L

1976-CRYOGENIC S-V16-P178

Citácie v databázach ISI: 1

1. SCHMIDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

KREMPASKY-L. SCHMIDT-C

1995-APPL-PHYS-LETT-V66-P1545

Citácie v databázach ISI: 4

1. ROMANOVSKII-VR-1997-CRYOGENICS-V37-P417

2. VERWEIJ-AP-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P270

3. VERWEIJ-AP-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P723 4. BOTTURA-L-1997-IEEE TRANS ON APPLIED S UPERCOND-V7-P801

KREMPASKY-L. SCMEDT-C

1996-CRYOGENICS-V35-P471

Citácie v databázach ISI: 1

1. VYSOTSKY-VS-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P774

KUZMĽK-J. LALINSKY-T. MOZOLOVA-Z. PORGES-M

1990-SOLID-STATE-ELECTRON-V33-P1223

Citácie v databázach ISI: 1

1. MAJUMDAR-L-1997-APPLIED SURFACE SCI-V119-P369

KVITKOVIC-J, MAJOROS-M

1996-J-MAGN-MAGN-MATER-V157-P440

Citácie v databázach ISI: 1

1. PRIETO-JL-1997-J MAGNETISM & MAGNETIC MATERIALS-V174-P289

64

Page 66: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

LOBOTKA-P, VAVRA-I

1981-PHYS-STATUS-SOLIDI-A-V63-P655

Citácie v databázach ISI: 1

1. SHIH-WC-1997-THIN SÓLU) FILMS-V292-P103

ROSSEEL-E, BAERT-M, TEMST-K, MOSHCHALKOV-VV, BRUYNSERAEDE-Y, LOBOTKA-P. VAVRA-I. SENDERAK-R, JERGEL-M

1994-PHYSICA-C-V225-P262

Citácie v databázach ISI: 1

1. MATSUO-Y-1997-PHYSICA C-V277-P138

HANIC-F, MACHAJDIK-D

1969-CHEM-ZVESTI-V23-P3

Citácie v databázach ISI: 1

1. GLADKJKH-OP-1997-ACTA CRYSTALLOGRAPHICA C-V53-P197

MAJOROS-M. POLAK-M. STRBIK-V. BENACKA-S. CHROMIK-S. HANIC-F, PLECHACEK-V

1990-SUPERCOND-SCI-TECH-V3-P227

Citácie v databázach ISI: 1

1. CELEBI-S-1997-J ALLOYS & COMPOUNDS-V257-P14

MAJOROS-M

1992-CRITICAL-CURRENTS-HI-P93

Citácie v databázach ISI: 1

1. CHASHCHTN-VS-1997-PHYSICS OF THE SOLED STATE-V39-P877

MAJOROS-M. KOTTMAN-P, POLAK-M. SCHAUER-W, WINDTE-V, REENER-J, PLECHACEK-V

1992-CRYOGENICS-V32-P1061

Citácie v databázach ISI: I

1. SUGIMOTO-M-1997-PHYSICA C-V279-P225

MARTINI-L, BECHTOLD-J, MAJOROS-M. OTTOBONI-V, VALLIER-JC, ZANNELLA-S

1994-SUPERCOND-SCI-TECH-V7-P24

Citácie v databázach ISI: 2

l. OGIVAJAA-H-1997-CERAMICSINT-V23-P1

65

Page 67: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

2. SYAMAPRASAD-U-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-VIO-PIOO

MAJOROS-M. ZANNELLA-S, OTTOBONI-V, JANSAK-L

1994-APPL-SUPERCOND-P27

Citácie v databázach ISI: 1

1. SCHMIDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

MAJOROS-M,OTTOBONI-V, ZANNELLA-S

1994-CRYOGENICS-V34-P529

Citácie v databázach ISI: 1

1. SCHMIDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

MOSKO-M, NOVAK-I

1989-J-APPL-PHYS-V66-P2011

Citácie v databázach ISI: 1

1. SU-JS-1997-APPLDED PHYSICS LETTERS-V70-P1002

MOSKO-M, MOSKOVA-A

1991 -PHYS-RE V-B-V44-P10794

Citácie v databázach ISI: 2

1. BOROWIK-P-1997-J APPLIED PHYSICS-V82-P4350

2. MATULIONIS-A-1997-PHYSICAL REVIEW B-V56-P2052

NOVAK-J. KULIFFAYOVA-M. MORVIC-M. KORDOS-P

1989-J-CRYST-GROWTH-V96-P645

Citácie v databázach ISI: 2

1. CHANG-LB- 1997-INST OF PHYSICS CONF SERIES-I155-P291

2. CHANG-LB-1997-JAPAN J APPL PHYS-V36-P7264

NOVAK-J, HASENOHRL-S, KULIFFAYOVA-M

1991-J-CRYST-GROWTH-V110-P862

Citácie v databázach ISI: 2

1. CHANG-LB-1997-INST OF PHYSICS CONF SERIES-I155-P291

2. CHANG-LB-1997-JAPAN J APPL PHYS-V36-P7264

Iné citácie: 1

1. HJELT-K-1997-PHOTOLUMINISCENCE & GROWTH OF COMPOUND SEMICOND,

66

Page 68: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

ESPOO

NOVAK-Ľ KLAUS-M, BENZ-KW

1994-J-CRYST-GROWTH-V139-P206

Citácie v databázach ISI: 1

1. VON EICHEL-STREĽBER-C-1997-J CRYSTAL GROWTH-V170-P783

Iné citácie: 1

1. LAUER-S-1997-STÓRSTELLEN IN GALLIUMANTľMONED-AACHEN

NOVAK-J. KUCERA-M, LAUER-S, BENZ-KW

1996-J-CRYST-GROWTH-V158-P1

Citácie v databázach ISI: 1

1. GLADKOV-P-1997-SEMICOND SCI & TECHN-V12-P1409

OSVALD-J

1992-SOLID-STATE-ELECTRON-V35-P1629

Citácie v databázach ISI: 1

1. CHAND-S-1997-SEMICOND SCI & TECHN-V12-P899

ARISTOV-VY, OSVALD-J

1994-J-ELECTRON-SPECTROSC-V68-P419

Citácie v databázach ISI: 1

1. LEISENBERGER-FP-1997-SURFACE SCLENCE-V383-P25

ARISTOV-VY, OSVALD-J

1994-J-VAC-SCI-TECHNOL-B-V12-P2709

Citácie v databázach ISI: 1

1. MARTINELLI-V-1997-SURFACE SCĽENCE-V391-P73

LELAY-G, ARISTOV-VY, HRICOVINI-K, TALEB-BRAHIMI-A, DUMAS-P, OSVALD-l INDLEKOFERT-G

1994-CONTROL-SEMICOND-P39

Citácie v databázach ISI 1

1. MORGEN-P-1997-APPLEED SURFACE SCI-VI17-P72

OSVALD-J. DOBROCKA-E 67

Page 69: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

1996-SEMICOND SCI & TECHN-V11-P1198

Citácie v databázach ISI: 1

1. LE LAY-G-1997-J DE PHYS IV-V7-P115

OSVALD-J, BURIAN-E

1996-ASDAM 96-P177

Iné citácie: 1

1. HORVATH-ZS-1997-SPIE 97-V3359-P65

PITEL-J. KOVAC-P

1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

Citácie \ databázach ISI: 2

1. PAASI-J-1997-APPLIED SUPERCOND-V5-P1659

2. SHEVCHENKO-0 A-1997-APPLĽED SUPERCOND-V5-P1555

Iné citácie: 1

1. PA^SI-J-1997-PROC 15™ MAGNET TECHN-P781

PITEL-., KOVAC-P

1997-APPLĽED SUPERCOND 1997-IOP CONF SER-V158-P1655

Citácie v databázach ISI: 1

1. SHEVCHENKO-0 A-1997-APPLĽED SLJPERCOND-V5-P1555

PLECEXIK-A. GRAJCAR-M, BENACKA-S. SEEDEL-P, PFUCH-A

1994-PHYS-REV-B-V49-P10016

Citácie v databázach ISI: 4

1. SZABO-P-1997-J LOW TEMPERATURE PHYSICS-V106-P291

2. NA1DYUK-YG-1997-J PHYSICS C-V9-P6279

3. YANSON-IK-1997-J LOW TEMPERATURE PHYSICS-V23-P712

4. KU 3KA-M-1997-PHYSICAC-V281-P91

POLAK-M

0000-UNPUB

Citácie v databázach ISI: 1

1. PE'ERSON-TB-1997-APPLĽED PHYSICS LETT-V71-P134

68

Page 70: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

POLAK-M

0000-UNPUB-IEEE-T-APPL-SU

Citácie v databázach ISI: 1

1. LANG-D-1997-PHYSICAC-V281-P283

POLAK-M. HLASNFK-I, KREMPASKY-L

1973-CRYOGENICS-V13-P702

Citácie v databázach ISI: 1

1. ROMANOVSKII-VR-1997-CRYOGENICS-V37-P417

POLAK-M. MINTS-RG, MAJOROS-M

1987-CRYOGENICS-V27-P183

Citácie v databázach ISI: 1

1. TAKACS-S-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P733

POLAK-M. HANIC-F, HLASNIK-I, MAJOROS-M. CHOVANEC-F. HORVATH-I, KREMPASKY-L. KOTTMAN-P, KEDROVA-M, GALľKOVA-L

1988-PHYSICA-C-V15 6-P79

Citácie v databázach ISI: 1

1. PRAMANA-AA-1997-PHYSICA C-V282-P1445

POLAK-M. VVTNDTE-V, SCHAUER-W, REINER-J, GUREVICH-A, WUHL-M

1991 -PHYSIC A-C-V174-P14

Citácie v databázach ISI: 2

1. MAWATARI-Y-1997-APPLIED PHYSICS LETTERS-V70-P2300

2. WAKUDA-T-1997-CRYOGENICS-V3 7-P3 81

PAASI-J, POLAK-M. LAHTINEN-M, PLECHACEK-V, SODERLUND-L

1992-CRYOGENICS-V32-P1076

Citácie v databázach ISI: 2

1. FUJľMOTO-H-1997-rEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1224

2. MOEHLECKE-S-1997-J LOW TEMPERATURE PHYSICS-V106-P207

POLAK-M. KREMPASKY-L. MAJOROS-M. SUCHON-D, KERCHMAYER-H

1993-IEEE-T-APPL-SUPERCON-V3-P150

Citácie v databázach ISI: 1

69

Page 71: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

1. SCHMIDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

FUKUI-S, HLASNIK-I, TSUKAMOTO-0, AMAMIYA-A, POLAK-M. KOTTMAN-P

1994-LEEE-T-MAGN-V30-P2411

Citácie v databázach ISI: 1

1. TAKACS-S-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P733

POLAK-M

1994-CRYOGENICS-V34

Citácie v databázach ISI: 1

1. DAFFLX-H-1997-ELECTRIC MACHINES & POWER SYSTEMS-V25-P227

KOTTMAN-P, POLAK-M. PITEL-J, BUCHTA-S, DANIELIK-L, HANIC-F, PLESCH-G

1994-SUPERCOND-SCI-TECH-V7-P67

Citácie v databázach ISI: 1 1. LOBOTKA-P-1997-SENSORS & ACTUATORS A-V61-P323

POLAK-M. HLASMK-I, FUKUI-S, IKEDA-A, TSUKAMOTO-0 N

1994-CRYOGENICS-V34-P315

Citácie v databázach ISI: 5 ~

1. TLXADOR-P-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P3858

2. NOUDEM-JG-1997-PHYSICA C-V281-P339

3. DAFFLX-H-1997-LEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P286

4. NOUDEM-JG-1997-PHYSICA C-V282-P2625

5. PORCAR-L-1997-PHYSICA C-V275-P293

POLAK-M.KVITKOVIC-J. MAJOROS-M. KOTTMAN-P, KOVAC-P. MELISEK-T

1994-CRYOGENICS-V34-P805

Citácie v databázach ISI: 4

1. OOTA-A-1997-PHYSICAC-V291-P188

2. USAK-P-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1343-1346

3. CRISAN-A-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P298

4. ZENG-R-1997- SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P342

POLAK-M

1995-EUCAS-95-ED-UK-P427

\

7 / n i A l / V

/

70

Page 72: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Citácie v databázach ISI: 1

1. YI-Z-1997-PHYSICAC-V277-P233

PAASI-J, KOTTMAN-P, PQLAK-M

1995-PHYSICA-C-V249-P350

Citácie v databázach ISI: 3

1. PARRELL-JA-1997-J MATERIALS RESEARCH-V12-P2997

2. FRJJfND-CM-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1821

3. DOU-SX-1997- SUPERCOND SCI & TECHN-V10-PA52

POLAK-M

1995-PHYS-REV-LETT-V74-P4059

Citácie v databázach ISI: 2

1. LEWIS-LH-1997-J MAGNETISM & MAGNETIC MATERIALS-V175-P275

2. KANEYOSHJ-T-1997-PHYSICAL REVIEW B-V55-P12497

LARBALESTIER-DC, BABCOCK-SE, CAI-XY, DORRIS-SE, EDELMAN-HS, FUREVICH-A, PARRELL-JA, PASHJTSKI-A, POLAK-M. POLYANSKTJ-A, TSU-I-FEI, WANG-J-L

1995-INST-PHYS-CONF-SER-V148-P29

Citácie v databázach ISI: 1

1. KRUSINELBAUM-L-1997-PHYSICA C-V282-P375

POLAK-M. PARRELL-JA, POLYANSKIJ-AA, PASHJTSKI-AE, LARBALESTEER-D

1997-APPL-PHYS-LETT-V70-P1034

Citácie v databázach ISI: 3

1. YANG-PD-1997-J MATERIALS RESEARCH-V12-P2981

2. GOLDGIRSH-A-1997-PHYSICA C-V282-P2213

3. KOBLISHKA-MR- 1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P693

ROSOVA-A. BOULESTELX-C, VAVRA-I

1993-PHYSICA-C-V214-P247

Citácie v databázach ISI: 1

1. FEDER-DL-1997-PHYSICAL REVIEW B-V56-PR5751

BARDOSOVA-M, DAVIS-F, TREDGOLD-RH, ALI-ADIB-Z, HUNT-B, SMATKO-V

1994-THTN-SOLID-FILMS-V244-P740

71

Page 73: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Citácie v databázach ISI: 1

1. AN GÉLOV A-A-1997-THTN SOLID FILMS-V305-P309

SOUC-J. MACHAJDIK-D. SMATKO-V. FROHLICH-K. HRTB-S, STEFANJK-KORDOS-P, IVAN-J

1991-J-CRYST-GROWTH-V107-P710

Citácie v databázach ISI: 1

1. FAQĽR-H-1997-J PHYSICS & CHEMISTRY OF SOLIDS-V58-P821

STRBIK-V. CHROMIK-S. BENACKA-S. KARLOVSKY-K

1996-CZECH-J-PHYS-V46-P1313

Citácie v databázach ISI: 1

1. HOROVITZ-B-1997-PHYSICAL REVIEW B-V55-P14499

TAKACS-S, JERGEL-M

1973-CZECH-J-PHYS-B-V23-P636

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P7

TAKACS-S

1980-ACT A-PHY S - SLOV AC A-V 3 0 -P 19 3

Citácie v databázach ISI: 2

1. YANETKA-I-1997-PHYSICA STATUS SOLLDIB-V203-P363

2. TASHKOVA-MG-1997-PHYSICA STATUS SOLIDI B-V200-P75

TAKACS-S

1982-PHYS-STATUS-SOLIDI-B-V113-P313

Citácie v databázach ISI: 2

1. YANETKA-I-1997-PHYSICA STATUS SOLIDI B-V203-P363

2. TASHKOVA-MG-1997-PHYSICA STATUS SOLIDI B-V200-P75

TAKACS-S, POLAK-M, KREMPASKY-L

1983-CRYOGENICS-MAR-P153

Citácie v databázach ISI: 2

1. SCHTLD-T-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P1512

2. CAO-XW-1997-J APPLIED PHYSICS-V81-P7392

72

Page 74: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

HLASNTK-I, TAKACS-S. BURJAK-VP, MAJOROS-M. KRAJCĽK-J, KREMPASKY-L, POLAK-M. JERGEL-M. KORNEEVA-TA, MTRONOVA-ON, IVAN-I

1985-CRYOGENICS-V25-P558

Citácie v databázach LSI: 1

1. TLXADOR-P-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P3858

NARASHTMA RAO-CV, AGARWAL-SK, JAYARAM-B, TAKACS-S. NARLEKAR-AV

1988-ZEITSCHRIFT FUR METALLKUNDE-V79-P271

Citácie v databázach ISI: 1

1. MUNAC-P-1997-PHYSICAC-V292-P48

TAKACS-S. CAMPBELL-AM

1988-SUPERCOND-SCI-TECH-V1-P53

Citácie v databázach ISI: 3

1. SCHMTDT-C-1997-CRYOGENICS-V37-P77

2. OTABE-ES-1997-PHYSICA C-V282-P2339

3. GOMORY-F-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P523

TAKACS-S

1991 -P-INT-S-AC-SUP-DEV-S

Citácie v databázach ISI: 1

1. COLLINGS-EW-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P962

TAKACS-S

1992-PHYS-REV-B-V46-P3145

Citácie v databázach ISI: 1

1. UDOMSAMUTfflRUN-P-1997-J SUPERCONDUCTIVITY-V10-P189

STEJIC-G, COOLEY-LD, JOYNT-R, LARBALESTDER-D, TAKACS-S

1992-SUPERCOND SCI & TECHN-V5-PS176

Citácie v databázach ISI: 1

1. KITAI-T-1997-CRYOGENICS-V37-P389

TAKACS-S

1994-CRYOGENICS-V22-P661

73

Page 75: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Citácie v databázach ISI: 1

1. VERWEIJ-AP-1997-EEEE TRANS ON APPLffiD SUPERCOND-V7-P270

TAKACS-S. YANAGI-N, YAMAMOTO-J

1995-IEEE-T-APPL-SUPERCON-V5-P2

Citácie v databázach ISI: 1

1. COLLINGS-EW-1997-IEEE TRANS ON APPLIED SUPERCOND-V7-P962

TAKACS-S

1996-SUPERCOND-SCI-TECH-V9-P13 7

Citácie v databázach ISI: 1

1. KĽRSCHNER-I-1997-SUPERLATTICES & MICROSTRUCTURES-V21-P287

USAK-P

1994-J-JAPAN-SOC-APPL-ELE-V3-P25

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P847

USAK-P, CHOVANEC-F

1996-IEEE-T-MAGN-V32-P2818

Citácie v databázach ISI: 1

1. PITEL-J-1997-SUPERCOND SCI & TECHN-V10-P847

VAVRA-I. LOBOTKA-P. ZACHAR-F, OSVALD-J

1981-PHYS-STATUS-SOLIDI-A-V63-P363

Citácie v databázach ISI: 1

1. SHffl-WC-1997-THIN SOLID FELMS-V292-P103

VAVRA-I, LOBOTKA-P

1981 -PHYS-ST ATUS-SOLIDI-A-V65 -PK107

Citácie v databázach ISI: 1

1. SHIH-WC-1997-THIN SOLID FJXMS-V292-P103

VAVRA-I, LOBOTKA-P, GAZI-S, DERER-J

1996-J-LOW-TEMP-PHYS-V106-P3 73

Citácie v databázach ISI: 1

KUPLEVAKSHKY-SV-1997-PHYSICAL REVIEW B-V56-P7858

74

Page 76: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Príloha č. 4

Údaje o pedagogickej činnosti pracoviska Uviesť menný zoznam kmeňových pracovníkov ústavu pôsobiacich ako prednášatelia semestrálnych predmetov a ako vedúci semestrálnych cvičení (seminárov) v roku 1998, názvu semestrálneho predmetu alebo cvičenia (semináru), počtu hodín prednášok alebo cvičení (seminárov) týždenne a úhrnné za semester, názvu katedry a vysokej školy.

Ing. J. Novák, C S c , semestrálne prednášky "Integrovaná optoelektronika", 3hod týždenne, Katedra mikroelektroniky FEI STU, Bratislava

RNDr. A. Plecenik, C S c , semestrálne prednášky "Experimentálne metódy fyziky tuhých látok", 2 hod týždenne, Katedra fyziky tuhých látok MFF UK, Bratislava

Ing. Jozef Huran, CSc, semestrálne cvičenia "Plazmochemická depozícia tenkých vrstiev", 8 hod/semester, Katedra rriikroelektroniky, FEI STU, Bratislava

75

Page 77: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Príloha c. 5

Údaje o medzinárodnej vedeckej spolupráci

Vyslanie vedeckých pracovníkov do zahraničia na základe dohôd:

Krajina

Druh dohody

Krajina MAJ), KD, VTS medziústavná ostatné Krajina

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Belgicko Frohhch 7

Kálna 128

Vávra 4

Plecenik 7

Frohhch 3

Bulharsko Behačka 10 Chromik 5

Gaži 10 Spánková 5

Ces.rep. Plecenik 4 Huran 5

Vávra 5 Mozola 2

Štrbík 5 Polák 2

Darmo 1 Vávra 5

Štrbík 2

Vávra 4

Janšák 3

Harvanka 5

Galjautdinov 5

Frohhch 2

Jäger 2

Čína Majoroš 12

Fínsko Novák 13 Novák 5

Francúzsko Frohhch 14 Frohhch 11

Máchaj dík 15 Frohhch 4

Rosová 352

Vysvetlivky:

MAD - medziakademické dohody , KD- kultúrne dohody, VTS - vedecko-technická spolupráca

76

Page 78: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Krajina

Druh dohody

Krajina MAD, KD, VTS medziústavná ostatné Krajina

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Holandsko Behačka 7 Frohlich 6

Souc 6

Beňačka 4

Chovanec 7

Kováč 6

Takács 6

Pitel 7

Majoroš 7

Polák 7

Japonsko Polák 8

Kuzmĺk 365

Maďarsko Betko 5 Mozolová 5

Morvic 5 Haščík 5

Mexiko Jergel 101

Chromik 63

Jergel 130

Polsko Huran 5 Lalinský 4

Burian 4

Vagner 8

Kálna 8

Olejníkova 6

Dubecký 7

Portugalsko Cambel 6

Gregušová 6

Rakúsko Cesnak 5

Melišek 5

Kováč 2

Cesnak 5

77

Page 79: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Krajina

Druh dohody

Krajina MAI), KD, VTS medziústavná ostatné Krajina

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet

dní

Rakúsko Mehšek 5

Majoroš 3

Polák 6

Mozolová 8

Lalinský

Burian

Haščík 11

Rusko Huran 85 Beňačka 5

Vávra 7

SRN Krempaský 42 Durica 125

Novák 6 Beňačka 3

Novák 14 Kúdela 4

Cambel 28 Novák 4

Hasenohrl 4

Darula 365

Kordoš 365

Lalinský 3

Plecenik 8

Chromik 9

Korytár 28

Darmo 75

Španielsko Machajdík 14

Švédsko Štrbík 24 Beňačka 5

Švajčiarsko Lalinský 6

Kottman 308

Taliansko Korytár 28 Gomory 365

Kálna 16

Kvitkovič 6

Janšák 62

78

Page 80: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Krajina

Druh dohody

Krajina MAD, KD, VTS medziústavná ostatné Krajina

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet dní

Meno pracovníka Počet

dní

Taliansko Majoroš 62

Dubecký 6

Majoroš 55

Janšák 55

Dubecký 5

Kováč 2

USA Polák 82

Moško 100

V.Británia Majoroš 12 Kováč 7

Pitel 7 Štrbík 7

Chromik 13

Počet vyslaní 17 138 7 227 90 3.582 spolu

79

Page 81: INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING Slovak Academy … · extracted apparent Schottky diode parameters depend only slightly, if at all, on a lateral correlation between the single

Prijatie vedeckých pracovníkov zo zahraničia na základe dohôd:

Krajina Druh dohody Krajina

MAD, KD, VTS medziústavná ostatné Meno pracovníka Počet

dní Meno pracovníka Počet

dní Meno pracovníka Počet

dní

Ces. rep. T. Simeček 5

E. Hulicius 5

D. Procházková 5

F. Šrobár 5

V. Malina 5

Francúzsko F. Weis 10

Grécko G. Papaioannou 7

N. Arpatzanis 7

India S. H. Pawar 60

J.Kórea H. G. Lee 4

Maďarsko K. Somogy 5

F. Riesz 5

A. Nemcics 5

Polsko W. Pachla 6 Buchholtz 6

Rakúsko A. Kaszplerova 2

Rusko N. Balalykin 30

SRN H. Reiner 6

Taliansko R. Foraari 7 P. G. Pelfer 4

F. Montali 13

Ukrajina V. E. Shaternik 7 E. Rudenko 2

I. Belousov 2

S. Kuplevakhski 35

V. Británia M. Bari 6

Počet prijatí spolu

15 144 7 92 4 18

Vysvetlivky:

MAD - medziakademické dohody , KD- kultúrne dohody, VTS - vedecko-technická spolupráca

80