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Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316 14 1 2019 6 ◆巻頭言 フラックスとゾルーゲル法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 錦織広昌 1 ◆ノート マルチフェロイック物質 Pb(Fe 1/2 Nb 1/2 )O 3 の単結晶育成と蛍光 X ホログラフィーによる構造評価 ・・・・・・・・・・・・・・・ 横地恒平,木村耕治,玉置範一,八方直久,岩田 真,林 好一 3 ◆解説 特集:SiC 結晶の溶液成長とその関連技術 特集序文 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 松本祐司 6 4H-SiC 溶液成長におけるマクロステップ形状制御と高品質バルク成長技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 三谷武志,江藤数馬,加藤智久 7 SiC 溶液成長による高品質化と機械学習の応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 原田俊太,朱 燦,角岡洋介,沓掛健太朗,宇治原徹 13 フラックスエピタキシー法による SiC 結晶成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 山王堂尚輝,小沼碧海,山口 諒,丸山伸伍,松本祐司 18 TSSG 法による SiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ タイミングが結晶品質に与える影響 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 太子敏則,土本直道,高橋 大,玄 光龍,鈴木皓己 25 ◆会告・議事録・編集後記など ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30

Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316oishilab/Flux Growth Society...Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316 第14 巻 第1 号 2019 年6 月 目 次 巻頭言 フラックスとゾルーゲル法

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Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316 第 14 巻 第 1 号 2019 年 6 月

目 次

◆巻頭言

フラックスとゾルーゲル法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 錦織広昌 1

◆ノート

マルチフェロイック物質 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 の単結晶育成と蛍光 X 線 ホログラフィーによる構造評価

・・・・・・・・・・・・・・・ 横地恒平,木村耕治,玉置範一,八方直久,岩田 真,林 好一 3

◆解説 特集:SiC 結晶の溶液成長とその関連技術

特集序文 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 松本祐司 6

4H-SiC 溶液成長におけるマクロステップ形状制御と高品質バルク成長技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 三谷武志,江藤数馬,加藤智久 7

SiC 溶液成長による高品質化と機械学習の応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 原田俊太,朱 燦,角岡洋介,沓掛健太朗,宇治原徹 13

フラックスエピタキシー法による SiC 結晶成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 山王堂尚輝,小沼碧海,山口 諒,丸山伸伍,松本祐司 18

TSSG 法による SiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ タイミングが結晶品質に与える影響

・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 太子敏則,土本直道,高橋 大,玄 光龍,鈴木皓己 25

◆会告・議事録・編集後記など ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30

Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316 Vol.14 No.1 June 2019

Contents

◆Foreword

Flux and Sol-Gel Method ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Hiromasa NISHIKIORI 1

◆Note

Single Crystal Growth of a Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 Multiferroic Materials and Its Structural Evaluation by Using X-ray Fluorescence Holography ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Kohei YOKOCHI, Koji KIMURA, Norikazu TAMAOKI

Naohisa HAPPO, Makoto IWATA, Kouichi HAYASHI3

◆Review Special Issue: Solution Growth of Bulk and Thin Film SiC Crystals and Its Related Technologies

Preface ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Yuji MATSUMOTO 6

Control of Macrostep Formation in Solution Growth of 4H-SiC and High Quality Bulk Growth ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Takeshi MITANI, Kazuma ETO, Tomohisa KATO 7

High-Quality SiC Solution Growth and Application of Machine Learning・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Shunta HARADA, Zhu CAN, Yosuke TSUNOOKA

Kentaro KUTSUKAKE, Toru UJIHARA13

Growth of SiC Crystals by Flux-Mediated Epitaxy ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Naoki SANNODO, Aomi ONUMA, Ryo YAMAGUCHI

Shingo MARUYAMA, Yuji MATSUMOTO18

The Effect of Transient Variation of Carbon Content in the Seeding Process on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC by TSSG Technique ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Toshinori TAISHI, Naomichi TSUCHIMOTO, Masaru TAKAHASHI

Koangyong HYUN, Koki SUZUKI25

◆Announcements, Afterword ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30

表紙写真: 『特集: SiC 結晶の溶液成長とその関連技術』より

(pp.6-29)表紙デザイン: 伊藤栞

本会ホームページ http://www.kankyo.shinshu-u.ac.jp/~teshimalab/

Journal of Flux Growth ISSN 1881-5316 Vol.14 No.1 June 2019

Contents

◆Foreword

Flux and Sol-Gel Method ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Hiromasa NISHIKIORI 1

◆Note

Single Crystal Growth of a Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 Multiferroic Materials and Its Structural Evaluation by Using X-ray Fluorescence Holography ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Kohei YOKOCHI, Koji KIMURA, Norikazu TAMAOKI

Naohisa HAPPO, Makoto IWATA, Kouichi HAYASHI3

◆Review Special Issue: Solution Growth of Bulk and Thin Film SiC Crystals and Its Related Technologies

Preface ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Yuji MATSUMOTO 6

Control of Macrostep Formation in Solution Growth of 4H-SiC and High Quality Bulk Growth ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Takeshi MITANI, Kazuma ETO, Tomohisa KATO 7

High-Quality SiC Solution Growth and Application of Machine Learning・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Shunta HARADA, Zhu CAN, Yosuke TSUNOOKA

Kentaro KUTSUKAKE, Toru UJIHARA13

Growth of SiC Crystals by Flux-Mediated Epitaxy ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Naoki SANNODO, Aomi ONUMA, Ryo YAMAGUCHI

Shingo MARUYAMA, Yuji MATSUMOTO18

The Effect of Transient Variation of Carbon Content in the Seeding Process on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC by TSSG Technique ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Toshinori TAISHI, Naomichi TSUCHIMOTO, Masaru TAKAHASHI

Koangyong HYUN, Koki SUZUKI25

◆Announcements, Afterword ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30

表紙写真: 『特集: SiC 結晶の溶液成長とその関連技術』より

(pp.6-29)表紙デザイン: 伊藤栞

本会ホームページ http://www.kankyo.shinshu-u.ac.jp/~teshimalab/

Cover Photograph:From “Special Issue: Solution Growth of Bulk and Thin Film SiC Crystals and Its Related Technologies”

(pp.6-29)Cover Design: Shiori Ito

Homepage http://www.kankyo.shinshu-u.ac.jp/~teshimalab/