Laboratorios 2011 (1)1

Infraestructura en Laboratorios

Cinvestav Unidad QuerétaroCinvestav Unidad Querétaro

Libramiento Norponiente No. 2000Fracc. Real de Juriquilla, C.P. 76230 www.qro.cinvestav.mxQuerétaro, Qro., Tel. (442) 211-9900

Infraestructura de Laboratorios

Desde la formación de la Unidad se ha hecho un gran esfuerzo por gestionar la adquisición de equipos para los Laboratorios gestionando diversos tipos de recursos:

Propios del Cinvestav

Proyectos CONACyT.

Proyectos de vinculación con la industria.

Hasta la fecha, estos esfuerzos nos ha llevado a contar con equipamiento que permite satisfacer la mayoría de las necesidades de investigación a los estudiantes de posgrado durante su trabajo de tesis. Estos equipos son básicos para el desarrollo de las investigaciones y se encuentran distribuidos de la siguiente manera.

Laboratorios1. Propiedades Eléctricas.

2. Propiedades Estructurales y Microscopía.

3. Propiedades Ópticas.

4. Crecimiento de peliculas delgadas II y caracterización

5. Química de Materiales II

6. Crecimientos de Películas Delgadas Semiconductoras.

7. Materiales optoelectronicos.

8. Procesamiento de Materiales Orgánicos.

9. Recubrimientos.

10. Química de Materiales I.

11. Materiales Compuestos.

12. Películas ultradelgadas

13. Simulación.

14. XPS

1. Propiedades Eléctricas.

2. Propiedades Estructurales y Microscopía.

3. Propiedades Ópticas.

4. Crecimiento de peliculas delgadas II y caracterización

5. Química de Materiales II

6. Crecimientos de Películas Delgadas Semiconductoras.

7. Materiales optoelectronicos.

8. Procesamiento de Materiales Orgánicos.

9. Recubrimientos.

10. Química de Materiales I.

11. Materiales Compuestos.

12. Películas ultradelgadas

13. Simulación.

14. XPS

Laboratorios

1. Propiedades de Transporte Térmico.

2. Propiedades Multifuncionales Nanométricas

3. Investigación y Desarrollo Tecnológico en Recubrimientos Avanzados.

4. Cerámicos Multifuncionales.

5. Polvos metálicos.

6. Materiales Nanoestructurados y Caracterización Electroquímica.

7. Polímeros y Biomateriales.

8. Energías Alternativas I.

9. Películas Delgadas y Recubrimientos.

10. Propiedades Fisicoquímicas..

11. Procesamiento Químico de Películas.

1. Propiedades de Transporte Térmico.

2. Propiedades Multifuncionales Nanométricas

3. Investigación y Desarrollo Tecnológico en Recubrimientos Avanzados.

4. Cerámicos Multifuncionales.

5. Polvos metálicos.

6. Materiales Nanoestructurados y Caracterización Electroquímica.

7. Polímeros y Biomateriales.

8. Energías Alternativas I.

9. Películas Delgadas y Recubrimientos.

10. Propiedades Fisicoquímicas..

11. Procesamiento Químico de Películas.

Laboratorio 1. Propiedades Eléctricas

Medidores de Impedancias.

Efecto HALL.

Sistemas de depósito de metales.

Analizador de semiconductores.

Celda de mediciones ópticas.


Analizador de impedancia de precisión, Analizador de componentes y circuitos, Agilent 4294A con intervalo de Frecuencia 40 Hz a 110 MHz

Precisión de impedancia de +/- 0.08 %

Espectrómetro E4994A

Intervalo de frecuencia de 36 Hz a 1 MHz

Control de temperatura de -65 a 150 ºC

Evaporador de metales TE10P

Presión en vacío hasta 10-6 Torr

Control de temperatura hasta 900 ºC


Efecto HALL

Campo Magnético de 1 Tesla.

Enfriamiento interno.

Sistema de depósito de metales

Presión de vacío de 30 mTorr.

Atmósfera controlada con gas inerte.


AGILENT 4155CAnalizador de parámetros de

semiconductores Resolución de 10 fA y 0.2 mV

Celda de Mediciones con corriente eléctrica mediciones ópticas PASCO SF-9585A Usa un programa de LabVIEW Control de temperatura de 380ºC

Multímetro de alta definición HP 34401A

Pico amperímetro KEITHLEY 485

Osciloscopio GWINSTK GDS-84 OC

Laboratorio de Propiedades Eléctricas

Laboratorio 2. Propiedades Estructurales y Microscopía

Microscopio de Fuerza Atómica.

Microscopio Electrónico de Barrido.

Microscopio Óptico.

Difracción de Rayos X.

Laboratorio 2. Propiedades Estructurales y Microscopia

MICROSCOPÍO DE FUERZA ATÓMICA

Microscopio con Nanoposicionador, corrección de histéresis (CLOSELOOP) con 2 modos de operación convencional y no convencional .

Modos de operación convencional:

Contacto

Contacto Intermitente (TAPPING)

Modos de operación No convencional:

Microscopia de fuerza piezoeléctrica (PFM)

Microscopia de fuerza piezoeléctrica Resonante

Microscopia de fuerzas laterales

Microscopia de fuerza Kelvin


MICROSCÓPIOS ÓPTICOSMicroscopio Óptico Olympuscon objetivos 5, 10, 50 y 100x con cámara digital, software de adquisición y análisis de imágenes.

Microscopio Óptico Olympus GX51 de platina invertida con objetivos 5, 10 y 50x , cuenta con cámara digital (Paxcam) y software de adquisición y análisis de imágenes.

Microscopio Estereoscópico Olympus SZ61 con cámara digital.


CARACTERÍSTICAS Tubo Generador (XG) de Rayos X con un

rango de 20Kv-2mA hasta 40Kv-50mA y target de Cobalto (Co), con un longitud de onda de 1.7889Å (Kα1).

Goniómetro RIGAKU ULTIMA+ de radio de 185mm.

Rejillas de Divergencia a la salida del XG.

Filtro de Hierro (Fe) para la atenuación de la radiación de la linea Kβ en el Receiving slit.

No se cuenta con Monocromador.

Detector de centelleo (Contador Geiger).

DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X (Dmax2100) Marca RigakuDIFRACTÓMETRO DE RAYOS X (Dmax2100) Marca Rigaku

Laboratorio 2. Propiedades Estructurales y Microscopía

CARÁCTERÍSTICAS Goniómetro con geometría vertical θ/θ con

un radio de 285 mm. Alineación completamente automatizada. Control independiente de los ejes θ s (source)

y θ d (detector). Velocidad de Barrido: 0.002°/min a 100°/min

de 2θ. Resolución: 0.0001° Tubo Generador de Rayos X de 2.0 kW de

Potencia y Target de Cobre (Kα1=1.5406 Å). Óptica Bragg-Brentano (polvos). Selección del tamaño del haz del : 2.0, 5.0,

10.0 mm. Soller Slits: 5.0° y 0.5º divergencia axial. Monocromador de Grafito. Detector de centelleo de alta eficiencia y

sensibilidad (0.5 cps) con linealidad: 700,000 cps

DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X Modelo Ultima IV Marca Rigaku DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X Modelo Ultima IV Marca Rigaku


Microscopio Phillips XL30 Ambiental (ESEM) permite al usuario caracterizar de manera superficial y morfológica una amplia gama de materiales, cuenta además con un Espectrómetro de Dispersión de Energía de Rayos X (EDS).

Excelente resolución 3 – 10 nm.

Imágenes tridimesionales y con profundidad de campo.

Caracterización de muestras no conductoras u orgánicas en estado nativo

Obtención y determinación de composición química elemental a partir del carbono (EDS).

MICOSCOPÍO ELECTRÓNICO DE BARRIDOMICOSCOPÍO ELECTRÓNICO DE BARRIDO

Laboratorio 3. Propiedades Ópticas

Espectroscopía RAMAN, UV-Vis, FTIR

y de Fluorescencia.

Efecto HALL.

Nanoindentación.

Elipsometría.

CARACTERÍSTICAS

Láser de Argón sintonizable a 488 y 514 nm con potencia 60 mW.

Permite realizar barridos Espectrales desde 40x0 μm hasta 500 x 500 µm.

Aplicable a soluciones, polvos, películas y gases.

Rango de temperaturas : -180ºC a 250ºC.


MICRO ESPECTRÓMETRO RAMAN

(Dilor modelo Lab. Raman II)

MICRO ESPECTRÓMETRO RAMAN

(Dilor modelo Lab. Raman II)

CARACTERÍSTICAS

Corriente de entrada: 1nA-20 mA.

Resistividad: 10-4 -10-7.

Concentración: 107 – 1021.

Movilidad: 1-107.

Densidad de flujo magnético:

0.27, 0.31, 0.37, 0.51 y 1.


EFECTO HALL

ESCOPIA HMS-3000.

EFECTO HALL

ESCOPIA HMS-3000.

Determina: las propiedades mecánicas: dureza, elasticidad y tenacidad a la fractura, en bulk (bulto) y de algunas películas delgadas. Con las siguientes funciones:

Módulos mapping. Mapeo del modulo de elasticidad.

Nanoscihatch. Determina el coeficiente de fricción.

Nanowear. Determina el desgaste.

Con puntas de prueba: berkovish, esferocónica, esquina cúbica (cube corner) y knoop.


NANO INDENTADOR (Ubi 1 Hysitron, Inc .)NANO INDENTADOR (Ubi 1 Hysitron, Inc .)

DETERMINA: Espesores: a partir de 1 nm hasta 3 µm. Índices de refracción y coeficientes de extinción. Función dieléctrica compleja. Ancho de banda prohibida. Transiciones electrónicas. Rugosidad superficial e interfacial. Composición. Cristalinidad.

APLICACIONES EN : Semiconductores. Aislantes. Cerámicos. Metálicos. Polímeros. Aleaciones. Óxidos metálicos.


Elipsómetro Espectroscópico UVISEL (Horiba-Jobin Yvon, Inc.)Elipsómetro Espectroscópico UVISEL (Horiba-Jobin Yvon, Inc.)

CARACERÍSTICAS

Sistema con modulación de fase. Intervalo espectral: 1.5 – 5.0 eV. Ángulo de incidencia variable: 45° -

90°.

Espectrómetro UV-Vis Perkin Elmer Lambda II.

Espectrómetro FTIR Nicolet Avatar 360.

Espectrómetro de Fluorescencia.


ESPECTRÓMETROSESPECTRÓMETROS

Laboratorio 4. Crecimiento de Películas delgadas II y caracterización

Laboratorio en acondicionamiento que albergara los

siguientes equipos:

2 sistemas de sublimación en espacio cercano Cromatógrafo de gases marca Agilent Espectrómetro de masas Intercovamex.

Laboratorio 5. Química de Materiales II

Mediciones de Viscosidad.

Medición de punto de fusión.

Perfilometría.

Análisis de gases residuales.

Para la determinación de espesores de películas delgadas.

Resolución de 100 Ǻ.

Permite la identificación de compuestos por medio de la cuantificación de especies ionizadas.

Resolución hasta 200 uma.


Perfilometro Dektak IIPerfilometro Dektak II

Espectrómetro de Masas Vac CheckEspectrómetro de Masas Vac Check

Sistema de Inmersión para crecimiento de películas delgadas por método sol-gel.

Desionizador de agua.

Balanzas analíticas.

Campanas de extracción

Muflas y estufas.


Equipos varios:Equipos varios:

Laboratorio 6. Crecimiento de Películas Delgadas Semiconductoras

Depósito de películas delgadas (Rf-Sputtering).

Sistema de Epitaxia en fase Líquida (EFL).

Horno de atmósfera inerte.

CSC-Evaporador.

Crecimiento de películas delgadas por erosión catódica)

Crecimientos desde T amb. hasta 600ºC

Vacío de 10-6 Torr

Desde T amb. hasta 200ºC

Vacío de 10-6 Torr.


SPUTTERINGSPUTTERING

SISTEMA DE CRECIMIENTOS DE EPITAXIA EN FASE LIÍQUIDASISTEMA DE CRECIMIENTOS DE EPITAXIA EN FASE LIÍQUIDA

Crecimiento de películas cristalinas de alta calidad

Presión hasta 10-6 Torr

Temperaturas hasta 900ºC

Laboratorio 6. Crecimiento dePelículas Delgadas Semiconductoras

2 cámaras para crecimiento

1 evaporador térmico

Operación desde presión atmosférica hasta 10-6 Torr

Desde T amb hasta 650ºC

Laboratorio 6. Crecimiento de Películas Delgadas SemiconductorasCRECIMIENTO DE PELICULAS POR

SUBLIMACIÓN EN ESPACIO CERRADO.CRECIMIENTO DE PELICULAS POR

SUBLIMACIÓN EN ESPACIO CERRADO.

Sistema de Inmersión para crecimiento de películas delgadas método sol-gel.

Prensa Hidráulica.

Con capacidad de 20 toneladas.

Muflas y horno de tubo para tratamientos térmicos.


Equipos variosEquipos varios

Laboratorio 7. Materiales Optoelectrónicos

Laboratorio en acondicionamiento que alojara los

siguientes equipos.

Potensiostatos Bancos de pruebas de celdas de combustible Sistema de Sputtering Equipos periférico de caracterización eléctrica

Extrusor de bajo cizallamiento (Cinvestav) Capacidad para 5 kg/h, elaboración de botanas de 2ª y 3ª generación, alimentos para ganado y modificación de almidones.

Extrusor de bajo cizallamiento (Cinvestav) Capacidad para 50 kg/h, elaboración de alimentos para ganado, modificación de almidones, elaboración de harinas nixtamalizadas por métodos ecológicos.

Laboratorio 8. Procesamiento de Materiales Orgánicos

EXTRUSOR DE ALIMENTOSEXTRUSOR DE ALIMENTOS

Molino de martillos Pulvex.

Molino ciclónico UDY.

Molino de piedras.


MolinosMolinos

Mezcladora amasadora. Secador Ciclónico.Máquina Tortilladora eléctrica y de extrusión con cocedores de infrarrojo. Perladora de granos. Equipo Rotap para determinación de distribución de tamaño

de partículas en harinas. Hornos y estufas de secado.


Equipos utilizados para el procesamiento de cereales, almidones y maíz: Equipos utilizados para el procesamiento de cereales, almidones y maíz:

Laboratorios 9 y 10. Química de Materiales I

Depósito de películas y recubrimientos cerámicos por Sol-Gel.

Sistema de medición de potencial Z

Microdurómetro.

Hornos y muflas

Laboratorio 11. Materiales Compuestos

Prensa semiautomática.

Pulidora de 2 discos de diamante.

Cortadora de disco de silicio.

Pulidora de 1 disco.

Cortadora de disco de diamante (automática y manual).

Pulidora electrolítica.

Struers Labotom-3Cortadora de disco de silicio Para el corte manual de especímenes metalográficos.

Struers Dap-7 Pulidora semiautomática de 1 disco se utiliza para pulido acabado espejo, se usan discos de paño de diferentes texturas en los cuales también se ocupa alúmina y pasta de diamante con granulometría de ¼ a 3 micras.

Struers Rotopol-25 Pulidora de 2 discos para probetas

metalográficas de velocidad variable.


Struers Labopress-1 Prensa semiautomática

Para encapsular muestras

Struers Accutom-5 Cortadora de disco de diamante Para cortes de precisión para la preparación metalográfica de muestras.


Struers LectroPol-5 Pulidora Electrolítica, se utiliza para pulido, ataque químico de

metales y grabado de especimen metalográficos.

Cortadora de diamantePara cortes de precisión y

para metales de alta dureza.

Laboratorio 12. Películas Ultradelgadas

Laboratorio en acondicionamiento

Los equipos que albergara son:

ALD (Atomic Layer Deposition) Hornos de tratamientos térmicos en atmósferas controladas

Laboratorio 13. Simulación de Procesos

Simulación de flujo de fluidos.

Modelado de procesos termodinámicos, principalmente de transferencia de calor

Solidificación de metales

COMPUTADORAS DE SIMULACIÓN DE PROCESOS Y SOFTWARE DE SIMULACIÓN. (Procast, Flow, 3D, Inventor V 9)

COMPUTADORAS DE SIMULACIÓN DE PROCESOS Y SOFTWARE DE SIMULACIÓN. (Procast, Flow, 3D, Inventor V 9)

Laboratorios 14. XPS

Depósito por Capas Atómicas (Atomic Layer Deposition, ALD)

Horno tubular Thermolyne 7400

Campana de extracción para realizar limpiezas químicas.

Software para análisis (desarrollado en Cinvestav):

AAnalyzer y XPSGeometry.

ESPECTROSCOPIA POR FOTOELECTRONES EMITIDOS CON RAYOS X

(X-Ray Photoelectron Espectroscopy, XPS). Con software Thermo Avantage)

ESPECTROSCOPIA POR FOTOELECTRONES EMITIDOS CON RAYOS X

(X-Ray Photoelectron Espectroscopy, XPS). Con software Thermo Avantage)

Técnica para superficies, muy sensible y no destructiva. Para analizar cualquier material sólido: semiconductores, polímeros, zeolitas, cerámicos, etc.

Proporciona información del estado químico de la superficie de los primeros 10 nm de espesor, de todos los elementos excepto para hidrógeno y helio.

Compuesto por: Fuente monocromática de Al. Fuente dual de Al y Mg. Cámara de análisis en vacío ~6x10-10 Torr. Analizador de energía multi-detector hemisférico, cuenta con 7 canales. Manipulador de 3 ejes de alta precisión. Bombas: mecánica, turbo, iónica y sublimadora. Sistema ininterrumpible de energía (UPS).


SISTEMA DE ESPECTROCOPIA DE FOTOELECTRÓNES DE RAYOS –X (XPS)SISTEMA DE ESPECTROCOPIA DE

FOTOELECTRÓNES DE RAYOS –X (XPS)

Técnica que permite controlar el crecimiento de películas delgadas a nivel atómico.

Este depósito por capas atómicas se basa en la obtención secuencial de estados estables y auto controlados en la superficie.

La técnica utiliza reactivos secuenciados en condiciones termodinámicas en las que ocurre una saturación de la superficial entre cada reactante y la superficie.

Cada una de estas reacciones adiciona una capa atómica sobre la superficie de crecimiento. El sistema opera a presión ~1x10-3 Torr


ALD (Atomic Layer Deposition)

ALD (Atomic Layer Deposition)

Laboratorio 15. Propiedades de Transporte Térmico

Ubicado en el Nuevo Edificio,Edificio de Investigación B.

Técnicas Fototérmicas

Espectroscopia Térmica.

Espectroscopia Óptica.

Espectroscopia Raman.

Determinación de Conductividad Térmica.

Espectroscopia Fotoacústica.

Espectroscopia óptica

Estudio de la propiedades ópticas de materiales.

Espectroscopia óptica con celda fotoacústica. Espectroscopia óptica por reflectancia difusa. Espectrofotómetro de medición de color por reflectancia.

Espectroscopia RAMAN

Resolución de 0.15 cm-1. Puede usarse para espectroscopia de alta resolución.

Con láser de argón como fuente de excitación.Con un monocromador doble Spex-1403 con rejillas holográficas de 1800 líneas/mm.


Espectroscopia térmica.

Para determinar propiedades térmicas de materiales, principalmente cerámicos, metales y estructuras complejas.

Determina la difusividad térmica por fotoacústica y detección fotopiroeléctrica.

Espectroscopia fotoacústica con celda abierta y celda cerrada.

Resonador de ondas térmicas con control de temperatura (hasta 150ºC).

Espectroscopía de lente térmico.


Flash Laser LFA 1000 Marca Linseis.

Analizador para determinar propiedades térmicas de materiales, principalmente cerámicos, metales y estructuras complejas.

Determina la difusividad térmica, calor específico y conductividad térmica.

Horno con control de temperatura (hasta 1200ºC) y flujo de gases especiales.


Estación de trabajo Radiant LC

Analizador de precisión para determinar propiedades

dieléctricas y piezoeléctricas de materiales ferroeléctricos.

Realiza ciclos de hysteresis de polarización, capacitancia,

corrientes de fuga etc.


Laboratorio 16 Propiedades Multifuncionales Nanométricas .

Ubicado en el Nuevo Edificio de Investigación.

Microscopio de Fuerza Atómica.

Nanoindentador (Ubi 1 Hysitron, Inc .)

Nanoindentador Fischer Cripps.

Nanoindentador

(Ubi 1 Hysitron, Inc .)

Para determinar las propiedades mecánicas: dureza, elasticidad y tenacidad a la fractura, en bulk (bulto) y de algunas películas delgadas.

Con las siguientes funciones:

Módulos mapping

mapeo del modulo de elasticidad.

Nanoscihatch

determina el coeficiente de fricción.

Nanowear

determina el desgaste.

Con puntas de prueba: berkovish, esferocónica, esquina cúbica (cube corner) y knoop.

Laboratorio 16. Propiedades Multifuncionales Nanométricas.

Laboratorio 16. Propiedades Multifuncionales Nanométricas.Microscopio de Fuerza Atómica

Microscopio con Nanoposicionador, corrección de histéresis (CLOSELOOP) con

2 modos de operación convencional y no convencional .

Modos de operación convencional:

Contacto

Contacto Intermitente (TAPPING)

Modos de operación No convencional:

Microscopia de fuerza piezoeléctrica (PFM)

Microscopia de fuerza piezoeléctrica Resonante

Microscopia de fuerzas laterales

Microscopia de fuerza Kelvin


Laboratorio 17. Investigación y Desarrollo Tecnológico en Recubrimientos Avanzados .

Laboratorio 18. Cerámicos Multifuncionales.


Laboratorio 19. Polvos Metálicos.


Acoustosizer ZIIS Colloidal Dynamics

Mediciones de tamaño de partícula desde 20 nm hasta 20 micras

Mediciones de potencia Zeta utilizando un modelo acústico (modalidad dinámica, PH,

temperatura y punto isoeléctrico (IEP).Con una celda de medición que permite

solventes polares y no polares.

Zeta Sizer Nano-S de MalverN Instrumen

Mide tamaño de partícula con la técnica de dispersión de luz (LDS). Intervalo de 1 nm a 6 micras. Puede medir suspensiones coloidales.

Laboratorio 20. Materiales Nanoestructurados y Caracterización Electroquímica .

Microindentador con punta Vickers de Buller Mod. 1600,

Punta de diamante con geometría Vicker Con cargas de 10 a 1000 gfSalida para cámara fotográfica.

Volta Lab 80 marca Radiometer Analytical Mod. PGZ402

Voltametría, cíclica y lineal, Impedancia dinámica, Mediciones de corrosión, Medición por pulso, etc. (Características del potenciómetro: 230 V y 47.5-63 Hz.)

Laboratorio 20. Materiales Nanoestructurados y Caracterización Electroquímica.

Sonda Ultrasónica

De alta intensidad acoplado a una sonda metaliza de 13 ml, se utiliza para la síntesis de diversos materiales conocidos como sonoquímica o síntesis por ultrasonido

Laboratorio 20. Materiales Nanoestructurados y Caracterización Electroquímica .

Sistema de depósito por inmersión (DIP-Coating)

Velocidad variableUtilizados para: Catalizadores en aire, aguas y filtros y Sensores, etc.

Laboratorio 21 Polímeros y Biomateriales.

En Proceso su traslado hacia el Edificio de Investigación B

Reactor de polimerización.

Equipo análisis termodinámicos

Cromatografía de permeación en gel (GPC)

Balanzas Analíticas

Espectrómetro FTIR

Microscopio ATR

Espectrofotómetro de Infrarrojo con transformada de Fourier (FTIR)

Spectrum GX, Pekín Elmer.

Regiones de medición:NIR: cercano infrarrojo de 1000 a 4000-1 cmMIR: medio infrarrojo de 4000 a 400 cm-1

Tiene 4 técnicas: Transmisión: MIR y NIR Reflectancia totalmente atenuada (ATR) con punta de diamante o ZnSe. Reflectancia especular MIR y NIR, con polarizador de KRS-5 (Specac) para el MIR

Cuenta con Microscopio acoplado que se utiliza en el MIR para análisis puntual de los grupos funcionales de una superficie, realiza mapas de color falso.


Cromatografo de tamaño de exclusión (SEC)

Waters.

Para fases: acuosa y orgánica (THF) dos lectores:

Absorbancia dual X (waters 2487) Índice de refracción (waters 2410)

Intervalo de medición 3,900,000 – 1260 daltones.

Determina los pesos moleculares de polímeros


Laboratorio 22. Energías Alternativas I.


Laboratorio 23. Películas Delgadas y Recubrimientos

Sputtering DC pulsada y polarizada

Depósitos por erosión catódica.

Laboratorio 23 Películas Delgadas y Recubrimientos

DC-Sputtering.

Equipo de análisis térmico DSC (TGA).

Sputtering V3 Intercovamex

Para realizar depósitos por erosión catódica.

Depósito por radiofrecuencia, DC pulsada y polarizada.

Recubrimientos duros y ternarios en memorias ópticas, materiales semiconductores, etc.

Laboratorio 23 Películas Delgadas y Recubrimientos

Laboratorio 24. Propiedades Fisicoquímicas

Viscosímetro

Calorímetro Diferencial

de Barrido (DSC).

Colorímetro.

Texturómetro.

Medidor de Actividad de Agua.

Fluorómetro.

TexturómetroTexture Analyzer TA-XT2

Características:

Carga Máxima: 25Kg. Resolución: 1g. Modos de medición de fuerza y distancia a la tensión o compresión.

Con estándares de análisis de textura incluyendo adhesividad, ciclos de fatiga y relajación a la tensión.


Viscosímetro Rapid visco analyzer (RVA4)

Principal uso: alimentos, cereales y almidones. Para métodos estándar aprobados enUSA (AACC), Europa (ICC) y Australasia (RACI).

Rango de Temperatura : 0 - 99.9ºC.

Precisión de la Temperatura: +/- 0.3°C

Intervalo de Velocidad: 10-2,000 rpm.

Intervalo de Viscosidad: 50-50,000 cP a 80 rpm.


Calorímetro Diferencial de Barrido (DSC) Mettler Toledo 822E.

Determina propiedades para:

Comportamiento en la fusión. Transiciones vítreas. Cristalización. Estabilidad en la oxidación.Calor específico.

Características:

Celda de medida con sensor de cerámica.Sistema de refrigeración por aire.

Intervalo de temperatura: desde ambiente hasta 700 °C.


Fluorómetro VICAM4

Se usa para el análisis de micotoxinas

Base para pruebas de diagnóstico rápido USDA-y AOAC- para las micotoxinas y patógenos de los alimentos.


Colorímetro Hunterlab – Mini Scan® XE Plus.

Espectrofotómetro de medición de color por reflectancia portátil.

Geometría de 45º/0º.

Se pueden medir fácilmente muestras pequeñas, grandes, lisas o texturizadas. Incluye todas las escalas de colores índice tales como CIE XYZ, Hunter Lab, CIE L*a*b*, L*c h, Yxy, etc.


Equipo de cocimiento Ohmico

Básicamente es un DSC eléctrico para el análisis térmico y la determinación de cambios de fase, estructura y otras propiedades.

Mide el grado y temperatura de gelatinización de almidones de cereales y otros granos, pero se puede extender su aplicación a otros materiales bio-orgánicos o inorgánicos conductores de la electricidad.

Patentado por Cinvestav, utiliza las propiedades de conductividad eléctrica del almidón nativo, almidones modificados, cereales, almidón de tubérculos y el agua.

El método puede ser usado con cereales sin cocer, o almidones gelatinizados, en forma de grano entero, molido y harinas.


OTROS EQUIPOS:

Medidor de actividad de agua (Aw), AQUA-LAB, CX2.

Equipo Soxhlet de 6 plazas.

Centrífuga Labnet con rotor Hermes Z 200 A .

Potenciómetro (pH-ISE-Conductivity Meter) Denver Instrument Mod. 250.

Analizador de gases; O2/CO2 Analyzer Mca NITEC.

Balanzas analíticas.

Mufla FE-340 (25 a 1100ºC) Mca. Felisa.

Baño María (con agitación).


Laboratorio 25. Procesamiento Químico de Películas.

Ubicado en el Nuevo

Edificio de Investigación.

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