LOS SEMICONDUCT

ORES INTRÍNSECOS Y

DOPADOS

Gilberto Pare Loayza

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

A temperatura ambiente se comporta como Aislante pues debido a la energía térmica tiene pocos electrones libres y térmicos.

Es un Semiconductor Puro se, contiene una cantidad mínima de átomos impuros.

n = p =ni

http://electronicageneralenet1.blogspot.com/2013/05/semiconductor-puro-de-silicio.html

FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y HUECOS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR

Los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirán hacia el extremo izquierdo del cristal, de esta manera entran al cristal y se combinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal.

Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

Al llegar los electrones lires al extremo derecho del cristal, entran al conductor externo y circulan hacia el teminal positivo de la batería.

http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1

GENERACIÓN TÉRMICA DE PARES ELECTRÓN HUECO

La generación eléctrica de pares electrón – hueco se explica de la siguiente manera:

Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una posición bacante, si se aplica un campo eléctrico al semiconductor, este hueco es ocupado por otro electrón de valencia que deja otro hueco.

Este efecto es de una carga +e moviéndose en dirección del campo eléctrico. http://fisicauva.galeon.com/aficiones192581

2.html

LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS

Consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos conocidos como impurezas.

Según el tipo de impureza con el que se dope el semiconductor puros o intrínsecos, aparecen 2 tipos de conductores:

Semiconductores Tipo P

Semiconductores Tipo N

SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N

http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png

ELEMENTOS DOPANTES

Para los semiconductores del grupo IV como el Germanio, Silicio y Carburo los dopantes mas comunes son elementos del grupo III o del grupo V, Boro, Fósforo, Arsénico, y ocasionalmente el Galio, son utilizados para dopar al silicio.

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

DOPAJE TIPO P

El dopaje tipo P, se crean agujeros mediante la incorporación en caso del silicio de átomos con 3 electrones de valencia, por lo general se utiliza el Boro.

http://www.textoscientificos.com/energia/celulas