Memorias nec

Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto

Almacena datos e instrucciones de

programas en ejecución

Permite acceso rápido a los datos

Solo almacena la información mientras

tenga energía eléctrica (temporal)

Compuesta por circuitos integrados, donde

cada uno contiene celdas que se puede leer

o escribir en cualquier orden (Aleatoria).


Su función consiste en tener preparadas las

instrucciones y los datos para que la CPU pueda

procesarlos, y en almacenar temporalmente el

resultado de las operaciones realizadas por la

CPU.


La lectura y almacenamiento de la información se realiza mediante el uso del bus de datos y direcciones, en el siguiente orden:

Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones

Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.

Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura)

Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura)

Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.

Conjunto de condensadores que almacenanvarias palabras binarias de n bits. Cada unaalmacena 1 bit (celda de memoria)

Las celdas o bits de memoria se ubicanmediante la fila y la columna

DRAM dinámica: una celda está compuesta por un transistor y un condensador.

SRAM: una celda está compuesta por alrededor de cinco transistores.


Fig: Diagrama electrónico de una celda de memoria

El capacitor pueden almacenar

solamente un bit de información

El transistor MOS actúa como

el interruptor que permite al

controlador de memoria leer el

estado del capacitor o

cambiarlo.

Tiempo de refresco era de 80 ó

70ns. Se utilizó en la época de los

i386, en forma de módulos SIMM o

DIMM.


El procesador puede dirigirse directamente a cualquier celda y ver el contenido de la misma, simplemente debe conocer el número de fila y columna o “dirección de memoria” de la celda que está buscando


Los módulos de memoria cuentan con unaserie de circuitos adicionales que se encarganentre otras cosas de lo siguiente:

identificar cada fila y columna

llevar un registro de la secuencia de actualización

leer y restaurar la señal de una celda de memoria

indicarle a una celda si debe guardar una carga o no



Cuando el estado en la fila se

encuentra en alto, el transistor

entra en saturación y el dato

presente en el bus interno de

la memoria (columna) se

almacena en el condensador,

durante una operación de

escritura y se extrae en una

operación de lectura.

El microprocesador debe saber exactamente la posición en memoria de cada

dato, por lo que las posiciones están identificadas por un número denominado

dirección de memoria. Cada posición de memoria almacena un byte, lo que

hace pensar en la gran cantidad de posiciones que serán necesarias para poder

almacenar instrucciones y datos


REFRESCO O LATENCIA: tiempo que tarda cargar eléctricamente las celdas de memoria

TIEMPO DE ACCESO: tiempo que tarda lamemoria en acceder a la informaciónalmacenada en una dirección.

VOLTAJE:

SIMM 5 voltios

DIMM SDRAM 3,3 voltios

DIMM SDRAM DDR 2,4 voltios


Memoria asíncrona (SIMM)

No trabajan en forma síncrona con el reloj del sistema,es decir en un acceso a la memoria las señalesnecesarias para llevar a cabo este proceso, no estáncoordinadas con el reloj manejado por el sistema.Ejemplo: FPM-RAM (modo de Página Rápida) ,

Memoria síncrona (DIMM)

Utilizan un reloj para sincronizar la entrada y salida delas señales necesarias durante un acceso a memoria,este reloj trabaja de manera coordinada (sincronizada)con el reloj del sistema. Ejemplo: SDR SDRAM, DDRSDRAM


FPM-RAM (Fast Page Mode RAM, modo de página rápida):

70 ó 60 ns.

Usadas en la primera generación de Pentium.

Incorpora un sistema de paginado debido a que consideraprobable que el próximo dato a acceder este en la mismacolumna, ganando tiempo en caso afirmativo.

Mantiene constante la dirección de fila mientras se leenconsecutivamente los datos de varias columnas


EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

permite a la CPU acceder más rápido porqueenvía bloques enteros de datos; con tiempos deacceso de 40 ó 30 ns.


BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

• más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst).

• velocidad de bus de 66 MHz

• una vez que se accede a un dato de una posicióndeterminada de memoria se leen los tressiguientes datos en un solo ciclo de reloj porcada uno de ellos, reduciendo los tiempos deespera del procesador


la velocidad de bus temporización tasas de

transferencia

PC66 66 Mhz 15 ns 533 MB/s

PC100 125 Mhz 8 ns 800 MB/s

PC133 133 Mhz 7,5 ns 1066 MB/s.

tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se

presentan en módulos DIMM(Módulo de Memoria en

línea doble) de 168 contactos. Fue utilizada en los

Pentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo de

la frecuencia de trabajo se dividen en:


Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de

velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se

presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en

función de la frecuencia del sistema se clasifican en :

Voltaje Velocidad de

bus

tasas de transferencia contactos

PC 1600 ó DDR200 2.5 V 100MHz 1,6 GB/s

PC 2100 ó DDR266: 2.5 V 133MHz 2,1 GB/s

PC 2700 ó DDR333 2.5 V 166MHz 2,7 GB/s

PC 3200 ó DDR400: 2.5V 200MHz 3,2 GBs 184

PC-4200 ó DDR2-533 1.8 V 266 MHz 4,2 GBs 240

PC-4800 ó DDR2-600 1.8V 300 MHz 4,8 GBs

PC-5300 ó DDR2-667: 1.8V 333 MHz 5,3 GBs

PC-6400 ó DDR2-800 1.8V 400 MHz 6,4 GBs


Trabaja en sincronía con el bus del procesador, pero envía datos

en ambos flancos del ciclo de reloj (flanco de subida y flanco de

bajada)


SDRAM: Utiliza módulos DIMM de 168 contactos y dos muescas en su parte inferior. Velocidad entre 66 y 133MHz

DDR: 184 Contactos y una única muesca entre ellos. Funciona con un voltaje de 2,5 voltios, y puede tener una velocidad de 200, 266, 333 y 400MHz

DDR2: Es muy parecida a la DDR, con una muesca. Tiene 240 contactos y un voltaje de 1,8 voltios que reduce la temperatura y le permite alcanzar mayores velocidades : 400, 533, 667 y 800MHz

RDRAM: Solo puede instalarse en procesadores Pentium 4 y su uso nunca estuvo demasiado extendido. Trabaja a velocidades entre 800 y 1066MHz

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están

soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se

inserta en la ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura

de memoria DDR2.

Transmisión doble de datos tercer generación: Tienen los chips

de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un

conector especial de 240 contactos. Tiene conectores

físicamente independientes por ambas caras como el primer

estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran

mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se

sobrecalientan.

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas

los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se

inserta en la ranura especial para memoria DDR3.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de

memoria DDR3.

184 contactos,

capacidad

máxima de 1GB.

Voltaje 2.5V

240 contactos,

capacidad

máxima de 4GB.

Voltaje 1.8V

240 contactos,

capacidad

máxima de 8GB.

Voltaje 1.5V

Puede alcanzar velocidades de transferencia de2.133 Gbps a 1,2 V, en comparación con DRAMDDR3 a 1.35V y 1.5V con una tecnología de procesode clase 30nm equivalente , con velocidades dehasta 1,6 Gbps. Reduce el consumo de energía enun 40 por ciento en comparación con un móduloDDR3 de 1.5V. Capacidad de almacenamiento 8 y16 GB

SDRAM SO-DIMM

DDR SDRAM SO-DIMM

flip-flop o biestable (también llamado

báscula) compuesto por 4 o 6 transistores

MOSFET para almacenar los ceros y unos,

Mas costosa de fabricar, por ello solo se

utilizan unos pocos Megabytes en algunos

dispositivos.


La celda se activa mediante

un nivel activo a la entrada

superior y los datos se

cargan o se leen a través de

las líneas laterales

cada una de las filas se habilita de forma simultánea para

recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida

tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM

Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2

Algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.


•incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM.

•Permite tiempos de latencia más bajos

• funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo

llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2

GB/s.

utiliza un sistema propietario lo cual la hace mas costosa

Memoria síncrona

Pentium III con chipset 820 de intel

Frecuencia entre los 600 y 800 MHz

Memoria de bus o ancho de palabra de 16 bits

funciona con ambos flancos ascendente y descendente del

pulso del reloj del microprocesador.

El modulo es RIMM (Rambus Inline Memory Module)

Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono

bus de 64 bits

velocidad de reloj de 200 MHz

transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz

legando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia




DIP (dual in-line package, Paquete dual en

línea)


TARJETA PRINCIPAL DE

IBM XT CON CHIP DE

MEMORIA DIP


1983 en los laboratorios WANG.


SIMM de 30 pines

1MB 30-pin 70ns 3c 1x4 Parity FPM SIMM

16MB 30-pin 60ns non-parity SIMM

8MB 72-pin 60ns EDO SIMM

16MB 72-pin 60ns 2K EDO SIMM

32MB 72-pin 60ns EDO 5V SIMM

32MB EDO 4K refresh 4-chip 72-pin 60ns SIMM

64MB 72-pin 60ns EDO 8-chip 5V SIMM

128MB 72-pin 60ns EDO non-parity SIMM

8MB 72-pin 70ns FPM non-parity SIMM

4MB 72-pin 60ns FPM SIMM

8MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM



32MB 72-pin 60ns 16-chip 4x4 2K Refresh non-Parity FPM

SIMM

32MB 72-pin 70ns 16-chip 4x4 2K FPM SIMM


64MB 72pin 60ns FPM Gold-Lead 8 chip SIMM

128MB 72-pin 60ns 5V FPM SIMM

http://www.memoryx.net/72pinsimm.html

FACTOR DE FORMA O RANURAS

SIMM (Módulo de Memoria en Línea Simple) : 30 ó 72 contactosDIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble)



72 contactos y 144,

taza de transferencia de datos de 32

y 64 bits respectivamente.

3.3 Voltios

•160 pines

•Frecuencia de

operación de 600 /

700 / 800 Mhz

•Voltaje de 2.5V


Motherboard A85F2-A

Golden con socket FM2

4 ranuras DIMM DDR3 2600 MHz (OC) que soportan hasta 64 GB de

capacidad en una configuración de doble canal con soporte para

la tecnología AMP. Incorpora dos ranuras PCI Express 2.0 x16

compatibles con CrossFireX y se le suman tres ranuras PCI Express x1

y dos PCI regulares.

7 SATA 6.0 Gbps, 6

USB 3.0, 8 SB 2.0,

1Gigabit Ethernet y

1 eSATA de 6.0

Gbps. Salidas de

video, HDMI, DVI, D-

Sub y DisplayPort,

junto con audio de

8 canales HD con

soporte THX

TruStudio PRO.

sucesor de las memorias Rambus RDRAM

Usa Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por

línea

Tasa de transferencia

Se han alcanzado (2009) hasta 28.8 GB/s de transferencia a 7.2 GHz,

en una configuración de x32-bit

utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos)

es accesible de forma simultánea por dos dispositivos.

determina su limitación con respecto al número de colores y

resolución.

A mayor cantidad de memoria que se encuentra en la tarjeta de

video, mayor es la resolución

SAM (serial access memory)

WRAM (Window RAM)

SGRAM (Synchronous Graphics RAM)

MDRAM (Multi-bank DRAM)

CDRAM (Cache DRAM)

3D RAM

GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM)

RAM extendida

•Agrega mejoras como bit masking (escribir en

un bit específico sin afectar a otros) y block

write (rellenar un bloque de memoria con un

único color).

• A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM

es de un solo puerto.

•Puede abrir dos páginas de memoria como

una, simulando el doble puerto que utilizan

otras tecnologías RAM

es un tipo de VRAM

equipada con líneas

separadas de lectura y

escritura, que ofrece

tiempos rápidos de

acceso y es barata de

producir.

Incorpora al doble puerto

de la VRAM

infraestructura dedicada

para operar sobre bloques

enteros de memoria

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