Mosfet de potencia

Mosfet de potencia Keylor Snchez GonzlezAlonso padilla oportoJose pablo corts VquezKevin Marn

Caractersticas Son controlados por voltaje. If se aproxima a cero.Entre el contacto metlico y la capa N existe un contacto metlico.Tiempos de encendido y Apagado pequeos.No tienen zona de segunda avalancha, por lo que son trmicamente estables.Tienen un Vds alto (Vce) (2 a 4V) por lo que las prdidas estticas aumentan.Tienen problemas con descargas electrostticas.Son de costo alto, sirven para trabajo a alta frecuencia y media potencia

es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales.Es un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del ingls, Juntion Field Effect Transistor).

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.El transistor MOSFET, est basado en la estructura MOS. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

Estructura mos

Funcionamientose basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuertaLa tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente

El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un n MOSFET o NMOS), o huecos (en un p MOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Regiones de operacin Cuando ya existe canal inducido y VDSva aumentando, el canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos enregin hmicay el dispositivo presentar baja resistencia.

Mxima Tensin Puerta-Fuente.: La delgada capa de dixido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta, tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensin del zener, es menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS(Max).Zona hmica:El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es VGS(on), especificado en hojas de caractersticas.Drenador-Fuente en resistencia:Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Qtest en la zona hmica. En este punto, ID(on) y VDS(on)estn determinados, con los cuales se calcula RDS(on).

Aplicaciones

Mosfet como inversor alto H (asociada a Vdd)bajo L (asociada a la tensin 0)Para el nivel Bajo Trabaja en la regin ohmica Vds < 1Para el nivel AltoTrabaja en la regon de corte Vds > 1

Vinest en nivel bajo, el MOSFET est en corte.Vinest en nivel alto, el MOSFET est en conduccin

Mosfet como interruptorSi VGS